JPS59201060A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質（以下、電荷
発生物質という。）としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。

本発明は電子写真用の感光体に関し、更に詳しくは、光
を照射したとき電荷担体を発生する物質（以下、電荷発
生物質と言う。）を含む層（以下、電荷発生層と言う。

）と電荷発生層が発生した電荷担体を受は入れ、これを
搬送する物質（以下、電荷搬送物質と言う。）を含む層
（以下、電荷搬送層と言う。）からなる積層型の電子写
真感光体に関する。

従来、電子写真用、の感光体として、無機物系のもので
はセレン及びその合金を用いたもの、あるいは色木増感
した酸化亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などがあり
、また有機物系のものでは、２，４．７−）ジニトロ−
９−フルオレノン（以下、ＴＮＦと言う。）とポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール（以下、ＰｖＫと言う。）との電
荷移動錯体を用いたものなどが代表的なものである。し
かし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同時
に、さまざまな欠点を持っていることも事実である。例
えば、現在広く用いられているセレン感光体は製造する
条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性が
ないためにベルト状に加工することがむずかしく、また
熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する。

また酸化亜鉛感光体は安価な配化亜鉛を用いて支持体へ
の塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一
般に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度、引っ張り
強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり、通常反復し
て使用する普通紙複写機用の感光体としては耐久性など
に問題が多い。また、Ｌ″ＮＦとＰＶＫの電荷移動錯体
を用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の感光体と
しては不ｉσ当である。

近年、これらの感光体の欠点をりＹ除するために広範な
研究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提
案されている。中でも有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層）、この上に電荷搬送物質を主体
とする層（電荷搬送層）を形成した積層型の感光体が従
来の有機物系の感光体に比べ、一般に感度が高（帯電性
が安定していることなどの点から普通紙複写様用の感光
体として注目されており、一部実用に供されているもの
がある。

この種の従来の積層型の感光体として、（１）電荷発生
層としてペリレン誘導体を真空蒸着した薄層を用い、電
荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用いたもの（米国
特許第３８７１８８２　号公報参照）、 （２）電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒト２シン化合物を用いたもの（特公昭５５−４２３８
０号公報参照）、（３）電荷発生層としてジスチリルベ
ンゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形
成した薄ｊ■を用い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を
用いたもの（特開昭５５−８４９４３号公報参照） などが知られている。

しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点を持っていることも事実である。

（１）で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着により
形成するため製造コストが高くなる。

（２）で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般に取り扱いに（い有機アミン（たとえ
ばエチレンジアミン）を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域がおよ
そ４５０〜６６０ｎｍに亘っているため、赤色原稿の画
像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実装す
る場合は赤色光をカットするフィルターが必要であり、
複写機設計上の不利がある。

（３）で示したジスチリルベンゼン系ジスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物を用いた感光体は、ジスアゾ化合物の
分散液の塗布により容易に電荷発生層を形成できること
から製造上は大変有利なものであるが、（２）の感光体
と同様に、その感光波長域がおよそ４５０〜？ＯＯｎｍ
に亘っているため赤色原稿の画像再現性が悪いという欠
点を有している。

本発明者は、以上の欠点に鑑み、容易に製造でき高感前
で、しかも感光波長域が短波長領域にある（すなわち、
赤色原稿の画像再現性にすぐれた）電子写真用感光体を
開発することを目的として鋭意検討を重ねた結果、ある
特定のジスアゾ化合物を電荷発生物質として用いること
により、上記の目的が達成できることを見い出し、本発
明を完成するに至った。

すなわち、本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体
上に、電荷発生物質として下記一般式（１）で示される
ジスアゾ顔料を含有する感光層を設けたことを特徴とす
る− 〇 （式中、Ａはカップラー残基を表わす。）カップラーと
しては、たとえば、フェノール類、ナフトール類などの
フェノール性水酸基を荷する化合物、アミノ基を有する
芳香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフェノール性
水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族モしくは芳
香族のエノー、ル性ケトン基（活性メチレン基）をもつ
化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー残基Ａ
が下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＬｉＯ１Ｑ〜つ、（
Ｖ）、（■、（四、■）、叱頭、（至）、（４）σ）一
般式で表わされるものである。

〔上記式（１）、…υ、■および（Ｖ）中、ｘ、ｙ、、
ｚ。

ｍおよびｎはそれぞｎ以下のものを表わす。

（Ｒ１およびＲ２は水素または置換もしくは無置換のア
ルキルを表わし、Ｒ３は置換もしくは無＃１換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換の了り−ル基を表わす。

）Ｙ、：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルゼキシ
基、スルホ基、置餅モジ＜は無置換のスルファモイル基
ｔたは−ＣＯＮ−Ｙ２ （Ｒ４は水素、アルキル基またはそめ置換体、フェニル
基またはその置換体を表 わし、Ｙ２は炭化水素環基またはその置換体、Ｓ！累環
基またはその置換体、あるいは−Ｎ＝Ｃ””　（但し、
Ｒ３は炭化水素＼Ｒ６ 環基またはその置換体、複素８基また はその置換体あるいはスチリル基また はその置換体、鳥は水素、アルキル基、フェニル基また
はその置換体を表わす か、あるいはＲ６およびＲｏはそれらに結合する炭素原
子と共に環を形成しても よい。）を示す。） ２：炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 ｎ：ｌまたは２の整数 ｍ：１または２め整数〕 〔式（■および■中、Ｒ？は置換もしくは無置換の炭化
水素基を表わし、Ｘは前記に同じであへ〕Ａｒｌ 〔式中、Ｒｓはアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ａｒｌは炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Ｘは前記と同じである
。〕 Ｒ，Ｏ Ｒ，０ 〔上記式■および■）中、Ｒ，は水素または置換もしく
は無２僕の炭化水素基を表わし、Ａｒ２は炭化水素５４
またはその置換体を表わす。〕前記一般式（ｎ）、（Ｉ
ＩＤ、ＥＶ）まタハ（■）ノ炭化水累環としてはベンゼ
ン環、ナフクレン環などが例示テキ、また、壌としては
インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ペン
ゾフランテナどが例示できる。才だ、Ｚの環におけるＩ
Ｊ♀換基としては塩素原子、臭素原子などのノ・ロダン
原子が例示できる。

Ｙ２またはＲ３における炭化水累幻基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、′アントリル基、ピレニル基などが
、また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フ
リル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリ
ル基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、Ｒ
５およびＲ，が結合して形成する環としては、フルオレ
ン環などが例示できる。

Ｙ２またはＲ３の炭素環基または複素環基あるいはＲ，
ｌおよび鳥　によって形成される環に訃ける置換基′と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などの一ロダン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基
７よとのジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基
などのノ・ロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキ
シル基またはそのエステル、水酸基、−８Ｏ３Ｎａなど
のスルホン酸塩基ンよとがパげられる。

Ｒ３のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのＩ・ロダン原子が例示できる。

Ｒ２またはＲ９における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリール基またはこれらの置換体が例示できる。

Ｒ７またはＲ，の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキン基、塩素原子、臭素原子などの
−・ロダン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

ＡｒｌまたはＡｒ２における炭化水累垢基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがキア代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、フ゛チル基などのアルキル基、メトキ
シ斐、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、ニトロ基、塩素原子、兵累、原子などのノ
〜ロダン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基などメ／／メメメー
ｉｉｉｇｖｙが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式（
ｉの、（Ｖｉ）、■、（至）、■および■）で示される
ものであり、この中でも一般式におけるＸ力；水酸基の
ものが好ましい。また、この中でも一般式ＣＤ （Ｙ、および２は前記に同じ。） で表わされるカップ２−残基が奸才しく、さらに好まし
くは一般式 （Ｚ　、Ｙｚおよび鳥は前記に同じ。）で示されるカッ
プラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカップラー残基の゛・２・′ ″・、２．パ （Ｚ、　Ｒ，、Ｒ５ｆ−よびＲ６は前記に同じであり、
またＲ、。、とじては上記のＹ２の置換基が例示できる
。） で表わされるものが適当である。

以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。なか、簡略化のため、カ
ップラー残基であるＡの構造式のみで示した。

Ｎ ＮＯ２ ジスフッ１杯斗 ジスアゾが＋（料 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いることにより
極めて蔦感度な電子写真用感光体が容易に製造できるが
、この中でも電荷発生物質として特に好ましいジスアゾ
顔料はＡ１４．１７．２０，２３．２６．２９．５８．
８４．９０である。

本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、Ａ、Ａ。

Ｇｏｌｄ　ｂｅｒｇ　　ａｎｄ　　Ｈ，Ａ＋　Ｗａｌｋ
ｅｒ、　　、丁ｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｃｈｅｒｉｔ
ｃａｌεｆｏｃｉｅｔｙ、　１！３５３．１３４８　　
（１９５３）に記載されるような方法により製造した２
、７−シアミツキサントンを常法によりジアゾ化してテ
トラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応する
カップラーとを適当な有機溶媒、たとえばＮ、Ｎ−ジメ
チルホルム７°ミド中で址【基を作用させてカップリン
グ反応を行なうことによって容易に製造することができ
る。その例として以下に前記Ａ１のジスアゾ顔料の製造
例を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える他
はこの製造例に従って容易＆て製造することができ木。

製造例 水２２４ｍ１とｍ塩酸２２４　ｎｔｅとより成る塩酸中
へ２，７−ジアミツキサントン２９．１８．９を加え、
約６０℃に加熱して１時ト１加熱した後、−３℃まて゛
冷却し、次いでは°これに亜硝酸ナトリウム１８７ｇを
水９０ｕｆに溶解した溶液ケ−３℃〜θ℃の温度で５０
分間にわたり滴下した。

その後、同温度で３０分攪拌した後、この反応液中に４
２％１１■弗化水素酸１５０ゴを添加し、析出した結晶
を戸別し、水洗、乾燥して４７．１３ｇ（収率８６．１
９Ｓ）のテトラゾニウムジフルオロゼレートの淡黄色結
晶を得た。分解点１４５℃以上、赤外線吸収スペクトル
（ＫＢｒ　錠剤法）では２２８０α−工にＮ、■に基づ
く吸収帯が、１６８５の−”ＫＣ＝Ｏに基づく吸収帯が
認められた。

／ このようにして得られたテトラゾニウム塩５．Ｏｇとカ
ップリング成分として２−ヒドロキシ−３−ナフトエｌ
！ノアニリド６．２５．！７（テトラゾニウム塩の２倍
モル）とを、冷却したＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドｒ
ｏｏｗｔｔ中に溶解し、これに酢酸ナトリウム４．０ｇ
および水ａｓｍ！！からなる溶液を５〜１０℃の温度で
２０分間にわたって滴下し、冷却を中止した後、さらに
室温で３時間攪拌した。その後、生成した沈澱をＦ取し
、８０℃に加熱したＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド７０
０ｄで３回洗浄し、次に水７００ＴＬ！！で２回洗浄し
、８０℃で２　’ｍｉＬＨｇの減圧下に乾燥して、表１
の化合物屋１のジスアゾ顔料８．２９　（収率９０、θ
係）を得た。このジスアゾ顔料の外観は赤色の粉末であ
り、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は第１図に
示した。

融　点　３００℃以上 元素分析値（襲） 計算１直　　　実測値 Ｃ７２，８６７２，６１ ｉ−Ｉ　　　　　３．９１　　　　３．８８Ｎ　　　　
１０．８４　　　１０．７７本発明の電子写真用感光体
ではジスアゾ顔料は感光層における電荷発生物質として
用いられ、この感光体の代表的な構成を第２図および第
３図に示した。

第２図の感光体は、導電性支持体１１上に、ジスアゾ顔
料１３を主体とする電荷発生ル≦１５と電荷搬送物質を
主体とする′鉦荷撤送層１７とからなる積層型の感光層
１９を設けたものである。

第２図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層１５に到達し、その部分のジスアゾ顔
料１３で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層１７は
電荷の注入を受けその殿送を行なうもので、光減衰に必
要な電荷の生成はジスアゾ顔料１３で行なわれ、また電
荷の搬送は電荷搬送層１７でというメカニズムである。

第３図の感光体は導電性支持体１１上に主としてジスア
ゾ顔料１３、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層１９を設けたものである。ここでもジスアゾ顔料
１３は電荷発生物質である。その他の感光体として第２
図の電荷発生層と電荷搬送層を逆にすることも可能であ
る。

感光層の厚さは、第２図のもので電荷発生層１５の厚み
は好ましくは０．０１〜５μさらに奸才しくは０．０５
〜２μである。この厚さが０．０１μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また５μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。電荷搬送層１７の厚さは好まし
くは３〜５０μ、さらに好ましくは５〜２０μである。

この厚さが３μ以下であると帯電量が不十分であり、５
０μ以上であると残留電位が高く実用的ではない。電荷
発生層１５は前記の一般式で示されるジスアゾ面料を主
体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有することがで
きる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は好ま
しくは３０虜量係以上、さら６Ｃ好ましくは５０重量係
以上である。電荷搬送層１７は電荷搬送物質と結合剤を
主体とし、さらに可塑斉１などを含有することができる
。ｕｔ荷１賊送層中の電荷搬送物質の割合は１０〜９５
重量％、好ましくは３０〜９０Ｍ−は係である。電荷搬
送物質の占める割合が１０重量係未満であると、電荷の
搬送はほとんど行なわれず、また９５重量係以上である
と感光体反膜の機械的強度が極めて悪く実用′に供しえ
ない。

第３図に示した感光体の場合は、感光層１９′の厚さは
好ましくは３〜５美μ、さら知好ましくは５〜２０μで
ある。また、感光層１９′中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは５０重量９６以下、さらに好ましくは２ＯＮＨ
係以下であり、また電荷発生物質の割合は好ましくは１
０〜９５重量９醜さらに好ましくは３０〜９０重量％で
ある。

本発明は、電子写真用感光１体における電荷発生物質と
して、前記一般式Ｉで表わされる特定のジスアゾ彰料を
用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、電
荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られていた
もののいずｒもが使用できるが、それらについて以下に
具体的に説明する。

本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムに
アルミニウム、５ｎ０２　等の導電材料を蒸着したもの
、あるいは導電処理した紙等が使用される。

結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネートな
どの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチレン、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなど
のビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で且つ接着
性のある樹脂は全て使用できる。

ＩＴｒ塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ボリノ互
化ビフェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレー
トなどが挙げられる。その他線光体の表面性をよくする
ためにシリコンオイル等を加えてもよい。

屯荷人送吻負には正孔搬送物質と電子り送物質がある。

正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式（１）〜
（１１）に示されるような化合物が例示できる。

１ 〔式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、２−ビトロキシエ
チル基又は２−クロルエチル基を表わし、鳥はメチル基
、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、Ｒ１
１は水素、塩累、臭紫、炭素数１〜４のアルキル基、炭
素数１〜−のアルコキシル基、ジアルキルアミノ基又は
ニトロ基を表わす。〕 〔式中、Ａｒはナフタリン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環
、チオフェン案を表ゎし、Ｒはアルキル基又はベンジル
基を表ゎ丁。〕 （ １ 〔式中、Ｒ１はアルキル基、ベンジル基、フェニル基を
表わし、Ｒ２は水素、炭素数１〜３のアルキル基、炭素
数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラ
ルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表わし、ｎ
は１〜４の整数を表わし、ｎが２以上のときＲ３は同じ
でも異なっていてもよい。Ｒ８は水素またはメトキシ基
を表わす。〕 （４） １ 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もし
くは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし、Ｒ□Ｒ
３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく水素、炭素数
１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルア
ルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表わし、ま
た、島とＲ３は互いに結合し窒業な含む複素環を形成し
ていてもよい。曳は同一でも異なっていてもよく水素、
炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン
を表わす。〕 〔式中、Ｒは水素またはハロゲン原子を表わし、Ａｒは
置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アラルキ
ル基あるいはカルツマゾリル基を表わす。〕 〔式中Ｒ１は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜４
のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表わ
し、Ａｒは 馬は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、Ｒ，は水素、
ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルコキシ基またはシアルギルアミノ基を表わし、ｎは
１または２であって、ｎが２のときはＲ３は同一でも異
なってもよ＜、Ｒ４およびＲ５は水素、炭素数１〜４の
置換ま、たは無置換のアルキル基あるいは置換または無
置換のベンジル基を表わす。〕 〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基、フリル基或いはそれぞれ置換もしくは
非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基またはア
ントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミ
ノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボギシ基または
そのエステル、）・ロダン原子、シアノ基、アラルキル
アミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎアラルキルアミノ基、アミ
ノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からなる群から
選ばれた基を表わす。〕も 〔式中％　Ｒ１は低級アルキル基またはベンジル基を表
わし、Ｒ３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、−・ロダン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低
級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミン基を
表わし、ｎは１または２の整数を表わす。〕〔式中、Ｒ
１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはノーロ
ダン原子を表わし、−およびａｍはアルキル基、置換ま
たは無置換のアラルキル基あるいは置換または無置換の
アリール基を表わし１．　Ｒ４は水素原子または置換も
しくは無置換のフェニル基を表わμ、また、Ａｒはフェ
ニル基またはナフチル基を表わす。〕 〔式中、ｎはｏ７たは１の整数、ＹＬ、は水素原子、ア
ルキル基または置雫もしくは無置換のフェニル基を示し
、Ａは しくは無置換のＮ−アルキルカルバゾリル基を表わし、
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子または置換または無置換のアラルキル基、−
置換または無置換のアリール基を示し、Ｒ３ｊ、−よび
Ｒ４は環を形成してもよい）を表わし、ｍは０、　１．
　２または３の整数であって、ｍが２以上のとぎはＲ２
は同一でも異なってもよい。〕 ３ 〔式中、Ｒｌｓ　Ｒ２およびＲ８は水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはハロ
ゲン原子を表わし、ｎは０または１を表わす。〕 一般式（１）で表わされる化合物には、たとえば９−エ
チルカルバゾール−３−アルデヒド　１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバソール−３−ア
ルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−アルデヒ）”１．１−ジフェ
ニルヒト２シンなどがある。一般式（２）で表わされる
化合物には、たとえば４−ジエチルアミノスチレン−Ｉ
−アルデヒド　１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、
４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド　ｌ−ベンジ
ル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。一般式（３）
で表わされる化合物にはたとえば、４−メトキシベンズ
アルデヒド　１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２
゜４−ジメトキシベンズアルデヒド　１−ベンジル−１
−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアル
デヒド　１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキン
ベンズアルデヒド　１−ベンジル−１−Ｃ４−メトキシ
）フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアル
デヒド　１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１゜１−ジフェニ
ルヒドラゾンなどがある。一般式（４）で表わされる化
合物には、たとえば　１，１−ビス（４−ジベンジルア
ミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノ
フェニル）メタン、１，１−ビス（４−ジベンジルアミ
ノフェニル）フロパン、２．２’−ジメチル−４゜４′
−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどが
ある。一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば
９−（４−ジエチルアミノスチリＮ）アントラセン、９
−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アン
ト２センなど、がある。一般式（６）で表わされる化合
物には、たトエば　９−（４−ジメチルアミ人ベンジリ
デン）フルオレン、３−（９−フルオレニリテン）−９
−エチルカルバゾールなどがある。一般式（７）で表わ
される化合物には、たとえば　１，２−ビス（４−ジエ
チルアミノスチリ／Ｉ／）ベンゼン、１，２−ビス（２
，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンがある。一般式（
８）で表わされる化合物には、たとえば　３−スチリル
−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリ
ル）−９−エチルカルバゾールなどがある。一般式（９
）で表わさ肚る化合物には、たとえば　４−ジフェニル
アミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、
４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニル
アミノスチリル）すフタレン、、１−（４−ジエチルア
ミノスチリル）ナフタレンなどがある。一般式（１０）
で表わされる化合物には、たとえば　４′−ジフェニル
アミノ−α−フェニルスチルベン、４′−メチルフェニ
ルアミノ−α−フェニルスチルベンなどカする。一般式
（１１）で表わされる化付物には、たとえば　１−フェ
ニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル
−３−（４−ジメチルアミノスチリル）−５−（４−ジ
メチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。

この他の正孔搬送物質としては、たとえば２．５−ビス
（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、２，５−ビス（４−（４−ジエチルアミノ
ステリル）フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
、２−（９−エチルカルバゾリル−３−）−５−（４−
ジエチルアミノフェニル）　−，１、３、４−オキサジ
アゾールなどのオキサジアゾール化合物、２−ビニル−
４−（２−クロルフェニル）−５−（４−ジエチルアミ
ノフェニル）オキサゾール、２−（４−ジエチルアミノ
フェニル）−４−フェニルオキサゾールなどのオキサゾ
ール化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
ホルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる
。

電子搬送物質としては、たとえば、フロルアニル、フロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメメン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン
、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２８４１５．７−テトラニトロキサンドン、２，４．８
−トリニドロチオキサントン、２，６．８−トリニトロ
−４Ｈ−インデノ［：ｘ、ｚ−ｂ）チオフエ／−４−オ
ン、１，３．７−トリニトロジペンゾチオフエンー５，
５−ジオキサイドなどがある。

これらの電荷搬送物質は単独又は２種以上混合して用い
られる。

なお以上のようにして得られる感光体にはいずれも導電
性支持体と感光層の間に必要に応じて接着層又はバリヤ
層を設けることができる。

これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、ｌ速比アルミニウムなどが適当で、また
膜厚は１μ以下が好ましい。

第２図の感光体を作成するには、導電性支持体上にジス
アゾ顔料を　ＵＳＰ　３，９７３，９５９、ＵＳＰ　３
，９９６，０４９　　等に記載されている真空蒸着方法
で真空蒸着するか、あるいはジスアゾ顔料の微粒子を必
要とあれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、こ
れを導電性支持体上に塗布乾燥し、更忙必要とあれば例
えば特開昭５１−９０８２７に示されているようなパフ
研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を調整した
後、重荷搬送物質及び結合剤Ｚ含む溶液を塗布乾燥して
得られる。

第３図の感光体を作成するには゛ジスアゾ顔料の微粉子
を電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せし
め、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。いづ
れの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボールミ
ル等により粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に粉砕し
て用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドクター
ブレード、ディッピング、ワイヤーノ々−などで行なう
。

本発明の感光体ン用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によって、
紙などへ転写を行うことにより達成される。

以上の説明および後記の実施例および比゛較例からも明
らかなように、本発明の電子写真用感光体は、キサント
ン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用い
ることにより、従来の感光体に比較して製造が容易であ
り、また、高感度で、しかも感光波長域が短波長域（４
５０〜６００ｎｍ）にあり、感光体の反復使用に対して
も特性が安定しているなど、優れた性質な有“　　する
。

次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ ジスアゾ顔料煮１を７６重量部、ポリエステル樹脂（パ
イロン２００株式会社東洋紡績製）のテトラヒドロフラ
ン浴液（固形分家産２係）１２６０　＞Ａ　Ｓ−、部、
およびテトラヒドロフラン３７００重量部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステルベース（心電性支持体）のアルミ面上に
ドクターブレードを用いて塗布し、目然乾燥して、ｊ阜
さ約１μｍの電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として９−エチルカ
ルバゾール−３−アルデヒド　１−メチル−１−フエニ
ルヒドラゾノ２　重量８　、ポリカーぜネート樹脂（パ
ンライトに−１３００：（株）量大製）２重量部および
テトラヒドロフラン１６重量部を混合溶解した溶液をド
クターブレードを用いて塗布し、８０℃で２分間、つい
で１０５℃で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷搬送
層を形成して、第２図に示した積層型め感光体Ａ１を作
成した。

実施例２〜２６ 実施例１で用いたジスアゾ顔料ｍｌの代りに後記表−１
に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例１と同様にし
て感光体通２〜２６を作成した。

実施例２７〜４７ ゛電荷搬送物質として１−フェニ＃−３−（４−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニ
ル）ビッグ、リンを用い、後記表−２忙示すジスアゾ顔
料を用いた以外は実施例１と同様にして感光体４２７〜
４７を作成したＯ 実施例４８〜６６ 電荷搬送物質として９−（４−ジエチルアミノスチリル
）ア／トツセンを用い、後記表−３に示すジスアゾ顔料
′を用いた以外は実施例Ｉと同様にして感光体Ａ　４８
〜６６を作成した。

実施例 電荷搬送物質として１．１−ビス（４−ジベンジルアミ
ノフェニル）プロパンを用い、後記機−４に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例１と同様にして感光体屋
６７〜７４を作成した。

これらの感光体Ａ１〜７４について、静１に複写紙試験
装置（（珠）川口電機製作新製、ＳＲ４２８型）を用い
て、−６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行なって負に帯電
せしめた後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面電位
Ｖｐｏ　（Ｖ）を測定し、次いでタングステンランプに
よってその表面が照度２０ルツクスになるようにして光
を照射しその表面電位がＶｐｏの％になるまでの時間（
紗）を求め、露光量Ｅ％（ルックス・秒）を算出したそ
の結果を表−１〜表−４に示した。

比較例１ 米国特許第３８７１８８２　　号公報に記載の電荷発生
層としてペリレン誘導体を用い、電荷搬送層にオキサジ
アゾール誘導体を用いた積層型の感光体を下記のように
作成した。

電荷発生物質としてＮ２ｇ−ジメチルペリレ／−３，４
，９，１０−テトラカルゼン酸ジイミドをアルミニウム
板上に、真空度１０−’　ｇｉＨｇ蒸着源温度３５０℃
、蒸着時間３分間の条件下に真空蒸着し、電荷発生層を
形成した。次いでこの電荷発生層上に、２，５−ビス（
４−ジエチルアミノフェニル）−ｉ、３．４−オキサジ
アゾール５Ｍ量部、ポリエステル樹脂（デュポン社製、
ポリエステルアドヒースイプ４９０００　）５重量部及
びテトラヒドロフラン９０重景部からなる溶液を塗布し
、１２０℃で１０分間乾燥して、厚さ約１０μｍの電荷
搬送層を形成し、比較感光体Ａ１を作成した。

比較例２ 特公昭５５−４２３８０号公報に記載されている、電荷
発生層としてクロルダイアンブルーを用い電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いた積層型の感光体を下記のよう
にして作成した。

クロルダイアンブルー２５重量部、エチレンジアミン１
２４０重量部、ｎ−ブチルアミ７９９０Ｍ量部およびテ
トラヒドロフラン２７４０重量部からなる溶液を、アル
ミ蒸着したポリエステルペースのアルミ面上にウェット
ギャップ２５μｍでドクターブレードを用いて塗布、乾
燥し、電荷発生層を形成した。ついで、この電荷発生層
上に、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド１．１−ジ
フェニルヒドラゾン１０重量部、ポリカーボネート樹脂
（実施例１で用いた樹脂と同じもの）１０重量部訃よび
テトラヒドロフラン８０重量部よりなる溶液を、ドクタ
ーブレードを用いて塗布し、乾燥して厚さ約１８μｍの
電荷搬送層を形成し、積層型の比較感光体Ａ２を作成し
た。

比較”例３ 特開昭５５−８４９４３号公報に記載されている、電荷
発生層としてジスチリルベンゼン系ジスアゾ化合物を用
い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用いた積層型の感
光体を下記のように作成した。

４′、／−ビス〔２−ヒドロキシ−３−（２゜４−’ジ
メチルフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ〕−
１，４−ジスチリルベンゼン２０ＭＭ部、ポリビニルブ
チラール（デンカブチラール≠４０００−１、東京電気
化学（株）製）３重量部、ポリメチルメタアクリレート
（ダイヤナールＢ糺−８０、三菱レーヨン（株）製）７
重量部およびテトラヒドロフラン３００重量部を、ゼー
ルミル中で３時間ミリングし、この分散液をテトラヒド
ロフラン２７００重量部で希釈した後、アルミ蒸着した
ポリエステルベース（等電性支持体）のアルミ面上にド
クターブレードを用いて塗布、乾燥し、厚さ約０．３μ
ｍの電荷発生層を形成した。ついで、この電荷発生層上
に、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド　１−メ
チル−１−フェニルヒトラソン１０重量部、ポリカーボ
ネート樹脂（実施例１で用いた樹脂と同じもの）１０重
量部およびテトラヒドロフラン８０重量部よりなる溶液
を、ドクターブレードを用いて塗布し、乾燥して厚さ約
１３μｍの電荷搬送層を形成し、積層型の比較感光体Ａ
３を作成した。

これら比較感光体Ａ１〜３および本発明の感光体Ａ４お
よびＡ、　７　Ｋついて、その感光波長域を調べるため
に、次の測定手順によって分光感度の測定を行なった。

まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位を
−８００ボルト以上に帯電し、その表面電位が一８００
ゼルトになるまで暗減衰させ、表面電位が一８００ヂル
トになったときにモノクロメータ−を用いて分光した感
光体面での強度が１μｒｒＬ／ｄの単色光を感光体に照
射した。

そして、その表面電位が一４００Ｖに減衰するまでの時
間（秒）を求め、半減露光量（μＷ−ｓｌ！ｆ／ＣＩり
を算出した。一方、露光によって得られる見掛は上の電
位差４００ゼルトから暗減衰による電位の減衰弁を差引
いた蕗先により実際に得られているｄ位差を求め、この
電位差と上記の半減露光量とから光減衰速度（Ｖｏｌｔ
ｓ（７−ＩＪＸＶ−”　＠５ｅｅ−”　）を算出し、感
度とした。このようにして得られた分光感度な嬉４〜６
図に示した。

第４図・・・本発明の感光体扁４ 第５図・・・本発明の感光体Ａ７ 第６図・・・比較感光体ノに１．　２．　３前記表−１
〜表−４および第３図〜第５図の結果により、本発明の
感光体が高感度で、また、その感光波長域がおよそ４６
０〜６００ｎｒｏであることが判る。

さらに、本発明の感光体、４５．４　ｋよび應７を（株
）リコー波複写依りコピーｐ−５００型に装着して画像
出しをｉｏ、ｏｏｏ回繰り返した。その結果、いずれの
感光体も複写プロセスの繰返しにより変化することなく
、鮮明な画像が得ら扛た。これにより、本発明の感光体
がｉ制久住に、Ｉ−″いても侵れだものであることが理
解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いるジスアゾ顔料盃１の　　　゛赤
外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。 第２図および第３図は本発明の感光体の構成例を示す拡
大断面図である。 １１・・・導電性支持体　１３・・・ジスアゾ顔料１５
・・・電荷発生層　　１７・・・電荷搬送層１９．１９
’・・・感光層 第４図〜第６図は本発明の感光体および比較感光体の分
光感度特性を表わすグラフである。 ノ王 一つ １図 兜２図 １ス 兇４図 死　５図 波長（ｎｍ） 死６既 （ １、事件の表示 昭和５８年　特　許　願第７５５８６　号２、発明の名
称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都太田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　コ　−・ 代表者　浜　１）　　　広 ４、代理人 ５、補正の対象 シ、補正の内容 （１）第１０．頁３行の構造式を次の通シに補正する。 「 」 （２）　　第１１頁４行Ｋ　ｒ　（Ｉｔ）　、　（Ｉ［
Ｄ　、　（ＩＶ）まり、＝ａ４Ｖ）　ノＪとあるのをＦ
　（ＤＩＤ　、　ＯＶ）または（■における２の」にネ
１ｈ圧する。 （３）同頁６行ｋｒ壌」とあるのを「複素環」に補正す
る。 （４）同頁下から２行に「炭素環基」とあるのを「炭化
水Ｘｍ基」に補正する。 （５）　　第２８頁のジスアゾ顔料Ｎｎ９７のＡの構造
式を次の通シに補正する。 」 （６）同頁のジスアゾ謂ネ・［ＮＣＬ９８のＡのイ・Ｈ
造式を次の通りに補正する。 「 ｔ 」 （７）同頁のジスアゾ顔料Ｎｎ９９のＡの構造式を次の
通シに補正する。 」 （８）　　同頁のジスアゾ顔料Ｎｎ１ＯＯＯＡの構造式
を次の通シに補正する。 「 」 （９）第２９頁のジスアゾ顔料ＮＣＬ　１０１のＡの構
造式を次の通りに補正する。 」 （１０）同頁のジスアゾが（料Ｎα１０２のＡのイ溝造
式を次の通りに補正する。 「 」 （１工）第３０頁のジスアゾ顔料ＮＣＬ　１０８のＡ　
ｆ）　構造式を次の通υに補正する。 」 （１２）　ｇ　３８頁のジスアゾ顔料ＮＣＬ１６１のＡ
の構造式を次の通りに補正する。 「 （１３）第３９頁下から３行に「次いでぼ」とあるを「
次いで」に補正する。 （１４）第４６頁３行に「アルコキシル基」とあるを「
アルコキシ基」に補正する。 （１５）第５６頁１０〜１１行に「フロルアニル」とあ
るのを「クロルアニル」に補正する。 （１６）同頁１５行に「テトラニトロキサントン」とあ
るのを「テトラニトロキサントン」に補正する。 （１７）第６１負９行にｒ　ｓＲ，４２８Ｊとあるのを
１”５Ｐ４２８Ｊに補正する。 （１８）同頁１４行に「２０」とあるのをｌ”４．５ｊ
に補正する。 （１９）第６９負下から５行に「１　ｐｒｎ／ｃｎｉ　
Ｊとあるのを「１μｗ／ｃ〃ｉ　ｊに補正する。 （２０）第７０頁９行に「第３図〜第５図」とあるのを
「第４図〜第６図」に補正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　導電性支持体上に一般式（Ｉ） （式中、Ａはカップラー残基を表わす）で示されるジス
   アゾ顔料を有効成分として含。 有することを特徴とする電子写真用感光体。