JPS61241763A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS61241763A JPS61241763A JP60083379A JP8337985A JPS61241763A JP S61241763 A JPS61241763 A JP S61241763A JP 60083379 A JP60083379 A JP 60083379A JP 8337985 A JP8337985 A JP 8337985A JP S61241763 A JPS61241763 A JP S61241763A
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- Japan
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- group
- photoreceptor
- disazo pigment
- charge
- substituted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B35/00—Disazo and polyazo dyes of the type A<-D->B prepared by diazotising and coupling
- C09B35/02—Disazo dyes
- C09B35/039—Disazo dyes characterised by the tetrazo component
- C09B35/233—Disazo dyes characterised by the tetrazo component the tetrazo component being a derivative of a diaryl ketone or benzil
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
茨生分互
本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下「電荷
発生物質」という)としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。
光を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下「電荷
発生物質」という)としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。
丈米腹免
電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレン
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは2゜4.7−ドリニトロー9−フルオレノ
ン(以下rTNFJ という)とポリ−N−ビニルカル
バゾール(以下rPVKJという)との電荷移動錯体を
用いたものなどが代表的なものとして知られている。
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは2゜4.7−ドリニトロー9−フルオレノ
ン(以下rTNFJ という)とポリ−N−ビニルカル
バゾール(以下rPVKJという)との電荷移動錯体を
用いたものなどが代表的なものとして知られている。
しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同
時に、さまざまな欠点を持っている。
時に、さまざまな欠点を持っている。
例えば、現在広く用いられているセレン感光体は製造す
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
がないためにベルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への
塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度、引っ張り強
度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり1通常反復して
使用する普通紙複写機用の感光体としては耐久性などに
問題が多い、また、TNFとPVKとの電荷移動錯体を
用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の感光体とし
ては不適当である。
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
がないためにベルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への
塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度、引っ張り強
度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり1通常反復して
使用する普通紙複写機用の感光体としては耐久性などに
問題が多い、また、TNFとPVKとの電荷移動錯体を
用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の感光体とし
ては不適当である。
近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な研
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層)、 この上に電荷搬送物質を主
体とする層(電荷搬送層)を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層)、 この上に電荷搬送物質を主
体とする層(電荷搬送層)を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。
この種の従来の積層型の感光体として、(I)電荷発生
層としてペリレン誘導体を真空蒸着した薄層を用い、電
荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用いたもの(U
S P 3871882参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)(3)電荷発生層としてジスチリルベン
ゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成
した薄層を用い、電荷搬送層のヒドラゾン化合物を用い
たもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。
層としてペリレン誘導体を真空蒸着した薄層を用い、電
荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用いたもの(U
S P 3871882参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)(3)電荷発生層としてジスチリルベン
ゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成
した薄層を用い、電荷搬送層のヒドラゾン化合物を用い
たもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。
しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点をもっていることも事実である。即ち、次のごとき欠
点である。
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点をもっていることも事実である。即ち、次のごとき欠
点である。
(I)で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着によ
り形成するため製造コストが高くなる。
体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着によ
り形成するため製造コストが高くなる。
(2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗
布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(例え
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域がおよ
そ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿の画
像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実装す
る場合は赤色光をカットするフィルターが必要であり、
複写機設計上の不利がある。
物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗
布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(例え
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域がおよ
そ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿の画
像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実装す
る場合は赤色光をカットするフィルターが必要であり、
複写機設計上の不利がある。
(3)で示したジスチリルベンセン系ジスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物とを用いた感光体は。
ヒドラゾン化合物とを用いた感光体は。
ジスアゾ化合物の分散液の塗布により容易に電荷発生層
を形成できることから製造上は大変有利なものであるが
、(2)の感光体と同様に、その感光波長域がおよそ4
50〜700nmに亘っているため赤色原稿の画像再現
性が悪いという欠点を有している。
を形成できることから製造上は大変有利なものであるが
、(2)の感光体と同様に、その感光波長域がおよそ4
50〜700nmに亘っているため赤色原稿の画像再現
性が悪いという欠点を有している。
l−一煎
本発明は前述の従来の欠点を克服した感光体を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
1−−」文
本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に、電荷
発生物質として下記一般式(I)で示されるジスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。
発生物質として下記一般式(I)で示されるジスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。
(式中、Aはカップラー残基を表わす)ちなみに、本発
明者は前記従来の欠点に鑑み。
明者は前記従来の欠点に鑑み。
容易に製造でき高感度で、しかも感光波長域が短波長領
域にある(すなわち、赤色原稿の画像再現性にすぐれた
)電子写真用感光体を開発することを目的として鋭意検
討を重ねた結果、一般式(I)で表わされる特定のジス
アゾ化合物を電荷発生物質として用いることにより、上
記の目的が達成できることを見い出したのであって、本
発明はそれに基づいて完成されたものである。
域にある(すなわち、赤色原稿の画像再現性にすぐれた
)電子写真用感光体を開発することを目的として鋭意検
討を重ねた結果、一般式(I)で表わされる特定のジス
アゾ化合物を電荷発生物質として用いることにより、上
記の目的が達成できることを見い出したのであって、本
発明はそれに基づいて完成されたものである。
一般式CI)におけるカップラーとしては、たとえばフ
ェノール類、ナフトール類などの水酸°基を有する芳香
族炭化水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、
アミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を
有する複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸
基及びアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素
環式化合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケト
ン基を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)
などが用いられ、好ましくは、カップラー残基Aが下記
一般式(If)、(U、(IV)、(V)、(VI)、
(■)、(■)、(W)、(X)、(X[)、(Xl
[)の一般式で表わされるものである。
ェノール類、ナフトール類などの水酸°基を有する芳香
族炭化水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、
アミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を
有する複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸
基及びアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素
環式化合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケト
ン基を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)
などが用いられ、好ましくは、カップラー残基Aが下記
一般式(If)、(U、(IV)、(V)、(VI)、
(■)、(■)、(W)、(X)、(X[)、(Xl
[)の一般式で表わされるものである。
(X)n x
Z
〔上記式(n)、(m)、(IV)および(V)中、X
s y、、z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わ
す。
s y、、z、mおよびnはそれぞれ以下のものを表わ
す。
X : −OH,−N または−NH5O,−R。
島
(R1およびR8は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R3 は置換もしくは無置換のアルキル基ま たは置換もしくは無置換のアリール基 を表わす、) Y工:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換の アルコキシ基、カルボキシ基、スルホ 基、置換もしくは無置換のスルファモ イル基または一〇〇N−Y。
ルキル基を表わし、R3 は置換もしくは無置換のアルキル基ま たは置換もしくは無置換のアリール基 を表わす、) Y工:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換の アルコキシ基、カルボキシ基、スルホ 基、置換もしくは無置換のスルファモ イル基または一〇〇N−Y。
&
(R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を 表わし、Y2は炭化水素環基またはそ の置換体、複素環基またはその置換体、& あるいは−N=C(但し、R5は炭化 & 水素環基またはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基 またはその置換体、R1は水素、アル キル基、フェニル基またはその置換体 を表わすか、あるいはR5及びR1はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形 成してもよい、)を示す、) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式(VI)および(■)中、R7は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、又は前記に同じである。〕 纏 Ar1 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ariは炭化水素
環基またはその置換体を表わし、又は前記と同じである
。〕 X 〔上記式([)および(X)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす、〕 前記一般式(U)、(m)、(IV)または(V)のZ
の炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが
例示でき、また複素環としてはインドール環、カルバゾ
ール環、ベンゾラン環などが例示できる。Zの環におけ
る置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子及びアルコキシ基が例示できる。
基またはその置換体を 表わし、Y2は炭化水素環基またはそ の置換体、複素環基またはその置換体、& あるいは−N=C(但し、R5は炭化 & 水素環基またはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基 またはその置換体、R1は水素、アル キル基、フェニル基またはその置換体 を表わすか、あるいはR5及びR1はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形 成してもよい、)を示す、) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式(VI)および(■)中、R7は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、又は前記に同じである。〕 纏 Ar1 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ariは炭化水素
環基またはその置換体を表わし、又は前記と同じである
。〕 X 〔上記式([)および(X)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす、〕 前記一般式(U)、(m)、(IV)または(V)のZ
の炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが
例示でき、また複素環としてはインドール環、カルバゾ
ール環、ベンゾラン環などが例示できる。Zの環におけ
る置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子及びアルコキシ基が例示できる。
Y2またはR6における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基。
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基。
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル
基などが例示でき、 さらに、R5およびR,が結合し
て形成する環としては、 フルオレン環などが例示でき
る。
基などが例示でき、 さらに、R5およびR,が結合し
て形成する環としては、 フルオレン環などが例示でき
る。
Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいは
R5およびR,によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基。
R5およびR,によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基。
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ
基、ジベンジルアミノ基などのジアラルキルアミノ基、
トリフルオロメチル基などのハロメチル基、ニトロ基、
シアノ基、カルボキシル基またはそのエステル、水酸基
、−8O,Naなどのスルホン酸塩基などが挙げられる
。
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ
基、ジベンジルアミノ基などのジアラルキルアミノ基、
トリフルオロメチル基などのハロメチル基、ニトロ基、
シアノ基、カルボキシル基またはそのエステル、水酸基
、−8O,Naなどのスルホン酸塩基などが挙げられる
。
R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R1またはR,における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリールまたはこれらの置換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリールまたはこれらの置換体が例示できる。
R7またはR9の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar□またはAr2における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
m)、(VI)、 (■)、(■)、 (IN)および
(X)で示されるものであり、 この中でも一般式にお
けるXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一
般式(X[) HOY□ (y 1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
m)、(VI)、 (■)、(■)、 (IN)および
(X)で示されるものであり、 この中でも一般式にお
けるXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一
般式(X[) HOY□ (y 1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(XIII)または(XmHOC0NHN=C Z (Z、 R,、R,およびR,は前記に同じであり、ま
たR1゜とじては上記のY、の置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。
式(XIII)または(XmHOC0NHN=C Z (Z、 R,、R,およびR,は前記に同じであり、ま
たR1゜とじては上記のY、の置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。
以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。
造式で示すと次の通りである。
(以下余白)
(以下余白)
似下余白)
(以下余白)
(以下余白)
(以下余白)
以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いるで冷却し、
次いで、 これに亜硝酸ナトリウム容易に製造できる。
次いで、 これに亜硝酸ナトリウム容易に製造できる。
本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、3.3’ −ジニ
トロベンゾフェノンを還元することにより製造した3、
3′−ジアミノベンゾフェノンを常法によりジアゾ化し
てテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応
するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばN、N−ジ
メチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリング
反応を行なうことによって容易に製造することができる
。その例として以下に前記&1のジスアゾ顔料の製造例
を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える他は
この製造例に従って容易に製造することができる。。
トロベンゾフェノンを還元することにより製造した3、
3′−ジアミノベンゾフェノンを常法によりジアゾ化し
てテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応
するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばN、N−ジ
メチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリング
反応を行なうことによって容易に製造することができる
。その例として以下に前記&1のジスアゾ顔料の製造例
を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える他は
この製造例に従って容易に製造することができる。。
製造例
テトラゾニウム塩の ゛
水100m Qと濃塩酸25IIIQとより成る塩酸中
へ3.3′−ジアミノベンゾフェノン10.4gを加え
、約60℃に加熱して1時間加熱した後、−3℃まの温
度で30分間にわたり滴下した。その後同温度で30分
間攪拌した後、この反応液中に42%硼弗化水素酸90
■aを添加し、析出した結晶を枦別、水洗、乾燥して1
0.8g(収率54幻のビスジアゾニウムビステトラフ
ルオロボレートの淡黄色の結晶を得た。赤外線吸収スペ
クトル(KBr錠剤法)は、 2280cm−1にN2
゜に基づく吸収帯が、1680cm−’に)C=Oに基
づく吸収帯が認められ ゛た。
へ3.3′−ジアミノベンゾフェノン10.4gを加え
、約60℃に加熱して1時間加熱した後、−3℃まの温
度で30分間にわたり滴下した。その後同温度で30分
間攪拌した後、この反応液中に42%硼弗化水素酸90
■aを添加し、析出した結晶を枦別、水洗、乾燥して1
0.8g(収率54幻のビスジアゾニウムビステトラフ
ルオロボレートの淡黄色の結晶を得た。赤外線吸収スペ
クトル(KBr錠剤法)は、 2280cm−1にN2
゜に基づく吸収帯が、1680cm−’に)C=Oに基
づく吸収帯が認められ ゛た。
ジスアゾ顔料 Nl11の ゛
前述のように製造したテトラゾニウム塩1.02gとカ
ップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸
アニリド1.32g(テトラゾニウム塩の2倍モル)と
を、冷却し九N、N−ジメチルホルムアミド150m
11中に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gおよ
び水7mΩからなる溶液を5〜10℃の温度で5分間に
わたって滴下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時
間攪拌した。
ップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸
アニリド1.32g(テトラゾニウム塩の2倍モル)と
を、冷却し九N、N−ジメチルホルムアミド150m
11中に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gおよ
び水7mΩからなる溶液を5〜10℃の温度で5分間に
わたって滴下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時
間攪拌した。
ぞの後、生成した沈澱を枦取し、80℃に加熱したN、
N−ジメチルホルムアミド200mΩで3回洗浄し1次
に水200m Qで2回洗浄し、80℃で2菖−Hgの
減圧下に乾燥して、表−1の化合物&1のジスアゾ化合
物1.50g (収率78.9%)を得た。
N−ジメチルホルムアミド200mΩで3回洗浄し1次
に水200m Qで2回洗浄し、80℃で2菖−Hgの
減圧下に乾燥して、表−1の化合物&1のジスアゾ化合
物1.50g (収率78.9%)を得た。
このジスアゾ化合物の外観は赤橙色の粉末であり、赤外
線吸収スペクトル(KBrBr法)は第3図に示した。
線吸収スペクトル(KBrBr法)は第3図に示した。
本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ。
おける電荷発生物質として用いられ。
この感光体の代表的な構成を第1図および第2図に示し
た。
た。
第1図の感光体は、導電性支持体11上に、ジスアゾ顔
料13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層17とからなる積層型の感光層19
1を設けたものである。
料13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層17とからなる積層型の感光層19
1を設けたものである。
第1図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層15に到達し、その部分のジスアゾ顔
料13で電荷の生成が起こり。
過し、電荷発生層15に到達し、その部分のジスアゾ顔
料13で電荷の生成が起こり。
一方、電荷搬送層17は電荷の注入を受けその搬送を行
なうもので、光減衰に必要な電荷の生成はジスアゾ顔料
13で行なわれ、また電荷の搬送は電荷搬送層17でと
いうメカニズムである。
なうもので、光減衰に必要な電荷の生成はジスアゾ顔料
13で行なわれ、また電荷の搬送は電荷搬送層17でと
いうメカニズムである。
第2図の同光体は導電性支持体11上に主としてジスア
ゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層192を設けたものである。
ゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層192を設けたものである。
ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質である。
その他の感光体として第1図に電荷発生層と電荷搬送層
を逆にすることも可能である。
を逆にすることも可能である。
感光層の厚さは、第1図のもので電荷発生層15の厚み
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。
電荷搬送層17の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに
好ましくは5〜20μである。この厚さが3μ以下であ
ると帯電量が不十分であり、50g以上であると残留電
位が高く実用的ではない。
好ましくは5〜20μである。この厚さが3μ以下であ
ると帯電量が不十分であり、50g以上であると残留電
位が高く実用的ではない。
電荷発生層15は前記の一般式で示されるジスアゾ顔料
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は
好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量
%以上である。
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は
好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量
%以上である。
電荷搬送層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さ
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は10〜95重量%、好ましくは
30〜90重量%である。電荷搬送物質の占める割合が
10重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわ
れず、また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的
強度が極めて悪く実用に供しえない。
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は10〜95重量%、好ましくは
30〜90重量%である。電荷搬送物質の占める割合が
10重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわ
れず、また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的
強度が極めて悪く実用に供しえない。
第2図に示した感光体の場合は、感光層192の厚さは
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜20μで
ある。また、感光体192中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量%以下、さらに好ましくは20重量%
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは10
〜95重量%、さらに好ましくは30〜90重量%であ
る。
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜20μで
ある。また、感光体192中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量%以下、さらに好ましくは20重量%
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは10
〜95重量%、さらに好ましくは30〜90重量%であ
る。
本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式(I)で表わされる特定のジスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。
て、前記一般式(I)で表わされる特定のジスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。
本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムに
アルミニウム、SnO,等の導電材料を蒸着したもの、
あるいは導電処理した紙等が使用される。
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムに
アルミニウム、SnO,等の導電材料を蒸着したもの、
あるいは導電処理した紙等が使用される。
結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン。
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチ
レン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で
且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。
ネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチ
レン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で
且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。
可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。
電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。
正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式(I)〜
(I1)に示されるような化合物が例示できる。
(I1)に示されるような化合物が例示できる。
〔式中、 R11,はメチル基、エチル基、2−ヒドロ
キシエチル基又は2−クロルエチル基を表わし、 R□
、はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を
表わし、R□。
キシエチル基又は2−クロルエチル基を表わし、 R□
、はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を
表わし、R□。
は水素、塩素、臭素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素
数1〜4のアルコキシル基、・ジアルキルアミノ基又は
ニトロ基を表わす。〕Ar、 −CH=N−N−◎ 14s 〔式中、Ar3はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、 R14gはアルキル基又
はベンジル基を表わす。〕 ■ R□5゜ 〔式中、 R1□はアルキル基、ベンジル基、フェニル
基、ナフチル基を表わし、 R1゜は水素、炭素数1〜
3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジアル
キルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリール
アミノ基を表わし、nは1〜4の整数を表わし、nが2
以上のときはR1,、は同じでも異なっていてもよい。
数1〜4のアルコキシル基、・ジアルキルアミノ基又は
ニトロ基を表わす。〕Ar、 −CH=N−N−◎ 14s 〔式中、Ar3はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、 R14gはアルキル基又
はベンジル基を表わす。〕 ■ R□5゜ 〔式中、 R1□はアルキル基、ベンジル基、フェニル
基、ナフチル基を表わし、 R1゜は水素、炭素数1〜
3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジアル
キルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリール
アミノ基を表わし、nは1〜4の整数を表わし、nが2
以上のときはR1,、は同じでも異なっていてもよい。
R1□5は水素またはメトキシ基を表わす。〕
〔式中、 R1,、は炭素数1〜11のアルキル基。
Inもしくは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし
、R1,、R,。、はそれぞれ同一でも異なっていても
よく水素、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシアル
キル基。
、R1,、R,。、はそれぞれ同一でも異なっていても
よく水素、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシアル
キル基。
クロルアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表
わし、また、R,、、とR2゜5は互いに結合し窒素を
含む複素環を形成していてもよい。 R,i、は同一で
も異なっていてもよく水素、炭素数1〜4のアルキル基
。
わし、また、R,、、とR2゜5は互いに結合し窒素を
含む複素環を形成していてもよい。 R,i、は同一で
も異なっていてもよく水素、炭素数1〜4のアルキル基
。
アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕〔式中、 R2
,、は水素またはハロゲン原子を表わし、Ar4は置換
または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基
あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、Ro、は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1
〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のアルキル基を
表わしArgは R2,。
,、は水素またはハロゲン原子を表わし、Ar4は置換
または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基
あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、Ro、は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1
〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のアルキル基を
表わしArgは R2,。
表わし、 R24sは炭素数1〜4のアルキル基を表わ
し、 R2oは水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキ
ル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジアルキルア
ミノ基を表わし、nは1または2であって、nが2のと
きはR□、は同一でも異なってもよく、Ro、およびR
2,5は水素、炭素数1〜4の置換または無置換のアル
キル基あるいは置換または無置換のベンジル基を表わす
。〕〔式中、 R2m5及びR,、、はカルバゾリル基
。
し、 R2oは水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキ
ル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジアルキルア
ミノ基を表わし、nは1または2であって、nが2のと
きはR□、は同一でも異なってもよく、Ro、およびR
2,5は水素、炭素数1〜4の置換または無置換のアル
キル基あるいは置換または無置換のベンジル基を表わす
。〕〔式中、 R2m5及びR,、、はカルバゾリル基
。
ピリジル基、チェニル基、インドリル基、フリル基或い
はそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基またはアントリル基であって、これらの
置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、
シアノ基、アラルキルアミノ基、N−アルキル−Nアラ
ルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルア
ミノ基からなる群から選ばれた基を表わす。〕 吉3゜5 〔式中、R3゜5は低級アルキル基またはベンジル基を
表わし、 R,1,は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あ
るいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたア
ミノ基を表わし、nは1または2の整数を表わす、〕 〔式中、 R3,sは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、R33,およびR
34,はアルキル基、置換または無置換のアラルキル基
あるいは置換または無置換のアリール基を表わし、
R,s、は水素原子または置換もしくは無置換のフェニ
ル基を表わし、また、Ar11はフェニル基またはナフ
チル基を表わす。〕 C=C云CH=CH机−A1 〔式中、nはOまたは1の整数、R3@!は水素原子、
アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、A1は 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでR17!は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または R3,。
はそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基またはアントリル基であって、これらの
置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、
シアノ基、アラルキルアミノ基、N−アルキル−Nアラ
ルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルア
ミノ基からなる群から選ばれた基を表わす。〕 吉3゜5 〔式中、R3゜5は低級アルキル基またはベンジル基を
表わし、 R,1,は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あ
るいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたア
ミノ基を表わし、nは1または2の整数を表わす、〕 〔式中、 R3,sは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基またはハロゲン原子を表わし、R33,およびR
34,はアルキル基、置換または無置換のアラルキル基
あるいは置換または無置換のアリール基を表わし、
R,s、は水素原子または置換もしくは無置換のフェニ
ル基を表わし、また、Ar11はフェニル基またはナフ
チル基を表わす。〕 C=C云CH=CH机−A1 〔式中、nはOまたは1の整数、R3@!は水素原子、
アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、A1は 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでR17!は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または R3,。
アルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換ま
たは無置換のアリール基を示し、R1,、およびR3□
は環を形成してもよい)を表わし、mは0,1.2また
は3の整数であって、mが2以上にときはR17゜は同
一でも異なってもよい。〕 〔式中、840!l R,、、およびR4z、は水素、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基またはハロゲン原子を表わし、nはOまたは1を表わ
す。〕 一般式(I)で表わされる化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド、1メチル−1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド1,1−ジフェニル
ヒドラゾンなどである。
たは無置換のアリール基を示し、R1,、およびR3□
は環を形成してもよい)を表わし、mは0,1.2また
は3の整数であって、mが2以上にときはR17゜は同
一でも異なってもよい。〕 〔式中、840!l R,、、およびR4z、は水素、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基またはハロゲン原子を表わし、nはOまたは1を表わ
す。〕 一般式(I)で表わされる化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド、1メチル−1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド1,1−ジフェニル
ヒドラゾンなどである。
一般式(2)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド1−メチル−1
−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナフタレン−1−
アルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾンなど
がある。
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド1−メチル−1
−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナフタレン−1−
アルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾンなど
がある。
゛ 一般式(3)で表わされる化合物にはたとえば。
4−メトキシベンズアルデヒド1−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド1
−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン、
4−メトキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−(4
−メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミ
ノベンズアルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラ
ゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,1
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド1
−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン、
4−メトキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−(4
−メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミ
ノベンズアルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラ
ゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,1
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
一般式(4)で表わされる化合物には、たζえば1,1
−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、ト
リス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、 2
.2′ジメチル−4,4′−ビス(ジエチルアミノ)−
トリフェニルメタンなどがある。
−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、ト
リス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、 2
.2′ジメチル−4,4′−ビス(ジエチルアミノ)−
トリフェニルメタンなどがある。
一般式(5)で表わされる化合物には、たとえば9−
(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、9−ブ
ロム−10−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センなどがある。
(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、9−ブ
ロム−10−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センなどがある。
一般式(6)で表わされる化合物には、たとえば9−(
4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3−(
9−フルオレノンデン)−9−エチルカルバゾールなど
がある。
4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3−(
9−フルオレノンデン)−9−エチルカルバゾールなど
がある。
一般式(7)で表わされる化合物には、たとえば1,2
−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼン、1,
2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベンゼンがあ
る。
−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼン、1,
2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベンゼンがあ
る。
一般式(8)で表わされる化合物には、 たとえば3−
スチリル−9−エチルカルバゾール、3− (4−メト
キシスチリル)″−9−エチルカルバゾールなどがある
。
スチリル−9−エチルカルバゾール、3− (4−メト
キシスチリル)″−9−エチルカルバゾールなどがある
。
一般式(9)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
フェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1− (4−
ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1− (4−
ジエチルアミノスチリル)ナフチレンなどがある。
フェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1− (4−
ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1− (4−
ジエチルアミノスチリル)ナフチレンなどがある。
一般式(I0)で表わされる化合物には、たとえば4′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。
一般式(I1)で表わされる化合物には、たとえば1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4
−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがある。
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4
−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがある。
この他の正孔搬送物質としては、たとえば2゜5−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1゜3.4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノ
スチリル)フェニル〕−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−エチルカルバゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)オキサゾール、2− (4−ジエチルアミノフ
ェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサゾー
ル化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。
(4−ジエチルアミノフェニル)−1゜3.4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノ
スチリル)フェニル〕−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−エチルカルバゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)オキサゾール、2− (4−ジエチルアミノフ
ェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサゾー
ル化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。
電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(I,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−トリ巨トロジベンゾチオフエン−5,5
−ジオキサイドなどがある。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(I,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−トリ巨トロジベンゾチオフエン−5,5
−ジオキサイドなどがある。
これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合して用い
られる。
られる。
なお1以上のようにして得られる感光体には、いす九も
導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着層又はバ
リヤ層を設けることができる。
導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着層又はバ
リヤ層を設けることができる。
これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。
第1図の感光体を作成するには、導電性支持体上のジス
アゾ顔料をUSP 3,973,959.0SP3.9
96,049等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸
着′するか、あるいは、ジスアゾ顔料の微粒子を必要と
あれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これを
導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば1例え
ば特開昭51−90827号公報に示されているような
パフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を調整
した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥
して得られる。
アゾ顔料をUSP 3,973,959.0SP3.9
96,049等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸
着′するか、あるいは、ジスアゾ顔料の微粒子を必要と
あれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これを
導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば1例え
ば特開昭51−90827号公報に示されているような
パフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を調整
した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥
して得られる。
第2図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉末を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。
いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段1例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーバーなどで行な
う。
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段1例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーバーなどで行な
う。
本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によって5
紙などへ転写を行うことにより達成される。
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によって5
紙などへ転写を行うことにより達成される。
以上の説明および後記の実施例からも明らかなように1
本発明の電子写真用感光体はベンゾフェノン骨格を有す
るジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いることにより
、従来の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で。
本発明の電子写真用感光体はベンゾフェノン骨格を有す
るジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いることにより
、従来の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で。
しかも感光波長域が短波長域(およそ450−600n
m)にあり、感光体の反復使用に対しても特性が安定し
ているなど、優れた性質を有する。
m)にあり、感光体の反復使用に対しても特性が安定し
ているなど、優れた性質を有する。
次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例1
ジスアゾ顔料勲164を76重量部、ポリエステル樹脂
(東洋紡績社製バイロン200)のテトラヒドロフラン
溶液(固形分濃度2%) 1260重量部。
(東洋紡績社製バイロン200)のテトラヒドロフラン
溶液(固形分濃度2%) 1260重量部。
およびテトラヒドロフラン3700重量部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステルベース(導電性支持体)のアルミ面上に
ドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ
約1μ園の電荷発生層を形成した。
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステルベース(導電性支持体)のアルミ面上に
ドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ
約1μ園の電荷発生層を形成した。
この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−ニチル力
ルバゾール−3−アルデヒドl−メチル−1−フェニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(今人社製
パンライトに−1300)2重量部およびテトラヒドロ
フラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブレー
ドを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105℃で
5分間乾燥して厚さ約20μ−の電荷搬送層を形成して
第1図に示した積層型の感光体Nalを作成した。
ルバゾール−3−アルデヒドl−メチル−1−フェニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(今人社製
パンライトに−1300)2重量部およびテトラヒドロ
フラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブレー
ドを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105℃で
5分間乾燥して厚さ約20μ−の電荷搬送層を形成して
第1図に示した積層型の感光体Nalを作成した。
実施例2
実施例1で用したジスアゾ顔料&164の代りに後記表
−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様
にして感光体&2を作成した。
−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様
にして感光体&2を作成した。
実施例3〜5
電荷搬送物質として1−フェニル−3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−2に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体&3〜5を作
成した。
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−2に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体&3〜5を作
成した。
実施例6〜8
電荷搬送物質として4′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、後記表−3に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Nα6〜8
を作成した。
ニルスチルベンを用い、後記表−3に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Nα6〜8
を作成した。
実施例9
電荷搬送物質として1.1−ビス(4−ジベンジルアミ
ノフェニル)プロパンを用い、後記表−4に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体嵐
9を作成した。
ノフェニル)プロパンを用い、後記表−4に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体嵐
9を作成した。
これらの感光体Nα1〜9について、静電複写紙試験装
置(■用ロ電機製作所製、5P428型)を用いて、−
6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯電せしめ
た後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo
(V)を測定し1次いで。
置(■用ロ電機製作所製、5P428型)を用いて、−
6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯電せしめ
た後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo
(V)を測定し1次いで。
タングステンランプによってその表面が照度4.5ルツ
クスになるようにして光を照射しその表面電位がVpo
の1/2になるまでの時間(秒)を求め、露光量El/
2(ルックス・秒)を算出した。その結果を表−1〜表
−4に示した。
クスになるようにして光を照射しその表面電位がVpo
の1/2になるまでの時間(秒)を求め、露光量El/
2(ルックス・秒)を算出した。その結果を表−1〜表
−4に示した。
表−1
表−2
表−3
表−4
カニーー展
前記表−1〜表−4の結果により、本発明の感光体が高
感度であることが判る。
感度であることが判る。
さらに、本発明の感光体Nα6および&8をリコー社製
複写機すコピー500型に装着して画像出しを10,0
00回繰返したが、その結果、いずれの感光体も複写プ
ロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画像が
得られた。これにより、本発明の感光体が耐久性におい
ても優れたものであることが理解できるであろう。
複写機すコピー500型に装着して画像出しを10,0
00回繰返したが、その結果、いずれの感光体も複写プ
ロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画像が
得られた。これにより、本発明の感光体が耐久性におい
ても優れたものであることが理解できるであろう。
第1図および第2図は本発明の感光体に構成例を示す拡
大断面図である。第3図は本発明に用いるジスアゾ顔料
&1の赤外線吸収スペクトル(KBrBr法)である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料
15・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層1
91.192・・・感光層 手続補正帯 昭和60年10月21日 昭和60年特許願第83379号 2、発明の名称 電子写真用感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社リ コー 代表者 浜 1) 広 4、代理人 東京都千代田区麹町4丁目5番地(〒102)(651
3)弁理士 月 村 茂外1名電話 東京(263)
3861〜3 5、補正の対象 明細書全文 6、補正の内容 明細書全文を別添明細書の通り補正する。 明 細 書 ■1発明の名称 電子写真用感光体 2、特許請求の範囲 1、導電性支持体上に一般式(I) (式中、Aはカップラー残基を表わす)で示されるジス
アゾ顔料を有効成分として含有する層を形成せしめたこ
とを特徴とする電子写真用感光体。 3、発明の詳細な説明 14立夏 本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下「電荷
発生物質」という)としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。 丈末扱権 電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレン
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは2゜4.7−ドリニトロー9−フルオレノ
ン(以下rTNFJ という)とポリ−N−ビニルカル
バゾール(以下rPVKJという)との電荷移動錯体を
用いたものなどが代表的なものとして知られている。 しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同
時に、さまざまな欠点を持っている。 例えば、現在広く用いられているセレン感光体は製造す
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
がないためにベルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への
塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度。 引っ張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり、通
常反復して使用する普通紙複写機用の感光体としては耐
久性などに問題が多い。また。 TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は感度
が低く、高速複写機用の感光体としては不適当である。 近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な榊
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層)、 この上に電荷搬送物質を主
体とする層(電荷搬送層)を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。 この種の従来の積層型の感光体として。 (I)電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着した
薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用
いたもの(U S P 3871882参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)(3)電荷発生層としてジスチリルベン
ゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成
した薄層を用い、電荷搬送層のヒドラゾン化合物を用い
たもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点をもっていることも事実である。即ち、次のごとき欠
点である。 (I) で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着
により形成するため製造コストが高くなる。 (2) で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン
化合物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するため
の塗布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(
例えばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体
作成上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域が
およそ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿
の画像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実
装する場合は赤色光をカットするフィルターが必要であ
り、複写機設計上の不利がある。 (3)で示したジスチリルベンセン系ジスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物とを用いた感光体は、ジスアゾ化合物
の分散液の塗布により容易に電荷発生層を形成できるこ
とから製造上は大変有利なものであるが、(2)の感光
体と同様に、その感光波長域°がおよそ450〜700
止に亘っているため赤色原稿の画像再現性が悪いという
欠点を有している。 豆−一並 本発明は前述の従来の欠点を克服した感光体を提供する
ことを目的とする。 碧−一一皮 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に、電荷
発生物質として下記一般式(I)で示されるジスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。 (式中、Aはカップラー残基を表わす)ちなみに1本発
明者は前記従来の欠点に鑑み、容易に製造でき高感度で
、しかも感光波長域が短波長領域にある(すなわち、赤
色原稿の画像再現性にすぐれた)電子写真用感光体を開
発することを目的として鋭意検討を重ねた結果、一般式
CI)で表わされる特定のジスアゾ化合物を電荷発生物
質として用いることにより、上記の目的が達成できるこ
とを見い出したのであって、本発明はそれに基づいて完
成されたものである。 一般式(I)におけるカップラーとしては、たとえばフ
ェノール類、ナフトール類などの水酸基を有する芳香族
炭化水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、ア
ミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を有
する複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸基
及びアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素環
式化合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケトン
基を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)な
どが用いられ、・好ましくは、カップラー残基Aが下記
一般式(II)、(III)、(IV)、(V)、(V
I)、(■)、(■)、(IX)、(X)、(X[)、
(Xll)の一般式で表わされるものである。 〔上記式(II)、(III)、(IV)および(V)
中、x* YT−t Z + Inおよびnはそれぞれ
以下のちのを表わす。 X : −OH,−N または−NH8O,−R。 R1 (R工およびR2は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R3 は置換もしくは無置換のアルキル基ま たは置換もしくは無置換のアリール基 を表わす、) Y工:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換の アルコキシ基、カルボキシ基、スルホ 基、置換もしくは無置換のスルファモ イル基または−CON−Y2 (R4は水素、 アルキル基またはその置換体、フェニ
ル基またはその置換体を 表わし、 Y2は炭化水素環基またはその置換体、複素
環基またはその置換体。 あるいは−N=C(但し、R9は炭化 水素環基またはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基 またはその置換体、RGは水素、 アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体 を表わすか、あるいはR5及びR6はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形 成してもよい。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式(VI)および(■)中、R7は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕 ■ Ar1 〔式中、R,はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである
。〕 〔上記式(IK)および(X)中、R9は水素または置
換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化
水素環基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(II)、(III)、(TV)または(V
)のZの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環
などが例示でき、また複素環としてはインドール環、カ
ルバゾール環、ベンゾラン環などが例示できる。Zの環
における置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子及びアルコキシ基が例示できる。 Y2またはR5における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、 さらに、R
6およびR6が結合して形成する環としては、 フルオ
レン環などが例示できる。 Y2またはR6の炭化水素環基または複素環基あるいは
R,およびR6によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基
などのジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−3O3Naなとのス
ルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。 R7またはR3における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリールまたはこれらの置換体が例示できる。 R7またはR3の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。 Ar1またはAr、における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
III)、(Vl)、(■)、(■)、 (IK)およ
び(X)で示されるものであり、 この中でも一般式に
おけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも
一般式(XI) HOY□ (Y 1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (z、y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(XIII)または(XmHOC0NHN=C す、またR1゜とじては上記のY2の置換基が例示でき
る。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。 (以下余白) ′:48開昭61−241763(23J(以下余白) (以下余白) (以下余白) (以下余白) (以下余白) 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いることにより
極めて高感度な電子写真用感光体が容易に製造できる。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、 3.3’ −ジ
ニトロベンゾフェノンを還元することにより製造した3
、3′−ジアミノベンゾフェノンを常法によりジアゾ化
してテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対
応するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばN、N−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリン
グ反応を行なうことによって容易に製造することができ
る。その例として以下に前記Nα1のジスアゾ顔料の製
造例を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える
他はこの製造例に従って容易に製造することができる。 製造例 テトラゾニウム塩の ゛ 水100mQと濃塩酸25rs Qとより成る塩酸中へ
3.3′−ジアミノベンゾフェノン10.4gを加え、
約60℃に加熱して1時間加熱した後、−3℃まで冷却
し、次いで、 これに亜硝酸ナトリウム7.32gを水
25m mに溶解した溶液を一り℃〜o℃の温度で30
分間にわたり滴下した。その後同温度で30分間攪拌し
た後、この反応液中に42%硼弗化水素酸90m lを
添加し、析出した結晶を枦別、水洗、乾燥してlO,8
g(収率54%)のビスジアゾニウムビステトラフルオ
ロボレートの淡黄色の結晶を得た。赤外線吸収スペクト
ル(KBrBr法)は、2280cm−1にN2・に基
づく吸収帯が、1680cm−’に〉C=0に基づく吸
収帯が認められた。 ジスアゾ顔料 Malの ゛ 前述のように製造したテトラゾニウム塩1.02gとカ
ップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフドエ酸
アニリド1.32g(テトラゾニウム塩の2倍モル)と
を、冷却し九N、N−ジメチルホルムアミド150m
Q中に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gおよび
水7IIQからなる溶液を5〜10℃の温度で5分間に
わたって滴下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時
間攪拌した。 その後、生成した沈澱を枦取し、80℃に加熱したN、
N−ジメチルホルムアミド200vs Qで3回洗浄し
、次に水200m mで2回洗浄し、80℃で2mmH
gの減圧下に乾燥して1表−1の化合物島1のジスアゾ
化合物1.50g (収率78.9%)を得た。 このジスアゾ化合物の外観は赤橙色の粉末であり、赤外
線吸収スペクトル(KBrBr法)は第3図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第1図および第2図に示した。 第1図の感光体は、導電性支持体11上に、ジスアゾ顔
料13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層17とからなる積層型の感光層19
1を設けたものである。 第1図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層15に到達し、その部分のジスアゾ顔
料13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層17は
電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必
要な電荷の生成°はジスアゾ顔料13で行なわれ、また
電荷の搬送は電荷搬送層17でというメカニズムである
。 第2図の同光体は導電性支持体11上に主としてジスア
ゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層192を設けたものである。 ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質である。 その他の感光体として第1図に電荷発生層と電荷搬送層
を逆にすることも可能である。 感光層の厚さは、第1図のもので電荷発生層15の厚み
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。 電荷搬送層17の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに
好ましくは5〜20μである。この厚さが3μ以下であ
ると帯電量が不十分であり、50g以上であると残留電
位が高く実用的ではない。 電荷発生層15は前記の一般式で示されるジスアゾ顔料
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は
好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量
%以上である。 電荷搬送層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さ
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は10〜95重量%、好ましくは
30〜90重量%である。電荷搬送物質の占める割合が
10重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわ
れず、また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的
強度が極めて悪く実用に供しえない。 第2図に示した感光体の場合は、感光層192の厚さは
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜20μで
ある。また、感光体192中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量%以下、さらに好ましくは20重量%
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは10
〜95重量%、さらに好ましくは30〜90重量%であ
る。 本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式(I)で表わされる特定のジスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。 本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムに
アルミニウム、SnO2等の導電材料を蒸着したもの、
あるいは導電処理した紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン。 ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチ
レン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で
且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。 正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式(I)〜
(I1)に示されるような化合物が例示できる。 R1□5 〔式中、 R11,はメチル基、エチル基、2−ヒドロ
キシエチル基又は2−クロルエチル基を表6℃、 R1
□はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を
表わし−RlMmは水素、塩素、臭素、炭素数1〜4の
アルキル基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ジアルキ
ルアミノ基又はニトロ基を表わす。〕Ar、 −CH=
N−N−◎ R□6 〔式中、Ar3はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、 R14sはアルキル基又
はベンジル基を表わす。〕 R1□ 〔式中、 R1,、はアルキル基、ベンジル基、フェ
ニル基、ナフチル基を表わし、R1,sは水素、炭素数
1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリ
ールアミノ基を表わし、nは1〜4の整数を表わし、n
が2以上のときはR工、、は同じでも異なっていてもよ
い。 R175は水素またはメトキシ基を表わす。〕 (A) K2,5 K185 R
255〔式中、 R1□は炭素数1〜11のアルキル基
、置換もしくは無置換のフェニル基又は複素環基を表わ
し、R□9.R2゜、はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、゛クロルアルキル基、置換又は無置換のアラ
ルキル基を表わし、また、R工□とR2゜、は互いに結
合し窒素を含む複素環を形成していてもよい、、R2□
、は同一でも異なっていてもよく水素、炭素数1〜4の
アルキル基。 アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕R,s 〔式中、 Ro5は水素またはハロゲン原子を表わし、
Ar、は置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、
アントリル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、 R,、、は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のアルキル
基を表わしArsは R2,。 表わし、 Ro、は炭素数1〜4のアルキル基を表わし
、 R□、は水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル
基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジアルキルアミ
ノ基を表わし、nは1または2であって、nが2のとき
はR2oは同一でも異なってもよく、Ro5およびR2
7sは水素、炭素数1〜4の置換または無置換のアルキ
ル基あるいは置換または無置換のベンジル基を表わす。 〕” 〕R,,,−HC=HCCH=CH−R,、。 c式中、R2o及びRo、はカルバゾリル基、ピリジル
基、チェニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞ
れ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフ
チル基またはアントリル基であって、これらの置換基が
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カル
ボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基
、アラルキルアミノ基、N−アルキル−Nアラルキルア
ミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基か
らなる群から選ばれた基を表わす。〕 A3゜5 〔式中、R3゜5は低級アルキル基またはベンジル基を
表わし、 R,1,は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あ
・るいは低級アルキル基またはベンジル基で置換された
アミノ基を表わし、nは1または2の整数を表わす。〕 〔式中、 R3□は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはハロゲン原子を表わし、Ra3.およびRa4
sはアルキル基、置換または無置換のアラルキル基ある
いは置換または無置換のアリール基を表わし、 R3,
、は水素原子または置換もしくは無置換のフェニル基を
表わし、また、A r 6はフェニル基またはナフチル
基を表わす。〕 C=、C→CH=CH梵A1 c式中、nはOまたは1の整数、R3,5は水素原子、
アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、A□は 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでR175は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または アルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換ま
たは無置換の、アリール基を示し、R3□および盈1,
5は環を形成してもよい)を表わし、mは0,1.2ま
たは3の整数であって1、mが2以上にときはR3□。 は同一でも異なってもよい。〕 〔式中、R4゜MeR4LSおよびR4,、は水素、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基
またはハロゲン原子を表わし。 nは0または1を表わす、〕 一般式(I)で表わされる化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド、1メチル−1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド1,1−ジフェニル
ヒドラゾンなどである。 一般式(2)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド1−メチル−1
−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナフタレン−1−
アルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾンなど
がある。 一般式(3)で表わされる化合物にはたとえば、4−メ
トキシベンズアルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−メ
トキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−(4−メト
キシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベン
ズアルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、
4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフ
ェニルヒドラゾンなどがある。 一般式(4)で表わされる化合物には、たとえば1,1
−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、ト
リス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、2.
2’ジメチル−4,4′−ビス(ジエチルアミノ)−ト
リフェニルメタンなどがある。 一般式(5)で表わされる化合物には、たとえば9−
(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、9−ブ
ロム−10−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センなどがある。 一般式(6)で表わされる化合物には、たとえば9−
(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3−
(9−フルオレニリデン)−9−エチル力ルバゾール
などがある。 一般式(7)で表わされる化合物には、たとえば1,2
−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼン、1,
2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベンゼンがあ
る。 一般式(8)で表わされる化合物には、たとえば3−ス
チリル−9−エチルカルバゾール、3− (4−メトキ
シスチリル)−9−エチルカルバゾールなどがある。 一般式(9)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
フェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1− (4−
ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1− (4−
ジエチルアミノスチリル)ナフチレンなどがある。 一般式(I0)で表わされる化合物には、たとえば4′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。 一般式(I1)で表わされる化合物には、たとえば1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4
−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがある。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2゜5−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1゜3.4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノ
スチリル)フェニル〕−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−エチルカルバゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)オキサゾール、2− (4−ジエチルアミノフ
ェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサゾー
ル化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−ドリニトロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(I,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−トリニトロジベンゾチオフエンー5,5
−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合して用い
られる。 なお、以上のようにして得られる感光体には。 いずれも導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着
層又はバリヤ層を設けることができる。 これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。 第1図の感光体を作成するには、導電性支持体上のジス
アゾ顔料をIJSP 3,973,959、usp3
、996 、049等に記載されている真空蒸着方法で
真空蒸着するか、あるいは、ジスアゾ顔料の微粒子を必
要とあれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、こ
れを導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば1
例えば特開昭51−90827号公報に示されているよ
うなパフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を
調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布
乾燥して得られる。 第2図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉末を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。 いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーバーなどで行な
う。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには。 感光層面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要
によって、紙などへ転写を行うことにより達成される。 以上の説明および後記の実施例からも明らかなように、
本発明の電子写真用感光体はベンゾフェノン骨格を有す
るジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いることにより
、従来の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で、しかも感光波長域が短波長域(およそ450−
6001)にあり、感光体の反復使用に対しても特性が
安定しているなど、優れた性質を有する6次に本発明を
実施例により具体的に説明するが、これにより本発明の
実施の態様が限定されるものではない。 実施例1 ジスアゾ顔料Na164を76重量部、ポリエステル樹
脂(東洋紡績社製バイロン200)のテトラヒドロフラ
ン溶液(固形分濃度2%) 1260重量部、およびテ
トラヒドロフラン3700重量部をボールミル中で粉砕
混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポリエ
ステルベース(導電性支持体)のアルミ面上にドクター
ブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約1μm
の電荷発生層を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−エチルカ
ルバゾール−3−アルデヒド1−メチル−1−フェニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(今人社製
パンライトに−1300)2重量部およびテトラヒドロ
フラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブレー
ドを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105℃で
5分間乾燥して厚さ約20μmの電荷搬送層を形成して
第1図に示した積層型の感光体&1を作成した。 実施例2 実施例1で用したジスアゾ顔料&164の代りに後記表
−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様
にして感光体Nα2を作成した。 実施例3〜5 電荷搬送物質として1−フェニル−3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−2に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体&3〜5を作
成した。 実施例6〜8 電荷搬送物質として4′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、後記表−3に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Ha 6〜
8を作成した。 実施例9 電荷搬送物質として1.1−ビス(4−ジベンジルアミ
ノフェニル)プロパンを用い、後記表−4に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体勲
9を作成した。 これらの感光体面1〜9について、静電複写紙試験装置
(■川口電機製作所製、 S P 428型)を用いて
、−6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯電せ
しめた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位V
po(V)を測定し、次いで、タングステンランプによ
ってその表面が照度4.5ルツクスになるようにして光
を照射しその表面電位がVpoの1/2になるまでの時
間(秒)を求め、露光量El/2(ルックス・秒)を算
出した。その結果を表−1〜表−4に示した。 表−1 表−2 表−3 表−4 匁−一二展 前記表−1〜表−4の結果により、本発明の感光体が高
感度であることが判る。 さらに1本発明の感光体Nα6およびNα8をリコー社
製複写機すコピー500型に装着して画像出しを10,
000回繰返したが、その結果、いずれの感光体も複写
プロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画像
が得られた。これにより、本発明の感光体が耐久性にお
いても優れたものであることが理解できるであろう。 4、図面の簡単な説明 第1図−および第2図は本発明の感光体に構成例を示す
拡大断面図である。第3図は本発明に用いるジスアゾ顔
料Nα1の赤外線吸収スペクトル(KBrBr法)であ
る。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料
15・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層1
91.192・・・感光層
大断面図である。第3図は本発明に用いるジスアゾ顔料
&1の赤外線吸収スペクトル(KBrBr法)である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料
15・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層1
91.192・・・感光層 手続補正帯 昭和60年10月21日 昭和60年特許願第83379号 2、発明の名称 電子写真用感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社リ コー 代表者 浜 1) 広 4、代理人 東京都千代田区麹町4丁目5番地(〒102)(651
3)弁理士 月 村 茂外1名電話 東京(263)
3861〜3 5、補正の対象 明細書全文 6、補正の内容 明細書全文を別添明細書の通り補正する。 明 細 書 ■1発明の名称 電子写真用感光体 2、特許請求の範囲 1、導電性支持体上に一般式(I) (式中、Aはカップラー残基を表わす)で示されるジス
アゾ顔料を有効成分として含有する層を形成せしめたこ
とを特徴とする電子写真用感光体。 3、発明の詳細な説明 14立夏 本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下「電荷
発生物質」という)としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。 丈末扱権 電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレン
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは2゜4.7−ドリニトロー9−フルオレノ
ン(以下rTNFJ という)とポリ−N−ビニルカル
バゾール(以下rPVKJという)との電荷移動錯体を
用いたものなどが代表的なものとして知られている。 しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同
時に、さまざまな欠点を持っている。 例えば、現在広く用いられているセレン感光体は製造す
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
がないためにベルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への
塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度。 引っ張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり、通
常反復して使用する普通紙複写機用の感光体としては耐
久性などに問題が多い。また。 TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は感度
が低く、高速複写機用の感光体としては不適当である。 近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な榊
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層)、 この上に電荷搬送物質を主
体とする層(電荷搬送層)を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。 この種の従来の積層型の感光体として。 (I)電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着した
薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用
いたもの(U S P 3871882参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)(3)電荷発生層としてジスチリルベン
ゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形成
した薄層を用い、電荷搬送層のヒドラゾン化合物を用い
たもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点をもっていることも事実である。即ち、次のごとき欠
点である。 (I) で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着
により形成するため製造コストが高くなる。 (2) で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン
化合物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するため
の塗布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(
例えばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体
作成上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域が
およそ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿
の画像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実
装する場合は赤色光をカットするフィルターが必要であ
り、複写機設計上の不利がある。 (3)で示したジスチリルベンセン系ジスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物とを用いた感光体は、ジスアゾ化合物
の分散液の塗布により容易に電荷発生層を形成できるこ
とから製造上は大変有利なものであるが、(2)の感光
体と同様に、その感光波長域°がおよそ450〜700
止に亘っているため赤色原稿の画像再現性が悪いという
欠点を有している。 豆−一並 本発明は前述の従来の欠点を克服した感光体を提供する
ことを目的とする。 碧−一一皮 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に、電荷
発生物質として下記一般式(I)で示されるジスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。 (式中、Aはカップラー残基を表わす)ちなみに1本発
明者は前記従来の欠点に鑑み、容易に製造でき高感度で
、しかも感光波長域が短波長領域にある(すなわち、赤
色原稿の画像再現性にすぐれた)電子写真用感光体を開
発することを目的として鋭意検討を重ねた結果、一般式
CI)で表わされる特定のジスアゾ化合物を電荷発生物
質として用いることにより、上記の目的が達成できるこ
とを見い出したのであって、本発明はそれに基づいて完
成されたものである。 一般式(I)におけるカップラーとしては、たとえばフ
ェノール類、ナフトール類などの水酸基を有する芳香族
炭化水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、ア
ミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を有
する複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸基
及びアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素環
式化合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケトン
基を有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)な
どが用いられ、・好ましくは、カップラー残基Aが下記
一般式(II)、(III)、(IV)、(V)、(V
I)、(■)、(■)、(IX)、(X)、(X[)、
(Xll)の一般式で表わされるものである。 〔上記式(II)、(III)、(IV)および(V)
中、x* YT−t Z + Inおよびnはそれぞれ
以下のちのを表わす。 X : −OH,−N または−NH8O,−R。 R1 (R工およびR2は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、R3 は置換もしくは無置換のアルキル基ま たは置換もしくは無置換のアリール基 を表わす、) Y工:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換の アルコキシ基、カルボキシ基、スルホ 基、置換もしくは無置換のスルファモ イル基または−CON−Y2 (R4は水素、 アルキル基またはその置換体、フェニ
ル基またはその置換体を 表わし、 Y2は炭化水素環基またはその置換体、複素
環基またはその置換体。 あるいは−N=C(但し、R9は炭化 水素環基またはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基 またはその置換体、RGは水素、 アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体 を表わすか、あるいはR5及びR6はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形 成してもよい。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 m:1または2の整数〕 〔式(VI)および(■)中、R7は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕 ■ Ar1 〔式中、R,はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである
。〕 〔上記式(IK)および(X)中、R9は水素または置
換もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化
水素環基またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(II)、(III)、(TV)または(V
)のZの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環
などが例示でき、また複素環としてはインドール環、カ
ルバゾール環、ベンゾラン環などが例示できる。Zの環
における置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子及びアルコキシ基が例示できる。 Y2またはR5における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、 さらに、R
6およびR6が結合して形成する環としては、 フルオ
レン環などが例示できる。 Y2またはR6の炭化水素環基または複素環基あるいは
R,およびR6によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基
などのジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−3O3Naなとのス
ルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。 R7またはR3における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリールまたはこれらの置換体が例示できる。 R7またはR3の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。 Ar1またはAr、における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
III)、(Vl)、(■)、(■)、 (IK)およ
び(X)で示されるものであり、 この中でも一般式に
おけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中でも
一般式(XI) HOY□ (Y 1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (z、y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(XIII)または(XmHOC0NHN=C す、またR1゜とじては上記のY2の置換基が例示でき
る。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。 (以下余白) ′:48開昭61−241763(23J(以下余白) (以下余白) (以下余白) (以下余白) (以下余白) 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いることにより
極めて高感度な電子写真用感光体が容易に製造できる。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、 3.3’ −ジ
ニトロベンゾフェノンを還元することにより製造した3
、3′−ジアミノベンゾフェノンを常法によりジアゾ化
してテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対
応するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばN、N−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリン
グ反応を行なうことによって容易に製造することができ
る。その例として以下に前記Nα1のジスアゾ顔料の製
造例を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える
他はこの製造例に従って容易に製造することができる。 製造例 テトラゾニウム塩の ゛ 水100mQと濃塩酸25rs Qとより成る塩酸中へ
3.3′−ジアミノベンゾフェノン10.4gを加え、
約60℃に加熱して1時間加熱した後、−3℃まで冷却
し、次いで、 これに亜硝酸ナトリウム7.32gを水
25m mに溶解した溶液を一り℃〜o℃の温度で30
分間にわたり滴下した。その後同温度で30分間攪拌し
た後、この反応液中に42%硼弗化水素酸90m lを
添加し、析出した結晶を枦別、水洗、乾燥してlO,8
g(収率54%)のビスジアゾニウムビステトラフルオ
ロボレートの淡黄色の結晶を得た。赤外線吸収スペクト
ル(KBrBr法)は、2280cm−1にN2・に基
づく吸収帯が、1680cm−’に〉C=0に基づく吸
収帯が認められた。 ジスアゾ顔料 Malの ゛ 前述のように製造したテトラゾニウム塩1.02gとカ
ップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフドエ酸
アニリド1.32g(テトラゾニウム塩の2倍モル)と
を、冷却し九N、N−ジメチルホルムアミド150m
Q中に溶解し、これに酢酸ナトリウム0.82gおよび
水7IIQからなる溶液を5〜10℃の温度で5分間に
わたって滴下し、冷却を中止した後、さらに室温で3時
間攪拌した。 その後、生成した沈澱を枦取し、80℃に加熱したN、
N−ジメチルホルムアミド200vs Qで3回洗浄し
、次に水200m mで2回洗浄し、80℃で2mmH
gの減圧下に乾燥して1表−1の化合物島1のジスアゾ
化合物1.50g (収率78.9%)を得た。 このジスアゾ化合物の外観は赤橙色の粉末であり、赤外
線吸収スペクトル(KBrBr法)は第3図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第1図および第2図に示した。 第1図の感光体は、導電性支持体11上に、ジスアゾ顔
料13を主体とする電荷発生層15と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層17とからなる積層型の感光層19
1を設けたものである。 第1図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層15に到達し、その部分のジスアゾ顔
料13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層17は
電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必
要な電荷の生成°はジスアゾ顔料13で行なわれ、また
電荷の搬送は電荷搬送層17でというメカニズムである
。 第2図の同光体は導電性支持体11上に主としてジスア
ゾ顔料13、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層192を設けたものである。 ここでもジスアゾ顔料13は電荷発生物質である。 その他の感光体として第1図に電荷発生層と電荷搬送層
を逆にすることも可能である。 感光層の厚さは、第1図のもので電荷発生層15の厚み
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。 電荷搬送層17の厚さは好ましくは3〜50μ、さらに
好ましくは5〜20μである。この厚さが3μ以下であ
ると帯電量が不十分であり、50g以上であると残留電
位が高く実用的ではない。 電荷発生層15は前記の一般式で示されるジスアゾ顔料
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は
好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量
%以上である。 電荷搬送層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さ
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は10〜95重量%、好ましくは
30〜90重量%である。電荷搬送物質の占める割合が
10重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわ
れず、また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的
強度が極めて悪く実用に供しえない。 第2図に示した感光体の場合は、感光層192の厚さは
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜20μで
ある。また、感光体192中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量%以下、さらに好ましくは20重量%
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは10
〜95重量%、さらに好ましくは30〜90重量%であ
る。 本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式(I)で表わされる特定のジスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。 本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムに
アルミニウム、SnO2等の導電材料を蒸着したもの、
あるいは導電処理した紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン。 ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチ
レン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で
且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。 正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式(I)〜
(I1)に示されるような化合物が例示できる。 R1□5 〔式中、 R11,はメチル基、エチル基、2−ヒドロ
キシエチル基又は2−クロルエチル基を表6℃、 R1
□はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を
表わし−RlMmは水素、塩素、臭素、炭素数1〜4の
アルキル基、炭素数1〜4のアルコキシル基、ジアルキ
ルアミノ基又はニトロ基を表わす。〕Ar、 −CH=
N−N−◎ R□6 〔式中、Ar3はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、 R14sはアルキル基又
はベンジル基を表わす。〕 R1□ 〔式中、 R1,、はアルキル基、ベンジル基、フェ
ニル基、ナフチル基を表わし、R1,sは水素、炭素数
1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジ
アルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリ
ールアミノ基を表わし、nは1〜4の整数を表わし、n
が2以上のときはR工、、は同じでも異なっていてもよ
い。 R175は水素またはメトキシ基を表わす。〕 (A) K2,5 K185 R
255〔式中、 R1□は炭素数1〜11のアルキル基
、置換もしくは無置換のフェニル基又は複素環基を表わ
し、R□9.R2゜、はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく水素、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、゛クロルアルキル基、置換又は無置換のアラ
ルキル基を表わし、また、R工□とR2゜、は互いに結
合し窒素を含む複素環を形成していてもよい、、R2□
、は同一でも異なっていてもよく水素、炭素数1〜4の
アルキル基。 アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕R,s 〔式中、 Ro5は水素またはハロゲン原子を表わし、
Ar、は置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、
アントリル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、 R,、、は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素
数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4のアルキル
基を表わしArsは R2,。 表わし、 Ro、は炭素数1〜4のアルキル基を表わし
、 R□、は水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル
基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジアルキルアミ
ノ基を表わし、nは1または2であって、nが2のとき
はR2oは同一でも異なってもよく、Ro5およびR2
7sは水素、炭素数1〜4の置換または無置換のアルキ
ル基あるいは置換または無置換のベンジル基を表わす。 〕” 〕R,,,−HC=HCCH=CH−R,、。 c式中、R2o及びRo、はカルバゾリル基、ピリジル
基、チェニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞ
れ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフ
チル基またはアントリル基であって、これらの置換基が
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カル
ボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基
、アラルキルアミノ基、N−アルキル−Nアラルキルア
ミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基か
らなる群から選ばれた基を表わす。〕 A3゜5 〔式中、R3゜5は低級アルキル基またはベンジル基を
表わし、 R,1,は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あ
・るいは低級アルキル基またはベンジル基で置換された
アミノ基を表わし、nは1または2の整数を表わす。〕 〔式中、 R3□は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはハロゲン原子を表わし、Ra3.およびRa4
sはアルキル基、置換または無置換のアラルキル基ある
いは置換または無置換のアリール基を表わし、 R3,
、は水素原子または置換もしくは無置換のフェニル基を
表わし、また、A r 6はフェニル基またはナフチル
基を表わす。〕 C=、C→CH=CH梵A1 c式中、nはOまたは1の整数、R3,5は水素原子、
アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、A□は 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでR175は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または アルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換ま
たは無置換の、アリール基を示し、R3□および盈1,
5は環を形成してもよい)を表わし、mは0,1.2ま
たは3の整数であって1、mが2以上にときはR3□。 は同一でも異なってもよい。〕 〔式中、R4゜MeR4LSおよびR4,、は水素、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基
またはハロゲン原子を表わし。 nは0または1を表わす、〕 一般式(I)で表わされる化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド、1メチル−1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド1,1−ジフェニル
ヒドラゾンなどである。 一般式(2)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド1−メチル−1
−フェニルヒドラゾン、4−メトキシナフタレン−1−
アルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾンなど
がある。 一般式(3)で表わされる化合物にはたとえば、4−メ
トキシベンズアルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−メ
トキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−(4−メト
キシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベン
ズアルデヒド1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、
4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフ
ェニルヒドラゾンなどがある。 一般式(4)で表わされる化合物には、たとえば1,1
−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、ト
リス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、1,1−
ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、2.
2’ジメチル−4,4′−ビス(ジエチルアミノ)−ト
リフェニルメタンなどがある。 一般式(5)で表わされる化合物には、たとえば9−
(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、9−ブ
ロム−10−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センなどがある。 一般式(6)で表わされる化合物には、たとえば9−
(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3−
(9−フルオレニリデン)−9−エチル力ルバゾール
などがある。 一般式(7)で表わされる化合物には、たとえば1,2
−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼン、1,
2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベンゼンがあ
る。 一般式(8)で表わされる化合物には、たとえば3−ス
チリル−9−エチルカルバゾール、3− (4−メトキ
シスチリル)−9−エチルカルバゾールなどがある。 一般式(9)で表わされる化合物には、たとえば4−ジ
フェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチ
ルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1− (4−
ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1− (4−
ジエチルアミノスチリル)ナフチレンなどがある。 一般式(I0)で表わされる化合物には、たとえば4′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。 一般式(I1)で表わされる化合物には、たとえば1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェ
ニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4
−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがある。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2゜5−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1゜3.4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノ
スチリル)フェニル〕−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−エチルカルバゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)オキサゾール、2− (4−ジエチルアミノフ
ェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサゾー
ル化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホ
ルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−ドリニトロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(I,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−トリニトロジベンゾチオフエンー5,5
−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合して用い
られる。 なお、以上のようにして得られる感光体には。 いずれも導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着
層又はバリヤ層を設けることができる。 これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。 第1図の感光体を作成するには、導電性支持体上のジス
アゾ顔料をIJSP 3,973,959、usp3
、996 、049等に記載されている真空蒸着方法で
真空蒸着するか、あるいは、ジスアゾ顔料の微粒子を必
要とあれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、こ
れを導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば1
例えば特開昭51−90827号公報に示されているよ
うなパフ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を
調整した後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布
乾燥して得られる。 第2図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉末を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。 いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーバーなどで行な
う。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには。 感光層面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要
によって、紙などへ転写を行うことにより達成される。 以上の説明および後記の実施例からも明らかなように、
本発明の電子写真用感光体はベンゾフェノン骨格を有す
るジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いることにより
、従来の感光体に比較して製造が容易であり、また、高
感度で、しかも感光波長域が短波長域(およそ450−
6001)にあり、感光体の反復使用に対しても特性が
安定しているなど、優れた性質を有する6次に本発明を
実施例により具体的に説明するが、これにより本発明の
実施の態様が限定されるものではない。 実施例1 ジスアゾ顔料Na164を76重量部、ポリエステル樹
脂(東洋紡績社製バイロン200)のテトラヒドロフラ
ン溶液(固形分濃度2%) 1260重量部、およびテ
トラヒドロフラン3700重量部をボールミル中で粉砕
混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポリエ
ステルベース(導電性支持体)のアルミ面上にドクター
ブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約1μm
の電荷発生層を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−エチルカ
ルバゾール−3−アルデヒド1−メチル−1−フェニル
ヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(今人社製
パンライトに−1300)2重量部およびテトラヒドロ
フラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブレー
ドを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105℃で
5分間乾燥して厚さ約20μmの電荷搬送層を形成して
第1図に示した積層型の感光体&1を作成した。 実施例2 実施例1で用したジスアゾ顔料&164の代りに後記表
−1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様
にして感光体Nα2を作成した。 実施例3〜5 電荷搬送物質として1−フェニル−3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−2に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体&3〜5を作
成した。 実施例6〜8 電荷搬送物質として4′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、後記表−3に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Ha 6〜
8を作成した。 実施例9 電荷搬送物質として1.1−ビス(4−ジベンジルアミ
ノフェニル)プロパンを用い、後記表−4に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体勲
9を作成した。 これらの感光体面1〜9について、静電複写紙試験装置
(■川口電機製作所製、 S P 428型)を用いて
、−6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯電せ
しめた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位V
po(V)を測定し、次いで、タングステンランプによ
ってその表面が照度4.5ルツクスになるようにして光
を照射しその表面電位がVpoの1/2になるまでの時
間(秒)を求め、露光量El/2(ルックス・秒)を算
出した。その結果を表−1〜表−4に示した。 表−1 表−2 表−3 表−4 匁−一二展 前記表−1〜表−4の結果により、本発明の感光体が高
感度であることが判る。 さらに1本発明の感光体Nα6およびNα8をリコー社
製複写機すコピー500型に装着して画像出しを10,
000回繰返したが、その結果、いずれの感光体も複写
プロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画像
が得られた。これにより、本発明の感光体が耐久性にお
いても優れたものであることが理解できるであろう。 4、図面の簡単な説明 第1図−および第2図は本発明の感光体に構成例を示す
拡大断面図である。第3図は本発明に用いるジスアゾ顔
料Nα1の赤外線吸収スペクトル(KBrBr法)であ
る。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料
15・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層1
91.192・・・感光層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Aはカップラー残基を表わす) で示されるジスアゾ顔料を有効成分として含有する層を
形成せしめたことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60083379A JPS61241763A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電子写真用感光体 |
US06/821,099 US4708921A (en) | 1985-04-18 | 1986-01-21 | Photosensitive material containing disazo compound for use in electrophotography |
DE19863602987 DE3602987A1 (de) | 1985-04-18 | 1986-01-31 | Lichtempfindliches material enthaltend eine disazo-verbindung zur verwendung in der elektrophotographie |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60083379A JPS61241763A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61241763A true JPS61241763A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13800783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60083379A Pending JPS61241763A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4708921A (ja) |
JP (1) | JPS61241763A (ja) |
DE (1) | DE3602987A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5137794A (en) * | 1990-06-13 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus and facsimile which employ the same |
US5192632A (en) * | 1990-07-30 | 1993-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic bisazo photosensitive member, and electrophotographic apparatus and facsimile employing the same |
US5194353A (en) * | 1990-07-30 | 1993-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus and facsimile employing the same |
US5246805A (en) * | 1990-05-24 | 1993-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus and facsimile employing the same |
US5527653A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employ the same |
US5811212A (en) * | 1996-04-26 | 1998-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member containing an azocalix n!arene compound and electrophotographic apparatus and process cartridge comprising the photosensitive member |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5275898A (en) * | 1989-06-06 | 1994-01-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Bisazo photoconductor for electrophotography |
US5132189A (en) * | 1989-09-07 | 1992-07-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography |
JP2770539B2 (ja) * | 1990-03-08 | 1998-07-02 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
US5316881A (en) * | 1991-12-27 | 1994-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotgraphy containing benzidine derivative |
JPH05224439A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1985
- 1985-04-18 JP JP60083379A patent/JPS61241763A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-21 US US06/821,099 patent/US4708921A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-31 DE DE19863602987 patent/DE3602987A1/de active Granted
Patent Citations (1)
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US5811212A (en) * | 1996-04-26 | 1998-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member containing an azocalix n!arene compound and electrophotographic apparatus and process cartridge comprising the photosensitive member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3602987C2 (ja) | 1989-12-07 |
US4708921A (en) | 1987-11-24 |
DE3602987A1 (de) | 1986-10-23 |
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