JPS60140351A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS60140351A JPS60140351A JP25019583A JP25019583A JPS60140351A JP S60140351 A JPS60140351 A JP S60140351A JP 25019583 A JP25019583 A JP 25019583A JP 25019583 A JP25019583 A JP 25019583A JP S60140351 A JPS60140351 A JP S60140351A
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- Japan
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- disazo pigment
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
技術分野
本発明は電子写真用の感光体に関し、詳しくは、光照射
により電荷担体を発生する電荷発生物質とし℃ジスアゾ
顔料を含有する感光層を設けた電子写真感光体に関する
。 従来技術 従来、電子写真感光体としては、セレン、セレン合金、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系の感光材料を用
いたものが使用されており、この中でもセレン系感光体
は、受容電位、暗減衰、感度など総合的に優れた特性を
有することから広く用いられている。しかしながら、セ
レン系感光体は、真空蒸着により製造されるため特性の
制御が難しく、また、製造コストが高い、可撓性がない
ためにベルト状に加工することが離しい、熱や機械的な
1ルjsに鋭敏なため取扱いに制約を受けるなどの問題
点を有していた。 また、可撓性に優れ、製造も比較的容易な有機系の感光
体として、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
とポリ−N−ビニルカルバゾールとの電荷移動錯体から
なる感光層を有するものが一部実用に供されているが、
感度が低く、高速複写機用の感光体としては不適当であ
った。 近年、これらの感光体の欠点を排除するため広範な研究
が進められ、中でも、電荷担体の発生と、発生した電荷
の搬送とをそれぞれ別個の物質により行なわしめる機能
分離型の感光体が注目されている。機能分離型感光体と
しては、光照射により電荷担体を発生する電荷発生物質
を含む電荷発生層と、発生した電荷を搬送する電荷搬送
物質を含む電荷搬送層とを積層した感光層を有する積層
タイプの感光体、電荷搬送物質を含む電荷搬送媒体中に
電荷発生物質を分散せしめた分散タイプの感光などがあ
り、これらは感光材料の選択の幅が広がり、高感度化も
可能であることから、普通紙複写用の感光体として注目
されている。 このような感光体としては、 (1)゛電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着し
た薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を
用いた積層型の感光体(米国特許第3871882 号
公報参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いた積層凰の感光体(!I?公昭
55−42380号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点を持っていることも事実である。 +11で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着により
形成するため製造コストが高くなる。 (2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(たとえ
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多〜1゜ 製造が容易でしかも感度に優れた感光体としては、スチ
リルスチルベン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物
質として用いた感光体(特開昭53−133445号公
報)が知られており、この他にも、ジベンゾチオフェン
骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いた
感光体(特開昭54−21728号公報)、カルバゾー
ル骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用い
た感光体(特開昭53−95033号公報)、トリフェ
ニルアミン骨格を有するトリスアゾ顔料を用いた感光体
(特開昭5.3−132347号公報)、オキサジアゾ
ール骨格を有するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭
54−12742号公報ン、ジスチリルカルバゾール骨
格を有するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
14967号公報)、ビススチルベン骨格を有するジス
アゾ顔料を用いた感光体(%開明54−17733号公
報)、フルオレノン骨格を有するジスアゾ顔料を用いた
感光体(%開明54−22834号公報)が報告されて
いる。しかしながら、これら感光体には一長一短がある
のも事実であり、−先々の要鯖に答えるべくさらに優れ
た特性を有する感光体の開発が望まれていた。 目 的 本発明は、製造が容易でしかも十分な感度を有する電子
写真用感光体を提供することを目的とする。 構成 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に一般式
+11 (式中、Aはカップラー残基な表わす。)で示されるジ
スアゾ顔料を含む感光層を有することを特徴とする。 一般式(!)のカップラーとしては、たとえば、フェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物、ある
いはアミン基とフェノール性水酸基を有するアミノナフ
トール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基
(活性メチレン基)をもつ化合物などが用いられ、好ま
しくは、カップラー残基Aが下記一般式1式%() の一般式で表わされるものである。 (Xln 〔上記式(III、(III)、(IVIおよび[V)
中、xsyltz。 mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。 (R1および−は水素または置換もしくは無置換のアル
キルを表わし、R8は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。)水
素、ハロゲン、f換もしくは無負°換のアルキル基、1
に換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基、ス
ルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基または
一〇〇N−Y。 4 (R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を表わし、Y、は炭化水素環基また
はその置換体、複素環基またはその置換体、あるいは たはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換体
、鳥は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体
を表わすか、あるいは−および馬 はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) ° z:炭化水素環またはそのf櫓体あるいは複素環ま
たはその置換体 n:1または2の整数 malまたは2の整数〕 〔式Mおよび(至)中、式は置換もしくは無置換の炭化
水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中s R+1はアルキル基、カルバモイル基、カル
ボキシル基またはそのエステルを表わし、Arlは炭化
水素環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じで
ある。〕 へO R,0 〔上記式■および(至)中、Roは水素または置換もし
くは無置換の炭化水素基ン表わし、人r、は炭化水素環
基またはその置換体を表わす。〕前記一般式([1、+
fill、QV)またハ(Vl (1) Z O) 炭
化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン珈などが例示
でき、また複素環としてはインドール環、カルバゾール
環、ベンゾフランm、ジーzンゾフラン壌などが例示で
きる。また、2の環における置換基としては塩素原子、
臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。 Y、または鳥 における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフキル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジペンゾフラニル基1よとが例示でき、さらに、a
llおよびxt、力結合して形成する環としては、フル
オレン環などが例示できる。 YtまたはR5の炭化水素環基または複素環基あるいは
R8およびRe Kよって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ
基などのジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基
などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ
ル基またはそのエステル、水酸基、 S OHN mな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。 R,またはR,における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリール基またはこれらの置換体が例示できる。 R7またはRoの炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
・・ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。 ArlまたはArlにおける炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
;キシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式像
)、■、υ替、^E、■および(至)で示されるもので
あり、この中でも一般式におけるXが水酸基のものが好
ましい。また、この中でも一般式(Ill’) ゝz” (右および2は前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (z、y、および鳥は前記に同じ。) で示されるカップラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカッグラ−残基の中でも一般
式(XIV)または(XV)z′ (ZgRzpR4およびR8は前記に同じであり、また
R1゜とじては上記のYtの置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。なお、簡略化のため、カ
ップラー残基であるAの構造式のみで示した。 ジスア ジスア 煮 應 ジスアゾ顔料 。 、46 ジスアゾ顔料 煮 A 07 リ O 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いる二とにより
極めて高感度な電子写真用感光体が4易に製造できるが
、この中でも電荷発生物質として特に好ましいジスアゾ
顔料はAI、’16゜59.60,62,64,71.
・ 75である。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、RlchardH
erz、B*r、、 23. 2538に記載されてい
るような方法により製造した4、4′−ジアミノトリフ
ェニルアミンを、常法によりジアゾ化してテトラlニウ
ム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応するカップラー
とを適当な有機浴媒、たとえばN、N−ジメチルホルム
アミド中で塩基を作用させてカップリング反応を行なう
ことによって容易に製造することができる。その例とし
て以下に前記A1のジスアゾ顔料の製造例を示すが、池
のジスアゾ顔料もカップラーを変える他はこつ製造例に
従って容易に製造することかできる。 1例 水1011L/と濃塩酸17m1よりなる塩酸中へ4.
4−ジアミノトリフェニルアミン5.519rを加え、
室温で1時間攪拌した後、−2℃まで冷却し、ついで、
これに亜硝酸す) IJウム3,31/lrを水12r
nlに溶解した溶液を一2〜1℃の温度で30分間にわ
たり滴下した。 その後、同温度で1時間30分攪拌した後、微量の不溶
部を除去し、この反応液中に42%硼弗化水素酸20r
nlを加え、冷却静置した。生成した元橙色針状結晶を
炉別し、エタノールで抗争したのち乾燥して、B、s5
gr(収率90.3係)のテトラゾニウムジフルオロボ
レート2得た。赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)
では2230鎖−”にN2■に基づく吸収(f)が認め
られた。 このようにして得られたテトラゾニウム塩0.95に’
rと、カンプリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナ
フトエ酸アニリド1.26grとを、冷却したN、N−
ジメチルホルム了ミド230m1に溶解し、これに酢酸
ナトリウムo、6sgrお工び水10Tnlからなる浴
液を17〜21℃の温度で5分間にわたって滴下した。 その後、さらに室温で3時間攪拌した。ついで、生成し
た沈澱を炉取し、N、N−ジメチルホルム了ミド300
dで5回洗浄し、次に水3001で2回洗浄した後、8
0℃で2 mm、 Hg の減圧下に乾燥して、前記化
合物A1のジスアゾ顔料1.11gr(収率67.4チ
)を得た・ 融 点 300℃以上 元素分析(@ CHN 実測値 75.57 4.70 11.76計算値 7
5,80 4.53 11.90また、赤外線吸収スペ
クトル(KBr ’IM剤法)を第1図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第2図および第3図に示した。 第2図の感光体は、導電性支持体11上に、ジスアゾ顔
料13を主体とする′、L荷発生層15と電荷搬送物質
を主体とする電荷搬送rHxrとからなる積層型の感光
層19を設けたものである。 第2図の感光体では、@蕗光された光は電荷搬送層を透
過し、tに荷発生Jf415に到達し、その部分のジス
アゾ顔料13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層
17は電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減
衰に必要な電荷の生成はジスアゾ顔料13で行なわれ、
また゛電荷の搬送は′
により電荷担体を発生する電荷発生物質とし℃ジスアゾ
顔料を含有する感光層を設けた電子写真感光体に関する
。 従来技術 従来、電子写真感光体としては、セレン、セレン合金、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系の感光材料を用
いたものが使用されており、この中でもセレン系感光体
は、受容電位、暗減衰、感度など総合的に優れた特性を
有することから広く用いられている。しかしながら、セ
レン系感光体は、真空蒸着により製造されるため特性の
制御が難しく、また、製造コストが高い、可撓性がない
ためにベルト状に加工することが離しい、熱や機械的な
1ルjsに鋭敏なため取扱いに制約を受けるなどの問題
点を有していた。 また、可撓性に優れ、製造も比較的容易な有機系の感光
体として、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
とポリ−N−ビニルカルバゾールとの電荷移動錯体から
なる感光層を有するものが一部実用に供されているが、
感度が低く、高速複写機用の感光体としては不適当であ
った。 近年、これらの感光体の欠点を排除するため広範な研究
が進められ、中でも、電荷担体の発生と、発生した電荷
の搬送とをそれぞれ別個の物質により行なわしめる機能
分離型の感光体が注目されている。機能分離型感光体と
しては、光照射により電荷担体を発生する電荷発生物質
を含む電荷発生層と、発生した電荷を搬送する電荷搬送
物質を含む電荷搬送層とを積層した感光層を有する積層
タイプの感光体、電荷搬送物質を含む電荷搬送媒体中に
電荷発生物質を分散せしめた分散タイプの感光などがあ
り、これらは感光材料の選択の幅が広がり、高感度化も
可能であることから、普通紙複写用の感光体として注目
されている。 このような感光体としては、 (1)゛電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着し
た薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を
用いた積層型の感光体(米国特許第3871882 号
公報参照) (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いた積層凰の感光体(!I?公昭
55−42380号公報参照) などが知られている。 しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点を持っていることも事実である。 +11で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着により
形成するため製造コストが高くなる。 (2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン(たとえ
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多〜1゜ 製造が容易でしかも感度に優れた感光体としては、スチ
リルスチルベン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物
質として用いた感光体(特開昭53−133445号公
報)が知られており、この他にも、ジベンゾチオフェン
骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いた
感光体(特開昭54−21728号公報)、カルバゾー
ル骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用い
た感光体(特開昭53−95033号公報)、トリフェ
ニルアミン骨格を有するトリスアゾ顔料を用いた感光体
(特開昭5.3−132347号公報)、オキサジアゾ
ール骨格を有するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭
54−12742号公報ン、ジスチリルカルバゾール骨
格を有するジスアゾ顔料を用いた感光体(特開昭54−
14967号公報)、ビススチルベン骨格を有するジス
アゾ顔料を用いた感光体(%開明54−17733号公
報)、フルオレノン骨格を有するジスアゾ顔料を用いた
感光体(%開明54−22834号公報)が報告されて
いる。しかしながら、これら感光体には一長一短がある
のも事実であり、−先々の要鯖に答えるべくさらに優れ
た特性を有する感光体の開発が望まれていた。 目 的 本発明は、製造が容易でしかも十分な感度を有する電子
写真用感光体を提供することを目的とする。 構成 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に一般式
+11 (式中、Aはカップラー残基な表わす。)で示されるジ
スアゾ顔料を含む感光層を有することを特徴とする。 一般式(!)のカップラーとしては、たとえば、フェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物、ある
いはアミン基とフェノール性水酸基を有するアミノナフ
トール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基
(活性メチレン基)をもつ化合物などが用いられ、好ま
しくは、カップラー残基Aが下記一般式1式%() の一般式で表わされるものである。 (Xln 〔上記式(III、(III)、(IVIおよび[V)
中、xsyltz。 mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。 (R1および−は水素または置換もしくは無置換のアル
キルを表わし、R8は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。)水
素、ハロゲン、f換もしくは無負°換のアルキル基、1
に換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基、ス
ルホ基、置換もしくは無置換のスルファモイル基または
一〇〇N−Y。 4 (R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を表わし、Y、は炭化水素環基また
はその置換体、複素環基またはその置換体、あるいは たはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換体
、鳥は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体
を表わすか、あるいは−および馬 はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) ° z:炭化水素環またはそのf櫓体あるいは複素環ま
たはその置換体 n:1または2の整数 malまたは2の整数〕 〔式Mおよび(至)中、式は置換もしくは無置換の炭化
水素基を表わし、Xは前記に同じである。〕r1 〔式中s R+1はアルキル基、カルバモイル基、カル
ボキシル基またはそのエステルを表わし、Arlは炭化
水素環基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じで
ある。〕 へO R,0 〔上記式■および(至)中、Roは水素または置換もし
くは無置換の炭化水素基ン表わし、人r、は炭化水素環
基またはその置換体を表わす。〕前記一般式([1、+
fill、QV)またハ(Vl (1) Z O) 炭
化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン珈などが例示
でき、また複素環としてはインドール環、カルバゾール
環、ベンゾフランm、ジーzンゾフラン壌などが例示で
きる。また、2の環における置換基としては塩素原子、
臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。 Y、または鳥 における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフキル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジペンゾフラニル基1よとが例示でき、さらに、a
llおよびxt、力結合して形成する環としては、フル
オレン環などが例示できる。 YtまたはR5の炭化水素環基または複素環基あるいは
R8およびRe Kよって形成される環における置換基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素
原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ
基などのジアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基
などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ
ル基またはそのエステル、水酸基、 S OHN mな
どのスルホン酸塩基などが挙げられる。 R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。 R,またはR,における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリール基またはこれらの置換体が例示できる。 R7またはRoの炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
・・ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。 ArlまたはArlにおける炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
;キシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。 また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式像
)、■、υ替、^E、■および(至)で示されるもので
あり、この中でも一般式におけるXが水酸基のものが好
ましい。また、この中でも一般式(Ill’) ゝz” (右および2は前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (z、y、および鳥は前記に同じ。) で示されるカップラー残基である。 さらにまた、上記好ましいカッグラ−残基の中でも一般
式(XIV)または(XV)z′ (ZgRzpR4およびR8は前記に同じであり、また
R1゜とじては上記のYtの置換基が例示できる。) で表わされるものが適当である。 以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。なお、簡略化のため、カ
ップラー残基であるAの構造式のみで示した。 ジスア ジスア 煮 應 ジスアゾ顔料 。 、46 ジスアゾ顔料 煮 A 07 リ O 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いる二とにより
極めて高感度な電子写真用感光体が4易に製造できるが
、この中でも電荷発生物質として特に好ましいジスアゾ
顔料はAI、’16゜59.60,62,64,71.
・ 75である。 本発明のジスアゾ顔料は、たとえば、RlchardH
erz、B*r、、 23. 2538に記載されてい
るような方法により製造した4、4′−ジアミノトリフ
ェニルアミンを、常法によりジアゾ化してテトラlニウ
ム塩とし、このテトラゾニウム塩と対応するカップラー
とを適当な有機浴媒、たとえばN、N−ジメチルホルム
アミド中で塩基を作用させてカップリング反応を行なう
ことによって容易に製造することができる。その例とし
て以下に前記A1のジスアゾ顔料の製造例を示すが、池
のジスアゾ顔料もカップラーを変える他はこつ製造例に
従って容易に製造することかできる。 1例 水1011L/と濃塩酸17m1よりなる塩酸中へ4.
4−ジアミノトリフェニルアミン5.519rを加え、
室温で1時間攪拌した後、−2℃まで冷却し、ついで、
これに亜硝酸す) IJウム3,31/lrを水12r
nlに溶解した溶液を一2〜1℃の温度で30分間にわ
たり滴下した。 その後、同温度で1時間30分攪拌した後、微量の不溶
部を除去し、この反応液中に42%硼弗化水素酸20r
nlを加え、冷却静置した。生成した元橙色針状結晶を
炉別し、エタノールで抗争したのち乾燥して、B、s5
gr(収率90.3係)のテトラゾニウムジフルオロボ
レート2得た。赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)
では2230鎖−”にN2■に基づく吸収(f)が認め
られた。 このようにして得られたテトラゾニウム塩0.95に’
rと、カンプリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナ
フトエ酸アニリド1.26grとを、冷却したN、N−
ジメチルホルム了ミド230m1に溶解し、これに酢酸
ナトリウムo、6sgrお工び水10Tnlからなる浴
液を17〜21℃の温度で5分間にわたって滴下した。 その後、さらに室温で3時間攪拌した。ついで、生成し
た沈澱を炉取し、N、N−ジメチルホルム了ミド300
dで5回洗浄し、次に水3001で2回洗浄した後、8
0℃で2 mm、 Hg の減圧下に乾燥して、前記化
合物A1のジスアゾ顔料1.11gr(収率67.4チ
)を得た・ 融 点 300℃以上 元素分析(@ CHN 実測値 75.57 4.70 11.76計算値 7
5,80 4.53 11.90また、赤外線吸収スペ
クトル(KBr ’IM剤法)を第1図に示した。 本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第2図および第3図に示した。 第2図の感光体は、導電性支持体11上に、ジスアゾ顔
料13を主体とする′、L荷発生層15と電荷搬送物質
を主体とする電荷搬送rHxrとからなる積層型の感光
層19を設けたものである。 第2図の感光体では、@蕗光された光は電荷搬送層を透
過し、tに荷発生Jf415に到達し、その部分のジス
アゾ顔料13で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層
17は電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減
衰に必要な電荷の生成はジスアゾ顔料13で行なわれ、
また゛電荷の搬送は′
【I荷搬送層17でというメカニ
ズムである。 第3図の感光体は6覗性支持体ll上に主としてジスア
ゾ顔料13、′電荷搬送物質および絶縁性結合剤からな
る感光層19を設けたものである。ここでもジスアゾ顔
料13は電1荷発生物ηである。その他の感光体として
第2図の′電荷発生層と電荷搬送層を逆にすることも可
能である。 感光層の厚さは、第2図のもので電荷発生層15の厚木
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。電荷搬送層17の厚さは好まし
くは3〜50μ、さらに好ましくは5〜30μである。 この厚さが3μ以下であると□I′i′i’t’jr
量が不十分であり、50μ以上であると残留4位が篩く
実用的ではない。電荷発生層15は前記の一般式で示さ
れるジスアゾ顔料を主体とし、さらに結合剤、可塑剤な
どを含有すること1.sできる。また、電荷発生j4中
のジスアゾ顔料の割合は゛好ましくは30jji!%以
上、さらに好ましくは50重証係以上である。電荷搬送
層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さらに可4
ulJ剤などを含有することができる。電荷搬送層中の
Ea荷侭送物質の割合はlO〜95M銃チ、好ましくは
30〜90重に係である。電荷搬送物質の占める割合が
10nPR1未満であると、′「電荷の搬送はほとんど
行なわれず、また95承m4以上であると感光体皮膜の
機械的強度が極めて急く実用に供しえない。 第3図に示した感光体の場合は、感光N19’の厚さは
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜30μで
ある。また、感光層19′中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量係以下、さらに好ましくは20重量1
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくはlO
〜95重鴬チ、さらに好ましくは30〜90窺量チであ
る。 本発明は、電子写真用感光体における′電荷発生物質と
して、前記一般式Iで表わされる特定のジスアゾ顔料を
用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、電
荷搬送物質など他の構成!!素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。 本発明の感光体において使用される41に性支持体とし
ては、アルミニウム、銅、亜鉛等の全8%版、ポリエス
テル等のプラスチックシートまたはプラスチックフィル
ムにアルミニウム、5102等の導電材料を蒸着したも
の、あるいは導電処理した紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エボ弐シ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリケトン、ポ
リカーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、
絶縁性で且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリm化ピフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブ千ルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよく1”るため
にシリコンオイル等を加えてもよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。 正孔搬送物質としては、たと見ば以下の一般式(41〜
(11)に示されるような化合物が例示できる。 〔式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒドロ岑ジエ
チル基又は2−クロルアルキ基ヲ表わし、R2はメチル
基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R
1は水素、塩素、臭素、炭素数1〜4のアルキA・基、
炭素数1〜4のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又は
−トロ基を表わす。〕 〔式中、Arはナフタリン集、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体あるいはピlJシyL1t、フ
ラン環、手オフエン環を表わし、Rはアルキル基又はベ
ンジル基を表わす。〕 I C式中、rttはアルキル基、ベンジル基、フェニル基
を表わし、R1は水素、炭素数1〜3θ)丁ルキル椹−
炭未81〜3のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジ
アラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表わし
、nは1〜4の整数を表わし、nか2以上のとき島は同
じでも異なっていてもよい。R8は水素またはメトキシ
基を表わす。〕 (4 1N。 〔式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換モし
くは無置換のフェニル基又は抜素環基を表わし、−+
R8はそれぞれ同一でも異なっていてもよく水素、炭素
!x′i、1〜4のアルキル基、ヒドロキシアルキル基
、クロルアルキル基、tel換又は無置換のアラルキル
基を表わし、また、R2とR8は互いに結合し窒素を含
む伏系騙を形成していてもよい。R3は同一でも異なっ
ていてもよく水素、炭’Xa1〜4のアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを表わす。〕 l尤 〔式中、Rは水素またはハロゲン原子を表わし、Arは
置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 (6) 〔式中鳥は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素( 数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4.0アルキ
ル基を表わし、Arは 2 R8は炭素数1〜4のアルキル基を表わし、R8は水素
、ハロゲ/、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4
のアルコキシ基マタはジアルキルアミノ基を表わし、n
は1または2であって、nが2のときはR8は同一でも
異なっても、よ、り、R4およびR5は水素、炭素数1
〜4の置換または無置換のアルキル基あるいは置換また
は無置換のベンジル基を表わす。〕 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基、フリル基或いはそれぞれ置換もしくは
非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基またはア
ントリル基であって、これらの1直換基がジアルキルア
i)基、アルギル基、アルコキシ基、カルボキシ基また
はそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキル
アミノ基、N−アルキル−N−アラルキルアミノ基、ア
ミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からなる群か
ら選ばれた基を表わす。〕R。 〔式中、R1は低級アルキル基またはベンジル基を表わ
し、−は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アル
キル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表わし
、nは1または2の整数を表わす。〕〔式中、RIは水
素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハログアに子
を表わし、−およびR3はアルキル基、1n換または無
置換のアラルキル基あるいは置換または無置換のアリー
ル基を表わし、R4は水素原子またはまた。Arはフェ
ニル基またはナフチル基を表わす。〕 〔式中、nは0または1の整数、R,は水素原子、アル
キル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示し、
Aは 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここで馬は水素原子、ア
ルキル基、アル−しs RjおよびR4はアルキル基、
置換または無獅、換のアラルキル基、置換または無置換
のアリール基を示し、R3およびR4は環を2または3
の整数であって、mが2以上のときはR2は同一でも異
なってもよい。〕3 〔式中s R1+ R1およびR3は水素、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基または・
・ログン原子を表わし、nは0または1を表わす。〕 一般式[1)で表わされろ化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド!=メチルー1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド】−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
テルカルバゾール−3−アルデヒドl、l−ジフェニル
ヒドラゾンなどがある。一般式(2)でtくわされる化
合物には、たとえば4−ジエチルアミノスチレン−β−
アルデヒド 1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、4
−メトキシナフタレン−1−アルデヒ)”l−ベンジル
−1−フェニルヒドラゾンなどがある。一般式(3)で
表わされる化合物にはたとえば、4−メトキシベンズア
ルデヒド l−メグ・ルー1−フェニルヒドラゾン、2
゜4−ジメトキシベンズアルデヒド 1−ベンジル−1
−7エールヒドラゾン、4−ジエチルアミノヘンズアル
デヒド1..1−ジフェニルヒドラゾン、4−メトキシ
ベンズアルデヒド 1−ベンジル−1−(4−メトキシ
)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズア
ルデヒド l−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4
−ジベンジルアミノベンズアルテヒド/1゜l−ジフェ
ニルヒドラゾンなどがある。一般式(4)で表わされる
化合物には、たとえば 1.1−ビス(4−ジベンジル
アミノフェニル)フロパン、トリス(4−ジエチルアミ
ノフェニル)メメン、】、1−ビス(4−ジベンジルア
ミノフェニル)フロパン、z、2’−ジメチル−4゜4
′−ビス(ジエチルアミノ)−トリフェニルメクンなど
がある。一般式(5)で表わされる化合物には、たとえ
ば9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、
9−ブロム〜1O−(4−ジエチルアミノスチリル)ア
ントラセンなどがある。一般式(6)で表わされる化合
物には、たとえば 9−(4−ジメチルアミノベンジリ
デン)フルオレン、3−(9−フルオレニリデン)−9
−エチルカルバゾールなどがある。一般式(7)で表わ
される化合物には、たとえば 1.2−ビス(4−ジエ
チルアミノスチリル)ベンゼア 、112− ヒス(2
,4−ジメトキシス? IJル)ベンゼンがある。一般
式(8)で表わされる化合物には、たとえば 3−スチ
リル−9−エチルカルバゾール、3−(4−メトキシス
チリル)−9−エチルカルバゾールなどがある。一般式
(9)で表わされる化合物には、たとえば 4−ジフェ
ニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチルペ
ン、4−ジトリル°fミノスチルベン、1−(4−ジフ
ェニルアミノスチリル)ナフタレン、1−(4−ジエチ
ルアミノスチリル)す7タレンなどがある。一般式(1
0)で表わされる化合物には、たとえば 4′−ジフェ
ニルアミノ−α−フェニルスチルベン、4′−メチルフ
ェニルアミノ−α−フェニルスチルベンナトがある。一
般式(11)で表わされる化合物には、たとえは l−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ヒラソリン、!−フェ
ニルーa−(4−ジメチルアミノスチリル)’Ls−(
4−ジメチルアミノフェニル)ビラゾリンブエどかある
。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2.5−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス[4−(4−ジエチルアミノ
ステリル)フェニル]−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−工tルカルパゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−C4−ジエチルアミノフ
ェニル>;t*ty−/I/、2−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサ
ゾール化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ハロゲン([’1J−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ピレンホルムアルデヒド4ffJ 脂、エチ
ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの高分子化合
物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえは、クロルアニル、フロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタ”、2e4e7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−テトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−)ジニトロ
−4H−インデノ(:z、2−b〕チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−トリニトロジペンゾチオフエンー5.
5−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合して用い
られる。 なお以上のようにして得られる感光体にはいずれも導峨
性支持体と感光層の間に必要に応じて接着層又はバリヤ
層を設けることができる。 これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムナトが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。 第2図の感光体を作成するには、導cm性支持体上にジ
スアゾ顔料をUSP 3.973.959.USP3、
996.049等に記載されている真空蒸肩方法で真空
蒸着するか、あるいはジスアゾ顔料の微粒子な必要とあ
れば結合剤を溶解した適当な浴剤中に分散し、これを導
電性支持体上に頭布乾燥し、更に必要とあれば例えば特
開昭51−90827に示されているようなパフ研摩等
の方法により表面仕上をづるか、膜厚を調整した後、電
荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥して得られ
る。 i3図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉子を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導゛tlt性支持体上に塗布乾燥すればよい。 いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーパーなどで行な
う。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、8光を施した後、現像を行ない、必要によって、
紙などへ転写を行うことにより達成される。 効果 以上の説明および後記の実施例および比較例からも明ら
かなように、本発明の電子写真用感光体は、トリフェニ
ルアミン骨格を有するジスアゾ顔料な重荷発生物質とし
て用いることにより、従来の感光体に比較して製造が容
易であり、また、高感度で、感光体の反復使用に対して
も特性が安定しているなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実施例により具体的に説明する次に本発明
を実施例により具体的に説明する1I−1これにより本
発明の実施のJlIJ様が限定されるものではない。 実施例1 ジスアゾ顔料A75を76重量部、ポリエステルベース
脂(パイロン200株式会社東洋紡績製)のテトラヒド
ロフラン溶ti、 (固形分濃度2憾)12601ff
iif部、およびテトラヒドロフラン37oON址部を
ボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニ
ウム蒸着したポリエステルベース(導電性支持体)のア
ルミ面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥
して、厚さ約1μmの電荷発生層を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−エチルカ
ルバゾール−3−アルデヒド l−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パンラ
イトに−1300:(株)帝人&)2重嵐部およびテト
ッヒドロフラン16重量部を混合溶解した溶液をドクタ
ーブレードを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで1
05℃で5分間乾燥して厚さ約18μmの電荷搬送層を
形成して、第2図に示した積層型の感光体應1を作成し
た。 実施例2〜5 実施例1で用いたジスアゾ顔料A750代りに後記表−
1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様に
して感光体A2〜5を作成した。 実施例6〜10 電荷搬送物質として1−フェニル−3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−1に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体A6〜10を
作成した。 実施例11〜15 電荷搬送物質として9−(4−ジエチルアミノステリル
)アントラセンを用い、後記表−1に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Jill〜
15を作成した。 実施例16〜20 電荷搬送物質として4′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、J記表 2に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体A16〜
20を作成した。 これらの感光体A1〜20について、静電複写紙試験装
置((株)川口組機製作所製、SP 428型)を用い
て、−6KVのコロナ放置を20秒間行なって負に帯電
せしめた後、20秒間暗所に放値し、その時の表面−位
Vpo fvlを測定し、次いでタングステンラングに
よってその表面が照度4.5ルツクスになるようにして
光を照射しその表面電位がVpoの1/2になるまでの
時間(秒)をめ、露光iB:t/2(ルックス・秒)を
算出した。その結果を表−1〜表−2に示した。 以下余白 表 −1 表 −2 さらに、本発明のi&光体A4およびA7を(株)リコ
ー製複写機すコビーP−500型に装着して画像出しを
10,000回繰り返した。その結果、いずれの感光体
も複写プロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明
な画像が得られた。これにより、本発明の感光体が耐久
性においても優れたものであることが理解できるであろ
う。
ズムである。 第3図の感光体は6覗性支持体ll上に主としてジスア
ゾ顔料13、′電荷搬送物質および絶縁性結合剤からな
る感光層19を設けたものである。ここでもジスアゾ顔
料13は電1荷発生物ηである。その他の感光体として
第2図の′電荷発生層と電荷搬送層を逆にすることも可
能である。 感光層の厚さは、第2図のもので電荷発生層15の厚木
は好ましくは0.01〜5μさらに好ましくは0.05
〜2μである。この厚さが0.01μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また5μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。電荷搬送層17の厚さは好まし
くは3〜50μ、さらに好ましくは5〜30μである。 この厚さが3μ以下であると□I′i′i’t’jr
量が不十分であり、50μ以上であると残留4位が篩く
実用的ではない。電荷発生層15は前記の一般式で示さ
れるジスアゾ顔料を主体とし、さらに結合剤、可塑剤な
どを含有すること1.sできる。また、電荷発生j4中
のジスアゾ顔料の割合は゛好ましくは30jji!%以
上、さらに好ましくは50重証係以上である。電荷搬送
層17は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さらに可4
ulJ剤などを含有することができる。電荷搬送層中の
Ea荷侭送物質の割合はlO〜95M銃チ、好ましくは
30〜90重に係である。電荷搬送物質の占める割合が
10nPR1未満であると、′「電荷の搬送はほとんど
行なわれず、また95承m4以上であると感光体皮膜の
機械的強度が極めて急く実用に供しえない。 第3図に示した感光体の場合は、感光N19’の厚さは
好ましくは3〜50μ、さらに好ましくは5〜30μで
ある。また、感光層19′中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは50重量係以下、さらに好ましくは20重量1
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくはlO
〜95重鴬チ、さらに好ましくは30〜90窺量チであ
る。 本発明は、電子写真用感光体における′電荷発生物質と
して、前記一般式Iで表わされる特定のジスアゾ顔料を
用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、電
荷搬送物質など他の構成!!素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。 本発明の感光体において使用される41に性支持体とし
ては、アルミニウム、銅、亜鉛等の全8%版、ポリエス
テル等のプラスチックシートまたはプラスチックフィル
ムにアルミニウム、5102等の導電材料を蒸着したも
の、あるいは導電処理した紙等が使用される。 結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エボ弐シ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリケトン、ポ
リカーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、
絶縁性で且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。 可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリm化ピフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブ千ルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよく1”るため
にシリコンオイル等を加えてもよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。 正孔搬送物質としては、たと見ば以下の一般式(41〜
(11)に示されるような化合物が例示できる。 〔式中、R1はメチル基、エチル基、2−ヒドロ岑ジエ
チル基又は2−クロルアルキ基ヲ表わし、R2はメチル
基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R
1は水素、塩素、臭素、炭素数1〜4のアルキA・基、
炭素数1〜4のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又は
−トロ基を表わす。〕 〔式中、Arはナフタリン集、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体あるいはピlJシyL1t、フ
ラン環、手オフエン環を表わし、Rはアルキル基又はベ
ンジル基を表わす。〕 I C式中、rttはアルキル基、ベンジル基、フェニル基
を表わし、R1は水素、炭素数1〜3θ)丁ルキル椹−
炭未81〜3のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジ
アラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表わし
、nは1〜4の整数を表わし、nか2以上のとき島は同
じでも異なっていてもよい。R8は水素またはメトキシ
基を表わす。〕 (4 1N。 〔式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換モし
くは無置換のフェニル基又は抜素環基を表わし、−+
R8はそれぞれ同一でも異なっていてもよく水素、炭素
!x′i、1〜4のアルキル基、ヒドロキシアルキル基
、クロルアルキル基、tel換又は無置換のアラルキル
基を表わし、また、R2とR8は互いに結合し窒素を含
む伏系騙を形成していてもよい。R3は同一でも異なっ
ていてもよく水素、炭’Xa1〜4のアルキル基、アル
コキシ基又はハロゲンを表わす。〕 l尤 〔式中、Rは水素またはハロゲン原子を表わし、Arは
置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 (6) 〔式中鳥は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素( 数1〜4のアルコキシ基または炭素数1〜4.0アルキ
ル基を表わし、Arは 2 R8は炭素数1〜4のアルキル基を表わし、R8は水素
、ハロゲ/、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4
のアルコキシ基マタはジアルキルアミノ基を表わし、n
は1または2であって、nが2のときはR8は同一でも
異なっても、よ、り、R4およびR5は水素、炭素数1
〜4の置換または無置換のアルキル基あるいは置換また
は無置換のベンジル基を表わす。〕 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基、フリル基或いはそれぞれ置換もしくは
非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基またはア
ントリル基であって、これらの1直換基がジアルキルア
i)基、アルギル基、アルコキシ基、カルボキシ基また
はそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキル
アミノ基、N−アルキル−N−アラルキルアミノ基、ア
ミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からなる群か
ら選ばれた基を表わす。〕R。 〔式中、R1は低級アルキル基またはベンジル基を表わ
し、−は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アル
キル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表わし
、nは1または2の整数を表わす。〕〔式中、RIは水
素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハログアに子
を表わし、−およびR3はアルキル基、1n換または無
置換のアラルキル基あるいは置換または無置換のアリー
ル基を表わし、R4は水素原子またはまた。Arはフェ
ニル基またはナフチル基を表わす。〕 〔式中、nは0または1の整数、R,は水素原子、アル
キル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示し、
Aは 9−アントリル基または置換もしくは無置換のN−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここで馬は水素原子、ア
ルキル基、アル−しs RjおよびR4はアルキル基、
置換または無獅、換のアラルキル基、置換または無置換
のアリール基を示し、R3およびR4は環を2または3
の整数であって、mが2以上のときはR2は同一でも異
なってもよい。〕3 〔式中s R1+ R1およびR3は水素、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基または・
・ログン原子を表わし、nは0または1を表わす。〕 一般式[1)で表わされろ化合物には、たとえば9−エ
チルカルバゾール−3−アルデヒド!=メチルー1−フ
ェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アル
デヒド】−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、9−エ
テルカルバゾール−3−アルデヒドl、l−ジフェニル
ヒドラゾンなどがある。一般式(2)でtくわされる化
合物には、たとえば4−ジエチルアミノスチレン−β−
アルデヒド 1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、4
−メトキシナフタレン−1−アルデヒ)”l−ベンジル
−1−フェニルヒドラゾンなどがある。一般式(3)で
表わされる化合物にはたとえば、4−メトキシベンズア
ルデヒド l−メグ・ルー1−フェニルヒドラゾン、2
゜4−ジメトキシベンズアルデヒド 1−ベンジル−1
−7エールヒドラゾン、4−ジエチルアミノヘンズアル
デヒド1..1−ジフェニルヒドラゾン、4−メトキシ
ベンズアルデヒド 1−ベンジル−1−(4−メトキシ
)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズア
ルデヒド l−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4
−ジベンジルアミノベンズアルテヒド/1゜l−ジフェ
ニルヒドラゾンなどがある。一般式(4)で表わされる
化合物には、たとえば 1.1−ビス(4−ジベンジル
アミノフェニル)フロパン、トリス(4−ジエチルアミ
ノフェニル)メメン、】、1−ビス(4−ジベンジルア
ミノフェニル)フロパン、z、2’−ジメチル−4゜4
′−ビス(ジエチルアミノ)−トリフェニルメクンなど
がある。一般式(5)で表わされる化合物には、たとえ
ば9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン、
9−ブロム〜1O−(4−ジエチルアミノスチリル)ア
ントラセンなどがある。一般式(6)で表わされる化合
物には、たとえば 9−(4−ジメチルアミノベンジリ
デン)フルオレン、3−(9−フルオレニリデン)−9
−エチルカルバゾールなどがある。一般式(7)で表わ
される化合物には、たとえば 1.2−ビス(4−ジエ
チルアミノスチリル)ベンゼア 、112− ヒス(2
,4−ジメトキシス? IJル)ベンゼンがある。一般
式(8)で表わされる化合物には、たとえば 3−スチ
リル−9−エチルカルバゾール、3−(4−メトキシス
チリル)−9−エチルカルバゾールなどがある。一般式
(9)で表わされる化合物には、たとえば 4−ジフェ
ニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノスチルペ
ン、4−ジトリル°fミノスチルベン、1−(4−ジフ
ェニルアミノスチリル)ナフタレン、1−(4−ジエチ
ルアミノスチリル)す7タレンなどがある。一般式(1
0)で表わされる化合物には、たとえば 4′−ジフェ
ニルアミノ−α−フェニルスチルベン、4′−メチルフ
ェニルアミノ−α−フェニルスチルベンナトがある。一
般式(11)で表わされる化合物には、たとえは l−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ヒラソリン、!−フェ
ニルーa−(4−ジメチルアミノスチリル)’Ls−(
4−ジメチルアミノフェニル)ビラゾリンブエどかある
。 この他の正孔搬送物質としては、たとえば2.5−ビス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、2,5−ビス[4−(4−ジエチルアミノ
ステリル)フェニル]−1,3,4−オキサジアゾール
、2−(9−工tルカルパゾリル−3−)−5−(4−
ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、2−ビニル−4−
(2−クロルフェニル)−5−C4−ジエチルアミノフ
ェニル>;t*ty−/I/、2−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)−4−フェニルオキサゾールなどのオキサ
ゾール化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ハロゲン([’1J−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ピレンホルムアルデヒド4ffJ 脂、エチ
ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの高分子化合
物も使用できる。 電子搬送物質としては、たとえは、クロルアニル、フロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタ”、2e4e7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−テトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−)ジニトロ
−4H−インデノ(:z、2−b〕チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−トリニトロジペンゾチオフエンー5.
5−ジオキサイドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は2種以上混合して用い
られる。 なお以上のようにして得られる感光体にはいずれも導峨
性支持体と感光層の間に必要に応じて接着層又はバリヤ
層を設けることができる。 これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムナトが適当で、また膜
厚は1μ以下が好ましい。 第2図の感光体を作成するには、導cm性支持体上にジ
スアゾ顔料をUSP 3.973.959.USP3、
996.049等に記載されている真空蒸肩方法で真空
蒸着するか、あるいはジスアゾ顔料の微粒子な必要とあ
れば結合剤を溶解した適当な浴剤中に分散し、これを導
電性支持体上に頭布乾燥し、更に必要とあれば例えば特
開昭51−90827に示されているようなパフ研摩等
の方法により表面仕上をづるか、膜厚を調整した後、電
荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥して得られ
る。 i3図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉子を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導゛tlt性支持体上に塗布乾燥すればよい。 いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径5μ以下、好ましくは2μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーパーなどで行な
う。 本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、8光を施した後、現像を行ない、必要によって、
紙などへ転写を行うことにより達成される。 効果 以上の説明および後記の実施例および比較例からも明ら
かなように、本発明の電子写真用感光体は、トリフェニ
ルアミン骨格を有するジスアゾ顔料な重荷発生物質とし
て用いることにより、従来の感光体に比較して製造が容
易であり、また、高感度で、感光体の反復使用に対して
も特性が安定しているなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実施例により具体的に説明する次に本発明
を実施例により具体的に説明する1I−1これにより本
発明の実施のJlIJ様が限定されるものではない。 実施例1 ジスアゾ顔料A75を76重量部、ポリエステルベース
脂(パイロン200株式会社東洋紡績製)のテトラヒド
ロフラン溶ti、 (固形分濃度2憾)12601ff
iif部、およびテトラヒドロフラン37oON址部を
ボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニ
ウム蒸着したポリエステルベース(導電性支持体)のア
ルミ面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥
して、厚さ約1μmの電荷発生層を形成した。 この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−エチルカ
ルバゾール−3−アルデヒド l−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パンラ
イトに−1300:(株)帝人&)2重嵐部およびテト
ッヒドロフラン16重量部を混合溶解した溶液をドクタ
ーブレードを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで1
05℃で5分間乾燥して厚さ約18μmの電荷搬送層を
形成して、第2図に示した積層型の感光体應1を作成し
た。 実施例2〜5 実施例1で用いたジスアゾ顔料A750代りに後記表−
1に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例1と同様に
して感光体A2〜5を作成した。 実施例6〜10 電荷搬送物質として1−フェニル−3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリンを用い、後記表−1に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例1と同様にして感光体A6〜10を
作成した。 実施例11〜15 電荷搬送物質として9−(4−ジエチルアミノステリル
)アントラセンを用い、後記表−1に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例1と同様にして感光体Jill〜
15を作成した。 実施例16〜20 電荷搬送物質として4′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、J記表 2に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体A16〜
20を作成した。 これらの感光体A1〜20について、静電複写紙試験装
置((株)川口組機製作所製、SP 428型)を用い
て、−6KVのコロナ放置を20秒間行なって負に帯電
せしめた後、20秒間暗所に放値し、その時の表面−位
Vpo fvlを測定し、次いでタングステンラングに
よってその表面が照度4.5ルツクスになるようにして
光を照射しその表面電位がVpoの1/2になるまでの
時間(秒)をめ、露光iB:t/2(ルックス・秒)を
算出した。その結果を表−1〜表−2に示した。 以下余白 表 −1 表 −2 さらに、本発明のi&光体A4およびA7を(株)リコ
ー製複写機すコビーP−500型に装着して画像出しを
10,000回繰り返した。その結果、いずれの感光体
も複写プロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明
な画像が得られた。これにより、本発明の感光体が耐久
性においても優れたものであることが理解できるであろ
う。
第】図は本発明に用いるジスアゾ顔料&1の赤外線吸収
スペクトル(KBr ’x’re剤法)である。 c412図および第3図は本発明の感光体の溝底例を示
す拡大断面図である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料15
・・・擺荷発生層 17・・・中、荷1j」2送層1
9 、19’・・・感光層 特許出願人株式会社 リ コ − 死2図 Iス 篤3茜 。 3
スペクトル(KBr ’x’re剤法)である。 c412図および第3図は本発明の感光体の溝底例を示
す拡大断面図である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ顔料15
・・・擺荷発生層 17・・・中、荷1j」2送層1
9 、19’・・・感光層 特許出願人株式会社 リ コ − 死2図 Iス 篤3茜 。 3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 導電性支持体上に一般式(1) (式中、Aはカップラー残基を表わす。)で示されるジ
スアゾ顔料を含む感光層を有することを特徴とする電子
写真用感光体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25019583A JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
GB08432740A GB2153378B (en) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazo compounds and electrophotographic elements containing them |
DE3447685A DE3447685A1 (de) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazoverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und ein diese verbindungen enthaltendes elektrophotographisches element |
US06/687,111 US4582771A (en) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Disazo compound, method for preparing the same, and electrophotographic element containing the same for use in electrophotography |
US06/756,468 US4663442A (en) | 1983-12-28 | 1985-07-18 | Disazo triphenylamine compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25019583A JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60140351A true JPS60140351A (ja) | 1985-07-25 |
JPH0546938B2 JPH0546938B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=17204227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25019583A Granted JPS60140351A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60140351A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62118353A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25019583A patent/JPS60140351A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62118353A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH1048858A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-02-20 | Canon Inc | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0546938B2 (ja) | 1993-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |