JPS60151645A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 −本発明は電子写真用の感光体に関し、詳しくは、光照
射により電荷担体を発生する電荷発生物質としてジスア
ゾ顔料−を含有する感光層を設けた電子写真感光体に関
する。

従来技術 従来、電子写真感光体としては、セレン、セレン合金、
硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系の感光材料を用
いたものが使用されておシ、この中でもセレン系感光体
は、受容電位、暗減衰、感度など総合的に優れた特性を
存すると−とから広く用いられている。しかしながら、
セレン系感光体は、真空蒸着により製造されるため特性
の制御が難しく、また製造コストが高い、可撓性かない
ためにベルト状に加工することが難しい、熱や機誠的な
衝撃に鋭敏なため取扱いに制約管受けるなどの問題点を
有していた。

また、可撓性に優れ、製造も比較的容易な有　−根糸の
感光体として、２ｔ’ｓ７−ト）ニトロ−９−フルオレ
ノンとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとの電荷移動錯体
からなる感光層を有するものが一部実用に供されている
が、感度が低く、高速複写機用の感光体としては不適尚
であった。

近年、これらの感光体の欠点全排除するため広範な研究
が進められ、中でも、電荷担体の発生と、発生した電荷
の搬送とをそれぞれ別個の物質により行なわしめる機能
分離型の感光体が注目されている。機能分離型感光体と
しては、光照射により電荷担体を発子する電荷発生物質
を含む電荷発生層と、発生した電荷を搬送する電荷搬送
物質を含む電荷搬送層とを積層した感光層を有する積層
タイプの感光体、電荷搬送物質を含む電荷搬送媒体中に
電荷発生物質を分散せしめた分散タイプの感光体などが
あり、これらは感光材料の選択の幅が広がシ、高感度化
も可能であることから、普通紙複写用の感光体として注
目されている。

このような感光体としては、 （リ　電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着した
薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用
いた積層型の感光体（米国特許第３８７１８８２号公報
参照）、 （２）電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いた積層型の感光体（特公昭５５
−４２３８０号公報参照） などが知られている。

しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点を持っていることも事実である。

（１）で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体を用いた感光体は、その電荷発生層全真空蒸着によシ
形成するため製造コストが高くなる。

（２）で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン（たとえ
ばエチレンジアミン）を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。

また、スチリルスチルベン骨格を有するジスアゾ顔料を
電荷発生物質として用いた感光体（特開昭５３−１３３
４４５号公報）が知られておシ、この他にも、ジペンゾ
チオフェン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質と
して用いた感光体（特開昭５４−２１７２８号公報ン、
カルノ々ゾール骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物
質として用いた感光体（特開昭５３−９５０３３号公報
〕、トリフェニルアミン骨格を有するトリスアゾ顔料を
用いた感光体（特開昭５３−１３２３４７号公報）、オ
キサジアゾール骨格を有するジスアゾ顔料を用いた感光
体（特開昭５４−１２７４２号公報）、ジスチリルカル
バゾール骨格を有するジスアゾ顔料を用いた感光体（特
開昭５４−１４９６７号公報）、ビススチルベン骨格を
有するジスアゾ顔料を用いた感光体（特開昭５４−１７
７３３号公報）、フルオレノン骨格を有するジスアゾ顔
料を用いた感光体（特開昭５４−２２８３４号公報）が
報告されている。しかしながら、これら感光体には一長
一短があるのも事実であり、種々の要請に答えるべくさ
らに優れた特性を有する感光体の開発がまたれていた。

目　的 本発明は製造が容易でしかも十分な感度を有する電子写
真用感光体を提供することを目的とする。

構成 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に一般式
（Ｉ） （式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシ基またはカルボキシル基を示し、また、Ａはカ
ップラー残基金示す。） で表わされるジスアゾ顔料を含む感光層を有することを
特徴とする。

一般式（Ｉ）のＲのハロゲン原子としてはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、また、アルキル基としては
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの低級
アルキル基が、アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、ゾロボキシ基、ゾトキ７基などの低級アルコキ
シ基が例示される。

一般式（Ｉ）のカップラーとしては、たとえば、フェノ
ール類、チントール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミン化合物、ある
いはアミン基とフェノール性水岐基を有するアミノナフ
トール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基
（活性メチレン基）をもつ化合物などが用いられ、好ま
しくは、カッシラー残基Ａが下記一般式（■）。

（ｎ［）　、（ＩＶＩ　、（Ｖ）　、（Ｖｌｌ　、　（
ＭＤ　、　（ＶＬ　、　ＯＸ）　、　ＩＸ）　、　（Ｘ
Ｉ）　、　＠）　の一般式で表わされるものである。

”・ｚｆ′ 〔上記式（ＩＩ）　、　（Ｉ）　、　（ＩＶ；および（
■中、ｘ、ｙｌ、ｚ。

ｍおよびｎはそれぞれ以下のものを表わす。

（ＲｔおよびＲ２は水素または置換もしくは無置換のア
ルキルを表わし、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキル
基゛または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。

）Ｙ、：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルゼキシ
基、スルホ基−１置換もしくは無置換のスルファモイル
基または一〇〇Ｎ　−Ｙ２ ８番 （Ｒ４は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を表わし、Ｙ２は炭化水素環基また
はその置換体、複素環基またはその置換体、あるいは またはその置換体、複素環基またはその置換体あるいは
スチリル基またはその置換体、Ｒ６は水素、アルキル基
、フェニル基またはその置換体を表わすか、あるいはＲ
５およびＲ６はそれらに結合する炭素原子と共に猿を形
成してもよい。）を示す。）２：炭化水素環またはその
置換体あるいは複素環またはその置換体 ｎ：１または２の整数 ｍ：１または２の整数〕 ：式（至）および（イ）中、Ｒ２は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Ｘは前記に同じである。〕ｒ１ 〔式中、Ｒ８はアルキル基、カルバモイル基、カルｉキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ａｒ、は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、Ｘは前記と同じである
。〕 Ｒ，０ Ｒ，０ 〔上記式（ＥｌＯおよび国中、Ｒｏは水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ａｒ、は炭化水素
環基またはその置換体を表わす。〕前記一般式（Ｉｌｌ
　、　（Ｉ［Ｉ）　、　（ＩＶ）−８１：たは（Ｖ）（
７）　Ｚ　（７）炭化水素環としてはベンゼン環、ナフ
タレン環などが例示でき、また複素環としてはインドー
ル環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。また、２の猿における置換基と
しては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。

Ｙ２またはＲ６における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、キレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルボキシル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、Ｒ３
およびＲ６が結合して形成する猿としては、フルオレン
環などが例示できる。

Ｙ２またはＲ，の炭化水素環基または複素環基おるいは
Ｒ６およびＲ６によって形成される猿における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキン
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジベンジルアミノ基などのジアルキルアミノ基
、トリフルオロメチル基などのノーロメチル基、ニトロ
基、シアン基、カルボキシル基またはそのエステル、水
酸基、−８ｏ、Ｎａ　などのスルホン酸塩基などが挙げ
られる。

現のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素原
子などのノ・ロゲン原子が例示できる。

Ｒ７またはＲｏにおける炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ベンジル
基などのアルキル基、フェニル基などのアリール基また
はとれらの置換体が例示できる。

Ｒ７またはＲｏの炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ノ・ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

Ａｒ、またはＡｒ２における炭化氷菓環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、壕だ、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、ゾロぎル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子力どのノ・ロ
ゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ
ン基などのジアルキルアミ７基などが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カッシラー残基の中でも好ましいのは上記一般式（
ＩＩＩ）　、　（ＶＤ　、　（■バ■、（■）および（
３）で示されるものであり、この中でも一般式における
Ｘが水酸基のものが好ましい。壕だ、この中でも一般式
（ＩＩＩ） ゛・ｚ” （Ｙ、および２は前記に同じ。） で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 （ｚ　、　ｙ、およびＲ２は前記に同じ。）で示される
カッシラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカッシラー残基の中でも一般
式（ＸＩＶ）または（ＸＶ）（ｚ、Ｒ２，ＲＩ＋および
Ｒ６は前記に同じであり、またＲＩＧとしては上記のＹ
、の置換基が例示できる。） で表わされるものが適当である。

以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通９である。なお、簡略化のため、カ
ップラー残基であるＡの構造式と、Ｒの種類および置換
位置のみで示した。

ジスアゾ顔料Ｎａ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料Ｎｎ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料Ｎｌｌ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料ＮＣＬ　Ａ　Ｒ ジスアゾＢ瑳計ｉ　Ａ　Ｒ ｒ ジスアゾ顔料を社　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料向　Ａ　Ｒ ジスブゾ産＃ｌＮｎ　Ａ　Ｒ ＣＮ ジスアゾ顔料陽　Ａ　Ｒ ジスアゾＮ淳市姐　Ａ　Ｒ １ ジスアゾ顔犯捧紅　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料歯　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔享計社　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔犯Ｗｎ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔柿社　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料陰　Ａ　Ｒ ジスアゾ＃ｄＮａ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔−Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料Ｎｕ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔和捧１ｃＬ　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔を囚ユ　Ａ　Ｒ １ ジスアゾ顔和捧紅　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔和捧紅　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔許榛ｋ　Ａ　Ｒ ｌ ジスアゾ顔料随　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料−Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料阻　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔枦捧１ａ、　Ａ　Ｒ ジスアゾ盾淳廿紅　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料階　Ａ　Ｒ ｏ２ ジスアゾ顔料ＮＣＬ　Ａ　Ｒ ＯＣＨ３ ０２ ジスアゾ顔料階　Ａ　Ｒ ＣＨａ ジスアゾＮ迷宙鉋　Ａ　Ｒ ＡＮ％Ｊｘ　０ ジスアゾ顔料Ｎｎ　Ａ　Ｒ ＴＸｎ Ｈ３０ ＣＩ　（） ジスアゾ顔料階　Ａ　Ｒ ジスアゾ顔料陽　Ａ　Ｒ Ｊｎ ＣＩ　Ｑ ジスアゾ類１！−Ｔｈ　Ａ　Ｒ Ｏ Ｃ，Ｈ。

０ ジスアゾ顔料Ｎ［ｌ　Ａ　Ｒ ＨＯ ジスアゾ顔料Ｎｎ　Ａ　Ｂ ジスアゾ顔料向　Ａ　Ｒ 以上のような本発明のジスアゾ−顔料を用いることによ
り極めて高感度な電子写真用感光体が容易に製造できる
が、この中でも電荷発生物質として特に好ましいジスア
ゾ顔料はｃ４αｉ、ｉ５．−１８．３３，３４．７５で
おる。

本発明のジスアゾ顔料は常法によシ得られる１、４−ビ
ｘ（４−アミノフェニル）−ピペラジ／を常法によりジ
アゾ化してテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム
塩と対応するカップラーとを適当な有機溶媒、たとえば
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカ
ップリング反応を行なうことによって容易に製造すると
とができる。その例として以下に前記隘１のジスアゾ顔
料の製造例を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを
変える他はこの製造例に従って容易に製造することがで
きる。

製造例 水５０−と濃塩酸１２ゴよりなる塩酸中へ１゜４−ビス
（４−アミノフェニル）−ピペラジン２、６８　ｇｒを
加え、約６０℃に加熱し、１時間攪拌した後、３℃まで
冷却し、ついで、これに亜硝酸ナトリウム１．５０　ｇ
ｒを水１０ｒＩＴｌに溶解した溶液ｆ：３〜５℃の温度
で１５分間にわたり滴下した。

その後、同温度で３０分攪拌した後、微量の不溶物を戸
別し、この反応液中に硼弗化ソーダ５、ｏ　ｇｒを添加
し、析出した結晶を戸別し、水洗、乾燥して４．　Ｏｇ
ｒ　（収率８６％）のテトラゾニウムジフルオＴ２ボレ
ートの淡黄色結晶を得た。

このようにして得られたテトラゾニウム塩０．９３　ｇ
ｒと、カップリング成分として２−ヒドロキシ−３−ナ
フトエ酸アニリドｌ、　２６　ｇｒとを、冷却したＮ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド２３０ｍ１に溶解し、これに
酢酸ナトリウム０．６６　ｇｒおよび水１０ゴからなる
浴液を１５〜１８℃の温度で５分間にわたって滴下した
。その後、さらに室温で３時間攪拌した。ついで、生成
した沈澱を沖取し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド３０
０ｒｎｌで３回洗浄し、次に水３００ゴで２回洗浄した
後、８０℃で２ｍｍＨＨの減圧下に乾燥して、前記化合
物随１のジスアゾ顔料１．２０　ｇｒ（収率７３．５％
）を得た。

融点　３００℃以上 元素分析（％） ＣＨＮ 実測値　７３．４８　４．８４　１３゜６５計算値　７
３．５１　４．９４　１３．７２また、赤外緑吸収スペ
クトル（、ＫＢｒ錠剤法）を第１図に示した。

本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、この感光体の代表
的な構成を第２図および第３図に示した。

第２図の感光体は、導電性支持体１１上に、ジスアゾ顔
料１３を主体とする電荷発生層１５と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層１７とからなる積層型の感光層１９
を設けたものである。

第２図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層１５に到達し、その部分のジスアゾ顔
料１３で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層１７は
電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必
要な電荷の生成はジスアゾ顔料１３で行なわれ、また電
荷の搬送は電荷搬送層１７でというメカニズムである。

第３図の感光体は導電性支持体１１上に主としてジスア
ゾ顔料１３、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層１９を設けたものである。ここでもジスアゾ顔料
１３は電荷発生物質である。その他の感光体として第２
図の電荷発生層と電荷搬送層を逆にすることも可能であ
る。

感光層の厚さは、Ｍ２図のもので電荷発生層１５の厚み
は好ましくは０．０１〜５μさらに好ましくは０．０５
〜２μである。この厚さが０．Ｏ１μ以下であると電荷
の発生は十分てはなく、また５μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。電荷搬送層エフの厚さは好まし
くは３〜５０μ、さらに好１しくは５〜３０μでおる。

この厚さが３μ以下であると帯電量が不十分であり、５
０μ以上であると残留電位が高く実用的ではない。電荷
発生層１５は前記の一般式で示されるジスアゾ顔料を主
体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有することがで
きる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は好ま
しくは３０重量−以上、さらに好ましくは５０重重量板
上である。電荷搬送層１７は電荷搬送物質と結合剤を主
体とし、さらに可塑剤などを含有することができる。電
荷搬送層中の電荷搬送物質の割合は１０〜９５重量％、
好ましくは３０〜９０重量％である。電荷搬送物質の占
める割合が１０重量％未満でろると、電荷の搬送はほと
んど行なわれず、また９５重量％以上であると感光体皮
膜の機械的弧度が極めて悪く実用に供しえない。

第３図に示した感光体の場合は、感光層１９′の厚さは
好ましくは３〜５０μ、さらに好ましくは５〜３０μで
ある。また、感光層１９’中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは５０重最多以下、さらに好ましくは２０重量％
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは１０
〜９５重量％、さらに好ましくは３０〜９０重量％であ
る。

本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式Ｉで表わされる特定のジスアゾ顔料を用
いることを骨子とするものであり、導電性支持体、電荷
搬送物質など他の構成要素としては従来知られていたも
ののいずれもが使用できるが、それらについて以下に具
体的に説明する。

本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリエステル
等のプラスチックシートまたはプラスナックフィルムに
アルミニウム、５ｎ０２等の導電材料を蒸着したもの、
あるいは導電処理した紙等が使用される。

結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエス
テル、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリケトン、？
リカーボネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、
絶縁性で且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。

可塑剤としては、ハロゲン化ノξラフイン、ポリ塩化ビ
フェニル、ジメチルナフタレン、ジゾチルフタレートな
どがＭげられる。その低感光体の表面性をよくするため
にシリコンオイル等を加えてもよい。

電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。

正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式（１）〜
（１１）に示されるような化合物が例示できる。

１ 〔式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエ
チル基又は２−クロルエチル基を衷わし、Ｒ２はメチル
基、エチル基、ベンジル基又は゛′フェニル基を表わし
、Ｒ８は水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のアルキル基
、炭素数１〜４のアルコキシル基、ジアルキルアミノ基
又はニトロ基を表わす。〕 〔式中、Ａｒはナフタリン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、７ラン環
、チオフェン環を表わし、Ｒはアルキル基又はベンジル
基を表わす。〕 Ｒ。

〔式中、Ｒ１はアルキル基、ベンジル基、フェニル基を
表わし、Ｒ２は水素、炭素数１〜３のアルキル基、炭素
数１鵡３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはジ
アリールアミノ基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わし
、ｎが２以上のときＲ２は同じでも異なっていてもよい
。Ｒ８は水素またはメトキシ基を表わす。〕 ｒ４を 拘 〔式中、ＲＩは炭素数１〜１１のアルキル基、置換もし
くは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし、Ｒ１，
Ｒ８はそれぞれ同一でも異なっていてもよく水素、ベン
ジル基などの置換又は無置換のアルキル基を表わし、ま
た、馬とＲ３は互いに結合し蟹素を含む複素環を形成し
ていてもよい。Ｒ，は水素、炭素数１〜４のアルキル基
、アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕 （５） 〔式中、Ｒは水素またはハロゲン原子を表わし、Ａｒは
置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 ｎ　Ａｒ 〔式中、Ｒ１は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜
４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表
わし、Ａｒは ２ Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、Ｒ３は水素
、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基、炭素峨１〜４
のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表わし、ｎ
は１または２であって、ｎが２のときはＲ３は同一でも
異なってもよく、Ｒ４およびＲ６は水素、炭素数１〜４
の置換筐たは無置換のアルキ／Ｌ−基あるいは置換また
は無置換のベンジル基を表わす。〕 〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基、フリル基或い基、スチリル基、ナフチ
ル基またはアントリル基であって、これらの置換基がジ
アルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボ
キシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、
アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミ７基からなる群
から選ばれた基金表わす。〕 （８） 〔式中、Ｒ，は低級アルキル基またはベンジル基を表わ
し、Ｒ２は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミン基あるいは低級ア
ルキル基またはベンジル基で置換されたアミン基を表わ
し、ｎは１または２の整数を表わす。〕〔式中、ＲＩは
水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原
子を表わし、ＲｔＺおよびＲ３は置換また線熱置換のア
ルキル基、あるいは置換または無ｆｊｉ候のアリール基
を表わし、Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換の
フェニル基を表わし、また、Ａｒはフェニル基またはナ
フチル基を表わす。〕〔式中、ｎは０または工の整数、
ＲＩは水素原Ｃ１１子、アルキル基または置換もしくは
無置換のフェニル基を示し、Ａは リル基または置換もしくは無置換のＮ−アルキルカルバ
ゾリル基″ｆ：嚢わし、ここでＲ２は水系原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または 無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基を
示し、Ｒ３およびＲ４は猿を形成してもよい）を表わし
、ｍは０．１．２または３の整数であって、ｍが２以上
のときはＲ２は同一でも異なってもよい。〕 〔式中、Ｒ１’　ｌ　Ｒ１およびＲ８は水素、低級アル
キル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基または
ハロゲン原子を表わし、ｎはＯまたは１を表わす。〕 一般式（１）で表わされる化合物には、たとえば９−エ
チルカルバゾール−３−アルデヒド１−メチル−１−フ
ェニルヒドラゾン、９−エチルカルノ々ゾールー３−ア
ルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−アルデヒ）”１．１−ジフェ
ニルヒドラゾンなどがある。一般式（２）で表わされる
化合物には、たとえば４−ジエチルアミノスチレン−β
−アルデヒド　１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、
４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド　１−ベンジ
ル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。一般式（３）
で表わされる化合物にはたとえば、４−メトキシベンズ
アルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２，
４−ジメトキシベンズアルデヒド　ｌ−ベンジル−１−
フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド　１．１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベ
ンズアルデヒド　１−ベンジル−１−（４−メトキシ）
フェニルヒト２シン、４−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド”ｌ−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジ
ベンジルアミノベンズアルデヒド１゜１−ジフェニルヒ
ト２シンなどがある。一般式（４）で表わされる化合物
には、たとえば１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフ
ェニル）フロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）メタン、１．１−ビス（４−ジベンジルアミノフェ
ニル）プロパン、２．２’−ジメチル−４，４′−ビス
（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。

一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば９−（
４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロ
ム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセ
ンなどがある。一般式（６）で表わされる化合物には、
たとえば９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フル
オレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカ
ルノ々ゾールなどがある。一般式（７）で表わされる化
合物には、たとえば１，２−ビス（４−ジエチルアミノ
スチリル）ベンゼン、１．２−ビス（２，４−ジメトキ
シスチリル）ベンゼンがある。一般式（８）で表わされ
る化合物には、たとえば３−スチリル−９−エチルカル
バゾール、３−（４−メトキシステリル）−９−エチル
カルノ々ゾールなどがある。一般式（９）で表わされる
化合物に社、たとえば４−ジフェニルアミノスチルベン
、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミ
ノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）
ナフタレン、１−（４−ジエチルアミノスチリル）ナフ
タレンなどがある。一般式（１０）で表わされる化合物
には、たとえば４′−ジフェニルアミノ−α−フェニル
スチルベン、４′−メチルフェニルアミノ−α−フェニ
ルスチルベンなどがある。

一般式（１１）で表わされる化合物には、たとえば１−
フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−
（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（４−ジメチルアミノスチリル）−５−（４
−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。

この他の正孔搬送物質としては、たとえば２．５−ビス
（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、２，５−ビス（４−（４−ジエチルアミノ
スチリル）フェニル］−１，３，４−オキサジアゾール
、２−（９−エチルカルバゾリル−３−）−５−（４−
ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、２−ビニル−４−
（２−クロルフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフ
ェニル）オキサゾール、２−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−４−フェニルオキサゾールなどのオキサゾール
化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルツクソール、ノ）ロゲン化＆！Ｊ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、？リビニルアントラ
セン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルパゾー
ルホルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用でき
る。

電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ゾロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、２ｒ４ｖ７−ドリニトロー９−フルオレノン
、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２，４゜５．７−チトラニトロキサントン、２，４．８
−トリニドロチオキサントン、２，６．’８−）ジニト
ロ−４Ｈ−インデノ［１，２，−ｂ：］］チオ７エンー
４−オン１，３．７−）リニトロジベンゾチオフエン−
５，５−ジオキサイドなどがある。

これらの電荷搬送物質は単独又は２種以上混合して用い
られる。

なお以上のようにして得られる感光体にはいずれも導電
性支持体と感光層の間に必要に応じて接着層又はバリヤ
層を設けることができる。

これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムナトが適当で、また膜
厚は１μ以下が好ましい。

第２図の感光体を作成するには、導電性支持体上にジス
アゾ顔料を　ＵＳＰ　３，９７３，９５９、ＵＳｉ、Ｐ
　３，９９６，０４９等に記載されている真空蒸着方法
で真空蒸着するか、あるいはジスアゾ顔料の微粒子を必
要とあれば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、こ
れを導電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば例
えば特開昭５１−９０８２７に示されているようなパフ
研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を調整した
後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥して
得られる。

第３図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉子を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。いずれ
の場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はゼールミル
等により粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に粉砕して
用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドクターブ
レード、ディッピング、ワイヤーパーなどで行なう。

本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によって、
紙などへ転写を行うことにより達成される。

効果 以上の説明および後記の実施例からも明らかなように、
本発明の電子写真用感光体は、１゜４−ジフェニルピペ
ラジン骨格を有するジスアゾ顔料を電荷発生物質として
用いることにより、従来の感光体に比較して製造が容易
であり、また、高感度で、感光体の反復使用に対しても
特性が安定しているなど、優れた性質を有する。

次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ ジスアゾ顔料Ｎ［１３３を７６重量部、ポリエステル樹
脂（バイロン２００株式会社東洋紡績製ンのテトラヒド
ロ７ラン溶液（固形分濃度２％）１２６０重量部、およ
びテトラヒドロフラン３７００重量部をゼールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポ
リエステルペース（導電性支持体）のアルミ面上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約１
μｍの電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として９−エチルカ
ルバソール−３−アルデヒド　１−メチル−１−フェニ
ルヒドラゾン２重量部、ポリカーゼネート樹脂（パンラ
イトＩ（−１３００：（株）量大製）２重量部およびテ
トラヒドロフラン１６重量部を混合溶解した溶液をドク
ターブレードを用いて塗布し、８０℃で２分間、ついで
１０５℃で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷搬送層
を形成して、第２図に示した積層型の感光体Ｎ１１１ｆ
ｔ作成した。

実施例２〜５ 実施例１で用いたジスアゾ顔料ｌ１ｌ（１３３の代りに
後記衣−１に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例１
と同様にして感光体Ｎ［１２〜５を作成した。

実施例６〜１０ 電荷搬送物質として１−フェニル−３−（４−ジエチル
アミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル
）ピラゾリンを用い、後記表−１に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例１と同様にして感光体Ｎｕ　６〜１
０ｆ：作成した。

実施例１１〜１５ 電荷搬送物質として９−（４−ジエチルアミノスチリル
）アントラセンを用い、後記表−１に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例１と同様にして感光体Ｎａ１ｌ〜
１５を作成した。

実施例１６〜２０ 電荷搬送物質として４′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、後記表−２Ｋ示すジスアゾ顔料
を用いた以外は、実施例１と同様にして感光体Ｎｎ１６
〜２０を作成した。

これらの感光体Ｎ１１ｌ〜２０について、静電複写紙試
験装置（（株）川口電機製作所製、ＳＰ　４２８型）を
用いて、−６ＫＶのコロナ放ｔａｆｔ２ｏ秒間行なって
負に帯電せしめた後、２０秒間暗所に放置し、その時の
表面電位ＶＰＯ（Ｖ）ｆｃ測測定、次いでタングステン
ランプによってその表面が照度４．５ルツクスになるよ
うにして光を照射しその表面電位がＶｐｏＯ％になるま
での時間（秒）をめ、露光量Ｅ３Ａ（ルックス・秒）を
算出した。その結果を表−１〜表−２に示した。

（以下余白） 表−１ 表−２ さらに、本発明の感光体Ｎ［１１および随１７を（株）
リコー製複写機すコビーＰ−５００型に装着して画像出
しを１０，０００回繰り返した。その結果、いずれの感
光体も複写プロセスの繰返しによシ変化することなく、
鮮明外画像が得られた。これにより、本発明の感光体が
耐久性においても優れたものであることが理解できるで
あろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いるジスアゾ顔料Ｎｎｌの赤外線吸
収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。 第２図および第３図は本発明の感光体の構成例を示す拡
大断面図である。 １１・・・導電性支持体　１３・・・ジスアゾ顔料１５
・・・電荷発生層　エフ・・・電荷搬送層１９　、１９
’・・・感光層 特許出願人　株式会社　リ　コ　− 手続補正書 昭和５９年３月　１０ 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭和５９年　特　許　願第　７５９５　七東京都大田区
中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　コ　− 代表者　浜　１）　広 ４、代　理　人 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ム　補正の内容 のを「カップラー残基」に補正する。 ”Ｚ　’　Ｊ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に一般式（１） ％式％ （式中、Ｒは氷菓原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
   ルコキシ基またはカルゼキシル基を示し、また、Ａはカ
   ップラー残基金示す。） で表わされるジスアゾ顔料を含む感光層を有することを
   特徴とする電子写真用感光体。