JPH0588471B2 - - Google Patents

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JPH0588471B2
JPH0588471B2 JP59200996A JP20099684A JPH0588471B2 JP H0588471 B2 JPH0588471 B2 JP H0588471B2 JP 59200996 A JP59200996 A JP 59200996A JP 20099684 A JP20099684 A JP 20099684A JP H0588471 B2 JPH0588471 B2 JP H0588471B2
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JP59200996A
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Mitsuru Hashimoto
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0588471B2 publication Critical patent/JPH0588471B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0681Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
技術分野 本発明は電子写真甚の感光䜓に関し、さらに詳
しくは、光を照射したずき電荷担䜓を発生する物
質以降「電荷発生物質」ずいうずしおゞスア
ゟ顔料を含有する感光局を蚭けた電子写真甚感光
䜓に関する。 埓来技術 電子写真甚の感光䜓ずしお埓来は、無機物系の
ものではセレン及びその合金を甚いたもの、ある
いは色玠増感した酞化亜鉛を結着暹脂䞭に分散し
た感光䜓などがあり、たた有機物系のものでは、
−トリニトロ−−フルオレノン以
降「TNF」ずいうずポリ−−ビニルカルバ
ゟヌル以降「PVK」ずいうずの電荷移動錯
䜓を甚いたものなどが代衚的なものである。 しかし、これらの感光䜓は倚くの長所を持぀お
いるず同時に、さたざたな欠点を持぀おいる。䟋
えば、珟圚広く甚いられおいるセレン感光䜓は補
造する条件がむずかしく、補造コストが高か぀た
り、可撓性がないためにベルト状に加工するこず
がむずかしく、たた熱や機械的な衝撃に鋭敏なた
め取扱いに泚意を芁する。酞化亜鉛感光䜓は安䟡
な酞化亜鉛を甚いお支持䜓ぞの塗垃で補造するこ
ずが出来るためコストは䜎いが、䞀般に感床が䜎
か぀たり、衚面の平滑性、硬床、匕぀匵り匷床、
耐摩擊性などの機械的な欠点があり、通垞反埩し
お䜿甚する普通玙耇写機甚の感光䜓ずしおは耐久
性などに問題が倚い。たた、TNFずPVKの電荷
移動錯䜓を甚いた感光䜓は感床が䜎く、高速耇写
機甚の感光䜓ずしおは䞍適圓である。 近幎、これらの感光䜓の欠点を排陀するために
広範囲な研究が進められ、特に有機物系のさたざ
たな感光䜓が提案されおいる。䞭でも有機顔料の
薄膜を導電性支持䜓䞊に圢成し電荷発生物質を
䞻䜓ずする局であ぀お以降「電荷発生局」ずい
う、この䞊に電荷搬送物質電荷発生局が発生
した電荷担䜓を受け入れこれを搬送する物質を
䞻䜓ずする局以降「電荷搬送局」ずいうを圢
成した積局型の感光䜓が埓来の有機物系の感光䜓
に比べ、䞀般に感床が高く垯電性が安定しおいる
こずなどの点から普通玙耇写機甚の感光䜓ずしお
泚目されおおり、䞀郚実甚に䟛されおいるものが
ある。 この皮の埓来の積局型の感光䜓ずしお、 (i) 電荷発生局ずしおペリレン誘導䜓を真空蒞着
した薄局を甚い、電荷搬送局にオキサゞアゟヌ
ル誘導䜓を甚いたものUSP 3871882参照、 (ii) 電荷発生局ずしおクロルダむアンブルヌの有
機アミン溶液を塗垃しお圢成した薄局を甚い、
電荷搬送局にヒドラゟン化合物を甚いたもの
特公昭55−42380号公報参照、 (iii) 電荷発生局ずしおゞスチリルベンれン系ゞス
アゟ化合物の有機溶媒分散液を塗垃しお圢成し
た薄局を甚い、電荷搬送局にヒドラゟン化合物
を甚いたもの特開昭55−84943号公報参照 などが知られおいる。 しかしながら、この皮の積局型の感光䜓におい
おも埓来のものは倚くの長所を持぀おいるず同時
に䞋蚘のごずきさたざたな欠点を持぀おいるこず
も事実である。 (i)で瀺したペリレン誘導䜓ずオキサゞアゟヌル
誘導䜓を甚いた感光䜓は、その電荷発生局を真空
蒞着により圢成するため補造コストが高くなる。 (ii)で瀺したクロルダむアンブルヌずヒドラゟン
化合物を甚いた感光䜓は、電荷発生局を圢成する
ための塗垃溶剀ずしお、䞀般に取り扱いにくい有
機アミン䟋えば゚チレンゞアミンを甚いる必
芁があり、感光䜓䜜成䞊の欠点が倚い。たた、そ
の可芖域の感光波長域がおよそ450〜660nmに亘
぀おいるため、赀色原皿の画像再珟性が悪か぀
た。そのため、実際に耇写機に実装する堎合は赀
色光をカツトするフむルタヌが必芁であり、耇写
機蚭蚈䞊の䞍利がある。 (iii)で瀺したゞスチリルベンれン系ゞスアゟ化合
物ずヒドラゟン化合物を甚いた感光䜓は、ゞスア
ゟ化合物の分散液の塗垃により容易に電荷発生局
を圢成できるこずから補造䞊は倧倉有利なもので
あるが、(ii)の感光䜓ず同様に、その感光波長域が
およそ450〜700nmに亘぀おいるため赀色原皿の
画像再珟性が悪いずいう欠点を有しおいる。 目 的 本発明は、容易に補造でき高感床で、しかも感
光波長域が短波長領域にあるすなわち、赀色原
皿の画像再珟性にすぐれた電子写真甚感光䜓を
提䟛するものである。 構 成 本発明者は䞊蚘の目的を達成するため鋭意怜蚎
を重ねた結果、ある特定のゞスアゟ化合物を電荷
発生物質ずしお甚いるこずにより、䞊蚘の目的が
達成できるこずを芋い出し、本発明を完成するに
至぀た。 すなわち、本発明の電子写真甚感光䜓は、導電
性支持䜓䞊に、電荷発生物質ずしお䞋蚘䞀般匏
で瀺されるゞスアゟ顔料を含有する感光局
を蚭けたこずを特城ずする。
【化】 匏䞭、はカツプラヌ残基を衚わし、は
又はの敎数である。 カツプラヌずしおは、プノヌル類、ナフトヌ
ル類などの氎酞基を有する芳銙族炭化氎玠化合物
及び氎酞基を有する耇玠環匏化合物、アミノ基を
有する芳銙族炭化氎玠化合物及びアミノ基を有す
る耇玠環匏化合物、アミノナフトヌル類などの氎
酞基及びアミノ基を有する芳銙族炭化氎玠化合物
及び耇玠環匏化合物、脂肪族もしくは芳銙族の゚
ノヌル性ケトン基を有する化合物掻性メチレン
基を有する化合物などが甚いられ、奜たしく
は、カツプラヌ残基が䞋蚘匏、、
、、、、、、
、
XI、XIIで衚わされるものである。
【化】
【化】
【化】
【化】 〔䞊蚘匏、、および䞭、
、Y1、、およびはそれぞれ以䞋のもの
を衚わす。 −OH
【匏】たたは−NHSO2−R3 R1およびR2は氎玠たたは眮換もしくは無眮
換のアルキルを衚わし、R3は眮換もしくは無
眮換のアルキル基たたは眮換もしくは無眮換の
アリヌル基を衚わす。 Y1氎玠、ハロゲン、眮換もしくは無眮換のア
ルキル基、眮換もしくは無眮換のアルコキシ
基、カルボキシ基、スルホ基、眮換もしくは無
眮換のスルフアモむル基たたは
【匏】 R4は氎玠、アルキル基たたはその眮換䜓、
プニル基たたはその眮換䜓を衚わし、Y2は
炭化氎玠環基たたはその眮換䜓、耇玠環基たた
はその眮換䜓、あるいは
【匏】䜆 し、R5は炭化氎玠環基たたはその眮換䜓、耇
玠環基たたはその眮換䜓あるいはスチリル基た
たはその眮換䜓、R6は氎玠、アルキル基、フ
゚ニル基たたはその眮換䜓を衚わすか、あるい
はR5およびR6はそれらに結合する炭玠原子ず
共に環を圢成しおもよい。を瀺す。  炭化氎玠環たたはその眮換䜓あるいは耇玠
環たたはその眮換䜓 たたはの敎数 たたはの敎数〕
【化】
【化】 〔匏および䞭、R7は眮換もしく
は無眮換の炭化氎玠基を衚わし、は前蚘に同じ
である。〕
【化】 〔匏䞭、R8はアルキル基、カルバモむル基、
カルボキシル基たたはその゚ステルを衚わし、
Ar1は炭化氎玠環基たたはその眮換䜓を衚わし、
は前蚘ず同じである。〕
【化】
【化】 〔䞊蚘匏および䞭、R9は氎玠た
たは眮換もしくは無眮換の炭化氎玠基を衚わし、
Ar2は炭化氎玠環基たたはその眮換䜓を衚わす。〕 前蚘䞀般匏、、たたはの
の炭化氎玠環ずしおはベンれン環、ナフタレン
環などが䟋瀺でき、たた耇玠環ずしおはむンドヌ
ル環、カルバゟヌル環、ベンゟフラン環などが䟋
瀺できる。たた、の環における眮換基ずしおは
塩玠原子、臭玠原子などのハロゲン原子が䟋瀺で
きる。 Y2たたはR6における炭化氎玠環基ずしおは、
プニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニ
ル基などが、たた、耇玠環基ずしおはピリゞル
基、チ゚ニル基、フリル基、むンドリル基、ベン
ゟフラニル基、カルバゟリル基、ゞベンゟフラニ
ル基などが䟋瀺でき、さらに、R5およびR6が結
合しお圢成する環ずしおは、フルオレン環などが
䟋瀺できる。 Y2たたはR5の炭化氎玠環基たたは耇玠環基あ
るいはR5およびR6によ぀お圢成される環におけ
る眮換基ずしおは、メチル基、゚チル基、プロピ
ル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
゚トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、塩玠原子、臭玠原子などのハロゲン
原子、ゞメチルアミノ基、ゞ゚チルアミノ基など
のゞアルキルアミノ基、ゞベンゞルアミノ基など
のゞアラルキルアミノ基、トリフルオロメチル基
などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カル
ボキシル基たたはその゚ステル、氎酞基、−
SO3Naなどのスルホン酞塩基などが挙げられる。 R4のプニル基の眮換䜓ずしおは塩玠原子た
たは臭玠原子などのハロゲン原子が䟋瀺できる。 R7はたたR9における炭化氎玠基の代衚䟋ずし
おは、メチル基、゚チル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、ベンゞル基などのアラルキ
ル基、プニル基などのアリヌル基たたはこれら
の眮換䜓が䟋瀺できる。 R7たたはR9の炭化氎玠基における眮換基ずし
おは、メチル基、゚チル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、メトキシ基、゚トキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、
塩玠原子、臭玠原子などのハロゲン原子、氎酞
基、ニトロ基などが䟋瀺できる。 Ar1たたはAr2における炭化氎玠環基ずしおは、
プニル基、ナフチル基などがその代衚䟋であ
り、たた、これらの基における眮換基ずしおは、
メチル基、゚チル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基、゚トキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ニトロ
基、塩玠原子、臭玠原子などのハロゲン原子、シ
アノ基、ゞメチルアミノ基、ゞ゚チルアミノ基な
どのゞアルキルアミノ基などが䟋瀺できる。 たた、の䞭では特に氎酞基が適圓である。 䞊蚘カツプラヌ残基の䞭でも奜たしいのは䞊蚘
匏、、、、および

で瀺されるものであり、この䞭でもが氎酞基の
ものが奜たしい。たた、この䞭でも匏′
【化】 Y1およびは前蚘に同じ。 で衚わされるカツプラヌ残基が奜たしく、さらに
奜たしくは匏
【化】 、Y2およびR2は前蚘に同じ。 で瀺されるカツプラヌ残基である。 さらにたた、䞊蚘奜たしいカツプラヌ残基の䞭
でも匏XIたたはXII
【化】
【化】 、R2、R5およびR6は前蚘に同じであり、
たたR10ずしおは䞊蚘のY2の眮換基が䟋瀺でき
る。 で衚わされるものが適圓である。 以䞊のような本発明に甚いられるゞスアゟ顔料
の具䜓䟋を瀺せば次のずおりである。なお、簡略
化のため、䞋蚘䞀般匏′および′で衚
わされるゞスアゟ顔料のカツプラヌ残基である
の匏のみで瀺した。ここで、ゞスアゟ顔料No.〜
162は䞀般匏′のものに、ゞスアゟ顔料201
〜362は䞀般匏′のものに盞圓しおいる。
【化】
【化】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 以䞊のような本発明のゞスアゟ顔料を甚いるこ
ずにより極めお高感床な電子写真甚感光䜓が容易
に補造できるが、この䞭でも電荷発生物質ずしお
特に奜たしいゞスアゟ顔料ずしおNo.141516
3233341718193031およびNo.214
215232233234などが挙げられる。 本発明のゞスアゟ顔料は、䟋えば、、、
Amstutz and C.R.NeumoyerJournal、of
Ameriean Chemical Society69 19251947
に蚘茉されるような方法により補造した−
ゞアミノチオキサントン又はその−ゞオキサむ
ドを垞法によりゞアゟ化しおテトラゟニりム塩ず
し、このそれぞれのテトラゟニりム塩ず察応する
カツプラヌずを適圓な有機溶媒たずえば−
ゞメチルホルムアミド䞭で塩基を䜜甚させおカツ
プリング反応を行なうこずによ぀お容易に補造す
るこずができる。その䟋ずしお以䞋に前蚘No.の
ゞスアゟ顔料の補造䟋を瀺すが、他のゞスアゟ顔
料も同様にこの補造䟋に埓぀お容易に補造するこ
ずができる。 補造䟋 æ°Ž62mlず濃塩酞62mlずよりなる塩酞䞭ぞ
−ゞアミノチオキサントン8.68gを加え、玄60℃
に加熱しお時間加熱した埌、℃たで冷华し、
次いでこれに亜硝酞ナトリりム5.35gã‚’æ°Ž10mlに
溶解した溶液を℃〜℃の枩床で分間にわた
り滎䞋した。その埌、同枩床で時間撹拌した
埌、この反応液䞭に42硌北化氎玠酞10mlを添加
し、析出した結晶を濟別し、メタノヌルで掗浄埌
也燥しお8.45g収率53.7のテトラゟニりムビ
ステトラフルオロポレヌトの黄耐色結晶を埗た。 このものは赀倖線吞収スペクトルKBr錠剀
法では2260cm-1にN2 に基づく吞収垯が、
1660cm-1にに基づく吞収垯が認められ
た。 このようにしお埗られたテトラゟニりム塩
1.10gずカツプリング成分ずしお−ヒドロキシ
−−ナフト゚酞アニリド1.32gずを、冷华した
−ゞメチルホルムアミド150ml䞭に溶解し、
これに酢酞ナトリりミム0.82gおよび氎mlから
なる溶液を玄10℃の枩床で分間にわた぀お滎䞋
し、冷华を䞭止した埌、さららに宀枩で時間撹
拌した。その埌、生成した沈柱を濟取し、80℃に
加熱した−ゞメチルホルムアミド200mlで
回掗浄し、次に氎200mlで回掗浄し、80℃で
mmHgの枛圧䞋に也燥しお、化合物No.のゞス
アゟ顔料1.50g収率75.6を埗た。このゞスア
ゟ顔料の倖芳は橙赀色の粉末であり、赀倖線吞収
スピクトルKBr錠剀法は第図に瀺した。 融 点 300℃以䞊
【衚】 本発明の電子写真甚感光䜓ではゞスアゟ顔料は
感光局における電荷発生物質ずしお甚いられ、こ
の感光䜓の代衚的な構成を第図および第図に
瀺した。 第図の感光䜓は、導電性支持䜓䞊に、ゞ
スアゟ顔料を䞻䜓ずする電荷発生局ず電
荷搬送物質を䞻䜓ずする電荷搬送局ずからな
る積局型の感光局を蚭けたものである。 第図の感光䜓では、像露光された光は電荷搬
送局を透過し、電荷発生局に到達し、そ
の郚分のゞスアゟ顔料で電荷の生成が起こ
り、䞀方、電荷搬送局は電荷の泚入を受けそ
の搬送を行なうもので、光枛衰に必芁な電荷の生
成はゞスアゟ顔料で行なわれ、たた電荷の搬
送は電荷搬送局でずいうメカニズムである。 第図の感光䜓は導電性支持䜓䞊に䞻ずし
おゞスアゟ顔料、電荷搬送物質および絶瞁性
結合剀からなる感光局′を蚭けたものである。
ここでもゞスアゟ顔料は電荷発生物質であ
る。その他の感光䜓ずしお第図の電荷発生局ず
電荷搬送局を逆にするこずも可胜である。 感光局の厚さは、第図のもので電荷発生局
の厚みは奜たしくは0.01〜5Όさらに奜たしくは
0.05〜2Όである。この厚さが0.01Ό以䞋であるず
電荷の発生は十分ではなく、たた5Ό以䞊である
ず残留電䜍が高く実甚に耐えない。電荷搬送局
の厚さは奜たしくは〜50Ό、さらに奜たしく
は〜20Όである。この厚さは3Ό以䞋であるず垯
電量が䞍十分であり、50Ό以䞊であるず残留電䜍
が高く実甚的ではない。電荷発生局は前蚘の
䞀般匏で瀺されるゞスアゟ顔料を䞻䜓ずし、さら
に結合剀、可塑剀などを含有するこずができる。
たた、電荷発生局䞭のゞスアゟ顔料の割合は
奜たしくは30重量以䞊、さらに奜たしくは50重
量以䞊である。電荷搬送局は電荷搬送物質
ず結合剀を䞻䜓ずし、さらに可塑剀などを含有す
るこずができる。電荷搬送局䞭の電荷搬送物
質の割合は10〜95重量、奜たしくは30〜90重量
である。電荷搬送物質の占める割合が10重量
未満であるず、電荷の搬送はほずんど行なわれ
ず、たた95重量以䞊であるず感光䜓皮膜の機械
的匷床が極めお悪く実甚に䟛しえない。 第図に瀺した感光䜓の堎合は、感光局′
の厚さは奜たしくは〜50Ό、さらに奜たしくは
〜20Όである。たた、感光局′䞭のゞスア
ゟ顔料の割合は奜たしくは50重量以䞋、さらに
奜たしくは20重量以䞋であり、たた電荷搬送物
質の割合は奜たしくは10〜95重量、さらに奜た
しくは30〜90重量である。 本発明は、電子写真甚感光䜓における電荷発生
物質ずしお、前蚘䞀般匏で衚わされる特定
のゞスアゟ顔料を甚いるこずを骚子ずするもので
あり、導電性支持䜓、電荷搬送物質など他の構成
芁玠ずしおは埓来知られおいたもののいずれもが
䜿甚できるが、それらに぀いお以䞋に具䜓的に説
明する。 本発明の感光䜓においお䜿甚される導電性支持
䜓ずしおは、アルミニりム、銅、亜鉛等の金属
板、ポリ゚ステル等のプラスチツクシヌトたたは
プラスチツクフむルムにアルミニりム、SnO2等
の導電材料を蒞着したもの、あるいは導電凊理し
た玙等が䜿甚される。 結合剀ずしおは、ポリアミド、ポリりレタン、
ポリ゚ステル、゚ポキシ暹脂、ポリケトン、ポリ
カヌボネヌトなどの瞮合系暹脂やポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリヌ−ビニルカルバゟヌ
ル、ポリアクリルアミドなどのビニル重合䜓など
が挙げられるが、絶瞁性で䞔぀接着性のある暹脂
は党お䜿甚できる。 可塑剀ずしおは、ハロゲン化パラフむン、ポリ
塩化ビプニル、ゞメチルナフタレン、ゞブチル
フタレヌトなどが挙げられる。その他感光䜓の衚
面性をよくするためにシリコンオむル等を加えお
もよい。 電荷搬送物質には正孔搬送物質ず電子搬送物質
がある。正孔搬送物質ずしおは、たずえば以䞋の
䞀般匏(1)〜(11)に瀺されるような化合物が䟋瀺でき
る。
【化】 〔匏䞭、R10はメチル基、゚チル基、−ヒド
ロキシ゚チル基又は−クロル゚チル基を衚わ
し、R11はメチル基、゚チル基、ベンゞル基又は
プニル基を衚わし、R12は氎玠、塩玠、臭玠、
炭玠数〜のアルキル基、炭玠数〜のアル
コキシル基、ゞアルキルアミノ基又はニトロ基を
衚わす。〕
【匏】 〔匏䞭、Ar11はナフタリン環、アントラセン
環、スチリル基及びそれらの眮換䜓あるいはピリ
ゞン環、フラン環、チオプン環を衚わし、R13
はアルキル基又はベンゞル基を衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、R14はアルキル基、ベンゞル基、プ
ニル基を衚わし、R15は氎玠、炭玠数〜のア
ルキル基、炭玠数〜のアルコキシ基、ゞアル
キルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基たたはゞア
リヌルアミノ基を衚わし、は〜の敎数を衚
わし、が以䞊のずきR15は同じでも異な぀お
いおもよい。R16は氎玠たたはメトキシ基を衚わ
す。〕
【化】 〔匏䞭、R17は炭玠数〜11のアルキル基、眮
換もしくは無眮換のプニル基又は耇玠環基を衚
わし、R18R19はそれぞれ同䞀でも異な぀おい
おもよく氎玠、炭玠数〜のアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、クロルアルキル基、眮換又は
無眮換のアラルキル基を衚わし、たた、R18ず
R19は互いに結合し窒玠を含む耇玠環を圢成しお
いおもよい。R20は同䞀でも異な぀おいおもよく
氎玠、炭玠数〜のアルキル基、アルコキシ基
又かハロゲンを衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、R21は氎玠たたはハロゲン原子を衚わ
し、Ar12は眮換たたは無眮換のプニル基、ナ
フチル基、アントリル基あるいはカルバゟリル基
を衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、R22は氎玠、ハロゲン、シアノ基、炭
玠数〜のアルコキシ基たたは炭玠数〜の
アルキル基を衚わし、Ar13は
【匏】たたは
【匏】を衚わし、R23は炭玠数 〜のアルキル基を衚わし、R24は氎玠、ハロゲ
ン、炭玠数〜のアルキル基、炭玠数〜の
アルコキシ基たたはゞアルキルアミノ基を衚わ
し、はたたはであ぀お、がのずきは
R24は同䞀でも異な぀おもよく、R25およびR26は
氎玠、炭玠数〜の眮換たたは無眮換のアルキ
ル基あるいは眮換たたは無眮換のベンゞル基を衚
わす。〕
【化】 〔匏䞭、R27はカルバゟリル基、ピリゞル基、
チ゚ニル基、むンドリル基、フリル基或いはそれ
ぞれ眮換もしくは非眮換のプニル基、スチリル
基、ナフチル基たたはアントリル基であ぀お、こ
れらの眮換基がゞアルキルアミノ基、アルキル
基、アルコキシ基、カルボキシ基たたはその゚ス
テル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミ
ノ基、−アルキル−アラルキルアミノ基、ア
ミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基からな
る矀から遞ばれた基を衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、R28は䜎玚アルキル基たたはベンゞル
基を衚わし、R29は氎玠原子、䜎玚アルキル基、
䜎玚アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ア
ミノ基あるいは䜎玚アルキル基たたはベンゞル基
で眮換されたアミノ基を衚わし、はたたは
の敎数を衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、R30は氎玠原子、アルキル基、アルコ
キシ基たたはハロゲン原子を衚わし、R31および
R32はアルキル基、眮換たたは無眮換のアラルキ
ル基あるいは眮換たたは無眮換のアリヌル基を衚
わし、R33は氎玠原子たたは眮換もしくは無眮換
のプニル基を衚わし、たた、Ar14はプニル
基たたはナフチル基を衚わす。〕
【化】 〔匏䞭、はたたはの敎数、R34は氎玠原
子、アルキル基たたは眮換もしくは無眮換のプ
ニル基を瀺し、は
【匏】
【匏】 −アントリル基たたは眮換もしくは無眮換の
−アルキルカルバゟリル基を衚わし、ここでR35
は氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子たたは
【匏】䜆し、R36およびR37 はアルキル基、眮換たたは無眮換のアラルキル
基、眮換たたは無眮換のアリヌル基を瀺し、R36
およびR37は環を圢成しおもよいを衚わし、
はたたはの敎数であ぀お、が以
䞊のずきはR35は同䞀でも異な぀おもよい。〕
【化】 〔匏䞭、R38R39およびR40は氎玠、䜎玚アル
キル基、䜎玚アルコキシ基、ゞアルキルアミノ基
たたはハロゲン原子を衚わし、はたたはの
敎数を衚わす。〕 䞀般匏(1)で衚わされる化合物には、たずえば
−゚チルカルバゟヌル−−アルデヒド−メチ
ル−−プニルヒドラゟン、−゚チルカルバ
ゟヌル−−アルデヒド−ベンゞル−−プ
ニルヒドラゟン、−゚チルカルバゟヌル−−
アルデヒド−ゞプニルヒドラゟンなどが
ある。 䞀般匏(2)で衚わされる化合物には、たずえば
−ゞ゚チルアミノスチレン−β−アルデヒド−
メチル−−プニルヒドラゟン、−メトキシ
ナフタレン−−アルデヒド−ベンゞル−−
プニルヒドラゟンなどがある。 䞀般匏(3)で衚わされる化合物にはたずえば、
−メトキシベンズアルデヒド−メチル−−フ
゚ニルヒドラゟン、−ゞメトキシベンズア
ルデヒド−ベンゞル−−プニルヒドラゟ
ン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド
−ゞプニルヒドラゟン、−メトキシベンズア
ルデヒド−ベンゞル−−−メトキシフ
゚ニルヒドラゟン、−ゞプニルアミノベンズ
アルデヒド−ベンゞル−−プニルヒドラゟ
ン、−ゞベンゞルアミノベンズアルデヒド−
−ゞプニルヒドラゟンなどがある。 䞀般匏(4)で衚わされる化合物には、たずえば
−ビス−ゞベンゞルアミノプニル
プロパン、トリス−ゞ゚チルアミノプニ
ルメタン、−ビス−ゞベンゞルアミ
ノプニルプロパン、2′−ゞメチル−
4′−ビスゞ゚チルアミノ−トリプニルメタ
ンなどがある。 䞀般匏(5)で衚わされる化合物には、たずえば
−−ゞ゚チルアミノスチリルアントラセン、
−ブロム−10−−ゞ゚チルアミノスチリル
アントラセンなどがある。 䞀般匏(6)で衚わされる化合物には、たずえば
−−ゞメチルアミノベンゞリデンフルオレ
ン、−−フルオレニリデン−−゚チルカ
ルバゟヌルなどがある。 䞀般匏(7)で衚わされる化合物には、たずえば
−ビス−ゞ゚チルアミノスチリルベ
ンれン、−ビス−ゞメトキシスチ
リルベンれンがある。 䞀般匏(8)で衚わされる化合物には、たずえば
−スチリル−−゚チルカルバゟヌル、−
−メトキシスチリル−−゚チルカルバゟヌル
などがある。 䞀般匏(9)で衚わされる化合物には、たずえば
−ゞプニルアミノスチルベン、−ゞベンゞル
アミノスチルベン、−ゞトリルアミノスチルベ
ン、−−ゞプニルアミノスチリルナフ
タレン、−−ゞ゚チルアミノスチリルナ
フタレンなどがある。 䞀般匏(10)で衚わされる化合物には、たずえば
4′−ゞプニルアミノ−α−プニルスチルベ
ン、4′−メチルプニルアミノ−α−プニルス
チルベンなどがある。 䞀般匏(11)で衚わされる化合物には、たずえば
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン、−プニル−−−ゞメチルアミノス
チリル−−−ゞメチルアミノプニルピ
ラゟリンなどがある。 この他の正孔搬送物質ずしおは、たずえば
−ビス−ゞ゚チルアミノプニル−
−オキサゞアゟヌル、−ビス〔−
−ゞ゚チルアミノスチリルプニル〕−
−オキサゞアゟヌル、−−゚チルカ
ルバゟリル−−−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニル−−オキサゞアゟヌルなどの
オキサゞアゟヌル化合物、−ビニル−−
−クロルプニル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルオキサゟヌル、−−ゞ゚チルアミ
ノプニル−−プニルオキサゟヌルなどの
オキサゟヌル化合物などの䜎分子化合物がある。
たた、ポリ−−ビニルカルバゟヌル、ハロゲン
化ポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムア
ルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホルムアルデ
ヒド暹脂などの高分子化合物も䜿甚できる。 電子搬送物質ずしおは、たずえば、クロルアニ
ル、ブロムアニル、テトラシアノ゚チレン、テト
ラシアノキノンゞメタン、−トリニト
ロ−−フルオレノン、−テトラ
ニトロ−−フルオレノン、−テ
トラニトロキサントン、−トリニトロ
チオキサントン、−トリニトロ−4H
−むンデノ〔−〕チオプン−−オ
ン、−トリニトロゞベンゟチオプン
−−ゞオキサむドなどがある。 これらの電荷搬送物質は単独又は皮以䞊混合
しお甚いられる。 なお以䞊のようにしお埗られる感光䜓にはいず
れも導電性支持䜓ず感光局の間に必芁に応じお接
着局又はバリダ局を蚭けるこずができる。これら
の局に甚いられる材料ずしおはポリアミド、ニト
ロセルロヌス、酞化アルミニりムなどが適圓で、
たた膜厚は1Ό以䞋が奜たしい。 第図の感光䜓を䜜成するには、導電性支持䜓
䞊にゞスアゟ顔料をUSP 3973959、USP3996049
等に蚘茉されおいる真空蒞着方法で真空蒞着する
か、あるいはゞスアゟ顔料の埮粒子を必芁ずあれ
ば結合剀を溶解した適圓な溶剀䞭に分散し、これ
を導電性支持䜓䞊に塗垃也燥し、曎に必芁ずあれ
ばたずえば特開昭51−90827号公報に瀺されおい
るようなバフ研摩等の方法により衚面仕䞊げをす
るか、膜厚を調敎した埌、電荷搬送物質及び結合
剀を含む溶液を塗垃也燥しお埗られる。 第図の感光䜓を䜜成するにはゞスアゟ顔料の
埮粉子を電荷搬送物質及び結合剀を溶解した溶液
䞭に分散せしめ、これを導電性支持䜓䞊に塗垃也
燥すればよい。 いずれの堎合も本発明に䜿甚されるゞスアゟ顔
料はボヌルミル等により粒埄5Ό以䞋、奜たしく
は2Ό以䞋に粉砕しお甚いられる。塗垃方法は通
垞の手段、たずえばドクタヌブレヌド、デむツピ
ング、ワむダヌバヌなどで行なう。 本発明の感光䜓を甚いお耇写を行なうには、感
光局面に垯電、露光を斜した埌、珟像を行ない、
必芁によ぀お、玙などぞ転写を行なうこずにより
達成される。 以䞊の説明および埌蚘の実斜䟋および比范䟋か
らも明らかなように、本発明の電子写真甚感光䜓
は、チオキサントン骚栌を有するゞスアゟ顔料を
電荷発生物質ずしお甚いるこずにより、埓来の感
光䜓に比范しお補造が容易であり、たた、高感床
でしかも感光波長域が短波長域450〜600nm
にあり、感光䜓の反埩䜿甚に察しおも特性が安定
しおいるなど、優れた性質を有する。 次に本発明を実斜䟋により具䜓的に説明する
が、これにより本発明の実斜の態様が限定される
ものではない。 実斜䟋  ゞスアゟ顔料No.14を76重量郚、ポリ゚ステル暹
脂バむロン200、東掋玡瞟瀟補のテトラヒド
ロフラン溶液固圢分濃床1260重量郚、お
よびテトラヒドロフラン3700重量郚をボヌルミル
䞭で粉砕混合し、埗られた分散液をアルミニりム
蒞着したポリ゚ステルベヌス導電性支持䜓の
アルミ面䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃し、
自然也燥しお、厚さ玄1ÎŒmの電荷発生局を圢成し
た。 この電荷発生局䞊に、電荷搬送物質ずしお−
゚チルカルバゟヌル−−アルデヒド−メチル
−−プニルヒドラゟン重量郚、ポリカヌボ
ネヌト暹脂パンラむト−1300、垝人瀟補
重量郚およびテトラヒドロフラン16重量郚を混合
溶解した溶液をドクタヌブレヌドを甚いお塗垃
し、80℃で分間、぀いで105℃で分間也燥し
お厚さ玄20ÎŒmの電荷搬送局を圢成しお、第図
に瀺した積局型の感光䜓No.を䜜成した。 実斜䟋 〜16 実斜䟋で甚いたゞスアゟ顔料No.14の代りに埌
蚘衚−に瀺すゞスアゟ顔料を甚いた以倖は実斜
䟋ず同様にしお感光䜓No.〜16を䜜成した。 実斜䟋 17〜20 電荷搬送物質ずしお−プニル−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリンを甚い、埌蚘衚−に
瀺すゞスアゟ顔料を甚いた以倖は実斜䟋ず同様
にしお感光䜓No.17〜20を䜜成した。 実斜䟋 21〜32 電荷搬送物質ずしお4′−ゞプニルアミノ−α−
プニルスチルベンを甚い、埌蚘衚−に瀺すゞ
スアゟ顔料を甚いた以倖は、実斜䟋ず同様にし
お感光䜓No.21〜32を䜜成した。 これらの感光䜓No.〜32に぀いお、静電耇写玙
詊隓装眮(æ ª)川口電機補䜜所補、SP428型を甚
いお、−6KVのコロナ攟電を20秒間行な぀お負に
垯電せしめた埌、20秒間暗所に攟眮し、その時の
衚面電䜍Vpoを枬定し、次いでタングステ
ンランプによ぀おその衚面が照床4.5ルツクスに
なるようにしお光を照射しその衚面電䜍がVpoの
になるたでの時間秒を求め、露光量1/2
ルツクス・秒を算出した。その結果に衚−
〜衚−に瀺した。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 比范䟋  電荷発生局ずしおUSP 3871882に蚘茉のペリ
レン誘導䜓を甚い、電荷搬送局にオキサゞアゟヌ
ル誘導䜓を甚いた積局型の感光䜓を䞋蚘のように
䜜成した。 電荷発生物質ずしおN′−ゞメチルペリレ
ン−10−テトラカルボン酞ゞむミド
をアルミニりム板䞊に、真空床10-5mmHg蒞着源
枩床350℃、蒞着時間分間の条件䞋に真空蒞着
し、電荷発生局を圢成した。次いでこの電荷発生
局䞊に、−ビス−ゞ゚チルアミノプ
ニル−−オキサゞアゟヌル重量郚、
ポリ゚ステル暹脂デナポン瀟補、ポリ゚ステル
アドヒヌスむブ49000重量郚及びテトラヒド
ロフラン90重量郚からなる溶液を塗垃し、120℃
で10分間也燥しお、厚さ玄10ÎŒmの電荷搬送局を
圢成し、比范感光䜓No.を䜜成した。 比范䟋  電荷発生局ずしお特公昭55−12380号公報に蚘
茉されおいるクロルダむアンブルヌを甚い、電荷
搬送局にヒドラゟン化合物を甚いた積局型の感光
䜓を䞋蚘のようにしお䜜成した。 クロルダむアンブルヌ25重量郚、゚チレンゞア
ミン1240重量郚、−ブチルアミン990重量郚お
よびテトラヒドロフラン2740重量郚からなる溶液
を、アルミ蒞着したポリ゚ステルベヌスのアルミ
面䞊にり゚ツトギダツプ25ÎŒmでドクタヌブレヌ
ドを甚いお塗垃、也燥し、電荷発生局を圢成し
た。次いで、この電荷発生局䞊に、−ゞ゚チル
アミノベンズアルデヒド−ゞプニルヒド
ラゟン10重量郚、ポリカヌボネヌト暹脂実斜䟋
で甚いた暹脂ず同じもの10重量郚およびテト
ラヒドロフラン80重量郚よりなる溶液を、ドクタ
ヌブレヌドを甚いお塗垃し、也燥しお厚さ玄
18ÎŒmの電荷搬送局を圢成し、積局型の比范感光
䜓No.を䜜成した。 比范䟋  電荷発生局ずしお特開昭55−84943号公報に蚘
茉されおいるゞスチリルベンれン系ゞスアゟ化合
物を甚い、電荷搬送局にヒドラゟン化合物を甚い
た積局型の感光䜓を䞋蚘のように䜜成した。 4′4″−ビス〔−ヒドロキシ−−
−ゞメチルプニルカルバモむル−−ナフチ
ルアゟ〕−−ゞスチリルベンれン20重量郚、
ポリビニルブチラヌルデンカブチラヌル4000
−、東京電気化孊瀟補重量郚、ポリメチル
メタアクリレヌトダむダナヌルBR−80、䞉菱
レヌペン瀟補重量郚およびテトラヒドロフラ
ン300重量郚を、ボヌルミル䞭で時間ミリング
し、この分散液をテトラヒドロフラン2700重量郹
で垌釈した埌、アルミ蒞着したポリ゚ステルベヌ
ス導電性支持䜓のアルミ面䞊にドクタヌブレ
ヌドを甚いお塗垃、也燥し、厚さ玄0.3ÎŒmの電荷
発生局を圢成した。次いで、この電荷発生局䞊
に、−゚チルカルバゟヌル−−アルデヒド
−メチルル−−プニルヒドラゟン10重量郚、
ポリカヌボネヌト暹脂実斜䟋で甚いた暹脂ず
同じもの10重量郚およびテトラヒドロフラン80
重量郚よりなる溶液を、ドクタヌブレヌドを甚い
お塗垃し、也燥しお厚さ玄13ÎŒmの電荷搬送局を
圢成し、積局型の比范感光䜓No.を䜜成した。 これら比范感光䜓No.〜および本発明の感光
䜓No.23に぀いお、その感光䜓長域を調べるため
に、次の枬定手順によ぀お分光感床の枬定を行な
぀た。 たず、感光䜓を暗所でコロナ攟電によりその衚
面電䜍を−800ボルト以䞊に垯電し、その衚面電
䜍が−800ボルトになるたで暗枛衰させ、衚面電
䜍が−800ボルトにな぀たずきにモノクロメヌタ
ヌを甚いお分光した感光䜓面での匷床が1ÎŒW
cm2の単色光を感光䜓に照射した。そしお、その衚
面電䜍が−400Vに枛衰するたでの時間秒を
求め、半枛露光量ΌW・seccm2を算出した。
䞀方、露光によ぀お埗られる芋掛け䞊の電䜍差
400ボルトから暗枛衰による電䜍の枛衰分を差匕
いた露光により実際に埗られおいる電䜍差を求
め、この電䜍差ず䞊蚘の半枛露光量ずから光枛衰
速床Volt・cm2・ΌW-1・sec-1を算出し、感床
ずした。このようにしお埗られた分光感床を第
図にたずめお瀺した。 効 果 前蚘衚−〜衚−および第図の結果によ
り、本発明の感光䜓が高感床で、たた、その感光
波長域がおよそ460〜600nmであるこずが刀る。 さらに、本発明の感光䜓No.23およびNo.11をリコ
ヌ瀟補耇写機リコピヌ−500型に装着しお画像
出しを10000回繰り返した。その結果、いずれの
感光䜓も耇写プロセスの繰返しにより倉化するこ
ずなく、鮮明な画像が埗られた。これにより、本
発明の感光䜓が耐久性においおも優れたものであ
るこずが理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明に甚いるゞスアゟ顔料No.の赀
倖線吞収スペクトルKBr錠剀法である。第
図および第図は本発明の感光䜓の構成䟋を瀺
す拡倧断面図である。  導電性支持䜓、 ゞスアゟ顔料、
 電荷発生局、 電荷搬送局、
′ 感光局第図は本発明の感光䜓および比范
感光䜓の分光感床特性を衚わすグラフである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に䞀般匏 【化】 匏䞭、はカツプラヌ残基を衚わし、は
    又はの敎数である。 で瀺されるゞスアゟ顔料を有効成分ずしお含有す
    る感光局を蚭けたこずを特城ずする電子写真甚感
    光䜓。
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