JP2586856B2 - ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導電材料として
有用なヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規な結
晶及びそれを用いた電子写真感光体に関する。
【0002】
【従来の技術】フタロシアニンは、塗料、印刷インキ、
触媒或いは電子材料として有用な材料であり、特に近年
電子写真感光体用材料、光記録用材料及び光電変換材料
として広範に検討がなされている。電子写真感光体につ
いてみると、近年、従来提案された有機光導材料の感光
波長域を、近赤外線の半導体レーザーの波長(780〜
830nm)にまで伸ばし、レーザープリンター等のデジ
タル記録用の感光体として使用することの要求が高まっ
ており、この観点から、スクエアリリウム化合物(特開
昭49−105536号及び同58−21416号公
報)、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物(特開昭
61−151659号公報)、フタロシアニン化合物
(特開昭48−34189号及び同57−148745
号公報)等が、半導体レーザー用の光導材料として提案
されている。
【0003】半導体レーザー用の感光材料として、有機
光導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波
長まで伸びていること、次に、形成される感光体の感
度、耐久性がよいことなどが要求される。前記の有機光
導電材料は、これ等の諸条件を十分に満足するものでは
ない。これ等の欠点を克服するために、前記の有機光導
電材料について、結晶型と電子写真特性の関係が検討さ
れており、特にフタロシアニン化合物については多くの
報告が出されている。
【0004】一般に、フタロシアニン化合物は、製造方
法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、こ
の結晶型の違いは、フタロシアニン化合物の光電変換特
性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシ
アニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシ
アニンについてみると、安定系のβ型以外に、α、π、
χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これ等の結
晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び熱処
理等により、相互に転移が可能であることが知られてい
る(例えば米国特許第2,770,629号、同第3,
160,635号、同第3,708,292号及び同
3,357,989号明細書)。また、特開昭50−3
8543号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違い
と電子写真特性について記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来提案されているフタロシアニン化合物は、感光材
料として使用した場合の光感度と耐久性の点が、未だ十
分満足のいくものではなく、新たに感光材料として使用
できるフタロシアニン化合物の開発が望まれている。
【0006】本発明は、従来の技術における上記のよう
な実状に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明
の目的は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規
な結晶を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンを含有する感
光層を設けてなる電子写真感光体を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討の結
果、合成によって得られたヒドロキシインジウムフタロ
シアニンに簡単な処理を施すことによって、光導電材料
として高い感度と耐久性を有する新規な結晶が得られる
ことを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明のヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶は、X線回折図において、ブラッグ
角(2θ±0.2°)の7.4°、11.5°、18.
3°、20.1°、23.7°、27.3°、28.3
°及び29.8°に強い回折ピークを有することを特徴
とする。更に、本発明の電子写真感光体は、導電性支持
体上に、上記のヒドロキシインジウムフタロシアニン結
晶を含有する感光層を設けてなることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の上記ヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶は、新規な結晶型を有するものであ
る。図3は、そのヒドロキシインジウムフタロシアニン
結晶のX線回折図である。
【0010】この新規なヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶は、次のようにして製造することができる。
まず、例えば、クロルインジウムフタロシアニンを酸ま
たはアルカリ性溶液中で加水分解またはアシッドペース
テイングを行い、ヒドロキシインジウムフタロシアニン
を合成し、得られた合成ヒドロキシインジウムフタロシ
アニンを、溶剤処理を行うか、また、合成によって得ら
れたヒドロキシインジウムフタロシアニンを非晶化及び
粉砕処理した後、溶剤処理を行うか、或いは、合成によ
って得られたヒドロキシインジウムフタロシアニンを溶
剤と共にボールミル等によって湿式粉砕処理を行い、結
晶変換することにより製造することができる。
【0011】上記結晶変換において使用される溶剤は、
ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン等)、更には
数種の混合系、水とこれ等の有機溶媒の混合系などであ
り、フタロシアニン1に対し、1〜200好ましくは1
0〜100が用いられる。
【0012】次に、上記のヒドロキシインジウムフタロ
シアニン結晶を感光層における光導電材料として使用し
た電子写真感光体について説明する。本発明の電子写真
感光体において、感光層は、単層よりなるものであって
も、また、電荷発生層と電荷輸送層よりなる積層型構成
を有するものであってもよい。本発明の電子写真感光体
が、積層型構造を有する場合において、電荷発生層は、
上記ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及び結着
樹脂から構成される。
【0013】結着樹脂は、広範な絶縁性樹脂から選択す
ることができ、また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光
導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結
着樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリアリレー
ト(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル
樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピ
リジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン等の絶縁性樹脂をあげることができる。
【0014】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液に、上記ヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支
持体の上に塗布することによって形成することができ
る。その場合、使用するヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶と結着樹脂との配合比(重量)は、40:1
〜1:10、好ましくは10:1〜1:4である。ヒド
ロキシインジウムフタロシアニン結晶の比率が高すぎる
場合には、塗布液の安定性が低下し、低すぎる場合に
は、感度が低下するので、上記範囲に設定するのが好ま
しい。使用する溶剤としては、下層を溶解しないものか
ら選択するのが好ましい。具体的な有機溶剤としては、
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコ
ール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチル
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
等を用いることができる。
【0015】塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、ス
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を用いることがで
きる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾
燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30〜200℃の
温度で5分〜2時間の範囲で静止又は送風下で行うこと
ができる。また、電荷発生層の膜厚は、通常、0.05
〜5μm程度になるように塗布される。
【0016】電荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂
より構成される。電荷輸送材料としては、例えばアント
ラセン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合
物、インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒
素複素環を有する化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルア
ミン化合物、エナミン化合物、スチルベン化合物等、公
知のものならば如何なるものでも使用することができ
る。更にまた、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲ
ン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセン、ポリ−N−ビニルフェニルアントラセン、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセ
ナフチレン、ポリグリシジカルバゾール、ピレンホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド
樹脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これらはそれ自
体で層を形成してもよい。また、結着樹脂としては、上
記した電荷発生層に使用されるものと同様な絶縁性樹脂
が使用できる。
【0017】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂及び上記と同様な下層を溶解しない有機溶剤とを用い
て塗布液を調製した後、同様に塗布して形成することが
できる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量部)
は、通常5:1〜1:5の範囲で設定される。また、電
荷輸送層の膜厚は、通常5〜50μm程度に設定され
る。
【0018】電子写真感光体が、単層構造を有する場合
においては、感光層は上記のヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶が電荷輸送材料及び結着樹脂よりなる層
に分散された構成を有する光導電層よりなる。その場
合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量)は、
1:20〜5:1、ヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶と電荷輸送材料との配合比(重量)は、1:10
〜10:1程度に設定するのが好ましい。電荷輸送材料
及び結着樹脂は、上記と同様なものが使用され、上記と
同様にして光導電層が形成される。
【0019】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが公知のものならば、如何なるもので
も使用することができる。本発明において、導電性支持
体上に下引き層が設けられてもよい。下引き層は、導電
性支持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有
効であり、感光層の帯電性を高める作用がある。さら
に、感光層と導電性支持体との密着性を高める作用もあ
る。下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、
セルロースエーテル類、セルロースエステル類、ポリア
ミド、ポリウレタン、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタ
ミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリ
アクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレー
ト化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジル
コニウム化合物、有機チタニル化合物、シランカップリ
ング剤等があげられる。下引き層の膜厚は、0.05〜
2μm程度に設定するのが好ましい。
【0020】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明する。な
お、実施例及び比較例において特に記載がない限り、
「部」は、重量部を意味する。 (ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及びその非
晶質体の合成例)1,3−ジイミノイソインドリン30
部、3塩化インジウム11.4部をキノリン230部中
に入れ、200℃において3時間反応させた後、生成物
を濾過し、アセトン、メタノールで洗浄した後乾燥し、
クロルインジウムフタロシアニン結晶29部を得た。得
られたクロルインジウムフタロシアニン結晶3部を水酸
化ナトリウム1.5部、ピリジン18部、蒸留水70部
の混合液中に加え、30時間加熱還流する。結晶を濾過
し、蒸留水で洗浄後乾燥し、1.8部のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶を得た。その粉末X線回折図
を図1に示す。この結晶を自動乳鉢にて、6時間粉砕
し、非晶質のヒドロキシインジウムフタロシアニンを得
た。その粉末X線回折図を図2に示す。
【0021】実施例1 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶2.0部とメチルエチルケトン60部、1m
mφのガラスビーズ120部と共に24時間ボールミル
の中で撹拌し、結晶をメチルエチルケトンで洗浄後、乾
燥して、1.5部のヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶を得た。この結晶の粉末X線回折図を図3に示
す。
【0022】実施例2 実施例1で得たヒドロキシインジウムフタロシアニン1
部を、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBM
−S、積水化学(株)製)1部及びシクロヘキサノン1
0部と混合し、ガラスビーズと共に、ペイントシェーカ
ーで1時間処理して分散した後、得られた塗布液を、浸
漬コーティング法でアルミニウム基板上に塗布し、10
0℃において5分間加熱乾燥し、膜厚0.2μmの電荷
発生層を形成した。
【0023】次に、下記構造式
【化1】 で示される化合物1部と、
【0024】下記構造式
【化2】 で示されるポリ(4,4−シクロヘキシリデンジフェニ
レンカーボネート)1部を、モノクロロベンゼン8部に
溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に、浸漬コーティング法で塗布し、1
20℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷
輸送層を形成することにより、電子写真感光体を作製し
た。
【0025】得られた電子写真感光体を、常温常湿(2
0℃、40%RH)、低温低湿(10℃、15%RH)
及び高温高湿(28℃、80%RH)の各環境下、静電
複写紙試験装置(EPA−8100、川口電機(株)
製)を用いて、次の電子写真特性の測定を行なった。 VDDP :−6.0KVのコロナ放電を行って負帯電させ
た1秒後の表面電位。 E1/2 :バンドパスフィルターを用いて800nmに分光
した光での電位の減衰率。 VRP:50erg/cm2 の白色光を0.5秒照射した
後の表面電位。 △E 1/2 :各環境下で測定したE1/2 の環境間におけ
る変動量。 △VDDP :上記帯電、露光を1000回繰り返した後の
DDP と初期のVDDPの変動量。 △E1/2 は、上記帯電、露光を1000回繰り返した後
のVDDP 変動量を示す。 △VRP:上記帯電、露光を1000回繰り返した後のV
RPと初期のVRPの変動量。それらの結果を表1に示す。
【0026】比較例1 図4に示すX線回折スペクトルを示すX型無金属フタロ
シアニン1部を用いた以外は、実施例2と同様にして、
電子写真感光体を作成し、同様にして電子写真特性の測
定を行なった。その結果を表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、特定の新規
な結晶型を有するヒドロキシインジウムフタロシアニン
を感光層における光導電材料として用いることにより、
優れた感度及び耐久性を有するものであり、また、その
ヒドロキシインジウムフタロシアニンを用いていること
により、感光波長域が長波長まで伸びているため、半導
体レーザーを利用するプリンター等として非常に有用な
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 合成例で得られたヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
【図2】 非晶質ヒドロキシインジウムフタロシアニン
の粉末X線回折図である。
【図3】 実施例1で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末X線回折図である。
【図4】 X型無金属フタロシアニン結晶のX線回折図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 正和 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 石井 徹 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 昭59−155851(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線回折図において、ブラッグ角(2θ
    ±0.2°)の7.4°、11.5°、18.3°、2
    0.1°、23.7°、27.3°、28.3°及び2
    9.8°に強い回折ピークを有することを特徴とするヒ
    ドロキシインジウムフタロシアニン結晶。
  2. 【請求項2】 導電性支持体上に、請求項1記載のヒド
    ロキシインジウムフタロシアニン結晶を含有する感光層
    を設けてなることを特徴とする電子写真感光体。
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