JPH02228673A - 電子写真像形成部材 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に静電写真に関し、さらに詳細には、はく
離に対して抵抗性のある光導電性像形成部材に関する。
離に対して抵抗性のある光導電性像形成部材に関する。
〔従来の技術及びその解決すべき課題〕静電写真技術に
おいては、光導電性絶縁性層を含有する静電写真プレー
トが先ずその像形成表面上に静電荷を均一に付着させる
ことによって像形成される。次いで、このプレートを光
のような活性化電磁照射像に露光させ、これにより光導
電性絶縁体の照射領域の電荷を選択的に消散させ一方非
照射領域の静電潜像を残存させる。次に、この静電潜像
は微細な検電マーキング粒子を像形成表面上に付着させ
ることによって現像し可視像を形成することができる。
おいては、光導電性絶縁性層を含有する静電写真プレー
トが先ずその像形成表面上に静電荷を均一に付着させる
ことによって像形成される。次いで、このプレートを光
のような活性化電磁照射像に露光させ、これにより光導
電性絶縁体の照射領域の電荷を選択的に消散させ一方非
照射領域の静電潜像を残存させる。次に、この静電潜像
は微細な検電マーキング粒子を像形成表面上に付着させ
ることによって現像し可視像を形成することができる。
静電写真で使用する光導電性層はガラス質セレンのよう
な単一材料の均質層でなり得あるいは光導電体と他の材
料を含有する複合層であり得る。
な単一材料の均質層でなり得あるいは光導電体と他の材
料を含有する複合層であり得る。
電子写真で用いる複合光導電性層の1つのタイプは米国
特許第4.265,990号に開示されている。
特許第4.265,990号に開示されている。
該米国特許に開示されている感光性部材は少な(とも2
つの電気作動層を有する。1つの層は正孔を光発生させ
光発生させた正孔を隣接する電荷輸送層へ注入し得る光
導電性層である。一般に、これら2つの電気作動層が導
電性層に支持され、上記光導電性層が隣接す概電荷輸送
層と上記導電性層との間にはさまれている場合には、電
荷輸送層の外表面を通常均一な静電荷で帯電させ、導電
性層は電極として用いる。可撓性の電子写真像形成部材
においては、その電極は通常熱可塑性樹脂のウェブ上に
支持された薄い導電性コーティングである。明らかに、
導電性層は電荷輸送層が導電性層と正孔を光発生させ光
発生した正孔を電荷輸送層に注入し得る光導電性層との
間にはさまれている場合にも電極として機能し得る。こ
の態様における電荷輸送層は、勿論、光導電性層からの
光発生した電荷の注入を支持しこの電荷を電荷輸送層を
通して輸送し得なければならない。
つの電気作動層を有する。1つの層は正孔を光発生させ
光発生させた正孔を隣接する電荷輸送層へ注入し得る光
導電性層である。一般に、これら2つの電気作動層が導
電性層に支持され、上記光導電性層が隣接す概電荷輸送
層と上記導電性層との間にはさまれている場合には、電
荷輸送層の外表面を通常均一な静電荷で帯電させ、導電
性層は電極として用いる。可撓性の電子写真像形成部材
においては、その電極は通常熱可塑性樹脂のウェブ上に
支持された薄い導電性コーティングである。明らかに、
導電性層は電荷輸送層が導電性層と正孔を光発生させ光
発生した正孔を電荷輸送層に注入し得る光導電性層との
間にはさまれている場合にも電極として機能し得る。こ
の態様における電荷輸送層は、勿論、光導電性層からの
光発生した電荷の注入を支持しこの電荷を電荷輸送層を
通して輸送し得なければならない。
電荷発生層および電荷輸送層用の種々の材料の組合せが
研究されている。例えば、米国特許第4.265.99
0号に記載された感光性部材はポリカーボネートm脂と
1種以上のある種のジアミン化合物を含む電荷輸送層と
隣接している電荷発生層を用いている。正札の光発生お
よびこの正孔の電荷輸送層への注入能力を示す光導電性
層を含む種々の発生層もまた研究されている。発生層に
用いる典型的な光導電性材料には非晶質セレン、三方晶
セレン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−ひ素
、セレン−ひ素のようなセレン合金並びにこれらの混合
物がある。電荷発生層は均質光導電性材料またはバイン
ダー中に分散させた粒状光導電性材料であり得る。均質
およびバインダー電荷発生層の他の例は、例えば、米国
特許第4.265.990号に開示されている。ポリ
(ヒドロキシエーテル)樹脂のようなバインダー材料の
さらに別の例は米国特許第4.439.507号に教示
されている。これら米国特許第4,265.990号お
よび第4.439.507号の記載はそのすべてを本明
細書に引用する。上述したような例えば、米国特許筒4
,265,990号に記載されている少なくとも2つの
電気作動層を有する感光性部材は、均一な負静電荷で帯
電させ、光像に露光し次いで微細な現像横電極マーキン
グ粒子で現像したとき、優れた像を与える。
研究されている。例えば、米国特許第4.265.99
0号に記載された感光性部材はポリカーボネートm脂と
1種以上のある種のジアミン化合物を含む電荷輸送層と
隣接している電荷発生層を用いている。正札の光発生お
よびこの正孔の電荷輸送層への注入能力を示す光導電性
層を含む種々の発生層もまた研究されている。発生層に
用いる典型的な光導電性材料には非晶質セレン、三方晶
セレン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−ひ素
、セレン−ひ素のようなセレン合金並びにこれらの混合
物がある。電荷発生層は均質光導電性材料またはバイン
ダー中に分散させた粒状光導電性材料であり得る。均質
およびバインダー電荷発生層の他の例は、例えば、米国
特許第4.265.990号に開示されている。ポリ
(ヒドロキシエーテル)樹脂のようなバインダー材料の
さらに別の例は米国特許第4.439.507号に教示
されている。これら米国特許第4,265.990号お
よび第4.439.507号の記載はそのすべてを本明
細書に引用する。上述したような例えば、米国特許筒4
,265,990号に記載されている少なくとも2つの
電気作動層を有する感光性部材は、均一な負静電荷で帯
電させ、光像に露光し次いで微細な現像横電極マーキン
グ粒子で現像したとき、優れた像を与える。
1種以上の光導電性層を可撓性支持基体に塗布させると
きには、得られた光導電性部材は、特に電荷発生体層を
真空蒸着または昇華材料から作製した場合には屈曲中に
はく離し得ることが判明している。はく離は感光体が小
直径の支持ロンドまたは駆動ロールの周りに導びかれる
ときに特に顕著であり得る。例えば、感光体のはく離は
直径約2cmを有するロールの周りに導びかれる応力の
かかった条件下ではたびたびi、ooo回程の少ない像
形成サイクルにおいても生じ得る。フェノキシ樹脂また
はある種のポリエステルのような接着剤を含有する接着
界面層の使用は、表面電位を、サイクル操作中に電荷の
流れが妨害されるために、降下させる。
きには、得られた光導電性部材は、特に電荷発生体層を
真空蒸着または昇華材料から作製した場合には屈曲中に
はく離し得ることが判明している。はく離は感光体が小
直径の支持ロンドまたは駆動ロールの周りに導びかれる
ときに特に顕著であり得る。例えば、感光体のはく離は
直径約2cmを有するロールの周りに導びかれる応力の
かかった条件下ではたびたびi、ooo回程の少ない像
形成サイクルにおいても生じ得る。フェノキシ樹脂また
はある種のポリエステルのような接着剤を含有する接着
界面層の使用は、表面電位を、サイクル操作中に電荷の
流れが妨害されるために、降下させる。
さらに、真空蒸着As、Se、電荷発生体層を含有する
光導電性部材のサイクル操作においては、電荷注入暗減
衰が許容し得ない値まで到達し得また上記光導電性像形
成部材を高品質像の形成に適さないものにすることも判
明している。
光導電性部材のサイクル操作においては、電荷注入暗減
衰が許容し得ない値まで到達し得また上記光導電性像形
成部材を高品質像の形成に適さないものにすることも判
明している。
さらに、背景的に興味ある従来技術としては次のものが
ある。
ある。
1984年3月27日付でPan等に付与された米国特
許筒4,439,507号は基体、導電性層、光発生層
および電荷輸送層とを含む感光体を開示している。光発
生層はポリ (ヒドロキシエーテル)物質の樹脂バイン
ダー材料を含み得る。電荷輸送層はジアミン電荷輸送分
子を含み得る。電荷輸送層は、例えば、ポリ (ヒドロ
キシエーテル)バインダー、ポリエステル、エポキシ並
びにこれらのブロック、ランダムまたは交互コポリマー
を包含する種々の樹脂をも含有し得る。
許筒4,439,507号は基体、導電性層、光発生層
および電荷輸送層とを含む感光体を開示している。光発
生層はポリ (ヒドロキシエーテル)物質の樹脂バイン
ダー材料を含み得る。電荷輸送層はジアミン電荷輸送分
子を含み得る。電荷輸送層は、例えば、ポリ (ヒドロ
キシエーテル)バインダー、ポリエステル、エポキシ並
びにこれらのブロック、ランダムまたは交互コポリマー
を包含する種々の樹脂をも含有し得る。
1985年3月7日付でMammino等に付与された
米国特許筒4.515.882号は少なくとも1つの光
導電性層と、電荷輸送分子を含む連続相および該連続相
中に分散させた微細な電荷注入可能粒子を含むオーバー
コーテイング層とを含む電子写真像形成部材を開示して
いる。電荷輸送層は、例えば、ポリ (ヒドロキシニー
缶ル)バインダー、ポリエステル、エポキシ樹脂、並び
にこれらのプロ、り、ランダムまたは交互コポリマーを
包含する種々の樹脂をも含有し得る。
米国特許筒4.515.882号は少なくとも1つの光
導電性層と、電荷輸送分子を含む連続相および該連続相
中に分散させた微細な電荷注入可能粒子を含むオーバー
コーテイング層とを含む電子写真像形成部材を開示して
いる。電荷輸送層は、例えば、ポリ (ヒドロキシニー
缶ル)バインダー、ポリエステル、エポキシ樹脂、並び
にこれらのプロ、り、ランダムまたは交互コポリマーを
包含する種々の樹脂をも含有し得る。
1979年4月29日付でAnderson等に付与さ
れた米国特許筒4.150,987号は通常の電荷発生
材料とp型ヒドラゾン含有電荷輸送層とを含む電子写真
プレートを開示している。電荷輸送層はポリエステル樹
脂を含有し得る。種々の銘柄のポリエステルが、例えば
、実施例2b−rおよび5a−eに記載されている。
れた米国特許筒4.150,987号は通常の電荷発生
材料とp型ヒドラゾン含有電荷輸送層とを含む電子写真
プレートを開示している。電荷輸送層はポリエステル樹
脂を含有し得る。種々の銘柄のポリエステルが、例えば
、実施例2b−rおよび5a−eに記載されている。
1984年8月7日付でり、Teuscherに付与さ
れた米国特許筒4.464.450号は基体、導電性層
、光発生層および電荷輸送層とを含む感光体において使
用するためのアミノシランブロッキング層を開示してい
る。
れた米国特許筒4.464.450号は基体、導電性層
、光発生層および電荷輸送層とを含む感光体において使
用するためのアミノシランブロッキング層を開示してい
る。
1987年1月20日付でTakei等に付与された米
国特許筒4.637,971号は種々のポリカーボネー
トバインダーを感光性層で用いている感光体を開示して
いる。
国特許筒4.637,971号は種々のポリカーボネー
トバインダーを感光性層で用いている感光体を開示して
いる。
1977年2月8日付で1luckley等に付与され
た米国特許筒4.007,042号は軟化性層でオーバ
ーコーテイングした基体とマイグレーションマーキング
材料とを含むマイグレーション像形成部材を開示してい
る。軟化性層は、例えば、第6欄15〜28行に列挙さ
れている種々の樹脂を含有し得る0列挙されているもの
にはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、およびこれらのコ
ポリマーの混合物がある。
た米国特許筒4.007,042号は軟化性層でオーバ
ーコーテイングした基体とマイグレーションマーキング
材料とを含むマイグレーション像形成部材を開示してい
る。軟化性層は、例えば、第6欄15〜28行に列挙さ
れている種々の樹脂を含有し得る0列挙されているもの
にはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、およびこれらのコ
ポリマーの混合物がある。
1967年7月7日付でC1arkに付与された米国特
許筒3,140,174号はオーバーコーテイングが、
例えば、その第341I1)1)〜22行において列挙
されているような種々の樹脂を含有し得るオーバーコー
テイング型感光体を開示している。これらの樹脂にはポ
リエステル樹脂およびエポキシドがある。
許筒3,140,174号はオーバーコーテイングが、
例えば、その第341I1)1)〜22行において列挙
されているような種々の樹脂を含有し得るオーバーコー
テイング型感光体を開示している。これらの樹脂にはポ
リエステル樹脂およびエポキシドがある。
1986年4月1日付でYashikiに付与された米
国特許筒4.579,801号は基体と感光性層との間
にレゾールコーティングから形成されたフェノール樹脂
層を有する電子写真像形成部材を開示している。感光性
層は単一層または電荷発生層と電荷輸送層とから作製し
た分割層であり得る。電荷輸送層は、例えば、ポリエス
テル樹脂を包含する種々の樹脂を含有し得る。
国特許筒4.579,801号は基体と感光性層との間
にレゾールコーティングから形成されたフェノール樹脂
層を有する電子写真像形成部材を開示している。感光性
層は単一層または電荷発生層と電荷輸送層とから作製し
た分割層であり得る。電荷輸送層は、例えば、ポリエス
テル樹脂を包含する種々の樹脂を含有し得る。
1981年3月17日付でTakahashiに付与さ
れた米国特許第4,256,823号は光導電性絶縁バ
インダー層とこの光導電性絶縁バインダー層上に有機高
ポリマーの分散体を塗布することによって形成させた目
止め層(clearcoling 1ayer)とを含
む電子写真像形成部材を開示している。この目止め層は
、例えばエポキシ樹脂を含有し得る。
れた米国特許第4,256,823号は光導電性絶縁バ
インダー層とこの光導電性絶縁バインダー層上に有機高
ポリマーの分散体を塗布することによって形成させた目
止め層(clearcoling 1ayer)とを含
む電子写真像形成部材を開示している。この目止め層は
、例えばエポキシ樹脂を含有し得る。
即ち、支持基体、電荷発生体層および電荷輸送層を含む
電子写真像形成部材の特徴は自動のサイクル操作静電写
真複写機、複製機およびプリンターにおいて望ましくな
い欠点を示す。
電子写真像形成部材の特徴は自動のサイクル操作静電写
真複写機、複製機およびプリンターにおいて望ましくな
い欠点を示す。
本発明の目的は上述の欠点を克服する電子写真像形成部
材を提供することである。
材を提供することである。
本発明のもう1つの目的は改良された耐はく離性を有す
る電子写真像形成部材を提供することである。
る電子写真像形成部材を提供することである。
本発明のもう1つの目的は電荷注入暗減衰を最小にする
電子写真像形成部材を提供することである。
電子写真像形成部材を提供することである。
本発明のさらにもう1つの目的は安定な像の現像を与え
る電子写真像形成部材を提供することである。
る電子写真像形成部材を提供することである。
本発明によれば、上記および他の目的は、導電性表面を
有する基体、電荷発生体層、ポリカーボネート皮膜形成
性バインダーと電荷輸送低分子を含む電荷輸送層、およ
び上記電荷発生体層と上記電荷輸送層との間の少なくと
も界面に沿って均一に分布したポリマーと電荷輸送低分
子を含む界面層とを含み、上記界面層が電荷輸送分子と
次の構造: (式中、Rは水素原子または1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基であり、nは1〜8の数である) で示されるフェノール系エポキシポリマー、および次の
構造: (式中、R,とR,は1〜12個の炭素原子を有するア
ルキル基、4〜36個の炭素原子を有するシクロアルキ
ル基、アリール基またはアルキル基中に1〜8個の炭素
原子を有するアルキルアリール基を示し、n2は4〜1
. OOOの数である) で示されるポリエステルから選ばれるポリマーとの混合
物を含むことを特徴とする電子写真像形成部材を含む像
形成部材を提供することによって達成される。上記の電
荷輸送物質は輸送層中の電荷輸送物質と同じであり得る
か、あるいは輸送層中の物質と異なる場合には、そのイ
オン化電位(IP)が輸送層中の輸送物質のI、に等し
いかそれより大きくあるべきである。例えば、輸送層中
の電荷輸送分子がジアミンである場合、界面層中の電荷
輸送物質はジアミンであり得る。
有する基体、電荷発生体層、ポリカーボネート皮膜形成
性バインダーと電荷輸送低分子を含む電荷輸送層、およ
び上記電荷発生体層と上記電荷輸送層との間の少なくと
も界面に沿って均一に分布したポリマーと電荷輸送低分
子を含む界面層とを含み、上記界面層が電荷輸送分子と
次の構造: (式中、Rは水素原子または1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基であり、nは1〜8の数である) で示されるフェノール系エポキシポリマー、および次の
構造: (式中、R,とR,は1〜12個の炭素原子を有するア
ルキル基、4〜36個の炭素原子を有するシクロアルキ
ル基、アリール基またはアルキル基中に1〜8個の炭素
原子を有するアルキルアリール基を示し、n2は4〜1
. OOOの数である) で示されるポリエステルから選ばれるポリマーとの混合
物を含むことを特徴とする電子写真像形成部材を含む像
形成部材を提供することによって達成される。上記の電
荷輸送物質は輸送層中の電荷輸送物質と同じであり得る
か、あるいは輸送層中の物質と異なる場合には、そのイ
オン化電位(IP)が輸送層中の輸送物質のI、に等し
いかそれより大きくあるべきである。例えば、輸送層中
の電荷輸送分子がジアミンである場合、界面層中の電荷
輸送物質はジアミンであり得る。
導電性表面を有する支持基体は通常の硬質基体であって
もよいが、最大の利益は導電性表面を有する可撓性の支
持基体層における耐はく離の増大によって得られる。導
電性表面を存する支持基体層は不透明または実質的に透
明であり得、所望の機械的性能を有する多くの適当な材
料を含み得る。
もよいが、最大の利益は導電性表面を有する可撓性の支
持基体層における耐はく離の増大によって得られる。導
電性表面を存する支持基体層は不透明または実質的に透
明であり得、所望の機械的性能を有する多くの適当な材
料を含み得る。
例えば、支持基体は可撓性の導電性層をコーティングし
た下地絶縁支持層を含み得あるいは光導電性層を支持す
るのに十分な内部強度を有する単なる導電性層であり得
る。可撓性導電性層は、支持基体全体を構成し得るかあ
るいは下地の可撓性ウェブ部材上のコーティングとして
単に存在し得、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケ
ル、クロム、黄銅、金、ステンセススチール、カーボン
ブラックおよびグラファイト等を包含する任意の適当な
導電性材料を含み得る。可撓性の導電性層は厚さにおい
て光導電性部材の所望の用途により実質的に広い範囲に
亘って変化し得る。従って、導電性層は一般に約50オ
ングストローム単位から数個の厚さ範囲にあり得る。高
度に可撓性の感光性像形成デバイスが所望される場合に
は、導電性層の厚さは約100〜約750オングストロ
ーム単位であり得る。任意下地可撓性支持層は任意の適
当な材料を含み得る。典型的な皮膜形成性ポリマーの下
地可撓性支持層にはポリカーボネート樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂等の種々の樹脂を含む絶縁性の非導電性材料がある。
た下地絶縁支持層を含み得あるいは光導電性層を支持す
るのに十分な内部強度を有する単なる導電性層であり得
る。可撓性導電性層は、支持基体全体を構成し得るかあ
るいは下地の可撓性ウェブ部材上のコーティングとして
単に存在し得、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケ
ル、クロム、黄銅、金、ステンセススチール、カーボン
ブラックおよびグラファイト等を包含する任意の適当な
導電性材料を含み得る。可撓性の導電性層は厚さにおい
て光導電性部材の所望の用途により実質的に広い範囲に
亘って変化し得る。従って、導電性層は一般に約50オ
ングストローム単位から数個の厚さ範囲にあり得る。高
度に可撓性の感光性像形成デバイスが所望される場合に
は、導電性層の厚さは約100〜約750オングストロ
ーム単位であり得る。任意下地可撓性支持層は任意の適
当な材料を含み得る。典型的な皮膜形成性ポリマーの下
地可撓性支持層にはポリカーボネート樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂等の種々の樹脂を含む絶縁性の非導電性材料がある。
コーティングしたまたはコーティングなしの可撓性支持
基体層は、例エバ、シート、スクロール、エンドレス可
撓性ベルト等のような任意の多くの種々の形状を有し得
る。好ましいのは、絶縁性ウェブがエンドレス可撓性ベ
ルトの形であって市販されているポリエチレンテレフタ
レート樹脂(マイラー、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含むことである。
基体層は、例エバ、シート、スクロール、エンドレス可
撓性ベルト等のような任意の多くの種々の形状を有し得
る。好ましいのは、絶縁性ウェブがエンドレス可撓性ベ
ルトの形であって市販されているポリエチレンテレフタ
レート樹脂(マイラー、E、1.デュポン社より入手で
きる)を含むことである。
好ましくは、適当な電荷ブロッキング層を導電性層と電
子写真像形成層との間に挿入することである。ある物質
は接着層と電荷ブロッキング層の両方として機能する層
を形成し得る。電荷キャリヤーを捕捉し得る任意の適当
なブロッキング層材料を使用できる。典型的なブロッキ
ング層にはポリビニルブチラール、オルガノシラン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン
、シリコーン等がある。樹脂をブロッキング層に用いる
ときには、その樹脂は好ましくは約600〜約200.
000の分子量と少なくとも5℃のガラス転移温度を有
すべきである。ポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、
ポリエステル、ポリアミド、およびポリウレタンは接着
層としても機能する。
子写真像形成層との間に挿入することである。ある物質
は接着層と電荷ブロッキング層の両方として機能する層
を形成し得る。電荷キャリヤーを捕捉し得る任意の適当
なブロッキング層材料を使用できる。典型的なブロッキ
ング層にはポリビニルブチラール、オルガノシラン、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン
、シリコーン等がある。樹脂をブロッキング層に用いる
ときには、その樹脂は好ましくは約600〜約200.
000の分子量と少なくとも5℃のガラス転移温度を有
すべきである。ポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、
ポリエステル、ポリアミド、およびポリウレタンは接着
層としても機能する。
電荷ブロッキング層は好ましくは約0.005〜約0.
2μmの乾燥厚さを有する。接着層は好ましくは約0.
01〜約2μmの乾燥厚さを有する。
2μmの乾燥厚さを有する。接着層は好ましくは約0.
01〜約2μmの乾燥厚さを有する。
電荷発生体層をAs2Se+、テルル含有非晶質セレン
、ペリレン、フタロシアニン、ビスアゾ顔料等のような
真空蒸着または昇華光導電性材料から形成させるときは
、電荷注入暗減衰が許容し得ない値に到達し得光導電性
像形成部材を高品質像を形成させるのに適さないものに
することが見い出されている。そのような電荷注入暗減
衰はアミノシラン反応生成物、ポリビニルブチラールま
たはポリビニルピロリド等を含むブロッキング層の使用
により著しく低減できる。
、ペリレン、フタロシアニン、ビスアゾ顔料等のような
真空蒸着または昇華光導電性材料から形成させるときは
、電荷注入暗減衰が許容し得ない値に到達し得光導電性
像形成部材を高品質像を形成させるのに適さないものに
することが見い出されている。そのような電荷注入暗減
衰はアミノシラン反応生成物、ポリビニルブチラールま
たはポリビニルピロリド等を含むブロッキング層の使用
により著しく低減できる。
米国特許第4.464.450号に記載されているシラ
ン反応生成物はサイクル安定性が延長されるのでブロッ
キング層材料として特に好ましい。この好ましいブロッ
キング層を形成させるのに用いる特定のシランば本発明
の結晶性粒子を処理するのに用いる好ましいシランと同
じである。換言すれば、次の構造式: を有するシランであり、上式中、R1は1〜20個の炭
素原子を含有するアルキリデン基であり、R2およびR
1は独立にHS 1〜3個の炭素原子を有する低級アル
キル基、フェニル基およびポリ(エチレンアミノ)基か
らなる群より選ばれ、R,、R,およびR4は独立に1
〜4個の炭素原子を含有する低級アルキル基より選ばれ
る。典型的な加水分解性シランには、3−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、N−アミノエチル−3−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、N−2−アミノエチル−
3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−アミ
ノエチル−3−アミノブロピルトリス(エチルエトキシ
)シラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、3
−アミノプロピルジエチルメチルシラン、(N、N’−
ジメチル3−アミノ)プロピルトリエトキシシラン、3
−アミノプロピルメチルジェトキシシラン、3−アミノ
プロビルトメトキシシラン、N−メチルアミノプロピル
トリエトキシシラン、メチル(2−(3−トリメトキシ
シリルプロピルアミノ)エチルアミノ〕 −3−プロパ
ノエート、 (N、N’−ジメチル3−アミノ)プロピ
ルトリエトキシシラン、N、N−ジメチルアミノフェニ
ルトリエトキシシラン、トリメトキシシリルプロピルジ
エチレントリアミン、およびこれらの混合物がある。ブ
ロッキング層形成用の加水分解シラン溶液は十分な水を
加えてケイ素原子に結合したアルコキシ基を加水分解し
て溶液を調製することによって調製できる。不十分な水
は通常加水分解したシランに望ましくないゲルを生ぜし
めるであろう、一般的には、希溶液が薄いコーティング
を得るのに好ましい。
ン反応生成物はサイクル安定性が延長されるのでブロッ
キング層材料として特に好ましい。この好ましいブロッ
キング層を形成させるのに用いる特定のシランば本発明
の結晶性粒子を処理するのに用いる好ましいシランと同
じである。換言すれば、次の構造式: を有するシランであり、上式中、R1は1〜20個の炭
素原子を含有するアルキリデン基であり、R2およびR
1は独立にHS 1〜3個の炭素原子を有する低級アル
キル基、フェニル基およびポリ(エチレンアミノ)基か
らなる群より選ばれ、R,、R,およびR4は独立に1
〜4個の炭素原子を含有する低級アルキル基より選ばれ
る。典型的な加水分解性シランには、3−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、N−アミノエチル−3−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、N−2−アミノエチル−
3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−アミ
ノエチル−3−アミノブロピルトリス(エチルエトキシ
)シラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、3
−アミノプロピルジエチルメチルシラン、(N、N’−
ジメチル3−アミノ)プロピルトリエトキシシラン、3
−アミノプロピルメチルジェトキシシラン、3−アミノ
プロビルトメトキシシラン、N−メチルアミノプロピル
トリエトキシシラン、メチル(2−(3−トリメトキシ
シリルプロピルアミノ)エチルアミノ〕 −3−プロパ
ノエート、 (N、N’−ジメチル3−アミノ)プロピ
ルトリエトキシシラン、N、N−ジメチルアミノフェニ
ルトリエトキシシラン、トリメトキシシリルプロピルジ
エチレントリアミン、およびこれらの混合物がある。ブ
ロッキング層形成用の加水分解シラン溶液は十分な水を
加えてケイ素原子に結合したアルコキシ基を加水分解し
て溶液を調製することによって調製できる。不十分な水
は通常加水分解したシランに望ましくないゲルを生ぜし
めるであろう、一般的には、希溶液が薄いコーティング
を得るのに好ましい。
満足できる反応生成物層は溶液の総重量基準で約0.1
〜約1重量%のシランを含有する溶液によって得ること
ができる。溶液の総重量基準で約0,01〜約2.5重
量%のシランを含有する溶液は均一な反応生成物層を形
成する安定な溶液において好ましい、加水分解シラン溶
液のpHは注意深く調整して最適の電気的安定性を得る
。約4〜約10の溶液pξ1が好ましい。最適のブロン
キング層はpH約7〜約8を有する加水分解シラン溶液
で達成される、何故ならば、得られた処理窓光体のサイ
クルアンプおよびサイクルダウン特性の抑制が最大とな
るからである。加水分解シラン溶液のpHの調整は任意
の適当な有機または無機酸または酸塩によって行い得る
。典型的な有機および無機酸および酸塩には酢酸、クエ
ン酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、フ
ッ化水素ケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロモフ
ェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある。
〜約1重量%のシランを含有する溶液によって得ること
ができる。溶液の総重量基準で約0,01〜約2.5重
量%のシランを含有する溶液は均一な反応生成物層を形
成する安定な溶液において好ましい、加水分解シラン溶
液のpHは注意深く調整して最適の電気的安定性を得る
。約4〜約10の溶液pξ1が好ましい。最適のブロン
キング層はpH約7〜約8を有する加水分解シラン溶液
で達成される、何故ならば、得られた処理窓光体のサイ
クルアンプおよびサイクルダウン特性の抑制が最大とな
るからである。加水分解シラン溶液のpHの調整は任意
の適当な有機または無機酸または酸塩によって行い得る
。典型的な有機および無機酸および酸塩には酢酸、クエ
ン酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、フ
ッ化水素ケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロモフ
ェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある。
任意の適当な方法を用いて上記の加水分解シランを導電
性層に塗布できる。典型的な塗布方法にはスプレー法、
デイツプ塗布法、ロール塗布法、ワイヤー巻きロッド塗
布法等がある。一般的には、満足できる結果は加水分解
シランの反応生成物が厚さ約20〜約2,000オング
ストロームを有するブロッキング層を形成するときに得
られる。このシランコーティングは1984年8月7日
付でLean A、Teuscherに付与された米国
特許第4.464.450号に記載されており、該米国
特許の記載はすべて参考として本明細書に引用する。
性層に塗布できる。典型的な塗布方法にはスプレー法、
デイツプ塗布法、ロール塗布法、ワイヤー巻きロッド塗
布法等がある。一般的には、満足できる結果は加水分解
シランの反応生成物が厚さ約20〜約2,000オング
ストロームを有するブロッキング層を形成するときに得
られる。このシランコーティングは1984年8月7日
付でLean A、Teuscherに付与された米国
特許第4.464.450号に記載されており、該米国
特許の記載はすべて参考として本明細書に引用する。
他の好ましいブロッキング層はポリビニルブチラールと
ポリビニルピロリドンである。これらの皮膜形成性ポリ
マーは好ましくは重量平均分子量約2.000〜約20
0,000を有する。
ポリビニルピロリドンである。これらの皮膜形成性ポリ
マーは好ましくは重量平均分子量約2.000〜約20
0,000を有する。
ある場合には、ブロッキング層と隣接の電荷発生即ち光
発生材料との間の中間層が接着性を改良するためまたは
電気的バリヤー層として働(ために所望される。そのよ
うな層を用いる場合には、それらの層は約0.01〜約
2μmの乾燥厚さを有するものが好ましい。典型的な接
着層にはポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレ
ート等がある。
発生材料との間の中間層が接着性を改良するためまたは
電気的バリヤー層として働(ために所望される。そのよ
うな層を用いる場合には、それらの層は約0.01〜約
2μmの乾燥厚さを有するものが好ましい。典型的な接
着層にはポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルピロリドン、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレ
ート等がある。
一般に、本発明の光導電性像形成部材は導電性表面を有
する基体、電荷発生体層、電荷輸送層、およびこの電荷
発生体層と輸送層の間の少なくとも界面に沿って均一に
分布させた電荷輸送低分子と混合したポリマーを含有す
る界面層とを含み、この界面ポリマーがある種のフェノ
ール系乎ボキシ樹脂とある種のポリエステルから選択さ
れる。
する基体、電荷発生体層、電荷輸送層、およびこの電荷
発生体層と輸送層の間の少なくとも界面に沿って均一に
分布させた電荷輸送低分子と混合したポリマーを含有す
る界面層とを含み、この界面ポリマーがある種のフェノ
ール系乎ボキシ樹脂とある種のポリエステルから選択さ
れる。
電荷発生層は均質、不均質、無機または有機の光導電性
組成物を含有し得る。不均質な組成物を含有する光導電
性組成物の1つの例は米国特許第3.121,006号
に記載されており、この米国特許では、光導電性無機化
合物の微細な粒子を電気絶縁性有機樹脂バインダー中に
分散させている。
組成物を含有し得る。不均質な組成物を含有する光導電
性組成物の1つの例は米国特許第3.121,006号
に記載されており、この米国特許では、光導電性無機化
合物の微細な粒子を電気絶縁性有機樹脂バインダー中に
分散させている。
この米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引用
する。他の周知の光導電性組成物には非晶質セレン、ハ
ロゲンドーピング非晶質セレン;セレンひ素、セレンテ
ルル、セレンひ素アンチモンおよびハロゲンドーピング
セレン合金を包含する非晶質セレン合金;硫化カドミウ
ム等がある。しばしば、無機セレン系光導電性材料は比
較的均質な層として付着させる。さらにまた、これら無
機材料の多く特に、セレン、セレン合金および三セレン
化ひ素材料は真空蒸着法により付着させる。
する。他の周知の光導電性組成物には非晶質セレン、ハ
ロゲンドーピング非晶質セレン;セレンひ素、セレンテ
ルル、セレンひ素アンチモンおよびハロゲンドーピング
セレン合金を包含する非晶質セレン合金;硫化カドミウ
ム等がある。しばしば、無機セレン系光導電性材料は比
較的均質な層として付着させる。さらにまた、これら無
機材料の多く特に、セレン、セレン合金および三セレン
化ひ素材料は真空蒸着法により付着させる。
他の典型的な電荷発生材料には、米国特許第3.357
,989号に記載されている無金属フタロシアニン、銅
フタロシアニンおよびバナジルフタロシアニンのような
金属フタロシアニン;ペリレン;デュポン社より商品名
モナストラル(Monastral)レッド、モナスト
ラルバイオレットおよびモナストラルレツドYとして入
手できるキナクリドン;米国特許第3,442,781
号に開示されている置換2,4−ジアミノ−トリアジン
;7ライドケミ力ル社より商品名インドファースト(I
ndofast)ダブルスカーレット、インドファース
トバイオレットレーキB1インドファーストブリリアン
トスカーレットおよびインドファーストオレンジとして
入手できる多核芳香族キノン類;クロロジアンブルー:
ジブロモアントラスロン:チアビリリウム;ジアゾ化合
物;トリアゾ化合物;スクアライン等がある。米国特許
第3.357,989号および第3.442.781号
の記載はすべて参考として本明細書に引用する。フタロ
シアニン、ペリレン等のある種の有機電荷発生材料は昇
華によって付着させ得る。
,989号に記載されている無金属フタロシアニン、銅
フタロシアニンおよびバナジルフタロシアニンのような
金属フタロシアニン;ペリレン;デュポン社より商品名
モナストラル(Monastral)レッド、モナスト
ラルバイオレットおよびモナストラルレツドYとして入
手できるキナクリドン;米国特許第3,442,781
号に開示されている置換2,4−ジアミノ−トリアジン
;7ライドケミ力ル社より商品名インドファースト(I
ndofast)ダブルスカーレット、インドファース
トバイオレットレーキB1インドファーストブリリアン
トスカーレットおよびインドファーストオレンジとして
入手できる多核芳香族キノン類;クロロジアンブルー:
ジブロモアントラスロン:チアビリリウム;ジアゾ化合
物;トリアゾ化合物;スクアライン等がある。米国特許
第3.357,989号および第3.442.781号
の記載はすべて参考として本明細書に引用する。フタロ
シアニン、ペリレン等のある種の有機電荷発生材料は昇
華によって付着させ得る。
任意の適当な不活性樹脂バインダー物質を樹脂バインダ
ーと光導電性材料との混合物を含む発生体層を有する感
光体の電荷発生体層において使用できる。典型的な有機
樹脂バインダーにはポリカーボネート、アクリレートポ
リマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエ
ステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、
エポキシ等がある。多くの有機樹脂バインダーが、例え
ば、米国特許第3,121.006号および第4,43
9.507号に開示されており、これら米国特許の記載
はすべて参考として本明細書に引用する。有機樹脂ポリ
マーはブロック、ランダムまたは交互コポリマ二であり
得る。光発生化合物または顔料は樹脂バインダー組成物
中で不均質バインダー層の種々の量で存在する。電気的
に不活性な即ち絶縁性樹脂を用いるときには、光導電性
粒子間で粒子対粒子接触が存在することが不可欠である
。これは光導電性物質がバインダー層の少なくとも約1
5容量%の量で存在することが必要であり、バインダー
層中の光導電体の最大量については制限はない。
ーと光導電性材料との混合物を含む発生体層を有する感
光体の電荷発生体層において使用できる。典型的な有機
樹脂バインダーにはポリカーボネート、アクリレートポ
リマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエ
ステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、
エポキシ等がある。多くの有機樹脂バインダーが、例え
ば、米国特許第3,121.006号および第4,43
9.507号に開示されており、これら米国特許の記載
はすべて参考として本明細書に引用する。有機樹脂ポリ
マーはブロック、ランダムまたは交互コポリマ二であり
得る。光発生化合物または顔料は樹脂バインダー組成物
中で不均質バインダー層の種々の量で存在する。電気的
に不活性な即ち絶縁性樹脂を用いるときには、光導電性
粒子間で粒子対粒子接触が存在することが不可欠である
。これは光導電性物質がバインダー層の少なくとも約1
5容量%の量で存在することが必要であり、バインダー
層中の光導電体の最大量については制限はない。
マトリックス即ちバインダーが活性物質、例えば、ボ+
J−N−ビニルカルバゾールを含むときは、光導電性物
質はバインダー層の約1容量%以下を含むのみでよく、
これもバインダー層中での光導電性体の最大量について
の制限はない。−船釣には、ポリビニルカルバゾールま
たはポリ (メチルフェニルシリレン)のような電気的
に活性なマトリックス即ちバインダーを含有する発生体
層においては、約5〜約60容量%の光発生性顔料を約
40〜約95容量%のバインダー中に分散させ、好まし
くは、約7〜約30容量%の光発生性顔料を約70〜約
93容量%のバインダー中に分散させる。
J−N−ビニルカルバゾールを含むときは、光導電性物
質はバインダー層の約1容量%以下を含むのみでよく、
これもバインダー層中での光導電性体の最大量について
の制限はない。−船釣には、ポリビニルカルバゾールま
たはポリ (メチルフェニルシリレン)のような電気的
に活性なマトリックス即ちバインダーを含有する発生体
層においては、約5〜約60容量%の光発生性顔料を約
40〜約95容量%のバインダー中に分散させ、好まし
くは、約7〜約30容量%の光発生性顔料を約70〜約
93容量%のバインダー中に分散させる。
使用する特定の割合はある程度発生体層の厚さにもよる
。必要ならば、電荷発生体層は層の総重量基準で約0.
5〜約5重量%のフェノキシエポキシ樹脂またはポリエ
ステルを含有し得る。
。必要ならば、電荷発生体層は層の総重量基準で約0.
5〜約5重量%のフェノキシエポキシ樹脂またはポリエ
ステルを含有し得る。
光発生性バインダー層の厚さは特に臨界はない。−約0
.05〜約40.0μmの層厚が満足できることが見い
出されている。光導電性化合物および/または顔料、お
よび樹脂バインダー物質を含有する光発生性バインダー
層は好ましくは約0.1〜約5、0μmの厚さ範囲にあ
り、最良の光吸収および改良された暗減衰安定性と機械
的性能のためには約0.3〜約3μmの厚さが最適であ
る。約0.1〜約1.0μmの層厚は均質な真空蒸着ま
たは昇華光発生体材料のためには好ましい、それは照射
光の殆んどが完全な吸収がこの厚さで達成されるからで
ある。
.05〜約40.0μmの層厚が満足できることが見い
出されている。光導電性化合物および/または顔料、お
よび樹脂バインダー物質を含有する光発生性バインダー
層は好ましくは約0.1〜約5、0μmの厚さ範囲にあ
り、最良の光吸収および改良された暗減衰安定性と機械
的性能のためには約0.3〜約3μmの厚さが最適であ
る。約0.1〜約1.0μmの層厚は均質な真空蒸着ま
たは昇華光発生体材料のためには好ましい、それは照射
光の殆んどが完全な吸収がこの厚さで達成されるからで
ある。
他の典型的な光導電性層には皮膜形成性バインダー中に
分散させた非晶質セレン、または三セレン化ひ素、セレ
ン−ひ素、セレン−テルル−ひ素、セレン−テルルのよ
うなセレン合金、三方晶セレン等がある。
分散させた非晶質セレン、または三セレン化ひ素、セレ
ン−ひ素、セレン−テルル−ひ素、セレン−テルルのよ
うなセレン合金、三方晶セレン等がある。
活性電荷輸送層は光発生させた正札および電子の電荷発
生体層からの注入を支持しこれら正孔または電子を電荷
輸送層を通して輸送せしめて表面電荷を選択的に放電し
得るべきである。活性電荷輸送層は正孔または電子を輸
送するように機能するだけでなくて光導電性層を摩耗ま
たは化学的攻撃から保護し、従って、感光体像形成部材
の操作寿命を延長させる。電荷輸送層は静電写真におい
て有用な光の波長、例えば、4000〜8000オング
ストロームに露光させたとき、いずれにしろ無視してよ
い放電を示すべきである。従って、電荷輸送層は光導電
体を使用すべき領域の照射に対して実質的に透過性であ
る。即ち、活性電荷輸送層は光発生させた正孔の発生層
からの注入を支持する実質的に非光導電性層材料である
。活性輸送層は露光をこの活性層を通して行うとき通常
透明であって照射光の殆んどを下層の電荷キャリヤー発
生体層が効率よい光発生のために利用するのを確実にす
る。透明基体を用いるときには、像形成的露光は基体を
介してこの基体を通過するすべての光によって行い得る
。この場合、活性輸送物質は使用する波長領域で吸収性
である必要はない。
生体層からの注入を支持しこれら正孔または電子を電荷
輸送層を通して輸送せしめて表面電荷を選択的に放電し
得るべきである。活性電荷輸送層は正孔または電子を輸
送するように機能するだけでなくて光導電性層を摩耗ま
たは化学的攻撃から保護し、従って、感光体像形成部材
の操作寿命を延長させる。電荷輸送層は静電写真におい
て有用な光の波長、例えば、4000〜8000オング
ストロームに露光させたとき、いずれにしろ無視してよ
い放電を示すべきである。従って、電荷輸送層は光導電
体を使用すべき領域の照射に対して実質的に透過性であ
る。即ち、活性電荷輸送層は光発生させた正孔の発生層
からの注入を支持する実質的に非光導電性層材料である
。活性輸送層は露光をこの活性層を通して行うとき通常
透明であって照射光の殆んどを下層の電荷キャリヤー発
生体層が効率よい光発生のために利用するのを確実にす
る。透明基体を用いるときには、像形成的露光は基体を
介してこの基体を通過するすべての光によって行い得る
。この場合、活性輸送物質は使用する波長領域で吸収性
である必要はない。
本発明における発生層と接触した電荷輸送層は、この輸
送層上の静電荷を照射の不存在下では伝導しない程度に
、即ち、輸送層上の静電潜像の形成および保持を妨げる
に十分な程度に絶縁体である材料である。
送層上の静電荷を照射の不存在下では伝導しない程度に
、即ち、輸送層上の静電潜像の形成および保持を妨げる
に十分な程度に絶縁体である材料である。
活性電荷輸送層は電気的に不活性な高分子皮膜形成性材
料中に分散させこれらの材料を電気的に活性にする添加
剤として有用な活性化化合物を含み得る。これらの電荷
輸送低分子化合物は発生物質からの光発生正孔の注入を
支持し得ずまたこれら正孔の輸送を行い得ない高分子皮
膜形成バインダー成分に添加する。これにより電気的に
不活性な高分子材料を発生物質からの光発生正孔の注入
を支持することができかつこれら正孔の活性層を通して
の輸送を行い得る材料に転化して活性層上の表面電荷を
放電するものである。
料中に分散させこれらの材料を電気的に活性にする添加
剤として有用な活性化化合物を含み得る。これらの電荷
輸送低分子化合物は発生物質からの光発生正孔の注入を
支持し得ずまたこれら正孔の輸送を行い得ない高分子皮
膜形成バインダー成分に添加する。これにより電気的に
不活性な高分子材料を発生物質からの光発生正孔の注入
を支持することができかつこれら正孔の活性層を通して
の輸送を行い得る材料に転化して活性層上の表面電荷を
放電するものである。
好ましい電気的に活性な層は1種以上の次の化合物、即
ち、ポリ−N−ビニルカルバゾール;ポリ−1−ビニル
ピレン;ポリ−9−ビニルアントラセン;ポリアセナフ
タレン;ポリ−9−(4−ペンテニル)−力ルバゾール
7ポリ−9−(5−ヘキシル)−力ルバゾール:ポリメ
チレンピレン;ポリ−1−(ピレニル)−ブタジェン;
ピレンのN−置換高分子アクリル酸アミド;クロロジア
ンブルー、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(フ
ェニルメチル)−(1,1’−ビフェニルツー4.4’
−ジアミン;N、N−ジフェニル−N。
ち、ポリ−N−ビニルカルバゾール;ポリ−1−ビニル
ピレン;ポリ−9−ビニルアントラセン;ポリアセナフ
タレン;ポリ−9−(4−ペンテニル)−力ルバゾール
7ポリ−9−(5−ヘキシル)−力ルバゾール:ポリメ
チレンピレン;ポリ−1−(ピレニル)−ブタジェン;
ピレンのN−置換高分子アクリル酸アミド;クロロジア
ンブルー、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(フ
ェニルメチル)−(1,1’−ビフェニルツー4.4’
−ジアミン;N、N−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−2,2’ジメチル
−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミン等の添加
によって電気的に活性にした電気的に不活性の材料、例
えば、ポリカーボネートを含む。
−1,1′−ビフェニル−4,4′−ジアミン等の添加
によって電気的に活性にした電気的に不活性の材料、例
えば、ポリカーボネートを含む。
非皮膜形成性電荷輸送低分子物質には次のものがある:
米国特許第4,306,008号、第4.304.82
9号、第4.233..384号、第4.1)5,1)
6号、第4,299,897号、第4,265.990
号および第4,081,274号に記載されているタイ
プのジアミン輸送分子。典型的なジアミン輸送分子には
、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3“メチル
フェニル)−(1,1’−ビフェニル〕−4,4′−ジ
アミン、N、N’−ジフェニル−N。
9号、第4.233..384号、第4.1)5,1)
6号、第4,299,897号、第4,265.990
号および第4,081,274号に記載されているタイ
プのジアミン輸送分子。典型的なジアミン輸送分子には
、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3“メチル
フェニル)−(1,1’−ビフェニル〕−4,4′−ジ
アミン、N、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(4−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(2−メチルフェニル)−(1,1’
−ビフェニル)−4,4’ジアミン、N、N’−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−エチルフェニル)−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−
ジフェニル−N、N’−ビス(4−エチルフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、
N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4−n−ブチルフ
ェニル)−(1,1’−ビフェニルツー4.4’−ジア
ミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−ク
ロロフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’
−ジアミン、N。
ェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(2−メチルフェニル)−(1,1’
−ビフェニル)−4,4’ジアミン、N、N’−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(3−エチルフェニル)−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−
ジフェニル−N、N’−ビス(4−エチルフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、
N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4−n−ブチルフ
ェニル)−(1,1’−ビフェニルツー4.4’−ジア
ミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−ク
ロロフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’
−ジアミン、N。
N′−ジフェニル−N、N’−ビス(4−クロロフェニ
ル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン
、N、N’−ジフェニル−N、N’ビス(フェニルメチ
ル)−(1,1’−ビフエニル)−4,4’−ジアミン
、N、N、N’、N’−テトラフェニル−(2,2’−
ジメチル−1゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ン、N。
ル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン
、N、N’−ジフェニル−N、N’ビス(フェニルメチ
ル)−(1,1’−ビフエニル)−4,4’−ジアミン
、N、N、N’、N’−テトラフェニル−(2,2’−
ジメチル−1゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ン、N。
N、N’、N’−テトラ(4−メチルフェニル)−(2
,2’−ジメチル−1,1′−ビフェニル〕−4,4’
−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
4−メチルフェニル)−(2゜2′−ジメチル−1,1
′−ビフェニル〕−4゜4′−ジアミン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(2−メチルフェニル)−(
2,2’−ジメチル−1,1′−ビフェニル)−4,4
’−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス
(3−メチルフェニル)−(2,2’−ジメチル−1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−
ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−
ピレニル−1,6−’)アミン等のようなアルキル基が
、例えば、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル等で
あるN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(アルキル
フェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンである。米国特許第4.315.981号、第4
,278,746号および第3.837,851号に開
示されているようなピラゾリン輸送分子。典型的なピラ
ゾリン輸送分子には、1−〔レビジル−(2)) −3
−〔p−ジエチルアミノフェニル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔キノリル−(2
))−3−(p−ジエチルアミノフェニル)−5−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジ
ル−(2))−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
(6−メドキシピリジルー(2))−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−フェニル−3−〔p−ジメチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジメチルアミノスチリル)
ピラゾリン、1−フェニル−3−〔p−ジエチルアミノ
スチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラ
ゾリン等がある。米国特許第4,245.021号に記
載されているよ・うな置換フルオレン電荷輸送分子。典
型的なフルオレン電荷輸送分子には、9−(4’−ジメ
チルアミノベンジリデン)フルオレン、9−(4’−メ
トキシベンジリデン)フルオレン、9−(2’4′−ジ
メトキシベンジリデン)フルオレン、2ニトロ−9−ベ
ンジリデン−フルオレン、2−ニトロ−9−(4’−ジ
エチルアミノベンジリデン)フルオレン等がある。西独
特許第1,058,836号、第1,060,260号
および第1.120,875号並びに米国特許第3,8
95,944号に記載されている2、5−ビス(4−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、ビラプリン、イミダゾール、トリアゾールおよびそ
の他のようなオキサジアゾール輸送分子。例えば、米国
特許第4.150,987号に記載されているようなp
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒド
ラゾン)、0−エトキシ−p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)、0−メチル−p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒド
ラゾン)、0−メチル−p−ジメチルアミノベンズアル
デヒド=(ジフェニルヒドラゾン)、p−ジプロピルア
ミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)、p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド・−(ベンジルフェ
ニルヒドラゾン)、p−ジブチルアミノベンズアルデヒ
ド−(ジフェニルヒドラゾン)、p−ジメチルアミノベ
ンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)等を包含す
るヒドラゾン輸送分子。
,2’−ジメチル−1,1′−ビフェニル〕−4,4’
−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
4−メチルフェニル)−(2゜2′−ジメチル−1,1
′−ビフェニル〕−4゜4′−ジアミン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(2−メチルフェニル)−(
2,2’−ジメチル−1,1′−ビフェニル)−4,4
’−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス
(3−メチルフェニル)−(2,2’−ジメチル−1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−
ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−
ピレニル−1,6−’)アミン等のようなアルキル基が
、例えば、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル等で
あるN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(アルキル
フェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンである。米国特許第4.315.981号、第4
,278,746号および第3.837,851号に開
示されているようなピラゾリン輸送分子。典型的なピラ
ゾリン輸送分子には、1−〔レビジル−(2)) −3
−〔p−ジエチルアミノフェニル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔キノリル−(2
))−3−(p−ジエチルアミノフェニル)−5−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジ
ル−(2))−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
(6−メドキシピリジルー(2))−3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−フェニル−3−〔p−ジメチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジメチルアミノスチリル)
ピラゾリン、1−フェニル−3−〔p−ジエチルアミノ
スチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラ
ゾリン等がある。米国特許第4,245.021号に記
載されているよ・うな置換フルオレン電荷輸送分子。典
型的なフルオレン電荷輸送分子には、9−(4’−ジメ
チルアミノベンジリデン)フルオレン、9−(4’−メ
トキシベンジリデン)フルオレン、9−(2’4′−ジ
メトキシベンジリデン)フルオレン、2ニトロ−9−ベ
ンジリデン−フルオレン、2−ニトロ−9−(4’−ジ
エチルアミノベンジリデン)フルオレン等がある。西独
特許第1,058,836号、第1,060,260号
および第1.120,875号並びに米国特許第3,8
95,944号に記載されている2、5−ビス(4−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、ビラプリン、イミダゾール、トリアゾールおよびそ
の他のようなオキサジアゾール輸送分子。例えば、米国
特許第4.150,987号に記載されているようなp
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒド
ラゾン)、0−エトキシ−p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)、0−メチル−p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒド
ラゾン)、0−メチル−p−ジメチルアミノベンズアル
デヒド=(ジフェニルヒドラゾン)、p−ジプロピルア
ミノベンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)、p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド・−(ベンジルフェ
ニルヒドラゾン)、p−ジブチルアミノベンズアルデヒ
ド−(ジフェニルヒドラゾン)、p−ジメチルアミノベ
ンズアルデヒド−(ジフェニルヒドラゾン)等を包含す
るヒドラゾン輸送分子。
他のヒドラゾン輸送分子には、例えば、米国特許第4.
385,106号、第4,338.388号、第4.3
87.147号、第4.399,208号および第4.
399.207号に記載されているl−ナフタレンカル
ボアルデヒドl−メチル−1−フェニルヒドラゾン、1
−ナフナレン力ルポアルデヒド1゜1−フェニルヒドラ
ゾン、4−メトキシナフタレン−1−カルボアルデヒド
1−メチル−1−フェニルヒドラゾンのような化合物お
よび他のヒドラゾン輸送分子がある。もう1つの電荷輸
送分子には、例えば、米国特許第4.256.821号
に記載されている9−メチルカルバゾール−3−カルボ
アルデヒド−1,1′−ジフェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−カルボアルデヒド−1−メチル
−1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−
3−カルボアルデヒド−1−エチル−1−フェニルヒド
ラゾン、9−エチルカルバゾール−3−カルボアルデヒ
ド−1−エチル−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−カルボアルデヒド−
1゜1′−ジフェニルヒドラy゛ン、のようなカルバゾ
ールフェニルヒドラゾン、および他の適当なカルバゾー
ルフェニルヒドラゾン輸送分子がある。類似のヒドラゾ
ン輸送分子が、例えば米国特許第4.297,426号
に記載されている。例えば、米国特許第3.820,9
89号に記載されているようなアルキル−ビス(N、N
−ジアルキルアミノアリール〉メタン、シクロアルキル
−ビス(N、 N−ジアルキルアミノアリール)メタン
およびシクロアルキル−ビス(N、N−ジアルキルアミ
ノアリール)メタンのようなトリ置換メタン。(4−n
−ブトキシカルボニル−9−フルオレニリデン)マロノ
ニトリル、(4−フェネトキシカルボニルー9−フルオ
レニリデン)マロノニトリル、(4−カルヒトキシ−9
−フルオレニリデン)マロノニトリル、(4−n−ブト
キシカルボニル−2゜7−シニトロー9−フルオレニリ
デン)マロネート等を包含する9−フルオレニリデンメ
タン誘導体。他の典型的な輸送物質には米国特許第3.
870.516号に記載されている多くの透明有機非高
分子輸送物質および米国特許第4.346.157号に
記載されている非イオン性化合物がある。皮膜形成性バ
インダー中に可溶性または分子規模で分散性である電荷
輸送分子に関する上述の各特許の記載はすべて参考とし
て本明細書に引用する。
385,106号、第4,338.388号、第4.3
87.147号、第4.399,208号および第4.
399.207号に記載されているl−ナフタレンカル
ボアルデヒドl−メチル−1−フェニルヒドラゾン、1
−ナフナレン力ルポアルデヒド1゜1−フェニルヒドラ
ゾン、4−メトキシナフタレン−1−カルボアルデヒド
1−メチル−1−フェニルヒドラゾンのような化合物お
よび他のヒドラゾン輸送分子がある。もう1つの電荷輸
送分子には、例えば、米国特許第4.256.821号
に記載されている9−メチルカルバゾール−3−カルボ
アルデヒド−1,1′−ジフェニルヒドラゾン、9−エ
チルカルバゾール−3−カルボアルデヒド−1−メチル
−1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−
3−カルボアルデヒド−1−エチル−1−フェニルヒド
ラゾン、9−エチルカルバゾール−3−カルボアルデヒ
ド−1−エチル−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−カルボアルデヒド−
1゜1′−ジフェニルヒドラy゛ン、のようなカルバゾ
ールフェニルヒドラゾン、および他の適当なカルバゾー
ルフェニルヒドラゾン輸送分子がある。類似のヒドラゾ
ン輸送分子が、例えば米国特許第4.297,426号
に記載されている。例えば、米国特許第3.820,9
89号に記載されているようなアルキル−ビス(N、N
−ジアルキルアミノアリール〉メタン、シクロアルキル
−ビス(N、 N−ジアルキルアミノアリール)メタン
およびシクロアルキル−ビス(N、N−ジアルキルアミ
ノアリール)メタンのようなトリ置換メタン。(4−n
−ブトキシカルボニル−9−フルオレニリデン)マロノ
ニトリル、(4−フェネトキシカルボニルー9−フルオ
レニリデン)マロノニトリル、(4−カルヒトキシ−9
−フルオレニリデン)マロノニトリル、(4−n−ブト
キシカルボニル−2゜7−シニトロー9−フルオレニリ
デン)マロネート等を包含する9−フルオレニリデンメ
タン誘導体。他の典型的な輸送物質には米国特許第3.
870.516号に記載されている多くの透明有機非高
分子輸送物質および米国特許第4.346.157号に
記載されている非イオン性化合物がある。皮膜形成性バ
インダー中に可溶性または分子規模で分散性である電荷
輸送分子に関する上述の各特許の記載はすべて参考とし
て本明細書に引用する。
本発明の多層型光導電体の2つの電気作動層の1つにお
いて用いる特に好ましい輸送層は約25〜約75重景%
の少なくとも1種の電荷輸送芳香族アミン化合物と約7
5〜約15重量%の該芳香族アミンが可溶性である高分
子皮膜形成性樹脂とを含む。
いて用いる特に好ましい輸送層は約25〜約75重景%
の少なくとも1種の電荷輸送芳香族アミン化合物と約7
5〜約15重量%の該芳香族アミンが可溶性である高分
子皮膜形成性樹脂とを含む。
電荷輸送層形成用の混合物は好ましくは一般式:■8次
のようなトリフェニルアミン: (式中、R3とR1は置換または非置換のフェニル基、
ナフチル基およびポリフェニル基からなる群より選ばれ
た芳香族基であり、R3は置換または非置換のアリール
基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3
〜18個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群よ
り選ばれる) を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
、各置換基はNo!基、CN基等の遊離形の電子吸引基
であるべきである。上記構造式で示される典型的な芳香
族アミン化合物には次のものがある: R1次のようなビスおよびポリトリアリールアミン: R9次のようなビスアリールアミンエーテル:■1次の
ようなビスアルキル−アリールアミン:れた結果は、電
荷発生層を含む本発明によってドーピングした像形成部
材が光導電性材料の眉と、次式: 好ましい芳香族アミン化合物は、一般式;を有し、上記
中、R1とR,は前述したとおりであり、R4は置換ま
たは非置換のビフェニル基、ジフヱニルエーテル基、1
〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3〜12
個の炭素原子を有する脂環式基からなる群より選ばれる
。置換基はNo、基、CN基等の遊離形の電子吸引基で
あるべきである。
のようなトリフェニルアミン: (式中、R3とR1は置換または非置換のフェニル基、
ナフチル基およびポリフェニル基からなる群より選ばれ
た芳香族基であり、R3は置換または非置換のアリール
基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3
〜18個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群よ
り選ばれる) を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
、各置換基はNo!基、CN基等の遊離形の電子吸引基
であるべきである。上記構造式で示される典型的な芳香
族アミン化合物には次のものがある: R1次のようなビスおよびポリトリアリールアミン: R9次のようなビスアリールアミンエーテル:■1次の
ようなビスアルキル−アリールアミン:れた結果は、電
荷発生層を含む本発明によってドーピングした像形成部
材が光導電性材料の眉と、次式: 好ましい芳香族アミン化合物は、一般式;を有し、上記
中、R1とR,は前述したとおりであり、R4は置換ま
たは非置換のビフェニル基、ジフヱニルエーテル基、1
〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3〜12
個の炭素原子を有する脂環式基からなる群より選ばれる
。置換基はNo、基、CN基等の遊離形の電子吸引基で
あるべきである。
暗減衰および背景電位効果を制御する場合の優(式中、
RI、RtおよびR4は前述のとおりであり、Xは1〜
約4個の炭素原子を有するアルキル基および塩素原子か
らなる群から選ばれた基で置換したアリール基である) を有する化合物の1種以上を約25〜約75重景%分散
させた分子量約20,000〜約250.000のポリ
カーボネート樹脂材料の隣接する電荷輸送層とを含み、
上記光導電性層が正孔の光発生と正孔の注入能力を示し
、上記輸送層が上記光導電性層が正孔を光発生させ光発
生正孔を注入するスペクトル領域では実質的に非吸収性
であるが上記光導電性層からの光発生正孔の注入を支持
しかつこの正孔を電荷輸送層を通して輸送させ得るとき
に達成される。
RI、RtおよびR4は前述のとおりであり、Xは1〜
約4個の炭素原子を有するアルキル基および塩素原子か
らなる群から選ばれた基で置換したアリール基である) を有する化合物の1種以上を約25〜約75重景%分散
させた分子量約20,000〜約250.000のポリ
カーボネート樹脂材料の隣接する電荷輸送層とを含み、
上記光導電性層が正孔の光発生と正孔の注入能力を示し
、上記輸送層が上記光導電性層が正孔を光発生させ光発
生正孔を注入するスペクトル領域では実質的に非吸収性
であるが上記光導電性層からの光発生正孔の注入を支持
しかつこの正孔を電荷輸送層を通して輸送させ得るとき
に達成される。
電荷発生層の光発生正孔の注入を支持しこれらの正孔を
電荷輸送層を介して輸送することのできる電荷輸送層用
の上記の構造式で示される電荷輸送芳香族アミンの例に
は、不活性樹脂バインダー中に分散させたトリフェニル
メタン、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチルフェニ
ル)フェニルメタン、4’、4’−ビス(ジエチルアミ
ノ)2′、2”−ジメチルトリフェニル−メタン、N、
N’−ビス(アルキルフェニル)−(1,1’−ビフェ
ニル)−4,4’ジアミン(アルキルは、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、n−ブチル等である)、N、N
’−ジフェニル−N、N’ビス(クロロフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N
’−ジフェニル−N、N’−ビス−(3“−メチルフェ
ニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ン等がある。
電荷輸送層を介して輸送することのできる電荷輸送層用
の上記の構造式で示される電荷輸送芳香族アミンの例に
は、不活性樹脂バインダー中に分散させたトリフェニル
メタン、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチルフェニ
ル)フェニルメタン、4’、4’−ビス(ジエチルアミ
ノ)2′、2”−ジメチルトリフェニル−メタン、N、
N’−ビス(アルキルフェニル)−(1,1’−ビフェ
ニル)−4,4’ジアミン(アルキルは、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、n−ブチル等である)、N、N
’−ジフェニル−N、N’ビス(クロロフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N
’−ジフェニル−N、N’−ビス−(3“−メチルフェ
ニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ン等がある。
適当な溶媒に可溶性の任意の適当なポリカーボネート樹
脂バインダーを本発明の方法において使用できる。一般
に、ポリカーボネート皮膜形成性バインダーは、式: (式中、Rはアルキリデン、フエニリデンまたはシクロ
アルキリデンからなる群より選ばれた2価の基であり、
nは10〜1.000の数である)で表わし得る。典型
的なR基には、例えば、イソプロピリデン、シクロへキ
シリデン、エチリデン、イソブチリデン、フェニルエチ
リデン、デカヒドロナフチリデン等がある。典型的な不
活性ポリカーボネート樹脂バインダーには、ポリ (4
,4’−イソプロピリデンジフェニルカーボネート)、
ポリ 〔1,1−シクロへキシリデンビス(4−フェニ
ル)カーボネート〕、ポリ (フェノールフタレインカ
ーボネート)、ポリ (ジフェニルメタンビス−4−フ
ェニルカーボネート)、ポリ 〔2,2−(4−メチル
ペンタン)ビス−4−フェニルカーボネート〕等がある
。分子量は約20,000〜約250,000で変化し
得る。ポリカーボネート樹脂の他の特定の例は、例えば
、米国特許筒4.637.971号に記載されており、
該米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引用す
る。
脂バインダーを本発明の方法において使用できる。一般
に、ポリカーボネート皮膜形成性バインダーは、式: (式中、Rはアルキリデン、フエニリデンまたはシクロ
アルキリデンからなる群より選ばれた2価の基であり、
nは10〜1.000の数である)で表わし得る。典型
的なR基には、例えば、イソプロピリデン、シクロへキ
シリデン、エチリデン、イソブチリデン、フェニルエチ
リデン、デカヒドロナフチリデン等がある。典型的な不
活性ポリカーボネート樹脂バインダーには、ポリ (4
,4’−イソプロピリデンジフェニルカーボネート)、
ポリ 〔1,1−シクロへキシリデンビス(4−フェニ
ル)カーボネート〕、ポリ (フェノールフタレインカ
ーボネート)、ポリ (ジフェニルメタンビス−4−フ
ェニルカーボネート)、ポリ 〔2,2−(4−メチル
ペンタン)ビス−4−フェニルカーボネート〕等がある
。分子量は約20,000〜約250,000で変化し
得る。ポリカーボネート樹脂の他の特定の例は、例えば
、米国特許筒4.637.971号に記載されており、
該米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引用す
る。
好ましい電気的に不活性な樹脂材料は約20.000〜
約250,000.好ましくは約50,000〜約10
0.000の分子量を有するポリカーボネート樹脂であ
る。電気的に不活性な樹脂材料として晟も好ましい材料
はジェネラルエレクトリンク社よリレクサン(Lexa
n) 145として入手できる分子量約35,000〜
約40,000のポリ (4,4’−ジプロピリデンー
ジフエニレンカーボネート);ジェネラルエレクトリッ
ク社よりレフサン141として入手できる分子量約40
,000〜約45,000のポリ (4,4’−イソプ
ロピリデン−ジフェニレンカーボネート);フアルペン
ファブリケンバイエル社よりマクロロン(Makrol
on)として入手できる分子量約so、ooo〜約io
o、oooを有するポリカーボネート、およびモーベイ
ケミカル社よりメルロン(Merlon)として入手で
きる分子量約20.000〜約50,000を有するポ
リカーボネート樹脂及びポリ 〔1,1−シクロへキシ
リデンビス(4−フェニル)カーボネート〕である。
約250,000.好ましくは約50,000〜約10
0.000の分子量を有するポリカーボネート樹脂であ
る。電気的に不活性な樹脂材料として晟も好ましい材料
はジェネラルエレクトリンク社よリレクサン(Lexa
n) 145として入手できる分子量約35,000〜
約40,000のポリ (4,4’−ジプロピリデンー
ジフエニレンカーボネート);ジェネラルエレクトリッ
ク社よりレフサン141として入手できる分子量約40
,000〜約45,000のポリ (4,4’−イソプ
ロピリデン−ジフェニレンカーボネート);フアルペン
ファブリケンバイエル社よりマクロロン(Makrol
on)として入手できる分子量約so、ooo〜約io
o、oooを有するポリカーボネート、およびモーベイ
ケミカル社よりメルロン(Merlon)として入手で
きる分子量約20.000〜約50,000を有するポ
リカーボネート樹脂及びポリ 〔1,1−シクロへキシ
リデンビス(4−フェニル)カーボネート〕である。
上記の電荷輸送層のすべてにおいて、電気的に不活性な
高分子材料を電気的に活性にする活性化用化合物は約1
5〜約75重量%の量で存在すべきである。活性化用化
合物は好ましくは約30〜約60重量%の量で存在する
、これは過剰の輸送物質の存在が層の機械的性能に悪影
響を及ぼすからである。
高分子材料を電気的に活性にする活性化用化合物は約1
5〜約75重量%の量で存在すべきである。活性化用化
合物は好ましくは約30〜約60重量%の量で存在する
、これは過剰の輸送物質の存在が層の機械的性能に悪影
響を及ぼすからである。
本発明の像形成部材は電荷発生体層と輸送層の間の少な
くとも界面に沿って均一に分布させたポリマーと電荷輸
送分子とを含有する界面層を含有する。この界面ポリマ
ーはある種の特定のフェノール系エポキシポリマーまた
はある種の特定のポリエステルから選択される。フェノ
ール系エポキシポリマーは、次の構造: で示され、上式中、Rは水素原子または1〜8個の炭素
原子を有するアルキル基であり、n、は1〜8の数であ
る。特定の好ましいフェノール系エポキシポリマーには
CrBAケミカルアンドダイ社より入手できるECN1
235、E CN1299およびECN1235、およ
びダウケミカル社より入手でき逼DEN438である。
くとも界面に沿って均一に分布させたポリマーと電荷輸
送分子とを含有する界面層を含有する。この界面ポリマ
ーはある種の特定のフェノール系エポキシポリマーまた
はある種の特定のポリエステルから選択される。フェノ
ール系エポキシポリマーは、次の構造: で示され、上式中、Rは水素原子または1〜8個の炭素
原子を有するアルキル基であり、n、は1〜8の数であ
る。特定の好ましいフェノール系エポキシポリマーには
CrBAケミカルアンドダイ社より入手できるECN1
235、E CN1299およびECN1235、およ
びダウケミカル社より入手でき逼DEN438である。
ポリエステルは、次の構造:
で示され、上式中、R6とR2は1〜12個の炭素原子
を有するアルキル基、4〜36個の炭素原子を有するシ
クロアルキル基、アリール基、またはアルキル基中に1
〜8個の炭素原子を有するアルキルアリール基であり、
R2は4〜1000の数である。上記ポリエステルの脂
肪族基の例にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、デシル、ペンタデシル、
エイコブシル等の約1〜約30個の炭素原子を含有する
ものがある。好ましい脂肪族基には、メチル、エチル、
プロピル、およびブチルのような約1〜約6個の炭素原
子を含有するアルキル基がある。
を有するアルキル基、4〜36個の炭素原子を有するシ
クロアルキル基、アリール基、またはアルキル基中に1
〜8個の炭素原子を有するアルキルアリール基であり、
R2は4〜1000の数である。上記ポリエステルの脂
肪族基の例にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、デシル、ペンタデシル、
エイコブシル等の約1〜約30個の炭素原子を含有する
ものがある。好ましい脂肪族基には、メチル、エチル、
プロピル、およびブチルのような約1〜約6個の炭素原
子を含有するアルキル基がある。
芳香族基の例には、フェニル、ナフチル、アンスリル等
の約6〜約25個の炭素原子を有するものがあり、フェ
ニルが好ましい。これらの脂肪族および芳香族基は、例
えば、アルキル、ハロゲン、二1・口、スルホ等を包含
する種々の公知の置換基で置換し得る。典型的なシクロ
アルキル基にはシクロヘキシル、シクロブチル、シクロ
オクチル等がある。これらの脂肪族および芳香族基は、
例えば、アルキル、ハロゲン、ニトロ、スルホ等ヲ包含
する種々の公知の置換基で置換し得る。特定の好ましい
ポリエステル樹脂にはグツドイヤータイヤアンドラバー
社より入手できるPE200およびPE100、および
E、iデュポン社より入手できる49000がある。
の約6〜約25個の炭素原子を有するものがあり、フェ
ニルが好ましい。これらの脂肪族および芳香族基は、例
えば、アルキル、ハロゲン、二1・口、スルホ等を包含
する種々の公知の置換基で置換し得る。典型的なシクロ
アルキル基にはシクロヘキシル、シクロブチル、シクロ
オクチル等がある。これらの脂肪族および芳香族基は、
例えば、アルキル、ハロゲン、ニトロ、スルホ等ヲ包含
する種々の公知の置換基で置換し得る。特定の好ましい
ポリエステル樹脂にはグツドイヤータイヤアンドラバー
社より入手できるPE200およびPE100、および
E、iデュポン社より入手できる49000がある。
任意の適当な電荷輸送分子を上記界面層で使用できる。
典型的な電荷輸送分子には、米国特許筒4.306,0
08号、第4.304,829号、第4.233.38
4号、第4,1)5.1)6号、第4.299,897
号、第4.265,990号および第4.081,27
4号に記載されているタイプのジアミン分子;米国特許
筒4,315,982号、第4.278.746号およ
び3,837,851号に記載されているようなピラゾ
リン輸送分子;米国特許筒4.150,987号に記載
されているようなベンズアルデヒドヒドラゾン;および
米国特許筒4.385.106号、第4,338.38
8号、第4.387.147号、第4.399,208
号および第4.399,207号に記載されている他の
ヒドラゾン分子があり、これら電荷輸送分子特許の記載
はすべて参考として本明細書に引用する。好ましいのは
輸送層と界面層の両方において同じ電荷輸送分子を用い
ることである。電荷輸送分子がこれらの層において異な
る場合には、接着促進界面層中の分子のイオン化電位(
I、)は輸送層中の分子のIFよりも大きくあるべきで
ある。
08号、第4.304,829号、第4.233.38
4号、第4,1)5.1)6号、第4.299,897
号、第4.265,990号および第4.081,27
4号に記載されているタイプのジアミン分子;米国特許
筒4,315,982号、第4.278.746号およ
び3,837,851号に記載されているようなピラゾ
リン輸送分子;米国特許筒4.150,987号に記載
されているようなベンズアルデヒドヒドラゾン;および
米国特許筒4.385.106号、第4,338.38
8号、第4.387.147号、第4.399,208
号および第4.399,207号に記載されている他の
ヒドラゾン分子があり、これら電荷輸送分子特許の記載
はすべて参考として本明細書に引用する。好ましいのは
輸送層と界面層の両方において同じ電荷輸送分子を用い
ることである。電荷輸送分子がこれらの層において異な
る場合には、接着促進界面層中の分子のイオン化電位(
I、)は輸送層中の分子のIFよりも大きくあるべきで
ある。
これらのフェノール系エポキシポリマーまたはポリエス
テルを分離した界面層としてでなく電荷輸送層中の一成
分として電荷発生層と電荷輸送層の界面に供給する場合
には、これらのフェノール系エポキシポリマーまたはポ
リエステルは皮膜形成性バインダー成分、電荷輸送物質
(これはまた皮膜形成性バインダー成分でもあり得る)
および輸送層をコーティングとして塗布するのに用いる
任意の溶媒と混合性でなければならない。この輸送層は
、乾燥または硬化後、上記フェノール系エポキシポリマ
ーまたはポリエステルを皮膜形成性バインダー成分中で
固溶体または分子分散体の形で含有する。固溶体は少な
くとも1つの成分が他の成分に溶解されかつ均質な固相
として存在する組成物として定義される。分子分散体は
少なくとも1つの成分の粒子が他の成分中に分散し、そ
の粒子の分散が分子規模である組成物として定義される
。電荷輸送層の皮膜形成性バインダー成分中の本発明の
フェノール系エポキシポリマーまたはポリエステルの固
溶体または分散体は輸送層の透明性を確保する必要があ
る。もしフェノール系エポキシポリマーまたはポリエス
テルが非混和性であるならば、相分離により不透明輸送
層が得られまた許容できない電荷捕捉が生ずる。フェノ
ール系エポキシポリマーまたはポリエステルは輸送層の
総重量基準で約10重量%以下で約0.5重世%以上の
低濃度で存在させて発生層と輸送層の接着性を増加させ
るべきである。
テルを分離した界面層としてでなく電荷輸送層中の一成
分として電荷発生層と電荷輸送層の界面に供給する場合
には、これらのフェノール系エポキシポリマーまたはポ
リエステルは皮膜形成性バインダー成分、電荷輸送物質
(これはまた皮膜形成性バインダー成分でもあり得る)
および輸送層をコーティングとして塗布するのに用いる
任意の溶媒と混合性でなければならない。この輸送層は
、乾燥または硬化後、上記フェノール系エポキシポリマ
ーまたはポリエステルを皮膜形成性バインダー成分中で
固溶体または分子分散体の形で含有する。固溶体は少な
くとも1つの成分が他の成分に溶解されかつ均質な固相
として存在する組成物として定義される。分子分散体は
少なくとも1つの成分の粒子が他の成分中に分散し、そ
の粒子の分散が分子規模である組成物として定義される
。電荷輸送層の皮膜形成性バインダー成分中の本発明の
フェノール系エポキシポリマーまたはポリエステルの固
溶体または分散体は輸送層の透明性を確保する必要があ
る。もしフェノール系エポキシポリマーまたはポリエス
テルが非混和性であるならば、相分離により不透明輸送
層が得られまた許容できない電荷捕捉が生ずる。フェノ
ール系エポキシポリマーまたはポリエステルは輸送層の
総重量基準で約10重量%以下で約0.5重世%以上の
低濃度で存在させて発生層と輸送層の接着性を増加させ
るべきである。
電荷輸送層中でのポリ (ヒドロキシエポキシ)バイン
ダーの使用は、例えば、米国特許筒4.439.507
号に記載されている。この化合物はポリカーボネート電
荷輸送バインダーから相分離するのに対し、本発明のフ
ェノール系エポキシ化合物はポリカーボネートと固溶体
を形成する。
ダーの使用は、例えば、米国特許筒4.439.507
号に記載されている。この化合物はポリカーボネート電
荷輸送バインダーから相分離するのに対し、本発明のフ
ェノール系エポキシ化合物はポリカーボネートと固溶体
を形成する。
ポリ (ヒドロキシエーテル)バインダーのポリカーボ
ネート電荷輸送バインダーからの相分離は輸送層中で電
荷捕捉を生じて多数回サイクル操作による残留電位の蓄
積をもたらす。これは最終コピーに許容できない背景部
のプリントアウトを生ずる。
ネート電荷輸送バインダーからの相分離は輸送層中で電
荷捕捉を生じて多数回サイクル操作による残留電位の蓄
積をもたらす。これは最終コピーに許容できない背景部
のプリントアウトを生ずる。
輸送層でのポリエステルの使用は、例えば、米国特許筒
4,439,507号、第4,515.882号および
第4.150.987号に記載されている。米国特許筒
4,150.987号においては、実施例2b−fおよ
び5a−eにおいて開示された特定のポリエステルのう
ちで、ジアミン電荷輸送分子がPE−200ポリマー(
グツドイヤータイヤアンドラバー社より入手できる)と
49000ボリマー(E、1.デュポン社より入手でき
る)において低濃度だけ溶解することが見い出されてい
る。
4,439,507号、第4,515.882号および
第4.150.987号に記載されている。米国特許筒
4,150.987号においては、実施例2b−fおよ
び5a−eにおいて開示された特定のポリエステルのう
ちで、ジアミン電荷輸送分子がPE−200ポリマー(
グツドイヤータイヤアンドラバー社より入手できる)と
49000ボリマー(E、1.デュポン社より入手でき
る)において低濃度だけ溶解することが見い出されてい
る。
にもかかわらず、これらの層は発生層と輸送層の間の薄
界面膜として使用したときは適切な電荷輸送を与えるが
厚い輸送層膜として用いたときは適切ではない。好まし
いジアミン電荷輸送分子はPE−200(グツドイヤー
)および49000(デュポン社)中でポリカーボネー
トおよびジアミン電荷輸送物質の存在下では限られた溶
解性しか有さないので、これらの物質は輸送層の総重量
基準で約10重量を越える濃度で存在するときには像露
光中に電荷の流れを妨害する。
界面膜として使用したときは適切な電荷輸送を与えるが
厚い輸送層膜として用いたときは適切ではない。好まし
いジアミン電荷輸送分子はPE−200(グツドイヤー
)および49000(デュポン社)中でポリカーボネー
トおよびジアミン電荷輸送物質の存在下では限られた溶
解性しか有さないので、これらの物質は輸送層の総重量
基準で約10重量を越える濃度で存在するときには像露
光中に電荷の流れを妨害する。
任意の適当な通常の方法を用いて界面層または電荷輸送
層コーティング混合物を混合しその後電荷発生層に塗布
し得る。典型的な塗布方法にはスプレー法、デイツプ塗
布法、ロール塗布法、ワイヤー巻きロール塗布法等があ
る。付着させたコーティングの乾燥はオーブン乾燥、赤
外線照射乾燥、空気乾燥等の任意の適当な方法によって
行い得る。
層コーティング混合物を混合しその後電荷発生層に塗布
し得る。典型的な塗布方法にはスプレー法、デイツプ塗
布法、ロール塗布法、ワイヤー巻きロール塗布法等があ
る。付着させたコーティングの乾燥はオーブン乾燥、赤
外線照射乾燥、空気乾燥等の任意の適当な方法によって
行い得る。
一般に、輸送層の厚さは約5〜約100μmであるが、
この範囲外の厚さも使用できる。
この範囲外の厚さも使用できる。
約5〜約35μmの膜厚が適切なコントラスト電位を与
えるので好ましい。本発明の電荷輸送分子と混合したフ
ェノール系エポキシポリマーまたはポリエステルを電荷
発生層と電荷輸送層との間の界面に電荷輸送層中の添加
物としてでなく分離した界面層として供給する場合には
、その界面層は好ましくは約0.0 O5〜約2.0μ
mの厚さを有する。それはこの下限が改良された接着性
を与え上限が電荷輸送上の考慮によっているからである
。
えるので好ましい。本発明の電荷輸送分子と混合したフ
ェノール系エポキシポリマーまたはポリエステルを電荷
発生層と電荷輸送層との間の界面に電荷輸送層中の添加
物としてでなく分離した界面層として供給する場合には
、その界面層は好ましくは約0.0 O5〜約2.0μ
mの厚さを有する。それはこの下限が改良された接着性
を与え上限が電荷輸送上の考慮によっているからである
。
分離した界面層で使用できる低分子輸送物質の量は好ま
しくは界面層の総重量基準で約1〜約20重量%の低分
子輸送物質量である。電荷輸送とは異なり、それより多
量の低分子輸送物質も像露光中の電荷の流れを有意に妨
害することなしに上記界面薄層には添加し得る。
しくは界面層の総重量基準で約1〜約20重量%の低分
子輸送物質量である。電荷輸送とは異なり、それより多
量の低分子輸送物質も像露光中の電荷の流れを有意に妨
害することなしに上記界面薄層には添加し得る。
電荷輸送層は、電荷輸送層上の静電荷が照射の不存在下
で電荷輸送層上での静電潜像の形成と残留を妨げるのに
十分な速さでは伝導しない程度に絶縁体であるべきであ
る。一般には、電荷輸送層対電荷発生層の厚さの比は好
ましくは約2:1〜zoo:tある場合には400 :
1程大きく維持する。
で電荷輸送層上での静電潜像の形成と残留を妨げるのに
十分な速さでは伝導しない程度に絶縁体であるべきであ
る。一般には、電荷輸送層対電荷発生層の厚さの比は好
ましくは約2:1〜zoo:tある場合には400 :
1程大きく維持する。
場合によっては、オーバーコート層も耐摩耗性を改善す
るのに使用できる。これらのオーバーコーテイング層は
電気絶縁性またはわずかに半導性である打機ポリマーま
たは無機ポリマーを含み得る。
るのに使用できる。これらのオーバーコーテイング層は
電気絶縁性またはわずかに半導性である打機ポリマーま
たは無機ポリマーを含み得る。
本発明の感光体は改良された耐はく離性を有する電子写
真像形成部材を与える。しかも、感光体の電荷注入暗減
衰を低減させることによってサイクル操作が著しく延長
する。
真像形成部材を与える。しかも、感光体の電荷注入暗減
衰を低減させることによってサイクル操作が著しく延長
する。
以下、幾つかの実施例を示すが、これらは本発明の実施
において使用できる種々の組成物と条件の例示である。
において使用できる種々の組成物と条件の例示である。
すべての部は他に断わらない限り重量による。しかし7
ながら、本発明は多くの種類の組成物により実施でき、
以上の説明によりまた以下で示唆されるように多くの異
なった用途を有することは明らかであろう。
ながら、本発明は多くの種類の組成物により実施でき、
以上の説明によりまた以下で示唆されるように多くの異
なった用途を有することは明らかであろう。
例1
厚さ3ミル(76,2μm)を有するアルミニウム蒸着
ポリエチレンテレフタレート(E、1.デュポン社より
入手できるマイラー)基体を用意し、この基体に、バー
ドアプリケーターを用いて、0.4gの3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、90gの200プルーフアル
コールおよび10gの水を含有する溶液を塗布すること
によって光導電性像形成部材を作製した。この層を室温
で5分間、次いで、強制送風炉中で135℃、10分間
乾燥させた。得られたブロッキング層は0.02μmの
乾燥厚さを有していた。
ポリエチレンテレフタレート(E、1.デュポン社より
入手できるマイラー)基体を用意し、この基体に、バー
ドアプリケーターを用いて、0.4gの3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、90gの200プルーフアル
コールおよび10gの水を含有する溶液を塗布すること
によって光導電性像形成部材を作製した。この層を室温
で5分間、次いで、強制送風炉中で135℃、10分間
乾燥させた。得られたブロッキング層は0.02μmの
乾燥厚さを有していた。
次に、接着界面層を、上記ブロッキング層に0.5ミル
(12,7μm)のン兄潤厚さを有し70;30容量比
のテトラヒドロフラン/シクロヘキサン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000、E、I。
(12,7μm)のン兄潤厚さを有し70;30容量比
のテトラヒドロフラン/シクロヘキサン混合物中に溶液
の総重量基準で0.5重量%のポリエステル接着剤(デ
ュポン49,000、E、I。
デュポン社より人手できる)を含有するコーティングを
バードアプリケーターを用いて塗布することによって形
成させた。この接着界面層を室温で1分間、次いで、強
制送風炉中で100°C,10分間乾燥させた。得られ
た接着界面層は0.05μmの乾燥厚を有していた。
バードアプリケーターを用いて塗布することによって形
成させた。この接着界面層を室温で1分間、次いで、強
制送風炉中で100°C,10分間乾燥させた。得られ
た接着界面層は0.05μmの乾燥厚を有していた。
この接着界面層をその後As、Se3の光発生層でコー
ティングした。AszSe、、は40重量%のひ素を含
有するセレン合金を1O−h)−ルの真空中で加熱する
ことによって真空蒸着させて厚さ0.15ミクロンを有
する光発生層を″形成させた。
ティングした。AszSe、、は40重量%のひ素を含
有するセレン合金を1O−h)−ルの真空中で加熱する
ことによって真空蒸着させて厚さ0.15ミクロンを有
する光発生層を″形成させた。
この光発生体層を電荷輸送層でオーバーコーテイングし
た。電荷輸送層はこはくガラスびんに重量比1:1のN
、N’−ジフェニル−N、N’ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′−ジアミンとマ
クロロンR1即ち、フアルペンサプリケンバイエル社よ
り市販されている分子量約50,000〜100,00
0を有するポリカーボネートとを導入することによって
調製した。得られた混合物を塩化メチレンに溶解して1
5重量%の固形分を含有する溶液を調製した。
た。電荷輸送層はこはくガラスびんに重量比1:1のN
、N’−ジフェニル−N、N’ビス(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ビフェニル−4,4′−ジアミンとマ
クロロンR1即ち、フアルペンサプリケンバイエル社よ
り市販されている分子量約50,000〜100,00
0を有するポリカーボネートとを導入することによって
調製した。得られた混合物を塩化メチレンに溶解して1
5重量%の固形分を含有する溶液を調製した。
この溶液をバードアプリケーターを用いて上記光発生体
層上に塗布して乾燥時に25ミクロンの厚さを有するコ
ーティングを形成させた。得られた上記すべての層を含
む感光デバイスを強制送風炉中で135℃で6分間熱処
理した。
層上に塗布して乾燥時に25ミクロンの厚さを有するコ
ーティングを形成させた。得られた上記すべての層を含
む感光デバイスを強制送風炉中で135℃で6分間熱処
理した。
上記のコーティング感光体をゼロツクススキャンニング
装置でio、ooo回サイクル操作した。
装置でio、ooo回サイクル操作した。
光誘起放電特性は10.000サイクルで安定のま−で
あることが判った。また、コーティング感光体を2c1
)径ロールの周りを100回屈曲させたとき、輸送層が
発生層からはく離した。
あることが判った。また、コーティング感光体を2c1
)径ロールの周りを100回屈曲させたとき、輸送層が
発生層からはく離した。
例2
光導電性像形成部材を例1と同じ方法および同じ物質の
割合で作製したが、実施例1で用いた輸送層溶液を固形
分の総重量基準で8重量%のフェノール系エポキシ(E
CN1299、CIBAケミカルアンドダイ社より入手
できる)を添加して変性した。この溶液を光発生体層上
にバードアプリケーターを用いて塗布して乾燥時に25
ミクロンの厚さを有するコーティングを形成させた。得
られた上記層のすべてを含有する感光体デバイスを強制
送風炉中で135℃で6分間熱処理した。
割合で作製したが、実施例1で用いた輸送層溶液を固形
分の総重量基準で8重量%のフェノール系エポキシ(E
CN1299、CIBAケミカルアンドダイ社より入手
できる)を添加して変性した。この溶液を光発生体層上
にバードアプリケーターを用いて塗布して乾燥時に25
ミクロンの厚さを有するコーティングを形成させた。得
られた上記層のすべてを含有する感光体デバイスを強制
送風炉中で135℃で6分間熱処理した。
コーティング感光体をゼロツクススキャンニング装置で
10,000回サイクル操作した。光誘起放電特性はi
o、oooサイクルにおいて安定したま\であった。コ
ーティング感光体を2cm径ロールの周りで1. OO
O回層曲させたとき、輸送層は発生体層からはく離しな
かった。実施例1と2で得られた結果の比較は本発明の
感光体の発生体と輸送層との間の接着が電子写真特性へ
の何らの影響なしに改良されていることを明白に示して
いる。
10,000回サイクル操作した。光誘起放電特性はi
o、oooサイクルにおいて安定したま\であった。コ
ーティング感光体を2cm径ロールの周りで1. OO
O回層曲させたとき、輸送層は発生体層からはく離しな
かった。実施例1と2で得られた結果の比較は本発明の
感光体の発生体と輸送層との間の接着が電子写真特性へ
の何らの影響なしに改良されていることを明白に示して
いる。
例3
光導電性像形成部材を例1と同じ方法および同じ物質割
合で作製したが、界面層を発生体層と輸送層の間にコー
ティングした。この界面層は1gのエポキシノボラック
(DEN438、ダウケミカル社より入手できる)、1
00■のN、N’ジフェニル−N、N’−ビス(3−メ
トキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4′−
ジアミンおよび99gのテトラヒドロフランを含んでい
た。この混合物をバードアプリケ−クーでコーティング
し、強制送風炉で100℃、10分間乾燥させて0.1
μmの乾燥厚を有する界面層を形成させた。
合で作製したが、界面層を発生体層と輸送層の間にコー
ティングした。この界面層は1gのエポキシノボラック
(DEN438、ダウケミカル社より入手できる)、1
00■のN、N’ジフェニル−N、N’−ビス(3−メ
トキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4′−
ジアミンおよび99gのテトラヒドロフランを含んでい
た。この混合物をバードアプリケ−クーでコーティング
し、強制送風炉で100℃、10分間乾燥させて0.1
μmの乾燥厚を有する界面層を形成させた。
このコーティングした感光体をゼロックスコピー装置で
io、ooo回サイクル操作した。光誘起放電特性は1
0,000サイクルで安定のま−であることが判った。
io、ooo回サイクル操作した。光誘起放電特性は1
0,000サイクルで安定のま−であることが判った。
また、感光体を2cm径ロールの周りで1. o o
o回層曲させたとき、輸送層は発生体層からはく離しな
かった。例1と3は発生体層と輸送層間の接着が電子写
真特性への何らの影響なしに改良されたことを明白に示
している。
o回層曲させたとき、輸送層は発生体層からはく離しな
かった。例1と3は発生体層と輸送層間の接着が電子写
真特性への何らの影響なしに改良されたことを明白に示
している。
例4
光導電性像形成部材を例2と同じ方法および同じ材料割
合で作製したが、添加剤は8重量%のポリエステル(P
E200、グツドイヤータイヤアンドラバー社より入手
できる)であった。得られたデバイスは例1のデバイス
と比較し電子写真特性の何らの劣下なしに優れた接着性
改善を示した。
合で作製したが、添加剤は8重量%のポリエステル(P
E200、グツドイヤータイヤアンドラバー社より入手
できる)であった。得られたデバイスは例1のデバイス
と比較し電子写真特性の何らの劣下なしに優れた接着性
改善を示した。
例5
光導電性像形成部材を例3と同じ方法および同じ材料割
合で作製したが、ポリエステル(49000,E、1.
デュポン社より入手できる)とエボキシノボラフクボリ
マーの代りに用いた。溶媒はテトラヒドロフランの代り
に塩化メチレンであった。ポリマーと溶媒の割合は同じ
ま\であった。得られたデバイスは例1に比較し電子写
真特性の何らの劣下なしに優れた接着性改善を示した。
合で作製したが、ポリエステル(49000,E、1.
デュポン社より入手できる)とエボキシノボラフクボリ
マーの代りに用いた。溶媒はテトラヒドロフランの代り
に塩化メチレンであった。ポリマーと溶媒の割合は同じ
ま\であった。得られたデバイスは例1に比較し電子写
真特性の何らの劣下なしに優れた接着性改善を示した。
例6
例1〜5のデバイスはすべてガンマ−アミノプロピルト
リエトキシシランの電荷ブロッキング層を含んでいた。
リエトキシシランの電荷ブロッキング層を含んでいた。
同じ感光体をブロッキング層材料としてガンマ−アミノ
プロピルトリエトキシシランの代りにポリビニルブチラ
ールを含有するものを用いて作製した。ブロッキング層
コーティング溶液は99gのエタノール/ブタノール(
70:30の比)中1gのポリビニルブチラール(B−
72、モンサンド社より入手できる)を用いて調製した
。このコーティング混合物をバードアプリケーターで塗
布し、得られたコーティングを強制送風炉で100℃、
15分間乾燥させて0.08μmの乾燥厚を有する層を
形成させた。ブロッキング層のガンマ−アミノプロピル
トリエトキシシランのポリビニルブチラールへの置換は
例1〜5の相応する感光体と同じ機能を発揮する各感光
体を与えた。
プロピルトリエトキシシランの代りにポリビニルブチラ
ールを含有するものを用いて作製した。ブロッキング層
コーティング溶液は99gのエタノール/ブタノール(
70:30の比)中1gのポリビニルブチラール(B−
72、モンサンド社より入手できる)を用いて調製した
。このコーティング混合物をバードアプリケーターで塗
布し、得られたコーティングを強制送風炉で100℃、
15分間乾燥させて0.08μmの乾燥厚を有する層を
形成させた。ブロッキング層のガンマ−アミノプロピル
トリエトキシシランのポリビニルブチラールへの置換は
例1〜5の相応する感光体と同じ機能を発揮する各感光
体を与えた。
本発明を特定の好ましい実施態様について説明して来た
けれども、本発明をこれらに限定するものではなく、む
しろ、当業者であれば、種々の変形および修正が本発明
の精神および特許請求の範囲内でなされ得ることは理解
するであろう。
けれども、本発明をこれらに限定するものではなく、む
しろ、当業者であれば、種々の変形および修正が本発明
の精神および特許請求の範囲内でなされ得ることは理解
するであろう。
Claims (6)
- (1)導電性表面を有する基体、電荷発生体層、ポリカ
ーボネート皮膜形成性バインダーと電荷輸送低分子を含
む電荷輸送層、および上記電荷発生層と上記電荷輸送層
との間の少なくとも界面に沿って均一に分布させたポリ
マーと電荷輸送低分子とを含む界面層とを含み、上記ポ
リマーが次の構造: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子または1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基より選ばれ、n_1は1〜8の数である) で示されるフェノール系エポキシポリマー、および次の
構造: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1とR_2は1〜12個の炭素原子を有す
るアルキル基、4〜36個の炭素原子を有するシクロア
ルキル基、アリール基またはアルキル基中に1〜8個の
炭素原子を有するアルキルアリール基であり、n_2は
4〜1000の数である) で示されるポリエステルからなる群から選ばれることを
特徴とする電子写真像形成部材。 - (2)電荷発生体層が真空蒸着セレン材料の層を含む請
求項(1)記載の電子写真像形成部材。 - (3)前記フェノール系エポキシポリマーと電荷輸送低
分子が電荷発生体層と電荷輸送層との間の界面の薄い中
間層中にある請求項(1)記載の電子写真像形成部材。 - (4)前記ポリエステルと電荷輸送低分子が電荷発生体
層と電荷輸送層との界面の薄い中間層中にある請求項(
1)記載の電子写真像形成部材。 - (5)ブロッキング層が基体と電荷発生体層との間に挿
入されている請求項(1)記載の電子写真像形成部材。 - (6)電荷輸送層が前記導電性表面と電荷発生体層との
間に挿入されている請求項(1)記載の電子写真像形成
部材。
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---|---|
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JP (1) | JPH02228673A (ja) |
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DE (1) | DE4000085A1 (ja) |
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GB2014748B (en) * | 1978-02-07 | 1982-06-16 | Konishiroku Photo Ind | Electrophotographic material for obtaining toner image and process for forming printing plate by using the same |
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JPS6012552A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-22 | Hitachi Ltd | 複合型電子写真用感光板 |
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JPS6097360A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
US4515882A (en) * | 1984-01-03 | 1985-05-07 | Xerox Corporation | Overcoated electrophotographic imaging system |
JPS60172045A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1989
- 1989-01-03 US US07/292,806 patent/US4933244A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-04 CA CA002004493A patent/CA2004493C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-22 GB GB8929082A patent/GB2226650B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-27 JP JP1339917A patent/JPH02228673A/ja active Pending
-
1990
- 1990-01-03 DE DE4000085A patent/DE4000085A1/de not_active Withdrawn
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Publication number | Publication date |
---|---|
GB2226650A (en) | 1990-07-04 |
GB8929082D0 (en) | 1990-02-28 |
US4933244A (en) | 1990-06-12 |
DE4000085A1 (de) | 1990-07-05 |
CA2004493C (en) | 1995-01-10 |
GB2226650B (en) | 1992-12-09 |
CA2004493A1 (en) | 1990-07-03 |
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