JPH0284661A - 光導電体及びその製造方法 - Google Patents

光導電体及びその製造方法

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JPH0284661A
JPH0284661A JP445189A JP445189A JPH0284661A JP H0284661 A JPH0284661 A JP H0284661A JP 445189 A JP445189 A JP 445189A JP 445189 A JP445189 A JP 445189A JP H0284661 A JPH0284661 A JP H0284661A
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好紀 十倉
Shinichi Suzuki
慎一 鈴木
Junko Goda
郷田 純子
Hideo Toda
秀夫 戸田
Akira Itsubo
明 伊坪
Tomoko Sasaki
智子 佐々木
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    • C09B67/00Influencing the physical, e.g. the dyeing or printing properties of dyestuffs without chemical reactions, e.g. by treating with solvents grinding or grinding assistants, coating of pigments or dyes; Process features in the making of dyestuff preparations; Dyestuff preparations of a special physical nature, e.g. tablets, films
    • C09B67/0033Blends of pigments; Mixtured crystals; Solid solutions
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機光導電体に関する。詳しくは、フタロシ
アニンの混晶を含有する可視域及び近赤外域に感度を有
する有機光導電体に関する。
〔従来の技術〕
光導電性を有する材料は、電子写真感光体材料各種セン
サー、撮像管材料として、種々検討され、また実用にも
供されている。
これ等の例として、無機材料では、非晶質セレン、非晶
質シリコン、塩化カドミウム、酸化亜鉛、セレン・砒素
合金等が知られている。また有機材料では、カルバゾー
ル、アントラセン、ピラゾリン類、オキサジアゾール類
、ヒドラゾン類などの低分子の有機材料や、フタロシア
ニン顔料、アゾ顔料、シアニン染料、多環キノン顔料、
ペリレン系顔料、インジゴ染料などの有機顔料や染料が
知られている。
一方、近年、インテリジェントコピアをはじめとする画
像処理機能を有する複写機やコンピューターのアウトプ
ット用のプリンター等の電子写真用感光体の光源として
Arレーザー、He −Neレーザー等の気体レーザー
や半導体レーザーが特に有望視されており、中でも半導
体レーザーは装置の小型化、軽量化、低コスト化が可能
であることから注目を集めている。半導体レーザーは気
体レーザーと比較して低出力であり、発振波長も長波長
域(約780nm以上)であることから、長波長域に感
度を有する光導電性化合物も一部提案されている。(特
開昭60−19144号、同60−1)1248号公報
等〉 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、従来の有機光導電体は一部実用化されているも
のの、感度、安定性、寿命等の特性において、必ずしも
満足し得るものではないのが実状である。また、半導体
レーザーの発光域である長波長域に感度のよい新規な光
導電体の出現が望まれている。
本発明は、熱、光に対し安定でかつ長波長域(近赤外域
)においても十分な°感度を有する新規な有機光導電体
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、下式で示されるフタロシアニン化合物の中心
物質の異なる混晶を有する可視及び赤外域に感度を有す
る光導電体及びその製造方法を提供するものである。
(式中、Aはフタロシアニンと共有結合又は配位結合を
なし得る物質である。) 上式において、フタロシアニンと共有結合又は配位結合
をなし得る物質Aとしては、H2、Lis Na5K%
 CIJ% Ag、 Aus Be5Mg5Ca、、B
as Zn、 Cd、 Hg。
^1−. Se−、CalYSInSTl% 5IST
1% Gas Zr 1sn、 )lf、、Pbs V
、 Nb、、 Sbs Tax Crs MO,、W%
 Mn5Tes Re、、 Fe5Cos Ni、 R
u−Rh、 pa、 Oss Irs Pt5La、 
Ce、、 PrSNdSPm5Ss、 Fus ca、
 rb、 oy、 80%Er−、Tm、、 yb、 
Lu、、Th5PaSUSNp% Am  等、周期律
表の■a族、ma族、TVa族、Va族、■族、Ib族
、nb族、mb族、IVb族、vxb族に属する元素の
単体又はこれらを含有する化合物、例えば、ハロゲン化
物、酸化物、シアン化物等の化合物である。
上記一般式で表わされるフタロシアニン化合物は公知方
法(例えば、G、T、Byrne、 R,P、 Lin
5tead。
A、R,Lowe、 J、Chem、 Soc、、19
34+ plO]、7等参照)により合成される。好ま
しくは、1)□−フタロシアニン、Cu−フタロシアニ
ン、Fe−フタロシアニン、Co−フタロシアニン、P
b−フタロシアニン、vOフタロシアニン、Ti0−フ
タロシアニン、Ticl。
−フタロシアニン、GeCβ2−フタロシアニン等が例
示される。
本発明の光導電体は、中心物質Aの異なる2種以上のフ
タロシアニン化合物の混晶を有するものである。フタロ
シアニン化合物の組合せの例としては、例えば、2種の
フタロシアニンの場合、H。
−フタロシアニンとCu−フタロシアニン、TiOフタ
ロシアニン又はVO−フタロシアニン;Cu−フタロシ
アニンとTi0−フタロシアニン又はvO−フタロシア
ニン;及びTi0−フタロシアニンとvO−フタロシア
ニン等の組合せが例示される。この場合2種のフタロシ
アニンの混合割合は任意であるが、0.1〜99.9%
、好ましくは10〜90%、さらに好ましくは25〜7
5%である。
本発明に用いられる混晶は前記一般式で表わされるフタ
ロシアニン化合物の2種以上をl Torr以下の、好
ましくはQ、 l Torr以下の、さらに好ましくは
I X 10−’Torr以下の真空中で、同時に、又
はそれぞれ別の加熱装置によりフタロシアニンの昇華温
度以上、好ましくは、450〜500℃に加熱して気化
させたものを、昇華温度以下、好ましくは300℃以下
の基板上に再凝集させることにより得られる。
ここで用いられる基板には、A l % Au等の金属
、ガラス、プラスチック等が、又、基板の形態としては
板状、ドラム状、ベルト状等がある。
フタロシアニンは通常、フタロシアニンパウダーが用い
られるが、好ましくはあらかじめ2種のフタロシアニン
を硫酸に溶解したものを水中で再沈させた分子状混合物
を用いる。
上記のような真空中で加熱昇華を行う装置として真空蒸
著装置、昇華炉等が考えられる。
上記のように加熱によりフタロシアニンの気化を行うも
のの他に、フタロシアニンに加速された粒子を衝突させ
ることにより気化を行うことも可能であり、この為には
スパッタリング装置が用いられる。
このような方法で得られるフタロシアニン混晶体のX線
回折のピークの回折角は、原料に用いた夫々のフタロシ
アニン単体のピークパターンとは異なるパターンを示す
。このことは、得られた混晶の面間隔が、原料となる夫
々のフタロシアニンの面間隔とは異なっていることを意
味しており、得られた混晶は原料に用いたフタロシアニ
ンの単なる物理的混合物とは異にするものである。この
混晶はそれだけでも光導電体として機能するが、原料と
なるフタロシアニンと共に用いることもできる。フタロ
シアニン混晶体は、通常は、そのまま基板上の薄膜とし
て光導電体に用いるが、基板から剥離してパウダー状に
したものを加圧成型したり、又はボールミルなどの手段
により微細粒子とし、これを適当な溶剤中に分散した液
又は必要に応じてこれに結合剤樹脂を溶解した分散液を
基板上に塗布し乾燥して光導電体として用いることも可
能である。
当該結合剤としては任意の樹脂を用いることができるが
特に誘電率が高い電気絶縁性のフィルム形成性高分子重
合体が好ましい。斯かる重合体としては例えば次のもの
が挙げることができる。
a) ポリカーボネート b) ポリエステル C) メタクリル樹脂 d) アクリル樹脂 e) ポリ塩化ビニル f) ポリ塩化ビニリデン g) ポリスチレン h) ポリビニルアセテート i) スチレン−ブタジェン共重合体 j) 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 k)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 り塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 +w)  シリコン樹脂 口) シリコン−アルキッド樹脂 0) フェノール−ホルムアルデヒド樹脂p) スチレ
ン−アルキッド樹脂 q) ポリ−N−ビニルカルバゾール r) ポリビニルブチラール 〔発明の効果〕 本発明の光導電材料は近赤外線センサーや半導体レーザ
ー等の長波長光源に対しても十分な感度をもつ電子写真
感光体の電荷発生物質としての応用が可能である。
〔実施例〕
次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施のB様が限定されるものではない。
〔実施例1〕 タングステンボート2個を有するペルジャー型蒸着装置
のタングステンボートそれぞれにCu−フタロシアニン
と■8−フタロシアニン各100■を入れ、ペルジャー
内を2 X 10−’Torrに排気した。
それぞれの蒸着源を、約450℃に加熱し、蒸着速度(
膜厚モニターにより測定)が200人/5hin一定と
なる様にコントロールした後にシャ・ツタ−を開き、室
温のアルミニウム基板上にCu−フタロシアニンとll
m−フタロシアニンを膜厚が2000人となるように約
1分間堆積し製膜した。
この薄膜を剥離して測定したX線回折図を図1に示した
。図1には比較として、Cu−フタロシアニンとHz−
フタロシアニンのパウダーを単にメノウで混合したもの
の回折図も示した。これより、本方法で作製した膜は2
種のフタロシアニンが分子状に混合し1つの結晶となっ
ていることがわかる。
混晶の主要ピークの回折角は6.78°であった。
〔比較例1〕 Cu−フタロシアニン単独を通常の蒸着装置を用いた他
は実施例1と同様にして製膜した。X線回折の主要ピー
クの回折角は6.82°であった。
〔比較例2〕 H!−フタロシアニン単独を用いた他は比較例1と同様
にして製膜した。
X線回折の主要ピークの回折角は6.726であった。
〔実施例2〕 実施例1と同様にTi0−フタロシアニンとCu −フ
タロシアニンを蒸着し製膜した。
〔実施例3〕 Cu−フタロシアニンと1).−フタロシアニンのそれ
ぞれ1.8mmoIlを5On+Jの硫酸中に溶解し、
不溶物を濾別した後、600mffの水で再沈させた。
得られたパウダーを大量の水、エタノールを用いて充分
に洗浄した後、真空中、70℃で乾燥することにより分
子状混合物を得た。
通常の蒸着装置を用い、この分子状混合物100■を2
 X 10−’Torrの真空中でタングステンボート
を用いて分子状混合物の昇華温度(約450℃)に加熱
、気化を行い、室温状態のアルミニウム板上に膜厚が2
000人となるように堆積し製膜した。
X線回折の主要ピークの回折角は6.74°であった。
〔実施例4〕 Cu−フタロシアニンとH!−フタロシアニンのモル数
を0.9ms+oj!と2.7nuwoAに変え実施例
3と同様の方法で製膜した。主要ピークのX線回折角は
6.7”であった。
〔実施例5〕 Cu−フタロシアニンとHX−フタロシアニンのモル数
を2.7+uao1と0.9m+++oIlに変え実施
例3と同様の方法で製膜した。X線回折の主要ピークの
回折角は6.77°であった。
〔比較例3〕 Cu−フタロシアニン、3.6m園ORを実71)3と
同様の方法で製膜した。X線回折の主要ピークの回折角
は6.68°であった。
〔比較例4〕 ■2−フタロシアニン、3.6ssoJを実施例3と同
様の方法で製膜した。X線回折の主要ピークの回折角は
6.78”であった。
これらの結果よりX線回折の混晶の主要ピークは夫々の
単体の主要ピークの回折角の中間に位置し、単体とは異
なる面間隔を有することがわかる。
〔実施例6〕 Cu−フタロシアニン、1.8mmo/とTi0−フタ
ロシアニン1.8mmoj!を実施例3と同様の方法で
製膜した。
〔実施例7〕 実施例1に於いて、Cu−フタロシアニンの代わりにT
i0−フタロシアニンを用いた他は同様な方法で製膜し
た。この薄膜を剥離して測定したX線回折図を図−2に
示した。
図−2には比較として、Ti0−フタロシアニン単独及
びH2−フタロシアニン単独を通常の蒸着装置を用いて
実施例と同様にして製膜したものの回折図も示した。
これより、本方法で作成したものは原料に用いた2種の
フタロシアニン単体のピークの他に7.56°、10.
22°、22.52”に新しいピークが出現し、2種の
フタロシアニンが分子状に混合し一つの結晶となってい
ることがわかる。
〔比較例5〕 Ti0−フタロシアニン単独を通常の蒸着装置を用いた
他は実施例1と同様にして製膜した。
X線回折の主要なピークの回折角は9.32”13、0
8°であった。
〔評価例〕
上記実施例1〜6及び比較例1〜4のアルミニウム板上
のフタロシアニンの上に、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒドジフェニルヒドラゾン200■とポリカーボネ
ート樹脂「ニーピロンE−2000J  (三菱ガス化
学社製)200■とテトラヒドロフラン2.5mj!に
溶解した溶液を塗布し乾燥時の膜厚工5μとすることに
より電子写真特性体を得た。
これらの感光体について以下の方法で電子写真特性の評
価を行った。
スタティック方式で一6kVの電圧でコロナ帯電し、暗
所に10秒間保持して初期表面電位を測定したのち、タ
ングステンランプを光源として試料面照度が20ルクス
となるように白色光を露光し、初期表面電位が1/2に
減衰するまでの時間を測定し感度El/2 (Lux 
・5ec)を求めた。
また長波長の光に対する感度の測定を以下の方法で行っ
た。
まず感光体を暗所でコロナ帯電し10秒間保持した後に
キセノンランプ光をモノクロメータ−を用いて800n
@に分光した単色光を感光体に照射した。そしてその表
面電位が1/2に減衰するまでの時間(秒)を求め露光
1!(μJ/cnl)を算出した。
これらの結果を表1に示す。
表−1 1l 10 1.4 1.2 1.2 1.9 2.1 1.1 0、9 19.6 1).2 18.5 10.3 2.5 表1より明らかなように本発明の光導電体を用いた感光
体は比較例と比べ半導体レーザーの発振波長である80
0nm付近で優れた感度を有していることが判る。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1で得られた光導電体及び比較混合物の
、第2図は実施例7で得られた光導電体及びそれに用い
た原料のX線回折パターンを示す図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下式で示されるフタロシアニン化合物の中心物質
    の異なる混晶を有する光導電体。▲数式、化学式、表等
    があります▼ (式中、Aはフタロシアニンと共有結合又は配位結合を
    なし得る物質である。)
  2. (2)下式で示される中心物質の異なるフタロシアニン
    化合物2種以上を気相状態を経て基板上に再凝集させる
    ことを特徴とする光導電体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Aはフタロシアニンと共有結合又は配位結合を
    なし得る物質である。)
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