JPH0279046A

JPH0279046A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH0279046A
Application number: JP23135988A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Suzuki; 慎一鈴木; Junko Goda; 郷田　純子; Hideo Toda; 秀夫戸田; Akira Itsubo; 明伊坪
Original assignee: Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Priority date: 1988-09-14
Filing date: 1988-09-14
Publication date: 1990-03-19
Anticipated expiration: 2013-02-04
Also published as: JP2707630B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は電子写真感光体に関し、さらに詳しくはナフタ
ロシアニン化合物を含有する感光層を設けた電子写真感
光体に関する。

（従来の技術）従来、電子写真感光体においては、セレン、カドミウム
、酸化亜鉛などの無機光導電体を主成分とする感光層を
有するものが広範に用いられてきたが、感度、耐熱性、
あるいは耐刷性等において必ずしも十分満足するもので
はなかった。

一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は製造が比較的容易であること、安価
であること、無公害性で取り扱いが容易であるなど多（
の利点を有し、特に、キャリアの発生機能と輸送機能と
を異なる物質に分担させ高性能の有機感光体を開発する
試みがなされ近年多くの注目を集めている（特開昭６０
．．６７９４９号公報等）。

さらに近年、感光体の光源としてＡｒレーザー、Ｈｅ　
−Ｎｅレーザー等の気体レーザーや、半導体レーザーが
、インテリジェントコピアをはじめとする画像処理機能
を有する複写機やコンピューターのアウトプット用のプ
リンターの光源として特に有望視されており、中でも半
導体レーザーは、装置の小型化、軽量化が可能であるこ
となどから注目を集めている。半導体レーザーは気体レ
ーザーに比較して低出力であり、発振波長も長波長（約
７８０ｎｍ以上）であるため、従来の感光体では分光感
度が短波長側により過ぎておることから、半導体レーザ
ーを光源とする感光体としての使用可能な光導電性化合
物も一部提案されている（特開昭６０−１９１４４号、
同６０−１１１２４８号公報等）。

（発明が解決しようとする課題）しかし、従来の有機光導電性化合物は、一部実用化に至
っているが感度、残留電位、繰り返し安定性等の特性に
おいて、必ずしも満足し得るものではないのが実情であ
る。

又、半導体レーザーの発光域である長波長域に感度の良
い新規な光導電体の出現が望まれている。

本発明はこれらの問題点を克服し、熱、光に対して安定
で且つ可視光・長波長域でのキャリア発生能に優れ、半
導体レーザー等の長波長光源に対しても十分な実用感度
を有する感光体を提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明は、導電性支持体上に下記一般式〔Ｉ〕で示曇れ
る非晶質ナフタロシアニン化合物を含む感光層を有する
電子写真感光体を提供するものである。

（式中、Ａは、ハロゲン、酸素、アルキル基、水酸基、
シアノ基がら選ばれた一種を１個又は２個有する３価又
は４価の原子よりなる原子団を示す、）ここでＡは、３
価又は４価の中心原子Ｍとハロゲン、酸素、アルキル基
、水酸基、又は、シアノ基ＹとによりＭ−Ｙ又はＭ−Ｙ
、で示され、Ｙはフタロンアニン分子平面外に存在する
。

上記一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物は、Ｍａｒｔｉｎ
し、　Ｋａｐｌａｎ他のモレキュラークリスタルリキッ
ドクリスタル（Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、　Ｌｉｑ、　Ｃ
ｒｙｓｔ、）、　　１１２゜３４５　（１９８４）等、
公知方法により合成される。具体的には、Ｔｉ０−ナフ
タロシアニン、　ＡｌＣｌ−ナフタロシアニ’７．　Ｉ
ｎＣ１−ナフタロシアニン。

５ｉＣ１ｚ−ナフタロシアニン、　ＴｉＣ１□−ナフタ
ロシアニン、　Ｃｕ　（ＣＮ）　ｘ−ナフタロシアニン
、　ＶＯ−ナフタロシアニン、　５ｎＣ１□−ナフタロ
シアニン。

Ｇｅ　（ＯＨ）　！−ナフタロシアニン、　５ｉＯ−ナ
フタロシアニン、　Ｓｔ　（ＯＨ）　ｚ゛−ナフタロシ
アニン、ＧａＣ１−ナフタロシアニン、　ＪｎＢｒ−ナ
フタロシアニン。

ＰｄＣｆ−ナフタロシアニン、　Ｓｎ　（ＯＨ）　ｚ−
ナフタロシアニン、　Ｓｎｕｇ−ナフタロシアニン、　
ＧｅＦｚ−ナフタロシアニン、　ＧｅＢｒｚ−ナフタロ
シアニン、ＧｅＣｆｚ−ナフタロシアニン、　Ｇｅ０−
ナフタロシアニン等が例示されるが、好ましくは、Ｔｉ
０−ナフタロシアニン、　ＡｌＩＣ１，−ナフタロシア
ニン、　Ｉｎ（ｆ！−ナフタロシアニン、ｖＯ−ナフタ
ロシアニン、ＴｉＣｊ！ｚ−ナフタロシアニン等があげ
られる。さらに好ましくは、Ｔｉ０−ナフタロシアニン
、ＡｌＣｌ−ナフタロシアニンがある。

非晶質のナフタロシアニンを含む感光層を形成させる方
法としては、前記ナフタロシアニンを気相状態を経て１
００″Ｃ以下の基板上に再凝集させる方法、一般には、
真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることにより得
られるが、気相状態を経て１００°Ｃ以下の基板上に再
凝集させる方法であれば特に限定するものではない。

上記の方法により基板上に再凝集されたナフタロシアニ
ン薄膜は非晶質状態をとっており、そのＸ線回折は、２
θ＝１０〜４０°付近に半値中３度以上の、好ましくは
７度以上のブロードなピークを有している。気相化する
際の圧力はＩ　Ｔｏｒｒ以下であり、好ましくは０．１
　Ｔｏｒｒ以下さらに好ましくは１０−’Ｔｏｒｒ以下
である。

本発明の電子写真感光体は導電性支持体上の感光層に上
記非晶質のナフタロシアニンをキャリア発生物質として
含有することを特徴としており、その物理的構成は既知
の形態のいずれによってもよい。すなわち導電性支持体
上にキャリア発生物質であるナフタロシアニン化合物を
主成分とするキャリア発生層とキャリア輸送物質を主成
分とするキャリア輸送層とを積層してもよいし、キャリ
ア発生物質をキャリア輸送物質中に分散させた感光層を
設けてもよい。これらは中間層を介して設けてもよいの
で特開昭６０−６７９４９号公報等に開示されている各
種の構成が可能である。

本発明で用いられる導電性支持体としては、金属板、金
属ドラム又は導電性ポリマー、酸化インジウ等の導電性
化合物若しくはアルミニウム、パラジウム、金等の金属
により成る導電性薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手
段により、紙、プラスチック、フィルム等の基体に設け
て成るものが用いられる。

キャリア発生層の膜厚は１０人〜１００μであり好まし
くは１００人〜１μのものが用いられる。

又、前記のように、気相から直接成膜するものの他、基
板からハタ離させ、ボールミルなどの手段により微細粒
子とし、適当な溶剤中に結合剤樹脂と共に分散させ導電
性支持体上に塗布、乾燥することにより製膜することも
可能である。；ｐ４＠。

ナフタロシアニン化合物の微細粒子は径５μ以下、好ま
しくは１μ以下の粒径の粉粒体とされるのが好ましい。

キャリア発生層の膜厚は０．０１〜２０μであり好まし
くは０．０５〜５μである。電荷発生層中のナフタロシ
アニン化合物の割合はｉｏ〜１００重量％、好・ましく
は３０〜９５重量％である。

キャリア輸送層はキャリア輸送物質を適当な媒体に溶解
して塗布し、乾燥することにより形成できる。キャリア
輸送物質としては、例えばトリニトロフルオレノン、テ
トラニトロフルオレノンなどの電子受容性物質、或いは
、例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表されるよ
うな複素環化合物を側鎖に有する重合体、トリアゾール
誘導体。

オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体。

ピラゾリン誘導体、ボリアリールアルカン誘導体。

フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体。

アミノ置換カルコン誘導体、トリアリールアミン誘導体
、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体などの正札輸
送性の電子供与性物質が挙げられるが、本発明において
用いられるキャリア輸送物質がこれらに限定されるもの
ではない。

キャリア輸送層の膜厚は１〜１００μの範囲とするが、
好ましくは５〜５０μである。

キャリア発生層若しくはキャリア輸送層の形成に結着剤
を用いる場合に、当該結着剤としては任意のものを用い
ることができるが、特に疎水性でかつ誘電率が高い電気
絶縁性のフィルム形成性高分子重合体が好ましい。斯か
る重合体としては例えば次のものが挙げることができる
が、勿論これらに限定されるものではない。

ａ）ポリカーボネートｂ）ポリエステルＣ）メタクリル樹脂ｄ）アクリル樹脂ｅ）ポリ塩化ビニルｆ）ポリ塩化ビニリデンｇ）ポリスチレンｈ）ポリビニルアセテートｉ）スチレン−ブタジェン共重合体ｊ）塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体ｋ）塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体１）塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体ｍ）シリコン樹脂ｎ）シリコン−アルキッド樹脂Ｏ）フェノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐ）スチレン−
アルキッド樹脂ｑ）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールｒ）ポリビニルブチラール（発明の効果）本発明の感光体は以上のようにナフタロシアニン化合物
の非晶Ｘ薄膜をキャリア発生物質とすることにより長波
長光に対する感度が良好となり、通常の複写機のみなら
ず半導体レーザー等の長波長光源に対しても十分良好な
感度を持つ感光体としてレーザープリンター、レーザー
ファクシミリなどの電子写真の応用分野に広く用いるこ
とができる。

（実施例）次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例ｌＴｉ０−ナフタロシアニンを２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ
の真空中でタングステンボートを用いて加熱、気化を行
った。これを室温状態のアルミニウム板上に膜厚が２０
００人となるように堆積させキャリア発生層とした。こ
のナフタロシアニンからのＸ線回折パターンを第１図に
示した。この結果より得られた膜は非晶質状態であるこ
とが分かる。さらにこの上に、Ｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒドジフェニルヒドラゾン２００ｍｇとポリカ
ーボネート摺面「ニーピロンＥ−２０００Ｊ（三菱ガス
化学社製）２００ｍｇとをテトラヒドロフラン２．５ｒ
ｍｌに溶解した溶液を塗布し乾燥時の膜厚１５μのキャ
リア輸送層を得ることにより、電子写真感光体を作製し
た。

実施例２実施例１においてキャリア発生物質であるナフタロシア
ニン化合物ＣＩ）の中心原子団を、ＴｉＯから／／！ｉ
にかえて実施例１と同様の方法により電子写真感光体を
作製した。

実施例３実施例１においてキャリア発生物質であるナフタロシア
ニン化合物（１）の中心原子団をＴｉＯからＡｊ２ＣＩ
にかえて、実施例１と同様の方法により電子写真感光体
を作製した。

フタロシアニンにかえ、実施例１と同様の方法により電
子写真感光体を作製した。

以上のように作製した電子写真感光体について次記によ
り電子写真特性の評価を行った。

スタティック方式で一６ｋＶの電圧でコロナ帯電し、暗
所に１０秒間保持して初期表面電位を測定したのち、タ
ングステンランプを光源として試料面照度が２０ルクス
となるように白色光を露光し、初期表面電位が１７２に
減衰するまでの時間を測定し感度Ｅ　１／２　（Ｌｕｘ
−ｓｅｅ）を求めた。

また長波長の光に対する感度の測定を以下の方法でおこ
なった。

まず感光体を暗所でコロナ帯電し１０秒間保持した後に
キセノンランプ光をモノクロメータ−を用いて８００ｎ
ｍに分光した単色光を感光体に照射した。そしてその表
面電位が１７２に減衰するまでの時間（秒）を求め露光
量（μＪ　／Ｃｍ”）を算出した。

これらの結果を表１に示す。

表１より明らかなように本発明の感光体は比較例と比べ
半導体レーザーの発振波長である８００ｎＩｌ付近で優
れた感度を有していることが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１で得たナフタロシアニンのＸ線回折
パターンを示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体上に下記一般式〔 I 〕で示される
非晶質ナフタロシアニン化合物を含む感光層を有する電
子写真感光体。一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（式中、Ａは、ハロゲン、酸素、アルキル基、水酸基、
シアノ基から選ばれた一種を１個又は２個有する３価又
は、４価の原子よりなる原子団を示す。）
（２）ナフタロシアニン化合物のＸ線回折ピークの最大
値が２θ＝１０〜４０度の間に存在し、その半値巾が３
度以上のブロードなピークを有するものである特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体。