JPH01231059A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01231059A JPH01231059A JP5804088A JP5804088A JPH01231059A JP H01231059 A JPH01231059 A JP H01231059A JP 5804088 A JP5804088 A JP 5804088A JP 5804088 A JP5804088 A JP 5804088A JP H01231059 A JPH01231059 A JP H01231059A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/078—Polymeric photoconductive materials comprising silicon atoms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の産業上利用分野）
本発明は電子写真感光体、さらに詳細には電荷発生層と
電荷移動層からなる二層式電子写真感光体に関するもの
である。
電荷移動層からなる二層式電子写真感光体に関するもの
である。
電子写真感光体としては、これまでアモルファスセレン
等のセレン系が主として用いられてきたが、有毒である
ことや焼却処分が困難である等の問題があり、代替材料
が開発されつつある。
等のセレン系が主として用いられてきたが、有毒である
ことや焼却処分が困難である等の問題があり、代替材料
が開発されつつある。
その解決策の一つとして有機化合物を用いることが検討
されている。特に、高感度化の点では、電荷の発生と輸
送をそれぞれ異なる材料に担わせる機能分離型が有利で
あるため、感光体基板上に、光照射により電荷を発生す
る電荷発生層（ＣＣＬ）を構成し、その上に、ＣＧＬで
発生した電荷を輸送する電荷移動層（ＣＴＬ）を設けた
二層式が主流となっている。
されている。特に、高感度化の点では、電荷の発生と輸
送をそれぞれ異なる材料に担わせる機能分離型が有利で
あるため、感光体基板上に、光照射により電荷を発生す
る電荷発生層（ＣＣＬ）を構成し、その上に、ＣＧＬで
発生した電荷を輸送する電荷移動層（ＣＴＬ）を設けた
二層式が主流となっている。
このような二層式電子写真感光体においては、感度を支
配する因子として、■ＣＧＬのキャリア生成効率、■Ｃ
ＴＬのキャリア移動度が問題となる。従来、ＣＧＬには
可視域でキャリア生成効率の高い有ａ顔料が用いられ、
ＣＴＬにはポリビニルカルバゾールを代表する可視光透
過性のよい有機光電導体が用いられてきた。しかし、こ
れまでＣＴＬに用いられてきた有機光電導体は、■の移
動度が小さいため感度的には満足のできるものではなか
った。
配する因子として、■ＣＧＬのキャリア生成効率、■Ｃ
ＴＬのキャリア移動度が問題となる。従来、ＣＧＬには
可視域でキャリア生成効率の高い有ａ顔料が用いられ、
ＣＴＬにはポリビニルカルバゾールを代表する可視光透
過性のよい有機光電導体が用いられてきた。しかし、こ
れまでＣＴＬに用いられてきた有機光電導体は、■の移
動度が小さいため感度的には満足のできるものではなか
った。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、高感
度で無公害な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
度で無公害な電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するだめの手段〕
上記問題点を解決するため、本発明による電子写真感光
体は、電荷発生層と電荷移動層からなる二層式電子写真
感光体において、電荷発生層を有機顔料のポリマ分散膜
もしくは蒸着膜で構成し、電荷移動層を、主鎖がケイ素
の連鎖よりなり、側鎖に飽和炭化水素基、または飽和炭
化水素基と不飽和炭化水素基を有する有機ポリシラン膜
で構成したことを特徴としている。
体は、電荷発生層と電荷移動層からなる二層式電子写真
感光体において、電荷発生層を有機顔料のポリマ分散膜
もしくは蒸着膜で構成し、電荷移動層を、主鎖がケイ素
の連鎖よりなり、側鎖に飽和炭化水素基、または飽和炭
化水素基と不飽和炭化水素基を有する有機ポリシラン膜
で構成したことを特徴としている。
本発明はＣＧＬとＣＴＬからなる二層式電子写真感光体
において、可視域および近赤外域でキャリア生成効率の
高い有機化合物を用いてＣＧＬを構成し、感度支配因子
である■のキャリア移動Ｈｚが従来の有機光電導体より
も３桁程度高い有機ポリシランでＣＴＬを構成すること
を最も主要な特徴とする９これにより、電子写真感度が
これまで高感度とされてきたセレン系電子写真感光体と
同程度で無公害な電子写真感光体が実現できた。
において、可視域および近赤外域でキャリア生成効率の
高い有機化合物を用いてＣＧＬを構成し、感度支配因子
である■のキャリア移動Ｈｚが従来の有機光電導体より
も３桁程度高い有機ポリシランでＣＴＬを構成すること
を最も主要な特徴とする９これにより、電子写真感度が
これまで高感度とされてきたセレン系電子写真感光体と
同程度で無公害な電子写真感光体が実現できた。
本発明をさらに詳細に説明する。
本発明による電子写真感光体は、電荷発生層（ＣＧＬ）
と電荷移動層（ＣＴＬ）よりなるものであるが、本発明
による電子写真感光体の前記電荷発生層に使用する有機
顔料のポリマ分散膜もしくは蒸着膜の材料である有機顔
料は、基本的に限定されるものではない。たとえば、フ
タロシアニン系顔料、ビスアゾ顔料、ペリレン顔料など
の一種以上であることができる。
と電荷移動層（ＣＴＬ）よりなるものであるが、本発明
による電子写真感光体の前記電荷発生層に使用する有機
顔料のポリマ分散膜もしくは蒸着膜の材料である有機顔
料は、基本的に限定されるものではない。たとえば、フ
タロシアニン系顔料、ビスアゾ顔料、ペリレン顔料など
の一種以上であることができる。
このような有機顔料を分散させるポリマも基本的に限定
されるものではなく、たとえばポリビニルブチラールな
どを使用することができる。
されるものではなく、たとえばポリビニルブチラールな
どを使用することができる。
本発明による電荷移動層の材料は、前述のように主鎖が
ケイ素の連鎖よりなり、側鎖に飽和炭化水素基、または
飽和炭化水素基と不飽和炭化水素基を有する有機ポリシ
ラン膜であるが、本発明において、このような有機ポリ
シラン膜は前述のような構造のものであれば、恭木的に
限定されるものではない。たとえば、下記に構造式を示
す有機ポリシランを使用することができる。
ケイ素の連鎖よりなり、側鎖に飽和炭化水素基、または
飽和炭化水素基と不飽和炭化水素基を有する有機ポリシ
ラン膜であるが、本発明において、このような有機ポリ
シラン膜は前述のような構造のものであれば、恭木的に
限定されるものではない。たとえば、下記に構造式を示
す有機ポリシランを使用することができる。
ただし、下記の式中、Ｍｅは金属元素を示す。
（以下余白）
（１） （Ｚ） （３）Ｍｅ
（４） （，５） （ｄ）＜”ｙ）（
８） （”？）（ｔｏ）
（ＩＤ実施例 一例として、ＣＧＬがフタロシアニン系顔料、ビスアゾ
顔料、またはペリレン顔料で構成され、ＣＴＬが上記（
１）からθｌ）の有機ポリシランで構成された電子写真
感光体について説明するが、本発明はこれらの実施例に
限定されない。
８） （”？）（ｔｏ）
（ＩＤ実施例 一例として、ＣＧＬがフタロシアニン系顔料、ビスアゾ
顔料、またはペリレン顔料で構成され、ＣＴＬが上記（
１）からθｌ）の有機ポリシランで構成された電子写真
感光体について説明するが、本発明はこれらの実施例に
限定されない。
〔実施例１）
ポリビニルブチラールにチタニルフタロシアニンを５０
−Ｌ％分散した層をアルミ栽盤上にワイヤーコーティン
グ法で塗布してＣＧＬ （膜圧：０．５μｍ）とし、そ
の上にメチルプロピルポリシラン（＋）を塗布してＣＴ
Ｌ （膜圧；１０μｍ）とした。他の有機顔料と上記構
造式（１）から川）に示す有機ポリシランの組み合わせ
で構成される電子写真感光体も同様の方法で作製した。
−Ｌ％分散した層をアルミ栽盤上にワイヤーコーティン
グ法で塗布してＣＧＬ （膜圧：０．５μｍ）とし、そ
の上にメチルプロピルポリシラン（＋）を塗布してＣＴ
Ｌ （膜圧；１０μｍ）とした。他の有機顔料と上記構
造式（１）から川）に示す有機ポリシランの組み合わせ
で構成される電子写真感光体も同様の方法で作製した。
ハロゲンランプ光を２０１ｕｘの照度で照射し、半減露
光量を測定して電子写真感度を評価した。側鎖が飽和炭
化水素基もしくは一部が不飽和炭化水素基で構成される
ポリシランの代表として、メチルプロピルポリシラン（
１）とメチルフェニルポリシラン（４）の評価結果を第
１表に示す。他の試料についてもほぼ同程度の感度であ
った。
光量を測定して電子写真感度を評価した。側鎖が飽和炭
化水素基もしくは一部が不飽和炭化水素基で構成される
ポリシランの代表として、メチルプロピルポリシラン（
１）とメチルフェニルポリシラン（４）の評価結果を第
１表に示す。他の試料についてもほぼ同程度の感度であ
った。
なお、有機顔料を分散させたポリマはポリビニルブチラ
ール以外でも同様の効果が得られた。
ール以外でも同様の効果が得られた。
〔実施例２］
チタニルフタロシアンをＩＸＩ Ｏ” ’ ｔｏｒｒの
真空下でアルミ基盤上に蒸着してＣＧＬ （膜圧：０゜
３μｍ）とし、その上にメチルプロピルポリシラン（構
造式（１））をスピンコーティング法で塗布してＣＴＬ
（膜圧：１０μｍ）とした。他の有ａ顔料と上記構造
式（１）より０１）に示す有機ポリシランの組み合わせ
で構成される電子写真感光体も同様の方法で作製した。
真空下でアルミ基盤上に蒸着してＣＧＬ （膜圧：０゜
３μｍ）とし、その上にメチルプロピルポリシラン（構
造式（１））をスピンコーティング法で塗布してＣＴＬ
（膜圧：１０μｍ）とした。他の有ａ顔料と上記構造
式（１）より０１）に示す有機ポリシランの組み合わせ
で構成される電子写真感光体も同様の方法で作製した。
実施例１と同様にして電子写真感度を評価すると、すべ
ての試料について、ポリマ分散１１りでＣＧＬを構成し
た場合に比べ、およそ２イざであった。
ての試料について、ポリマ分散１１りでＣＧＬを構成し
た場合に比べ、およそ２イざであった。
なお、第１表中、ビスアゾ顔料およびペリレン顔料とし
ては、下記の構造のものを用いた。
ては、下記の構造のものを用いた。
ビスアゾ顔料
ペリレン顔料
以上の実施例における電子写真感度は、ごれまで高感度
とされていたセレン系電子写真感光体と同等程度であり
、従来の有機系電子写真感光体よりも１桁程度高感度で
ある。
とされていたセレン系電子写真感光体と同等程度であり
、従来の有機系電子写真感光体よりも１桁程度高感度で
ある。
以上説明したように、電子写真感度がこれまでのセレン
系電子写真感光体と同等程度であり、かつ従来の有機系
電子写真感光体よりも優れており、さらに毒性が殆どな
いため、セレン系に替わる電子写真感光体として利用で
きる。
系電子写真感光体と同等程度であり、かつ従来の有機系
電子写真感光体よりも優れており、さらに毒性が殆どな
いため、セレン系に替わる電子写真感光体として利用で
きる。
Claims (1)
- （１）電荷発生層と電荷移動層からなる二層式電子写真
感光体に於いて、電荷発生層を有機顔料のポリマ分散膜
もしくは蒸着膜で構成し、電荷移動層を、主鎖がケイ素
の連鎖よりなり、側鎖に飽和炭化水素基、または飽和炭
化水素基と不飽和炭化水素基を有する有機ポリシラン膜
で構成したことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804088A JPH01231059A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804088A JPH01231059A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231059A true JPH01231059A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=13072821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5804088A Pending JPH01231059A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01231059A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007540A1 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | New polysilane compound and electrophotographic photoreceptor produced therefrom |
| WO1991005018A1 (en) * | 1989-09-27 | 1991-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Novel polysilane composition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269964A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
| JPS6329760A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
| JPS63133154A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5804088A patent/JPH01231059A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269964A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
| JPS6329760A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電子写真感光体 |
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| WO1991005018A1 (en) * | 1989-09-27 | 1991-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Novel polysilane composition |
| US5358987A (en) * | 1989-09-27 | 1994-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Polysilane compositions |
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