JPS59214034A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS59214034A JPS59214034A JP8864783A JP8864783A JPS59214034A JP S59214034 A JPS59214034 A JP S59214034A JP 8864783 A JP8864783 A JP 8864783A JP 8864783 A JP8864783 A JP 8864783A JP S59214034 A JPS59214034 A JP S59214034A
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- JP
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- phthalocyanine
- charge transfer
- vacuum
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- electrophotographic sensitive
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、中心金属としてチタニウムを含有するフタロ
シアニン化合物を電荷発生層とする長波長域で高感度を
有する積層型電子写真感光体の製造方法に関するもので
ある。
シアニン化合物を電荷発生層とする長波長域で高感度を
有する積層型電子写真感光体の製造方法に関するもので
ある。
近年半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになってきて
おり、電子写真用光源として用いられ始めている。
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになってきて
おり、電子写真用光源として用いられ始めている。
しかし、このような装置に用いられる場合光源として用
いられる半導体レーザー光の波長は比較的長波長のもの
に限定されている。短波長光を発振出来る半導体レーザ
ーを電子写真用光源として用いるのは、寿昂、出力等を
考慮すれば問題があるからである。
いられる半導体レーザー光の波長は比較的長波長のもの
に限定されている。短波長光を発振出来る半導体レーザ
ーを電子写真用光源として用いるのは、寿昂、出力等を
考慮すれば問題があるからである。
従って、−従来電子写真で用いられて来た比較的長波長
側に吸収を持つ感光体を半導体レーザー用に用いるのは
不適当であり、近赤外域に吸収を持つ感光体が必要とな
って来ている。
側に吸収を持つ感光体を半導体レーザー用に用いるのは
不適当であり、近赤外域に吸収を持つ感光体が必要とな
って来ている。
電子写真感光体としては、無機化合物としては、Ｂｅ
、 Ｔｅ 、 Ｃｄｓ及ヒｚｎＯカ知ラレうオリ、有機
化合物としてはポリビニルカルバゾール等が知られてい
る。これらの無機化合物、有機化金物とも長波長側での
感度が不十分な為、上記の近赤外域に中心波長を有する
半導体レーザー光用に用いるには問題がある。また、無
機化合物では強い毒性も欠点となっている。半導体レー
ザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点を克服する近赤
外域の光に対し高感度であり、毒性が無く且つ耐久性の
ある感光体の出現が待ち望まれていた。
、 Ｔｅ 、 Ｃｄｓ及ヒｚｎＯカ知ラレうオリ、有機
化合物としてはポリビニルカルバゾール等が知られてい
る。これらの無機化合物、有機化金物とも長波長側での
感度が不十分な為、上記の近赤外域に中心波長を有する
半導体レーザー光用に用いるには問題がある。また、無
機化合物では強い毒性も欠点となっている。半導体レー
ザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点を克服する近赤
外域の光に対し高感度であり、毒性が無く且つ耐久性の
ある感光体の出現が待ち望まれていた。
本発明は前記の現状に鑑みてなされたもので、その目的
は近赤外領域の光に対し高感度であり毒性が無く、且つ
耐久性のある新規な電子写真感光体の製造方法を提供す
ることにある。
は近赤外領域の光に対し高感度であり毒性が無く、且つ
耐久性のある新規な電子写真感光体の製造方法を提供す
ることにある。
そこで本発明者らは鋭意努力した結果、このような電子
写真感光体の製造方法を見出し本発明に至ったのである
。
写真感光体の製造方法を見出し本発明に至ったのである
。
本発明は導電性基板上に電荷発生層を形成し、その上に
電荷移動剤と結合剤とから成る電荷移動層を形成した積
層型電子写真感光体において該電荷発生層を、中心金属
としてチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を真
空蒸着して形成することを特徴とする電子写真感光体の
製造方法に関するものである。即ち、電荷発生層として
８５０℃における加熱減量率がｇ、 ｏ ｗｔ％以下好
ましくは、１．０ｗｔ％以下でありかつ、中心金属とし
てチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を真空蒸
着して形成する電子写真感光体の製造方法に関するもの
である。
電荷移動剤と結合剤とから成る電荷移動層を形成した積
層型電子写真感光体において該電荷発生層を、中心金属
としてチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を真
空蒸着して形成することを特徴とする電子写真感光体の
製造方法に関するものである。即ち、電荷発生層として
８５０℃における加熱減量率がｇ、 ｏ ｗｔ％以下好
ましくは、１．０ｗｔ％以下でありかつ、中心金属とし
てチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を真空蒸
着して形成する電子写真感光体の製造方法に関するもの
である。
フタロシアニン化合物は一般的には次のフタロジニトリ
ル法及びフィラー法（Ｗｙｌｅｒ 法）により容易に得
ることが出来る。即ち、フタロジニトリル法はフタロジ
ニトリルと金属塩化物とを加熱融解又は有機溶媒存在下
で加熱する方法であり、フィラー法は無水フタル酸を尿
素及び金属塩化物と加熱融解又は有機溶媒存在下で加熱
し、フタロシアニン化合物を得る方法である。
ル法及びフィラー法（Ｗｙｌｅｒ 法）により容易に得
ることが出来る。即ち、フタロジニトリル法はフタロジ
ニトリルと金属塩化物とを加熱融解又は有機溶媒存在下
で加熱する方法であり、フィラー法は無水フタル酸を尿
素及び金属塩化物と加熱融解又は有機溶媒存在下で加熱
し、フタロシアニン化合物を得る方法である。
加熱減量率の小さいフタロシアニン化合物を得る為には
基本的には上記の合成反応を出来るだけ高温で行えば良
い。しかし、加熱融解するバルク法に於いては高温では
生成物が反応槽の器壁に付着し、その結果、局部的加熱
が起り不均一な生成物しか得られない欠点があるが、工
業的に製造するとき器壁付着物の処理も問題となる。一
方、有機溶媒存在下で加熱する溶液法の場合、通常使用
される１−クロルナフタレンの沸点は２６３℃であるこ
とかられかるように２６０℃以上の高温で安定な有機溶
媒はほとんどない。
基本的には上記の合成反応を出来るだけ高温で行えば良
い。しかし、加熱融解するバルク法に於いては高温では
生成物が反応槽の器壁に付着し、その結果、局部的加熱
が起り不均一な生成物しか得られない欠点があるが、工
業的に製造するとき器壁付着物の処理も問題となる。一
方、有機溶媒存在下で加熱する溶液法の場合、通常使用
される１−クロルナフタレンの沸点は２６３℃であるこ
とかられかるように２６０℃以上の高温で安定な有機溶
媒はほとんどない。
このような現状に鑑み、本発明者らは、加熱減量率の小
さい中心金属としてチタニウムを含有するフタロシアニ
ン化合物を得る方法を見出し、これを電荷発生層とした
稍層型感光体を形成すれば、初期電圧が大きく且つ光減
衰の大きい高感度な感光体が得られることを見出し本発
明に至ったわけである。
さい中心金属としてチタニウムを含有するフタロシアニ
ン化合物を得る方法を見出し、これを電荷発生層とした
稍層型感光体を形成すれば、初期電圧が大きく且つ光減
衰の大きい高感度な感光体が得られることを見出し本発
明に至ったわけである。
即ち、前記の如きフタロシアニン化合物を、フタロジニ
トリル法及びフィラー法の通常の方法で合成した後、生
成した中心金属としてチタニウムを含有するフタロシア
ニン化合物を２７０℃〜５００℃好ましくは２８０℃〜
４００℃で加熱し比較的低温、例えば８００℃〜８５０
”Ｃ付近での揮発分を少なくすることにより、加熱減量
率の小さいフタロシアニン化合物を得ル方法である。加
熱に要する時間は比較的低い温度の場合長く、高い温度
の場合短くする必要がある。低い温度の場合揮発分除去
が短時間では不十分であり、高い温度の場合フタロシア
ニン化合物が分解しかえって不都合を生じるためである
。このように加熱することにより中心金属としてチタン
を含有するフタロシアニン化合物の比較的低温での揮発
物を少なくする精製は、減圧下で行っても良いし、アル
ゴン、ヘリウム、窒累等の不活性ガス下で行ってもよい
。
トリル法及びフィラー法の通常の方法で合成した後、生
成した中心金属としてチタニウムを含有するフタロシア
ニン化合物を２７０℃〜５００℃好ましくは２８０℃〜
４００℃で加熱し比較的低温、例えば８００℃〜８５０
”Ｃ付近での揮発分を少なくすることにより、加熱減量
率の小さいフタロシアニン化合物を得ル方法である。加
熱に要する時間は比較的低い温度の場合長く、高い温度
の場合短くする必要がある。低い温度の場合揮発分除去
が短時間では不十分であり、高い温度の場合フタロシア
ニン化合物が分解しかえって不都合を生じるためである
。このように加熱することにより中心金属としてチタン
を含有するフタロシアニン化合物の比較的低温での揮発
物を少なくする精製は、減圧下で行っても良いし、アル
ゴン、ヘリウム、窒累等の不活性ガス下で行ってもよい
。
以下本発明について詳述する。
本発明に於いて、中心金属としてチタニウムを含有する
フタロシアニン化合物とは、チタニウム・フタロシアニ
ン、チタニル・フタロシアニン、モノクロルチタニウム
−フタロシアニン、モノクロルヂタニル噂フタロシアニ
ン、ベンゼン環の一つをクロル化したモノクロルチタニ
ウム・フタロシアニン、モノクロルチタニル・フタロシ
アニン及びチタニウム−ジクロライド、チタニル拳ジク
ロライド等のことであり、ベンゼン環の一部が二つ以上
クロル化されていてもよいし、これら中心金属としてチ
タニウムを含有するフタロシアニン化合物がＯ−リンキ
ングで結合したダイマー、オリゴマーであっても良い。
フタロシアニン化合物とは、チタニウム・フタロシアニ
ン、チタニル・フタロシアニン、モノクロルチタニウム
−フタロシアニン、モノクロルヂタニル噂フタロシアニ
ン、ベンゼン環の一つをクロル化したモノクロルチタニ
ウム・フタロシアニン、モノクロルチタニル・フタロシ
アニン及びチタニウム−ジクロライド、チタニル拳ジク
ロライド等のことであり、ベンゼン環の一部が二つ以上
クロル化されていてもよいし、これら中心金属としてチ
タニウムを含有するフタロシアニン化合物がＯ−リンキ
ングで結合したダイマー、オリゴマーであっても良い。
フタロシアニン化合物は前記の如く、フタロジニトリル
法及びフィラー法（Ｗｙｌｅｒ法）により容易に得るこ
とが出来る。本発明で使用するチタニル・フタロシアニ
ンは、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ−ｉｓｔｒｙＶｏ
ｌ、 ４ 、 ＡＩ 、 Ｐ １１１〜１１２（１９７
５）に記載の方法、即ちチタニウム・フタロシアニンジ
クロライドをエタノール中で、トリエチルアミン存在下
でリフラックスすることにより得られる。このチタニウ
ム嗜フタロシアニンジクｐライドは、０−フタロジニト
リル及び三塩化チタニウムを窒素雰囲気下に於いて、１
−クロルナフタレン中で加熱することにより得られる。
法及びフィラー法（Ｗｙｌｅｒ法）により容易に得るこ
とが出来る。本発明で使用するチタニル・フタロシアニ
ンは、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ−ｉｓｔｒｙＶｏ
ｌ、 ４ 、 ＡＩ 、 Ｐ １１１〜１１２（１９７
５）に記載の方法、即ちチタニウム・フタロシアニンジ
クロライドをエタノール中で、トリエチルアミン存在下
でリフラックスすることにより得られる。このチタニウ
ム嗜フタロシアニンジクｐライドは、０−フタロジニト
リル及び三塩化チタニウムを窒素雰囲気下に於いて、１
−クロルナフタレン中で加熱することにより得られる。
本発明に於ける電荷発生層とは近赤外域の長波長光を照
射したとき、効率よく電荷担体を発生する機能を有する
層であり、電荷移動層とは発生した電荷担体が効率よく
搬送される機能を有する層のことである。電荷発生層及
び電荷移動層で構成される積層型感光体に於いて、良好
な光応答性を得るには、近赤外域の長波長光照射時、電
荷発生層で効率よく電荷担体が発生し且つ発生した電荷
担体が効率良く電荷移動層に注入され、搬送される必要
がある。電荷発生層には前述の如く中心金属としてチタ
ニウムを含有するフタロシアニン薄膜を用い、電荷移動
層には電荷移動剤と結合剤とを溶剤に溶かして得゛た塗
布液を塗布して形成された膜を本発明では用いる。
射したとき、効率よく電荷担体を発生する機能を有する
層であり、電荷移動層とは発生した電荷担体が効率よく
搬送される機能を有する層のことである。電荷発生層及
び電荷移動層で構成される積層型感光体に於いて、良好
な光応答性を得るには、近赤外域の長波長光照射時、電
荷発生層で効率よく電荷担体が発生し且つ発生した電荷
担体が効率良く電荷移動層に注入され、搬送される必要
がある。電荷発生層には前述の如く中心金属としてチタ
ニウムを含有するフタロシアニン薄膜を用い、電荷移動
層には電荷移動剤と結合剤とを溶剤に溶かして得゛た塗
布液を塗布して形成された膜を本発明では用いる。
電荷移動層に用いる電荷移動剤としては、ホール伝導性
のものなら良く、例えば、カルバゾール、Ｎ−エチルカ
ルバゾール、８−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラゾ
ン）メチル−９−エチルカルバゾール、トリフェニルメ
タン、フルオレン、ｌ、２−ベンゾフルオレン、２．８
−ベンゾフルオレン、２，５−ビス（４−ジエチルアミ
ノフェニル）−１，８，４−オキサジアゾール、Ｉ）−
（ジメチルアミノ）スチルベン、ピラゾリン、１−フェ
ニル−８−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン
、１−（２−ピリジル）−８−（Ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、８．８′−ビス（ｌ、５−ジフェ
ニル−２−ピラゾリン）、８．８１−ビス（１゜４．５
−トリフェニル−２−ピラゾリン）、８゜８′−ビス（
１，５−ジフェニル−４，５−ジメチル−２−ピラゾリ
ン）、カルバゾール−８−カルポアルデヒドーＮ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチルカルバゾール−８−
カルボアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ
−エチルカルバゾール−２−カルボアルデヒド−Ｎ、Ｎ
−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−メチルシン等が例示され
る。
のものなら良く、例えば、カルバゾール、Ｎ−エチルカ
ルバゾール、８−（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラゾ
ン）メチル−９−エチルカルバゾール、トリフェニルメ
タン、フルオレン、ｌ、２−ベンゾフルオレン、２．８
−ベンゾフルオレン、２，５−ビス（４−ジエチルアミ
ノフェニル）−１，８，４−オキサジアゾール、Ｉ）−
（ジメチルアミノ）スチルベン、ピラゾリン、１−フェ
ニル−８−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン
、１−（２−ピリジル）−８−（Ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、８．８′−ビス（ｌ、５−ジフェ
ニル−２−ピラゾリン）、８．８１−ビス（１゜４．５
−トリフェニル−２−ピラゾリン）、８゜８′−ビス（
１，５−ジフェニル−４，５−ジメチル−２−ピラゾリ
ン）、カルバゾール−８−カルポアルデヒドーＮ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチルカルバゾール−８−
カルボアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ
−エチルカルバゾール−２−カルボアルデヒド−Ｎ、Ｎ
−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−メチルシン等が例示され
る。
電荷移動層に用いる結合剤としては、ポリビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニルピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩化ヒニルー酢酸ビニル共重合体、スチレシー
ブタジェン共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル
、ポリアミド、メチルペンテンポリマー、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルホン、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂等がある。
ゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニルピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩化ヒニルー酢酸ビニル共重合体、スチレシー
ブタジェン共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル
、ポリアミド、メチルペンテンポリマー、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルホン、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂等がある。
以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
るものではない。
本発明に於いて８５０℃に於ける加熱減量率とは、１０
〜１５ｍ９のフタロシアニン化合物の粉末を空気中で１
０℃／ｉで昇温した際、８５０℃に於ける減量率のこと
であり、いわゆるＴＯ曲線から求められる。中心金属と
してチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を加熱
することにより初期電圧即ちコロナ帯電能（コロナ帯電
能が向上することにより鮮明な画像が得られる。）が向
上する原因は電荷移動層を形成するとき用いる溶剤に、
電荷発生層からコロナ帯電能を低下させる物質が溶は込
むこと、又は中心金属としてチタニウムを含有するフタ
ロシアニン化合物を加熱することにより得られる結晶構
造的な要因などが考えられる。また、同様の方法で高感
度な光応答性が得られるのは、トラップの原因となる比
較的低温での揮発性成分を除去出来る為と考えられる。
〜１５ｍ９のフタロシアニン化合物の粉末を空気中で１
０℃／ｉで昇温した際、８５０℃に於ける減量率のこと
であり、いわゆるＴＯ曲線から求められる。中心金属と
してチタニウムを含有するフタロシアニン化合物を加熱
することにより初期電圧即ちコロナ帯電能（コロナ帯電
能が向上することにより鮮明な画像が得られる。）が向
上する原因は電荷移動層を形成するとき用いる溶剤に、
電荷発生層からコロナ帯電能を低下させる物質が溶は込
むこと、又は中心金属としてチタニウムを含有するフタ
ロシアニン化合物を加熱することにより得られる結晶構
造的な要因などが考えられる。また、同様の方法で高感
度な光応答性が得られるのは、トラップの原因となる比
較的低温での揮発性成分を除去出来る為と考えられる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
実施例１
チタニル・フタロシアニン８．ＯｆＦをシャーレに入れ
、熱風乾燥炉で３００℃、２ＥＴＵｎ熱した。その１５
．０■を用いて示差熱分析装置（理学電機製）でＴＧ曲
線を求めると、第１図に示す曲線（実線）が得られ、８
５０℃に於ける加熱減量率は０．５優であった。該チタ
ニル・フタロシアニン粉末０．５ Ｆ！−を４×１Ｏ−
５Ｔｏｒｒ （）ル）の真空下で加熱して、水晶振動式
膜厚計（日本真空技術製ＣＲＭ型）でモニタリングしな
がら、アルミニウム基板（５０Ｘ５０Ｘ１囚）上に１１
０１ｍｍ真空蓋した。
、熱風乾燥炉で３００℃、２ＥＴＵｎ熱した。その１５
．０■を用いて示差熱分析装置（理学電機製）でＴＧ曲
線を求めると、第１図に示す曲線（実線）が得られ、８
５０℃に於ける加熱減量率は０．５優であった。該チタ
ニル・フタロシアニン粉末０．５ Ｆ！−を４×１Ｏ−
５Ｔｏｒｒ （）ル）の真空下で加熱して、水晶振動式
膜厚計（日本真空技術製ＣＲＭ型）でモニタリングしな
がら、アルミニウム基板（５０Ｘ５０Ｘ１囚）上に１１
０１ｍｍ真空蓋した。
次に、１−フェニル−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（１）−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン８１、ポリカーボネート（三菱瓦斯化学制 ニーピロ
ン２０００）を８Ｐ、ジクロルメタン／ジクロルエタン
（５０１５０）混合溶液８０１に溶解させた塗布液を用
いて、チタニル・フタロシアニンを真空蒸着したアルミ
ニウム基板上にスピンコーティングし、風乾後１００℃
で５１熱風乾燥して電荷移動層を１２μｍ厚に形成した
。
ル）−５−（１）−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン８１、ポリカーボネート（三菱瓦斯化学制 ニーピロ
ン２０００）を８Ｐ、ジクロルメタン／ジクロルエタン
（５０１５０）混合溶液８０１に溶解させた塗布液を用
いて、チタニル・フタロシアニンを真空蒸着したアルミ
ニウム基板上にスピンコーティングし、風乾後１００℃
で５１熱風乾燥して電荷移動層を１２μｍ厚に形成した
。
静電帯電試験装置（川口を機製５Ｐ４２８）を用い、上
記積層型感光体を（ｉ ＫＶのコロナ放電で負に帯電さ
せた。その後、５００Ｗキセノンランプ（ワコム製）を
外部光源としモノクロメータ−（ジョバンイボン製）で
単色光にし、外部光入力部より照射することにより、該
感光体の帯電無光時の光減衰を測定した。
記積層型感光体を（ｉ ＫＶのコロナ放電で負に帯電さ
せた。その後、５００Ｗキセノンランプ（ワコム製）を
外部光源としモノクロメータ−（ジョバンイボン製）で
単色光にし、外部光入力部より照射することにより、該
感光体の帯電無光時の光減衰を測定した。
その結果、近赤外域の８８０ ｎｍの単色光を用いた場
合、初期電圧は７００■であり半減露光量（電位残留率
か−になる時間と光強度の槓）は１．１μＪ／ｅｘ
であった。帯電露光時の光減衰を第８図に示す。
合、初期電圧は７００■であり半減露光量（電位残留率
か−になる時間と光強度の槓）は１．１μＪ／ｅｘ
であった。帯電露光時の光減衰を第８図に示す。
比較例１
加熱処理を行なわない、チタニル・フタロシアニン１５
．０１１Ｉｇを用いて、示差熱分析装置でＴＧ曲線を求
めると、加熱減量率は７．４％であり、第１図の曲線（
破線）が得られた。
．０１１Ｉｇを用いて、示差熱分析装置でＴＧ曲線を求
めると、加熱減量率は７．４％であり、第１図の曲線（
破線）が得られた。
上記化合物０．５ｙ−を４ｘ １０ Ｔｏｒｒ （ト
ル）の真空下で真空蒸着し、実施例１と同様の方法で積
層型感光体を形成した。該感光体の電荷発生層は１１０
ｎｒｎであり、電荷移動層は１８μｍであった。。
ル）の真空下で真空蒸着し、実施例１と同様の方法で積
層型感光体を形成した。該感光体の電荷発生層は１１０
ｎｒｎであり、電荷移動層は１８μｍであった。。
静電帯電試験装置を用い、上記積層型感光体を６ＫＶの
コロナ放電で負に帯電させた。
コロナ放電で負に帯電させた。
その後５００Ｗキヤノンランプを外部光源としモノクロ
メータ−で８８０ ｎｍの単色光にし、外部光入力部よ
り照射することにより、帯電露光時の光減衰曲線を・測
定したところ、第２図に示す曲線が得られた。初期電圧
は２７０■と実施例１の７００■に比較して小さかった
。
メータ−で８８０ ｎｍの単色光にし、外部光入力部よ
り照射することにより、帯電露光時の光減衰曲線を・測
定したところ、第２図に示す曲線が得られた。初期電圧
は２７０■と実施例１の７００■に比較して小さかった
。
実施例２
実施例１と同様の方法で、Ｎ２ガス中で８００℃、２．
５＆加熱処理したチタニル・フタロシアニンをアルミニ
ウム基板（５０Ｘ５０ｘ１ｍ）上に１００１ｍｍ真空蓋
した。
５＆加熱処理したチタニル・フタロシアニンをアルミニ
ウム基板（５０Ｘ５０ｘ１ｍ）上に１００１ｍｍ真空蓋
した。
次に、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−
ジフェニルヒドラソン８Ｆ！、ポリメタクリレート樹脂
（住友化学工業製）８？及びテトラヒドロフラン８０？
に溶解させた塗布液を、バーコーターを用いて上記アル
ミニウム基板上にコーティングし、風乾後１００℃で５
−熱風乾燥して電荷移動層を１５μｍ厚に形成した。
ジフェニルヒドラソン８Ｆ！、ポリメタクリレート樹脂
（住友化学工業製）８？及びテトラヒドロフラン８０？
に溶解させた塗布液を、バーコーターを用いて上記アル
ミニウム基板上にコーティングし、風乾後１００℃で５
−熱風乾燥して電荷移動層を１５μｍ厚に形成した。
静電帯電試験装置を用いて、上記積層型感光体を６ Ｋ
Ｖのコロナ放電で負に帯電させた。
Ｖのコロナ放電で負に帯電させた。
その後、５００Ｗキヤノンランプ（ワコム製ンヲ外部光
源とし、モノクロメータ−（ジコバンイボン製）で単色
光とし外部光入力部より照射して、該感光体の帯電露光
時の光減衰を測定した。
源とし、モノクロメータ−（ジコバンイボン製）で単色
光とし外部光入力部より照射して、該感光体の帯電露光
時の光減衰を測定した。
その結果、近赤外域の８８０ ｎｍの単色光を用いた場
合、初期電圧は６８０■であり、半減露光量は１，０μ
Ｊ／σ であった。
合、初期電圧は６８０■であり、半減露光量は１，０μ
Ｊ／σ であった。
第１図は本発明実施例１及び比較例１に於ける、チタニ
ル・フタロシアニンのＴＧ曲線を示す。実線が加熱処理
（８００℃、２Ｈ）：）ｌ、たものであり、破線が加熱
処理をしていない、チタニル−フタロシアニンである。 第２図は比較例１に於ける積層型感光体の帯電露光時の
光減衰曲線である。 第８図は本発明の実施例１に於ける、積層型感光体の帯
！露光時の光減衰曲線である。
ル・フタロシアニンのＴＧ曲線を示す。実線が加熱処理
（８００℃、２Ｈ）：）ｌ、たものであり、破線が加熱
処理をしていない、チタニル−フタロシアニンである。 第２図は比較例１に於ける積層型感光体の帯電露光時の
光減衰曲線である。 第８図は本発明の実施例１に於ける、積層型感光体の帯
！露光時の光減衰曲線である。
Claims (2)
- （１）導電性基板上に電荷発生層を形成し、その上に電
荷移動剤と結合剤とがら成る電荷移動層を形成した積層
型電子写真感光体において該電荷発生層として、８５０
’Ｃにおける加熱減量率がｓ、ｏｗｔ＊以下であり、か
つ中心金属としてチタニウムを含有するフタロシアニン
化合物を真空蒸着して形成することを特徴とする電子写
真感光体の製造方法。 - （２）・ 特許請求の範囲第１項に於いて、電荷発生層
をチタニル−フタロシアニン化合物で形成することを特
徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8864783A JPS59214034A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8864783A JPS59214034A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214034A true JPS59214034A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13948607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8864783A Pending JPS59214034A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214034A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217050A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | 単層型電子写真用感光体 |
| JPS61239248A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Dainippon Ink & Chem Inc | 複合型電子写真用感光体 |
| JPS6267094A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 結晶型オキシチタニウムフタロシアニンおよび電子写真用感光体 |
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| US4871633A (en) * | 1986-11-25 | 1989-10-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising azo compound having pyridine-n-oxide or pyridazine-n oxide |
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| US4945021A (en) * | 1988-02-16 | 1990-07-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising bisazo pigment |
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| US4983480A (en) * | 1987-12-29 | 1991-01-08 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising an azo compound |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP8864783A patent/JPS59214034A/ja active Pending
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