JPH0695409A - 積層画像形成部材 - Google Patents
積層画像形成部材Info
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- JPH0695409A JPH0695409A JP5155829A JP15582993A JPH0695409A JP H0695409 A JPH0695409 A JP H0695409A JP 5155829 A JP5155829 A JP 5155829A JP 15582993 A JP15582993 A JP 15582993A JP H0695409 A JPH0695409 A JP H0695409A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0525—Coating methods
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所望の結晶形のチタニルフタロシアニンを含
有する優れた感度を有する積層画像形成部材を提供す
る。 【構成】 −３０℃の温度で維持された基体上に、アモ
ルファスチタニルフタロシアニンを真空蒸着し、室温に
到達させてからメタノールのような脂肪族アルコールに
浸漬させて、乾燥し、光発生層を形成させ、これにアリ
ールアミン等を含む正孔輸送層を被覆する。
有する優れた感度を有する積層画像形成部材を提供す
る。 【構成】 −３０℃の温度で維持された基体上に、アモ
ルファスチタニルフタロシアニンを真空蒸着し、室温に
到達させてからメタノールのような脂肪族アルコールに
浸漬させて、乾燥し、光発生層を形成させ、これにアリ
ールアミン等を含む正孔輸送層を被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、概ねチタニルフタロシ
アニンのような光発生顔料とその製造方法に関し、特
に、本発明は、チタニルフタロシアニン多形(polymorph
s)又は結晶形を得る方法に向けられ、これは例えば全面
的に援用して本文の一部としている米国特許第 4,898,7
99号に参照される既知のIV型、Ｘ型及び前述のチタニル
フタロシアニン多形、特にIV型とＸ型とを含む積層画像
形成部材を包含する。実施例において本発明は、冷却さ
れた、アルミニウムのような支持基体へのチタニルフタ
ロシアニンの適用と、その後のアルコールのような溶媒
によるこの基体の処理と、によるチタニルフタロシアニ
ンの製造方法に向けられている。ある実施例において本
発明は、チタニルフタロシアニンのII型を２５℃未満、
好ましくは約−１０〜約−３０℃の間の温度にまで冷却
された基体に適用すること；この基体を室温、約２５℃
に到達させること；及びその後に、処理例えば、メタノ
ールのような１〜約１２の炭素原子を有する脂肪族アル
コールに、この基体を浸すこと、による高純度のチタニ
ルフタロシアニン、特にIV型フタロシアニンの製造方法
に向けられている。本発明の方法に関する利点は、高純
度のチタニルフタロシアニン特にIV型の供給であり、こ
の純度は、実施例において約９５〜約９９．５％の範囲
であり、この場合にチタニルフタロシアニンIV型はII型
チタニルフタロシアニンを最小量又は実質的に含まな
い；また、得られたチタニルフタロシアニンの優れた感
光度も本発明の利点であり、これは、例えば基体温度が
蒸着の間に室温以上で維持された場合に、チタニルフタ
ロシアニンを得る多くの従来技術におけるλ＝８００nm
での感度Ｅ1/2 ＝１．３〜３．２ergs/cm2と比較して、
例えばλ＝８００nmでの感度Ｅ1/2 ＝０．８〜１．０er
gs/cm2である。光発生体としての前述のIV型、特にここ
で示されるようなアリールアミンである電荷輸送及び支
持基体を有する積層画像形成部材は、優れた感光度を有
する。チタニルフタロシアニン特に既知のIV多形とＸ形
とは、既知のアリールアミン正孔輸送分子のような電荷
特に正孔輸送層を含む光反応性画像形成部材における、
有機光発生顔料として選択され得る。前述の光反応性画
像形成部材は、光発生層が正孔輸送層と基体との間に置
かれた場合には負に、又は正孔輸送層が光発生層と支持
基体との間に置かれた場合には正に帯電され得る。この
積層光導電性画像形成部材は、例えば電子写真画像形成
方法を含む多くの異なる既知の画像形成及び印刷方法、
特に負に帯電又は正に帯電している画像が適当な電荷の
トナー組成物により可視的に表現されるゼログラフィッ
ク画像形成及び印刷方法に選択され得る。一般に、この
画像形成部材は約５５０〜約８５０nmの波長域に感応し
やすく、従って、ダイオードレーザが光源として選択さ
れ得る。チタニルフタロシアニンは、ペイント及びイン
クのようなコーティングに使用される強い青光に安定な
着色剤として及び、ＩＲレーザ光学記録物質として好適
に使用される近赤外吸収顔料として、選択され得る。
アニンのような光発生顔料とその製造方法に関し、特
に、本発明は、チタニルフタロシアニン多形(polymorph
s)又は結晶形を得る方法に向けられ、これは例えば全面
的に援用して本文の一部としている米国特許第 4,898,7
99号に参照される既知のIV型、Ｘ型及び前述のチタニル
フタロシアニン多形、特にIV型とＸ型とを含む積層画像
形成部材を包含する。実施例において本発明は、冷却さ
れた、アルミニウムのような支持基体へのチタニルフタ
ロシアニンの適用と、その後のアルコールのような溶媒
によるこの基体の処理と、によるチタニルフタロシアニ
ンの製造方法に向けられている。ある実施例において本
発明は、チタニルフタロシアニンのII型を２５℃未満、
好ましくは約−１０〜約−３０℃の間の温度にまで冷却
された基体に適用すること；この基体を室温、約２５℃
に到達させること；及びその後に、処理例えば、メタノ
ールのような１〜約１２の炭素原子を有する脂肪族アル
コールに、この基体を浸すこと、による高純度のチタニ
ルフタロシアニン、特にIV型フタロシアニンの製造方法
に向けられている。本発明の方法に関する利点は、高純
度のチタニルフタロシアニン特にIV型の供給であり、こ
の純度は、実施例において約９５〜約９９．５％の範囲
であり、この場合にチタニルフタロシアニンIV型はII型
チタニルフタロシアニンを最小量又は実質的に含まな
い；また、得られたチタニルフタロシアニンの優れた感
光度も本発明の利点であり、これは、例えば基体温度が
蒸着の間に室温以上で維持された場合に、チタニルフタ
ロシアニンを得る多くの従来技術におけるλ＝８００nm
での感度Ｅ1/2 ＝１．３〜３．２ergs/cm2と比較して、
例えばλ＝８００nmでの感度Ｅ1/2 ＝０．８〜１．０er
gs/cm2である。光発生体としての前述のIV型、特にここ
で示されるようなアリールアミンである電荷輸送及び支
持基体を有する積層画像形成部材は、優れた感光度を有
する。チタニルフタロシアニン特に既知のIV多形とＸ形
とは、既知のアリールアミン正孔輸送分子のような電荷
特に正孔輸送層を含む光反応性画像形成部材における、
有機光発生顔料として選択され得る。前述の光反応性画
像形成部材は、光発生層が正孔輸送層と基体との間に置
かれた場合には負に、又は正孔輸送層が光発生層と支持
基体との間に置かれた場合には正に帯電され得る。この
積層光導電性画像形成部材は、例えば電子写真画像形成
方法を含む多くの異なる既知の画像形成及び印刷方法、
特に負に帯電又は正に帯電している画像が適当な電荷の
トナー組成物により可視的に表現されるゼログラフィッ
ク画像形成及び印刷方法に選択され得る。一般に、この
画像形成部材は約５５０〜約８５０nmの波長域に感応し
やすく、従って、ダイオードレーザが光源として選択さ
れ得る。チタニルフタロシアニンは、ペイント及びイン
クのようなコーティングに使用される強い青光に安定な
着色剤として及び、ＩＲレーザ光学記録物質として好適
に使用される近赤外吸収顔料として、選択され得る。
【０００２】
【従来の技術】近赤外線に高い感度を有するチタニルフ
タロシアニン（ＴｉＯＰｃ）ベースの受光体を得るため
に、一般には有機光導電体と共にあるとき、顔料の純度
及び化学構造を制御するだけでなく、適切な結晶修飾に
おいて顔料を製造可能にすることが必要であると考えら
れている。例えばＩ、II、 III及びIV型のようなＴｉＯ
Ｐｃの特定結晶形を製造するために用いられる開示方法
は、三菱化成の特開昭６２−２５６８６５号、同６２−
２５６８６６号及び同６２−２５６８６７号に記載され
た方法によって、合成パラメータの慎重な制御による純
Ｉ型及び純II型顔料の製造において制御することが複雑
及び困難であり、或いは、コニカの米国特許第 4,898,7
99号に参照される高温でのサンドミリングのような厳し
い処理若しくは山陽色素の特開昭６３−２０３６５号及
びミタのＥＰＯ 314,100号に参照される、金属フタロシ
アニンの分解の原因となることが知られている溶媒であ
る大量の濃硫酸へのこの顔料の溶解を包含している。
タロシアニン（ＴｉＯＰｃ）ベースの受光体を得るため
に、一般には有機光導電体と共にあるとき、顔料の純度
及び化学構造を制御するだけでなく、適切な結晶修飾に
おいて顔料を製造可能にすることが必要であると考えら
れている。例えばＩ、II、 III及びIV型のようなＴｉＯ
Ｐｃの特定結晶形を製造するために用いられる開示方法
は、三菱化成の特開昭６２−２５６８６５号、同６２−
２５６８６６号及び同６２−２５６８６７号に記載され
た方法によって、合成パラメータの慎重な制御による純
Ｉ型及び純II型顔料の製造において制御することが複雑
及び困難であり、或いは、コニカの米国特許第 4,898,7
99号に参照される高温でのサンドミリングのような厳し
い処理若しくは山陽色素の特開昭６３−２０３６５号及
びミタのＥＰＯ 314,100号に参照される、金属フタロシ
アニンの分解の原因となることが知られている溶媒であ
る大量の濃硫酸へのこの顔料の溶解を包含している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２５
℃未満好ましくは０℃未満の温度に冷却した基体上への
アモルファスチタニルフタロシアニンの蒸着による、IV
型チタニルフタロシアニンの製造方法を提供することで
ある。
℃未満好ましくは０℃未満の温度に冷却した基体上への
アモルファスチタニルフタロシアニンの蒸着による、IV
型チタニルフタロシアニンの製造方法を提供することで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、チタニ
ルフタロシアニン及びその光反応性画像形成部材の製造
方法を提供することによって、本発明の実施例において
達成された。より詳しくは、本発明の実施例において、
多形チタニルフタロシアニン、特にIV型結晶形の製造方
法が提供され、これは２５℃未満、特に約−１０〜約−
３０℃、好ましくは−３０℃の温度で維持された基体上
にアモルファルチタニルフタロシアニンを蒸着するこ
と；チタニルフタロシアニンを有する前述の基体を、室
温、即ち約２５℃に到達させること；及び、脂肪族アル
コールのような溶媒に該基体を接触することを含み、こ
れにより、不純物を最小にしたIV型チタニルフタロシア
ニンが得られる。
ルフタロシアニン及びその光反応性画像形成部材の製造
方法を提供することによって、本発明の実施例において
達成された。より詳しくは、本発明の実施例において、
多形チタニルフタロシアニン、特にIV型結晶形の製造方
法が提供され、これは２５℃未満、特に約−１０〜約−
３０℃、好ましくは−３０℃の温度で維持された基体上
にアモルファルチタニルフタロシアニンを蒸着するこ
と；チタニルフタロシアニンを有する前述の基体を、室
温、即ち約２５℃に到達させること；及び、脂肪族アル
コールのような溶媒に該基体を接触することを含み、こ
れにより、不純物を最小にしたIV型チタニルフタロシア
ニンが得られる。
【０００５】本発明の実施例において、多形チタニルフ
タロシアニン、特にIV型結晶形の製造方法が提供され、
これは、２５℃未満、特に約０〜約−３０℃、好ましく
は−１０〜−３０℃の温度に維持された基体上にアモル
ファスチタニルフタロシアニン薄フィルムを真空蒸着す
ることを含む。基体ホルダーは、冷却及び電気加熱ユニ
ットを備え、温度調節ユニットに連結している。チタニ
ルフタロシアニン粉体は、るつぼ中で電気加熱された。
真空チャンバーの圧力は約５×10-6〜約１×10 -7mbarで
ある。蒸着速度は８〜１０オングストローム／秒で調節
され、蒸着フィルムの厚みは２００〜３，０００オング
ストロームとし得る。得られたフィルムは、チタニルフ
タロシアニンを有する前述の基体が室温即ち約２５℃に
達するまで、真空でゆっくりと熱入れされた。その後、
該フィルムは真空チャンバーから取り出され、このフィ
ルムは、２５〜７０℃で１０秒〜約１０時間、例えば、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等
の脂肪族アルコール、ケトン、前述の溶媒の水混合液又
は酸の水混合液のような溶媒に浸漬された。それから、
このフィルムは水ですすがれ、周囲条件下で乾燥され
た。得られたIV型チタニルフタロシアニンフィルムは、
λmax ＝７８０〜８００nmの光学吸収スペクトル及び２
７．３°２θの角度に特徴的なブラッグピークを有する
Ｘ線粉末回折パターンを示した。−３０℃における、真
空蒸着されたＴｉＯＰｃフィルムのメタノール処理は、
最小量のII型チタニルフタロシアニン不純物を有するIV
型チタニルフタロシアニンを提供した。９０℃（２５℃
よりも高温）での基体温度によって、真空蒸着ＴｉＯＰ
ｃフィルムは、その光導電性特性に不利益に作用し得る
II型チタニルフタロシアニン不純物を含む。この光学吸
収スペクトル及びＸ線粉末回折パターンは、II型ＴｉＯ
Ｐｃが存在することを示した。
タロシアニン、特にIV型結晶形の製造方法が提供され、
これは、２５℃未満、特に約０〜約−３０℃、好ましく
は−１０〜−３０℃の温度に維持された基体上にアモル
ファスチタニルフタロシアニン薄フィルムを真空蒸着す
ることを含む。基体ホルダーは、冷却及び電気加熱ユニ
ットを備え、温度調節ユニットに連結している。チタニ
ルフタロシアニン粉体は、るつぼ中で電気加熱された。
真空チャンバーの圧力は約５×10-6〜約１×10 -7mbarで
ある。蒸着速度は８〜１０オングストローム／秒で調節
され、蒸着フィルムの厚みは２００〜３，０００オング
ストロームとし得る。得られたフィルムは、チタニルフ
タロシアニンを有する前述の基体が室温即ち約２５℃に
達するまで、真空でゆっくりと熱入れされた。その後、
該フィルムは真空チャンバーから取り出され、このフィ
ルムは、２５〜７０℃で１０秒〜約１０時間、例えば、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等
の脂肪族アルコール、ケトン、前述の溶媒の水混合液又
は酸の水混合液のような溶媒に浸漬された。それから、
このフィルムは水ですすがれ、周囲条件下で乾燥され
た。得られたIV型チタニルフタロシアニンフィルムは、
λmax ＝７８０〜８００nmの光学吸収スペクトル及び２
７．３°２θの角度に特徴的なブラッグピークを有する
Ｘ線粉末回折パターンを示した。−３０℃における、真
空蒸着されたＴｉＯＰｃフィルムのメタノール処理は、
最小量のII型チタニルフタロシアニン不純物を有するIV
型チタニルフタロシアニンを提供した。９０℃（２５℃
よりも高温）での基体温度によって、真空蒸着ＴｉＯＰ
ｃフィルムは、その光導電性特性に不利益に作用し得る
II型チタニルフタロシアニン不純物を含む。この光学吸
収スペクトル及びＸ線粉末回折パターンは、II型ＴｉＯ
Ｐｃが存在することを示した。
【０００６】実施例において、本発明の方法により得ら
れたIV型チタニルフタロシアニン光発生体、最上層とし
て高分子バインダに分散されたアリールジアミン電荷輸
送分子及び光発生層に接触している例えばアルミニウム
化したＭＹＬＡＲTMのような金属化したプラスチック基
体を有する積層画像形成部材のゼログラフィック特性
は、Ｅ1/2 ＝０．８〜１．２ergs/cm2、暗減衰＝１０〜
４０ボルト／秒並びに５ergs/cm2及び１０ergs/cm2での
放電は各々８５〜９０％及び８８〜９２％であった。
れたIV型チタニルフタロシアニン光発生体、最上層とし
て高分子バインダに分散されたアリールジアミン電荷輸
送分子及び光発生層に接触している例えばアルミニウム
化したＭＹＬＡＲTMのような金属化したプラスチック基
体を有する積層画像形成部材のゼログラフィック特性
は、Ｅ1/2 ＝０．８〜１．２ergs/cm2、暗減衰＝１０〜
４０ボルト／秒並びに５ergs/cm2及び１０ergs/cm2での
放電は各々８５〜９０％及び８８〜９２％であった。
【０００７】Ｉ型チタニルフタロシアニンは、Ｉ型チタ
ニルフタロシアニン粗原料を提供するため、クロロナフ
タレン溶媒において、チタニウムテトラアルコキシド特
にテトラブトキシドとジイミノイソインドリンとの反応
によって製造され得、これはその後、Ｘ線粉末回折によ
り決定されたＩ型の純粋形を提供するために、ジメチル
ホルムアミドのような化合物によって洗浄される。
ニルフタロシアニン粗原料を提供するため、クロロナフ
タレン溶媒において、チタニウムテトラアルコキシド特
にテトラブトキシドとジイミノイソインドリンとの反応
によって製造され得、これはその後、Ｘ線粉末回折によ
り決定されたＩ型の純粋形を提供するために、ジメチル
ホルムアミドのような化合物によって洗浄される。
【０００８】Ｉ型チタニルフタロシアニンの製造のため
に、この方法は、１−クロロナフタレン溶媒の存在下に
おいて、ＤＩ3 （１，３−ジイミノイソインドリン）と
チタニウムテトラブトキサイドとの反応を含み、それに
より、Ｉ型チタニルフタロシアニン粗原料が得られ、そ
れから例えばジメチルホルムアミドによる洗浄によっ
て、約９９．５％の純度まで精製される。
に、この方法は、１−クロロナフタレン溶媒の存在下に
おいて、ＤＩ3 （１，３−ジイミノイソインドリン）と
チタニウムテトラブトキサイドとの反応を含み、それに
より、Ｉ型チタニルフタロシアニン粗原料が得られ、そ
れから例えばジメチルホルムアミドによる洗浄によっ
て、約９９．５％の純度まで精製される。
【０００９】得られたチタニルフタロシアニンは、Jour
nal of Materials Science,17,2781(1982)に記載された
小規模トレインサブリメイション(train-sublimation)
装置を用いて更に精製され得る。この開示内容は全面的
に援用して本文の一部としている。試料をガラスチュー
ブ（長さ５０cm×２５mm）の熱せられた端部に置き、圧
力２mbarの窒素ガスを、冷却された端部に向かって試料
上を通過させた。ガラスチューブは、一端を加熱され他
端を冷却されたスチールチューブ内に置かれ、従って、
温度は１００〜５５０℃までのチューブに長さに沿った
温度勾配が形成された。昇華物は、顔料の揮発度に依存
した温度域の内部で結晶化した。実施例IIは、この一般
法を示している。この精製されたチタニルフタロシアニ
ンは、II型多形として同定され、これは更に真空蒸着に
用いられた。
nal of Materials Science,17,2781(1982)に記載された
小規模トレインサブリメイション(train-sublimation)
装置を用いて更に精製され得る。この開示内容は全面的
に援用して本文の一部としている。試料をガラスチュー
ブ（長さ５０cm×２５mm）の熱せられた端部に置き、圧
力２mbarの窒素ガスを、冷却された端部に向かって試料
上を通過させた。ガラスチューブは、一端を加熱され他
端を冷却されたスチールチューブ内に置かれ、従って、
温度は１００〜５５０℃までのチューブに長さに沿った
温度勾配が形成された。昇華物は、顔料の揮発度に依存
した温度域の内部で結晶化した。実施例IIは、この一般
法を示している。この精製されたチタニルフタロシアニ
ンは、II型多形として同定され、これは更に真空蒸着に
用いられた。
【００１０】本発明の方法によって得られた、フタロシ
アニン顔料特にIV型のものを有する多くの異なる積層光
反応性画像形成部材は、二次加工され得る。ある実施例
では、従って、この積層光反応性画像形成部材は、支持
基体、電荷輸送層特にアリールアミン正孔輸送層、及び
これらの間に置かれたIV型チタニルフタロシアニンを含
む光発生層を含む。本発明の他の実施例では、正に帯電
した積層光反応性画像形成部材に向けられ、これは、支
持基体、電荷輸送層特にアリールアミン正孔輸送層、及
び上部被覆として、本発明の方法により得られたIV型チ
タニルフタロシアニン顔料を含む。更に、本発明によれ
ば、改良された負に帯電した光反応性画像形成部材が提
供され、これは、支持基体、薄接着層、低い基体温度で
真空蒸着された薄フィルムである本発明の方法により得
られたIV型チタニルフタロシアニン光発生体、及び上部
層として高分子樹脂状バインダに分散されたアリールア
ミン正孔輸送分子を含む。
アニン顔料特にIV型のものを有する多くの異なる積層光
反応性画像形成部材は、二次加工され得る。ある実施例
では、従って、この積層光反応性画像形成部材は、支持
基体、電荷輸送層特にアリールアミン正孔輸送層、及び
これらの間に置かれたIV型チタニルフタロシアニンを含
む光発生層を含む。本発明の他の実施例では、正に帯電
した積層光反応性画像形成部材に向けられ、これは、支
持基体、電荷輸送層特にアリールアミン正孔輸送層、及
び上部被覆として、本発明の方法により得られたIV型チ
タニルフタロシアニン顔料を含む。更に、本発明によれ
ば、改良された負に帯電した光反応性画像形成部材が提
供され、これは、支持基体、薄接着層、低い基体温度で
真空蒸着された薄フィルムである本発明の方法により得
られたIV型チタニルフタロシアニン光発生体、及び上部
層として高分子樹脂状バインダに分散されたアリールア
ミン正孔輸送分子を含む。
【００１１】本発明のチタニルフタロシアニン顔料特に
IV型を有する画像形成部材は、種々の電子写真画像形成
及び印刷システム、特にゼログラフィックプロセスとし
て一般に知られているシステムにおいて有用である。特
に本発明の画像形成部材は、チタニルフタロシアニン顔
料が約６００〜約９００nmの光波長を吸収するゼログラ
フィック画像形成方法において有用である。これらの既
知の方法では、静電潜像が、まず画像形成部材形成さ
れ、現像され、その後適当な基体に画像を転写する。更
に、本発明の画像形成部材は、種々のダイオードレー
ザ、即ち、６６０〜約８３０nmの波長において典型的に
は作用するＨｅ−Ｎｅ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びガ
リウムヒ素発光ダイオードアレイを用いた電子印刷方法
に選択され得る。
IV型を有する画像形成部材は、種々の電子写真画像形成
及び印刷システム、特にゼログラフィックプロセスとし
て一般に知られているシステムにおいて有用である。特
に本発明の画像形成部材は、チタニルフタロシアニン顔
料が約６００〜約９００nmの光波長を吸収するゼログラ
フィック画像形成方法において有用である。これらの既
知の方法では、静電潜像が、まず画像形成部材形成さ
れ、現像され、その後適当な基体に画像を転写する。更
に、本発明の画像形成部材は、種々のダイオードレー
ザ、即ち、６６０〜約８３０nmの波長において典型的に
は作用するＨｅ−Ｎｅ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びガ
リウムヒ素発光ダイオードアレイを用いた電子印刷方法
に選択され得る。
【００１２】本発明の光反応性画像形成部材は、基体、
その上の接着層、本発明の方法により得られたIV型チタ
ニルフタロシアニンを含む光発生層、及びポリカーボネ
ート樹脂状バインダに分散されたＮ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニル）−１，１′−ビ
フェニル−４，４′−ジアミンのようなアリールアミン
を含む電荷キャリヤー正孔輸送層を、この順で含み得
る。また、光反応性画像形成部材は、正孔輸送層が支持
基体と光発生層との間に置かれるように選択され得る。
更にはこの光導電性画像形成部材は、支持基体、非活性
樹脂状バインダ組成物に分散されたＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニル）−１，１′−
ビフェニル−４，４′−ジアミンのようなアリールアミ
ンを含む電荷キャリヤー正孔輸送層、及びその上に、フ
タロシアニンが真空蒸着及び溶媒処理された薄フィルム
であり得る、ここで示された本発明の方法によって得ら
れたIV型チタニルフタロシアニン又は他の好適なチタニ
ルフタロシアニンを含む光発生層を、この順に含み得
る。
その上の接着層、本発明の方法により得られたIV型チタ
ニルフタロシアニンを含む光発生層、及びポリカーボネ
ート樹脂状バインダに分散されたＮ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニル）−１，１′−ビ
フェニル−４，４′−ジアミンのようなアリールアミン
を含む電荷キャリヤー正孔輸送層を、この順で含み得
る。また、光反応性画像形成部材は、正孔輸送層が支持
基体と光発生層との間に置かれるように選択され得る。
更にはこの光導電性画像形成部材は、支持基体、非活性
樹脂状バインダ組成物に分散されたＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニル）−１，１′−
ビフェニル−４，４′−ジアミンのようなアリールアミ
ンを含む電荷キャリヤー正孔輸送層、及びその上に、フ
タロシアニンが真空蒸着及び溶媒処理された薄フィルム
であり得る、ここで示された本発明の方法によって得ら
れたIV型チタニルフタロシアニン又は他の好適なチタニ
ルフタロシアニンを含む光発生層を、この順に含み得
る。
【００１３】本発明の方法及び画像形成部材に選択され
た基体層は、不透明又は実質的に透明にすることがで
き、必要な機械特性を有する如何なる好適な物質をも含
み得る。従って、基体は、例えば市販のポリマーである
ＭＹＬＡＲ（登録商標、以下省略）、チタンを含有する
ＭＹＬＡＲのような無機若しくは有機ポリマー物質を包
含する絶縁体の層、その上に配置された例えばインジウ
ム酸化スズ又はアルミニウムの半導体表面層を有する無
機若しくは有機物質の層、又はアルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、黄銅等を含めた導体を含む。
た基体層は、不透明又は実質的に透明にすることがで
き、必要な機械特性を有する如何なる好適な物質をも含
み得る。従って、基体は、例えば市販のポリマーである
ＭＹＬＡＲ（登録商標、以下省略）、チタンを含有する
ＭＹＬＡＲのような無機若しくは有機ポリマー物質を包
含する絶縁体の層、その上に配置された例えばインジウ
ム酸化スズ又はアルミニウムの半導体表面層を有する無
機若しくは有機物質の層、又はアルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、黄銅等を含めた導体を含む。
【００１４】基体層の厚みは、経済的な考慮を含む多く
のファクターに依存し、従って、この層は、例えば３０
００μｍを越える実質的な厚み又はこのシステムにおい
て逆効果を与えない最小の厚みとし得る。実施例におい
て、この層の厚みは約７５〜約３００μｍである。更に
画像形成部材に関して、光発生層は、好ましくは本発明
の方法により得られたチタニルフタロシアニン顔料を含
み、例えば真空蒸着されたこれの薄いフィルムを含有す
る。一般に、光発生層の厚みは多くのファクター依存
し、蒸着速度及び真空チャンバーの圧力が含まれる。従
って、この層は、約０．０２〜約０．３μｍの厚みとし
得る。本発明の実施例において、このデバイスにおける
他の被覆層に対して作用しない溶媒を選択することが要
求される。IV型チタニルフタロシアニン光発生層を形成
するためにＴｉＯＰｃに有用な溶媒の例は、ケトン、ア
ルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水
素、エーテル、アミン、アミド、エステル、酸、水、前
述の溶媒の混合物等である。特に、アセトン、シクロヘ
キサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノー
ル、ブタノール、アミルアルコール、ベンジルアルコー
ル、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭
素、クロロホルム、メチレンクロライド、トリクロロエ
チレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエ
ーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ブチルアセテート、エチルアセテート及びメトキシ
エチルアセテート、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリクロ
ロ酢酸、トリブロモ酢酸等が挙げられる。
のファクターに依存し、従って、この層は、例えば３０
００μｍを越える実質的な厚み又はこのシステムにおい
て逆効果を与えない最小の厚みとし得る。実施例におい
て、この層の厚みは約７５〜約３００μｍである。更に
画像形成部材に関して、光発生層は、好ましくは本発明
の方法により得られたチタニルフタロシアニン顔料を含
み、例えば真空蒸着されたこれの薄いフィルムを含有す
る。一般に、光発生層の厚みは多くのファクター依存
し、蒸着速度及び真空チャンバーの圧力が含まれる。従
って、この層は、約０．０２〜約０．３μｍの厚みとし
得る。本発明の実施例において、このデバイスにおける
他の被覆層に対して作用しない溶媒を選択することが要
求される。IV型チタニルフタロシアニン光発生層を形成
するためにＴｉＯＰｃに有用な溶媒の例は、ケトン、ア
ルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水
素、エーテル、アミン、アミド、エステル、酸、水、前
述の溶媒の混合物等である。特に、アセトン、シクロヘ
キサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノー
ル、ブタノール、アミルアルコール、ベンジルアルコー
ル、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭
素、クロロホルム、メチレンクロライド、トリクロロエ
チレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエ
ーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ブチルアセテート、エチルアセテート及びメトキシ
エチルアセテート、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリクロ
ロ酢酸、トリブロモ酢酸等が挙げられる。
【００１５】好ましくは支持基体と光発生層との間に置
かれた、接着剤としては、ポリエステル、ポリアミド、
ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコー
ル）、ポリウレタン及びポリアクリロニトリルを含む多
くの既知の物質を選択することができる。この層は、約
０．０５〜１μｍの厚みとする。任意には、この層は、
酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラ
ック等の例えば、本発明の実施例において、所望の電気
的及び光学的特性を提供する、導電性及び非導電性粒子
を含み得る。
かれた、接着剤としては、ポリエステル、ポリアミド、
ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコー
ル）、ポリウレタン及びポリアクリロニトリルを含む多
くの既知の物質を選択することができる。この層は、約
０．０５〜１μｍの厚みとする。任意には、この層は、
酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラ
ック等の例えば、本発明の実施例において、所望の電気
的及び光学的特性を提供する、導電性及び非導電性粒子
を含み得る。
【００１６】一般に、約５〜約７５μｍ、好ましくは約
１０〜約４０μｍの厚みである正孔輸送層に選択される
アリールアミンには、高絶縁及び透明有機樹脂状バイン
ダに分散された下記式（１）で表される分子が含まれ
る。
１０〜約４０μｍの厚みである正孔輸送層に選択される
アリールアミンには、高絶縁及び透明有機樹脂状バイン
ダに分散された下記式（１）で表される分子が含まれ
る。
【００１７】
【化１】
【００１８】ここで、Ｘはアルキル基又はハロゲンであ
り、特に、（オルト）ＣＨ3 、（パラ）ＣＨ3 、（オル
ト）Ｃｌ、（メタ）Ｃｌ、（パラ）Ｃｌからなる群より
選ばれた基である。特定のアリールアミンの例は、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンであ
り、ここでアルキルは、２−メチル、３−メチル及び４
−メチルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ヘキシル等からなる群より選ばれ得る。クロロ置換に関
しては、アミンは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ビス（ハロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンであり、ここでハロは、２−クロロ、３
−クロロ又は４−クロロである。
り、特に、（オルト）ＣＨ3 、（パラ）ＣＨ3 、（オル
ト）Ｃｌ、（メタ）Ｃｌ、（パラ）Ｃｌからなる群より
選ばれた基である。特定のアリールアミンの例は、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンであ
り、ここでアルキルは、２−メチル、３−メチル及び４
−メチルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ヘキシル等からなる群より選ばれ得る。クロロ置換に関
しては、アミンは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ビス（ハロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンであり、ここでハロは、２−クロロ、３
−クロロ又は４−クロロである。
【００１９】高絶縁及び透過性樹脂状物質又は輸送層と
して非活性バインダ樹脂状物質の例には、米国特許第
3,121,006号に記載されたような物質が含まれる。ここ
で示された光反応性デバイスによる画像形成及び印刷方
法も、また、本発明の範囲内に含まれる。これらの方法
は、一般に画像形成部材上の静電潜像の形成、次いで米
国特許第 4,560,635号、同第 4,298,697号及び同 4,33
8,390号に参照されるトナー組成物による画像の現像、
その後の適当な基体への画像の転写、及びそこへの画像
の永久固定を包含する。この開示内容は全面的に援用し
て本文の一部とする。このデバイスが印刷モードで使用
されるような環境において、この画像形成方法は、露光
ステップがレーザデバイス又はイメージバーによって行
われ得ることを除いて、同様のステップを含む。
して非活性バインダ樹脂状物質の例には、米国特許第
3,121,006号に記載されたような物質が含まれる。ここ
で示された光反応性デバイスによる画像形成及び印刷方
法も、また、本発明の範囲内に含まれる。これらの方法
は、一般に画像形成部材上の静電潜像の形成、次いで米
国特許第 4,560,635号、同第 4,298,697号及び同 4,33
8,390号に参照されるトナー組成物による画像の現像、
その後の適当な基体への画像の転写、及びそこへの画像
の永久固定を包含する。この開示内容は全面的に援用し
て本文の一部とする。このデバイスが印刷モードで使用
されるような環境において、この画像形成方法は、露光
ステップがレーザデバイス又はイメージバーによって行
われ得ることを除いて、同様のステップを含む。
【００２０】
〔実施例Ｉ〕Ｉ型チタニルフタロシアニンの合成 アルゴン雰囲気下で維持された、メカニカル・スター
ラ、コンデンサー及び温度計が固定された２５０mlの三
口フラスコに、１，３−ジイミノイソインドリン（１
４．５ｇ、０．１モル）、チタニルテトラブトキサイド
（８．５ｇ、０．０２５モル；アルドリッヒ市販）及び
７５mlの１−クロロナフタレンを装入した。この混合物
は、それから攪拌され加温された。１４０℃で、この混
合物はダークグリーン色になり、還流し始めた。このと
きの蒸気（これはガスクロマトグラフィによりｎ−ブタ
ノールとして同定された）を、還流温度が２００℃に達
するまで大気中へ逃がした。この反応は２時間この温度
で維持され、熱源を除去することによって１５０℃まで
冷却された。生成物は、沸騰ＤＭＦ（ジメチルホルムア
ミド）により予め約１５０℃に加熱された１５０mlのＭ
−焼結ガラス漏斗を通してろ過され、それから１００ml
の沸騰ＤＭＦで３回、次いで室温において１００mlのＤ
ＭＦで３回、及びそれから５０mlのメタノールで３回、
十分に洗浄され、このようにして、１０．３ｇ（７２％
収率）の光沢のある紫の顔料が得られ、これは、ＸＲＰ
ＤによりＩ型ＴｉＯＰｃであると同定された。
ラ、コンデンサー及び温度計が固定された２５０mlの三
口フラスコに、１，３−ジイミノイソインドリン（１
４．５ｇ、０．１モル）、チタニルテトラブトキサイド
（８．５ｇ、０．０２５モル；アルドリッヒ市販）及び
７５mlの１−クロロナフタレンを装入した。この混合物
は、それから攪拌され加温された。１４０℃で、この混
合物はダークグリーン色になり、還流し始めた。このと
きの蒸気（これはガスクロマトグラフィによりｎ−ブタ
ノールとして同定された）を、還流温度が２００℃に達
するまで大気中へ逃がした。この反応は２時間この温度
で維持され、熱源を除去することによって１５０℃まで
冷却された。生成物は、沸騰ＤＭＦ（ジメチルホルムア
ミド）により予め約１５０℃に加熱された１５０mlのＭ
−焼結ガラス漏斗を通してろ過され、それから１００ml
の沸騰ＤＭＦで３回、次いで室温において１００mlのＤ
ＭＦで３回、及びそれから５０mlのメタノールで３回、
十分に洗浄され、このようにして、１０．３ｇ（７２％
収率）の光沢のある紫の顔料が得られ、これは、ＸＲＰ
ＤによりＩ型ＴｉＯＰｃであると同定された。
【００２１】アルゴン雰囲気下で維持された、メカニカ
ル・スターラ、クライゼン・ヘッド・コンデンサー及び
温度計が固定された１リットルの三口フラスコに、ジイ
ミノイソインドリン（９４．３ｇ、０．６５モル）、チ
タニウムテトラブトキサイド（５５．３ｇ、０．１６２
５モル；アルドリッヒ市販）及び６５０mlの１−クロロ
ナフタレンが装入された。この混合物は、攪拌され加温
された。約１４０℃で、この混合物はダークグリーン色
になり、還流し始めた。このとき、クライゼン・ヘッド
・ストップコックを開き、蒸気（これはガスクロマトグ
ラフィによりｎ−ブタノールとして同定された）が、還
流温度が２００℃に達するまで液滴法で逃がした。この
反応は、２時間、大体この温度に維持され、それから熱
源を除去することによって１５０℃まで冷却された。１
リットルの焼結ガラス漏斗を用いてろ過され、沸騰ＤＭ
Ｆ１リットルにより３回、室温即ち約２５℃のＤＭＦ１
リットルにより３回、それからメタノール１リットルに
より３回洗浄され、６９．７ｇ（７４％収率）のブルー
の顔料が提供され、これは、ＸＲＰＤによりＩ型ＴｉＯ
Ｐｃであると同定された。
ル・スターラ、クライゼン・ヘッド・コンデンサー及び
温度計が固定された１リットルの三口フラスコに、ジイ
ミノイソインドリン（９４．３ｇ、０．６５モル）、チ
タニウムテトラブトキサイド（５５．３ｇ、０．１６２
５モル；アルドリッヒ市販）及び６５０mlの１−クロロ
ナフタレンが装入された。この混合物は、攪拌され加温
された。約１４０℃で、この混合物はダークグリーン色
になり、還流し始めた。このとき、クライゼン・ヘッド
・ストップコックを開き、蒸気（これはガスクロマトグ
ラフィによりｎ−ブタノールとして同定された）が、還
流温度が２００℃に達するまで液滴法で逃がした。この
反応は、２時間、大体この温度に維持され、それから熱
源を除去することによって１５０℃まで冷却された。１
リットルの焼結ガラス漏斗を用いてろ過され、沸騰ＤＭ
Ｆ１リットルにより３回、室温即ち約２５℃のＤＭＦ１
リットルにより３回、それからメタノール１リットルに
より３回洗浄され、６９．７ｇ（７４％収率）のブルー
の顔料が提供され、これは、ＸＲＰＤによりＩ型ＴｉＯ
Ｐｃであると同定された。
【００２２】上記の得られたＩ型生成物の成分解析は、
Ｃ：６７．３８、Ｈ：２．７８、Ｎ：１９．１０、灰
分：１３．６１であった。ＴｉＯＰｃは、Ｃ：６６．６
７、Ｈ：２．８０、Ｎ：１９．４４、灰分：１３．６１
を必要としている。トレイン・サブリメイションによる顔料の精製 チタニルフタロシアニンは、Journal of Materials Sci
ence,17,2781(1982)に記載された小規模トレイン・サブ
リメイション装置を用いて精製された。この開示内容は
援用して全面的に本文の一部としている。試料は、ガラ
スチューブ（長さ５０cm×２５mm）の熱せられた端部に
置かれ、２mbarの窒素ガスを冷却端部に向かって、試料
上を通過させた。このガラスチューブは、一端を加熱し
他端を冷却したスチールチューブに入れ、従って、１０
０〜５５０℃までの温度勾配が、チューブの長さに沿っ
て形成された。この昇華物は、顔料の揮発度にまず依存
した温度域内で結晶化した。実施例IIには、この一般法
が示されている。
Ｃ：６７．３８、Ｈ：２．７８、Ｎ：１９．１０、灰
分：１３．６１であった。ＴｉＯＰｃは、Ｃ：６６．６
７、Ｈ：２．８０、Ｎ：１９．４４、灰分：１３．６１
を必要としている。トレイン・サブリメイションによる顔料の精製 チタニルフタロシアニンは、Journal of Materials Sci
ence,17,2781(1982)に記載された小規模トレイン・サブ
リメイション装置を用いて精製された。この開示内容は
援用して全面的に本文の一部としている。試料は、ガラ
スチューブ（長さ５０cm×２５mm）の熱せられた端部に
置かれ、２mbarの窒素ガスを冷却端部に向かって、試料
上を通過させた。このガラスチューブは、一端を加熱し
他端を冷却したスチールチューブに入れ、従って、１０
０〜５５０℃までの温度勾配が、チューブの長さに沿っ
て形成された。この昇華物は、顔料の揮発度にまず依存
した温度域内で結晶化した。実施例IIには、この一般法
が示されている。
【００２３】〔実施例II〕チタニルフタロシアニンのトレイン・サブリメイション ５３５℃のホットゾーン温度を用いた２mbarでの実施例
Ｉのチタニルフタロシアニンの２．０ｇ試料の昇華は、
光沢のある紫の結晶として、１．４ｇの精製された昇華
物質をもたらした。この物質は、３７５℃と２７５℃と
の間の温度で凝集した。この精製チタニルフタロシアニ
ンはＮＭＲによりII型の多形であると同定され、次いで
真空蒸着に用いられた。生成物のスペクトル解析は、検
出可能な不純物を示さなかった。
Ｉのチタニルフタロシアニンの２．０ｇ試料の昇華は、
光沢のある紫の結晶として、１．４ｇの精製された昇華
物質をもたらした。この物質は、３７５℃と２７５℃と
の間の温度で凝集した。この精製チタニルフタロシアニ
ンはＮＭＲによりII型の多形であると同定され、次いで
真空蒸着に用いられた。生成物のスペクトル解析は、検
出可能な不純物を示さなかった。
【００２４】〔実施例 III〕ＴｉＯＰｃの真空蒸着 光反応性画像形成部材は、厚み０．１μｍのシラン層
（γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン）をその
上に有する７５μｍのチタン化ＭＹＬＡＲTM基体と、そ
の上の厚み０．１μｍのポリエステル接着層との、個々
の部材を各々提供すること、及びバキューム・ジェネレ
ータ（ＶＧ）ＵＨＶシステムにおいてチタニルフタロシ
アニン顔料の光発生層とをその上に蒸着することによっ
て製造された。この光発生層は最終的に０．１５μｍの
厚みを有した。より具体的には、実施例Ｉ又はIIに記載
されたように製造された０．２５ｇのＩ型又はII型のＴ
ｉＯＰｃは、真空蒸着に用いられる石英るつぼ中に置か
れた。個々の光発生成分は、電気加熱石英るつぼから蒸
発され、真空コーターは１×10-6mbarの圧力で排気され
た。光発生層は、接着層上に、６〜１０オングストロー
ム／秒の速度で蒸着された。この液体窒素冷却され及び
電気加熱温度コントロールされる、試料ホルダーは、こ
のシステムに組み込まれた。許容される熱的接触は、真
空グリースによって、ホルダーとガラススライド又はＭ
ＹＬＡＲとの間に維持される。温度範囲は、−１５０〜
２４０℃の間で制御され得る。
（γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン）をその
上に有する７５μｍのチタン化ＭＹＬＡＲTM基体と、そ
の上の厚み０．１μｍのポリエステル接着層との、個々
の部材を各々提供すること、及びバキューム・ジェネレ
ータ（ＶＧ）ＵＨＶシステムにおいてチタニルフタロシ
アニン顔料の光発生層とをその上に蒸着することによっ
て製造された。この光発生層は最終的に０．１５μｍの
厚みを有した。より具体的には、実施例Ｉ又はIIに記載
されたように製造された０．２５ｇのＩ型又はII型のＴ
ｉＯＰｃは、真空蒸着に用いられる石英るつぼ中に置か
れた。個々の光発生成分は、電気加熱石英るつぼから蒸
発され、真空コーターは１×10-6mbarの圧力で排気され
た。光発生層は、接着層上に、６〜１０オングストロー
ム／秒の速度で蒸着された。この液体窒素冷却され及び
電気加熱温度コントロールされる、試料ホルダーは、こ
のシステムに組み込まれた。許容される熱的接触は、真
空グリースによって、ホルダーとガラススライド又はＭ
ＹＬＡＲとの間に維持される。温度範囲は、−１５０〜
２４０℃の間で制御され得る。
【００２５】〔実施例IV〕実施例IIに記載されたように
製造された０．２５ｇのＴｉＯＰｃは、実施例 IIIに従
って、−３０℃の基体温度で、既述のチタン金属化ＭＹ
ＬＡＲ基体上への真空蒸着に用いられた。このフィルム
は、それから６０分間にわたり室温（２５℃）で、メタ
ノールに浸漬された。周囲条件における乾燥後、アミン
電荷輸送層が、それから上述の光発生層上に被覆され
た。正孔輸送層溶液は、５．４ｇのＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，１′
−ビフェニル−４，４′−ジアミンと、８．１ｇのポリ
カーボネートとを、５７．６ｇのクロロベンゼンに溶解
することによって製造された。この溶液は、１０ミルの
フィルムアプリケータを用いてＴｉＯＰｃ発生層上に被
覆された。従って得られた電荷輸送層は、約２７μｍの
最終的な厚みを得るために、６０分間１１５℃で乾燥さ
れた。
製造された０．２５ｇのＴｉＯＰｃは、実施例 IIIに従
って、−３０℃の基体温度で、既述のチタン金属化ＭＹ
ＬＡＲ基体上への真空蒸着に用いられた。このフィルム
は、それから６０分間にわたり室温（２５℃）で、メタ
ノールに浸漬された。周囲条件における乾燥後、アミン
電荷輸送層が、それから上述の光発生層上に被覆され
た。正孔輸送層溶液は、５．４ｇのＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，１′
−ビフェニル−４，４′−ジアミンと、８．１ｇのポリ
カーボネートとを、５７．６ｇのクロロベンゼンに溶解
することによって製造された。この溶液は、１０ミルの
フィルムアプリケータを用いてＴｉＯＰｃ発生層上に被
覆された。従って得られた電荷輸送層は、約２７μｍの
最終的な厚みを得るために、６０分間１１５℃で乾燥さ
れた。
【００２６】上述のように製造された光反応性画像形成
部材のゼログラフィック電気特性は、電位計に連結され
た静電結合プローブによって測定したときに表面ポテン
シャルが−８００ボルトの初期暗電位Ｖo に達するま
で、コロナ放電源によってその表面を静電的に帯電する
ことによって測定した。暗所において０．５秒間保持し
た後、帯電部材は表面ポテンシャルＶddp 又は暗現像ポ
テンシャルに到達した。この部材は、それからキセノン
ランプからのフィルター光に露光された。光放電効果の
ため、Ｖddp からバックグラウンドポテンシャルＶbgま
での表面ポテンシャルにおける減少が認められた。ボル
ト毎秒における暗減衰は、（Ｖo −Ｖddp）／０．５と
して計算された。光放電のパーセントは、１００×（Ｖ
ddp −Ｖbg）／Ｖddp として計算された。初期値の半分
にＶddp が減少する原因になる必要露光エネルギーであ
る、半露光エネルギー、Ｅ1/2 が測定された。この測定
に選択された光の波長は、８００nmであった。ゼログラ
フィック電気的特性を表１に示した。この画像形成部材
は、３４ボルト毎秒の暗減衰とＥ1/2 ＝０．８ergs/cm2
とを有していた。５ergs/cm2及び１０ergs/cm2での放電
は、各々８５％及び８８％であった。
部材のゼログラフィック電気特性は、電位計に連結され
た静電結合プローブによって測定したときに表面ポテン
シャルが−８００ボルトの初期暗電位Ｖo に達するま
で、コロナ放電源によってその表面を静電的に帯電する
ことによって測定した。暗所において０．５秒間保持し
た後、帯電部材は表面ポテンシャルＶddp 又は暗現像ポ
テンシャルに到達した。この部材は、それからキセノン
ランプからのフィルター光に露光された。光放電効果の
ため、Ｖddp からバックグラウンドポテンシャルＶbgま
での表面ポテンシャルにおける減少が認められた。ボル
ト毎秒における暗減衰は、（Ｖo −Ｖddp）／０．５と
して計算された。光放電のパーセントは、１００×（Ｖ
ddp −Ｖbg）／Ｖddp として計算された。初期値の半分
にＶddp が減少する原因になる必要露光エネルギーであ
る、半露光エネルギー、Ｅ1/2 が測定された。この測定
に選択された光の波長は、８００nmであった。ゼログラ
フィック電気的特性を表１に示した。この画像形成部材
は、３４ボルト毎秒の暗減衰とＥ1/2 ＝０．８ergs/cm2
とを有していた。５ergs/cm2及び１０ergs/cm2での放電
は、各々８５％及び８８％であった。
【００２７】〔実施例Ｖ〕１０００オングストロームの
ＴｉＯＰｃフィルムは、実施例 IIIに従って、−３０℃
に保持されたガラス基体上に蒸着された。このフィルム
の光学吸収スペクトル及びＸＲＤパターンは、蒸着され
たフィルムがアモルファスであることを示した。フィル
ムを２５℃６０分間メタノール中に浸漬した後、このフ
ィルムの光学吸収スペクトルとＸＲＤパターンを得た。
メタノール処理は、このアモルファスフィルムを、ＸＲ
Ｄパターンにおいて２７．３°２θに強いピークを有す
るIV型の多形に転化した。
ＴｉＯＰｃフィルムは、実施例 IIIに従って、−３０℃
に保持されたガラス基体上に蒸着された。このフィルム
の光学吸収スペクトル及びＸＲＤパターンは、蒸着され
たフィルムがアモルファスであることを示した。フィル
ムを２５℃６０分間メタノール中に浸漬した後、このフ
ィルムの光学吸収スペクトルとＸＲＤパターンを得た。
メタノール処理は、このアモルファスフィルムを、ＸＲ
Ｄパターンにおいて２７．３°２θに強いピークを有す
るIV型の多形に転化した。
【００２８】〔実施例VI〕基体温度が０℃で維持された
こと以外は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工さ
れた。ゼログラフィック電気特性を表１に示した。 〔比較例Ｉ〕基体温度が２５℃に維持されたこと以外
は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工された。ゼ
ログラフィック電気特性を表１に示した。
こと以外は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工さ
れた。ゼログラフィック電気特性を表１に示した。 〔比較例Ｉ〕基体温度が２５℃に維持されたこと以外
は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工された。ゼ
ログラフィック電気特性を表１に示した。
【００２９】〔比較例II〕基体温度が９０℃で維持され
たこと以外は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工
された。ゼログラフィック電気特性を表１に示した。 〔比較例 III〕１０００オングストロームのＴｉＯＰｃ
フィルムは、実施例 IIIに従って、９０℃に保持された
ガラス基体上に蒸着された。ＸＲＤパターンにおいて
７．５°２θに強いピークを有するII型の多形が、この
フィルムの光学吸収スペクトル及びＸＲＤパターンを測
定することによって、このフィルムに存在していた。
たこと以外は、実施例IVと同様の電子写真受光体が加工
された。ゼログラフィック電気特性を表１に示した。 〔比較例 III〕１０００オングストロームのＴｉＯＰｃ
フィルムは、実施例 IIIに従って、９０℃に保持された
ガラス基体上に蒸着された。ＸＲＤパターンにおいて
７．５°２θに強いピークを有するII型の多形が、この
フィルムの光学吸収スペクトル及びＸＲＤパターンを測
定することによって、このフィルムに存在していた。
【００３０】表１に、前述の画像形成部材のゼログラフ
ィック電気特性をまとめた。暗減衰及び感光度（λ＝８
００nm）値が挙げられている。ゼログラフィック適用の
ために、低い基体温度（２５℃よりも低い）で得られた
チタニルフタロシアニンフィルムは、高い基体温度（２
５℃よりも高い）で蒸着されたフィルムよりも優れたゼ
ログラフィック電気特性及び高い感光度を示した。
ィック電気特性をまとめた。暗減衰及び感光度（λ＝８
００nm）値が挙げられている。ゼログラフィック適用の
ために、低い基体温度（２５℃よりも低い）で得られた
チタニルフタロシアニンフィルムは、高い基体温度（２
５℃よりも高い）で蒸着されたフィルムよりも優れたゼ
ログラフィック電気特性及び高い感光度を示した。
【００３１】
【表１】
【００３２】〔実施例VII 〕１０００オングストローム
のＴｉＯＰｃフィルムは、実施例 IIIに従って製造され
た。ＴｉＯＰｃは、温度を−１０℃に維持したガラス基
体上に蒸発された。この薄フィルムのＸＲＰＤパターン
及びＵＶ−ＶＩＳ光学吸収スペクトルは実施例VIと同様
である。
のＴｉＯＰｃフィルムは、実施例 IIIに従って製造され
た。ＴｉＯＰｃは、温度を−１０℃に維持したガラス基
体上に蒸発された。この薄フィルムのＸＲＰＤパターン
及びＵＶ−ＶＩＳ光学吸収スペクトルは実施例VIと同様
である。
【００３３】〔実施例VIII〕酢酸／Ｈ2 Ｏ溶媒処理： チタニルフタロシアニンフィル
ムが酢酸／Ｈ2 Ｏ＝１：１（容量）に５３℃で１時間に
わたって浸漬された以外は、基体温度を−１０℃に調節
された実施例VII と同様のフィルムが二次加工された。
薄フィルムＸＲＰＤパターンは、約２７．３°２θに回
折ピークを示した。
ムが酢酸／Ｈ2 Ｏ＝１：１（容量）に５３℃で１時間に
わたって浸漬された以外は、基体温度を−１０℃に調節
された実施例VII と同様のフィルムが二次加工された。
薄フィルムＸＲＰＤパターンは、約２７．３°２θに回
折ピークを示した。
【００３４】〔実施例IX〕酢酸／Ｈ2 Ｏ溶媒処理： 光発生層が酢酸／Ｈ2 Ｏ＝１：
１（容量）に４５℃で１時間にわたって浸漬された以外
は、実施例IVと同様の電子写真受光体が二次加工され
た。光学吸収スペクトルはIV型チタニルフタロシアニン
であることを示した。水によるすすぎ及び周囲条件下で
の乾燥後、アミン電荷輸送層は、上述のように製造され
た光発生層上に被覆された。光反応性部材のゼログラフ
ィック電気特性は、実施例IVの手順に従って試験され
た。単色光（８００nm）による感光度の結果は、表２に
まとめられている。
１（容量）に４５℃で１時間にわたって浸漬された以外
は、実施例IVと同様の電子写真受光体が二次加工され
た。光学吸収スペクトルはIV型チタニルフタロシアニン
であることを示した。水によるすすぎ及び周囲条件下で
の乾燥後、アミン電荷輸送層は、上述のように製造され
た光発生層上に被覆された。光反応性部材のゼログラフ
ィック電気特性は、実施例IVの手順に従って試験され
た。単色光（８００nm）による感光度の結果は、表２に
まとめられている。
【００３５】〔実施例Ｘ〕アセトン／Ｈ2 Ｏ処理： チタニルフタロシアニンフィル
ムを５３℃で１時間にわたり０．２５mlの塩酸を含むア
セトン／Ｈ2 Ｏの１：１（容量）混合液１００mlに浸漬
した以外は、基体温度を−１０℃に調節された実施例VI
I と同様のフィルムが、二次加工された。生成されたこ
の薄フィルムのＸＲＰＤパターンは、約２７．３°にブ
ラッグ角２θのピークを示した。
ムを５３℃で１時間にわたり０．２５mlの塩酸を含むア
セトン／Ｈ2 Ｏの１：１（容量）混合液１００mlに浸漬
した以外は、基体温度を−１０℃に調節された実施例VI
I と同様のフィルムが、二次加工された。生成されたこ
の薄フィルムのＸＲＰＤパターンは、約２７．３°にブ
ラッグ角２θのピークを示した。
【００３６】〔実施例XI〕アセトン／Ｈ2 Ｏ処理： 光発生層を４５℃で１時間にわ
たり０．２５mlの塩酸を含むアセトン／Ｈ2 Ｏの１：１
（容量）混合液１００mlに浸漬した以外は、実施例Ｖと
同様の電子写真受光体が、二次加工された。光学吸収ス
ペクトルはIV型チタニルフタロシアニンであることを証
明した。水によるすすぎ及び２５℃での乾燥後、アミン
電荷輸送層は、上述のように製造された光発生層上に被
覆された。光反応性部材のゼログラフィック電気特性
は、実施例IVの手順に従って試験された。単色光（８０
０nm）による感光度の結果は、表２にまとめられてい
る。
たり０．２５mlの塩酸を含むアセトン／Ｈ2 Ｏの１：１
（容量）混合液１００mlに浸漬した以外は、実施例Ｖと
同様の電子写真受光体が、二次加工された。光学吸収ス
ペクトルはIV型チタニルフタロシアニンであることを証
明した。水によるすすぎ及び２５℃での乾燥後、アミン
電荷輸送層は、上述のように製造された光発生層上に被
覆された。光反応性部材のゼログラフィック電気特性
は、実施例IVの手順に従って試験された。単色光（８０
０nm）による感光度の結果は、表２にまとめられてい
る。
【００３７】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アー−ミー ホア カナダ国 エル５エル ５ビー１ オンタ リオ州 ミッシサウガ マルカスター ロ ード 3407 (72)発明者 ジェームズ ディー．マヨ カナダ国 エム６ピー ２エス４ オンタ リオ州 トロント ハイ パーク アベニ ュー ナンバー ３−194 (72)発明者 ジュセッパ バランニ カナダ国 エル５エル ２ケイ３ オンタ リオ州 ミッシサウガ フォークウェイ ドライブ 2623 (72)発明者 グレゴリー ジェイ．コバックス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94086−8250 サニーヴェイル リリー アベニュー 1053 (72)発明者 テリー エル．ブラム アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14534 ピッツフォード パイン ヒル ドライ ブ 16 (72)発明者 ゾーラン ディー．ポポヴィック カナダ国 エル５エル ２ゼット８ オン タリオ州ミッシサウガ ソーミル バレー ドライブ 3349 (72)発明者 ビー．ダブリュー．アニッサ ヤング カナダ国 エル４ゼット ２ワイ９ オン タリオ州ミッシサウガ シップ ドライブ 4206 アパートメント 1506
Claims (1)
- 【請求項１】 ２５℃未満から−３０℃までの温度に維
持した基体上にアモルファスチタニルフタロシアニンを
蒸着すること及び脂肪族アルコールに該基体生成物を接
触することにより、製造されたチタニルフタロシアニン
の光発生層を含む積層画像形成部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US933852 | 1992-08-24 | ||
| US07/933,852 US5330867A (en) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | Photogenerating titanyl phthalocyanine and processes thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695409A true JPH0695409A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=25464607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5155829A Pending JPH0695409A (ja) | 1992-08-24 | 1993-06-25 | 積層画像形成部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5330867A (ja) |
| EP (1) | EP0584698B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695409A (ja) |
| CA (1) | CA2092982C (ja) |
| DE (1) | DE69325553T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4878727A (en) * | 1988-06-30 | 1989-11-07 | Battelle Memorial Institute | Multimode channel waveguide optical coupling devices and methods |
| EP0457761B1 (en) * | 1989-02-13 | 1994-12-28 | Litton Systems, Inc. | Methods for rugged attachment of fibers to integrated optics chips and product thereof |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304445A (en) * | 1992-02-12 | 1994-04-19 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Phthalocyanine composition, process for preparing the same and electrophotographic photoreceptor using the same |
| US5567559A (en) * | 1995-04-11 | 1996-10-22 | Sinonar Corp. | Electrophotographic photoreceptors containing titanyl phthalocyanine processed through ammoniated complex, and method for production thereof |
| US5750300A (en) * | 1996-04-18 | 1998-05-12 | Hewlett-Packard Company | Photoconductor comprising a complex between metal oxide phthalocyanine compounds and hydroxy compounds |
| JPH10293407A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
| CN102653679B (zh) * | 2011-03-04 | 2014-07-02 | 北京大学 | Y型酞菁氧钛纳米粒子及其制备方法与应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3825422A (en) * | 1972-10-26 | 1974-07-23 | Xerox Corp | Imaging process |
| US4426434A (en) * | 1981-06-23 | 1984-01-17 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | Electrophotographic photoreceptor and preparation thereof |
| US4471039A (en) * | 1982-11-22 | 1984-09-11 | Eastman Kodak Company | Photoconductive elements sensitive to radiation in the infrared region of the spectrum |
| JPS61171771A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| US4643770A (en) * | 1985-04-12 | 1987-02-17 | Basf Corporation, Inmont Division | Amine-free, easily dispersible diarylide yellow pigment compositions |
| US4898799A (en) * | 1987-07-10 | 1990-02-06 | Konica Corporation | Photoreceptor |
| US4971877A (en) * | 1987-10-26 | 1990-11-20 | Mita Industrial Co., Ltd. | α-type titanyl phthalocyanine composition, method for production thereof, and electrophotographic sensitive material using same |
| JPS63218768A (ja) * | 1987-12-25 | 1988-09-12 | Asahi Chem Ind Co Ltd | オキシチタニウムフタロシアニン |
| JP2502404B2 (ja) * | 1989-07-21 | 1996-05-29 | キヤノン株式会社 | オキシチタニウムフタロシアニン，その製造方法，それを用いた電子写真感光体，該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電子写真装置 |
| EP0430630A3 (en) * | 1989-11-28 | 1991-07-10 | Konica Corporation | Electrophotographic photoreceptor and method of forming images |
-
1992
- 1992-08-24 US US07/933,852 patent/US5330867A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-07 CA CA002092982A patent/CA2092982C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-25 JP JP5155829A patent/JPH0695409A/ja active Pending
- 1993-08-17 DE DE69325553T patent/DE69325553T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-17 EP EP93113172A patent/EP0584698B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US4878727A (en) * | 1988-06-30 | 1989-11-07 | Battelle Memorial Institute | Multimode channel waveguide optical coupling devices and methods |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69325553D1 (de) | 1999-08-12 |
| US5330867A (en) | 1994-07-19 |
| CA2092982A1 (en) | 1994-02-25 |
| EP0584698A2 (en) | 1994-03-02 |
| CA2092982C (en) | 1997-08-12 |
| EP0584698A3 (en) | 1994-10-12 |
| DE69325553T2 (de) | 1999-10-28 |
| EP0584698B1 (en) | 1999-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |