JPH01219753A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
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- JPH01219753A JPH01219753A JP4529888A JP4529888A JPH01219753A JP H01219753 A JPH01219753 A JP H01219753A JP 4529888 A JP4529888 A JP 4529888A JP 4529888 A JP4529888 A JP 4529888A JP H01219753 A JPH01219753 A JP H01219753A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、普通紙複写機および発光ダイオード。
レーザダイオードあるいはガスレーザ等を光源とする光
プリンタに用いられる積層感光体の電子写真用セレン感
光体に関する。
プリンタに用いられる積層感光体の電子写真用セレン感
光体に関する。
ハードコピー分野において、コピー速度および画質の点
から電子写真方式の光プリンタが広く使われている。こ
れらの光プリンタの光源からの光の波長は、６６０〜８
００ｎｍの長波長域にあり、例えば本出願人の出願に係
る特開昭６１−２７８８５８号公報等に記載されている
ように積層感光体の電子写真用感光体の電荷発生層をテ
ルル２０〜５０重量％を含む高濃度Ｔｅ−Ｓｅ合金で形
成して長波長領域ですぐれた電子写真特性を有する感光
体が実用化されている。
から電子写真方式の光プリンタが広く使われている。こ
れらの光プリンタの光源からの光の波長は、６６０〜８
００ｎｍの長波長域にあり、例えば本出願人の出願に係
る特開昭６１−２７８８５８号公報等に記載されている
ように積層感光体の電子写真用感光体の電荷発生層をテ
ルル２０〜５０重量％を含む高濃度Ｔｅ−Ｓｅ合金で形
成して長波長領域ですぐれた電子写真特性を有する感光
体が実用化されている。
このような高濃度Ｔｅ−５ｅ合金を電荷発生層を有する
感光体の耐剛性は表面保護層で決まる。耐剛性を上げる
には表面保護層としてセレン・ひ素合金を用い、Ａ ｓ
／！度を高めることが知られているが、Ａｓ濃度を高
めると第２図に示すように熱膨張係数が小さくなり、下
地の５ｅ−Ｔｅ合金あるいは電荷輸送層に用いられる純
セレンとの熱膨張係数差が大きくなって表面保護層にひ
び割れが生ずる。これを防ぐためには表面保護層の膜厚
を薄くしなければならないが、耐刷性の点で望ましくな
い、この間毬を解決するために前記公報では表面保護層
を２層とし、下地側の層のＡｓ濃度を低くして熱膨張係
数の差の緩衝層とすることを提案している。
感光体の耐剛性は表面保護層で決まる。耐剛性を上げる
には表面保護層としてセレン・ひ素合金を用い、Ａ ｓ
／！度を高めることが知られているが、Ａｓ濃度を高
めると第２図に示すように熱膨張係数が小さくなり、下
地の５ｅ−Ｔｅ合金あるいは電荷輸送層に用いられる純
セレンとの熱膨張係数差が大きくなって表面保護層にひ
び割れが生ずる。これを防ぐためには表面保護層の膜厚
を薄くしなければならないが、耐刷性の点で望ましくな
い、この間毬を解決するために前記公報では表面保護層
を２層とし、下地側の層のＡｓ濃度を低くして熱膨張係
数の差の緩衝層とすることを提案している。
本発明の課題は、前記の本出願人より特許出願された発
明の効果をさらに高めて長波長感度および耐熱性を有し
、耐刷性の一層向上した電子写真用セレン悪光体を提供
することにある。
明の効果をさらに高めて長波長感度および耐熱性を有し
、耐刷性の一層向上した電子写真用セレン悪光体を提供
することにある。
上記の課題を解決するために、本発明は導電性基体上に
非晶質セレンまたは非晶ｔ Ｓｅ −Ｔｅ合金からなる
ｉｔ電荷輸送層２０〜５０重量％のＴｅを含有する非晶
質５ｅ−Ｔｅ合金からなる！荷発生層およびそれぞれ異
なるＡ３濃度を有する５ｓ−Ａｓ合金の２層よりなり！
荷発生層側の下層のＡ３含有量が表面側の上層のＡ３含
有量よりも少ない表面保護層を順次積層してなる電子写
真用セレン感光体において、表面像ｌ！層の上層の厚さ
が下層の厚さより厚いが８−以下であるものとする。
非晶質セレンまたは非晶ｔ Ｓｅ −Ｔｅ合金からなる
ｉｔ電荷輸送層２０〜５０重量％のＴｅを含有する非晶
質５ｅ−Ｔｅ合金からなる！荷発生層およびそれぞれ異
なるＡ３濃度を有する５ｓ−Ａｓ合金の２層よりなり！
荷発生層側の下層のＡ３含有量が表面側の上層のＡ３含
有量よりも少ない表面保護層を順次積層してなる電子写
真用セレン感光体において、表面像ｌ！層の上層の厚さ
が下層の厚さより厚いが８−以下であるものとする。
表面保護層の下地層との熱膨張係数差の緩衝層として設
けた低Ａ ｓ Ｑ度の下層に比し耐剛性のための上層の
厚さを厚くすることにより、表面保護層の耐剛性に対す
る効果を確実にすることができる。
けた低Ａ ｓ Ｑ度の下層に比し耐剛性のための上層の
厚さを厚くすることにより、表面保護層の耐剛性に対す
る効果を確実にすることができる。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の第一の実施例と比較例
の感光体の断面図である。いずれも導電性基体１として
の直径１２ＯＮのアルミニウム円筒を洗浄したのち莢着
装置の支持軸に取付は基体の温度を約７０°Ｃに保ち、
Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで真空引きし、その後練Ｓ
ｅの入った蒸発源を約３００℃に加熱し、約５０μｌの
膜厚の電荷輸送層２を蒸着した。次にそれぞれフラッシ
ュ蒸着法により、約０．５−の厚さの４４重量％Ｔｅ
−Ｓｅ合金よりなる電荷発生層３と約２μＩの厚さの１
．５重Ｎ％Ａｓ −Ｓｅ合金よりなる表面保護層の下Ｎ
４および４重量％Ａｓ −Ｓｅ合金よりなる表面保護層
の上Ｎ５とを順次蒸着した。ただし、第１図（ａｌに示
す実施例では上層５の厚さは約３μ膿、第１図（′ｂ）
に示す比較例では約１μｍにした。７９７７４着は、支
持軸温度６０℃、圧力１ ｘ １Ｏ−ＳＴｃ＋ｒｒ。
の感光体の断面図である。いずれも導電性基体１として
の直径１２ＯＮのアルミニウム円筒を洗浄したのち莢着
装置の支持軸に取付は基体の温度を約７０°Ｃに保ち、
Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで真空引きし、その後練Ｓ
ｅの入った蒸発源を約３００℃に加熱し、約５０μｌの
膜厚の電荷輸送層２を蒸着した。次にそれぞれフラッシ
ュ蒸着法により、約０．５−の厚さの４４重量％Ｔｅ
−Ｓｅ合金よりなる電荷発生層３と約２μＩの厚さの１
．５重Ｎ％Ａｓ −Ｓｅ合金よりなる表面保護層の下Ｎ
４および４重量％Ａｓ −Ｓｅ合金よりなる表面保護層
の上Ｎ５とを順次蒸着した。ただし、第１図（ａｌに示
す実施例では上層５の厚さは約３μ膿、第１図（′ｂ）
に示す比較例では約１μｍにした。７９７７４着は、支
持軸温度６０℃、圧力１ ｘ １Ｏ−ＳＴｃ＋ｒｒ。
蒸発源温度３５０℃の条件で行った。
さらに、第二の実施例として第３図に示す表面保護層の
上層５の厚さ約６−の感光体、第三の実施例として第４
図に示す表面保護層上層５の厚さ約８−の感光体を製作
した。基体１．電荷輸送層２、電荷発生層３１表面保護
層の下層４は材質。
上層５の厚さ約６−の感光体、第三の実施例として第４
図に示す表面保護層上層５の厚さ約８−の感光体を製作
した。基体１．電荷輸送層２、電荷発生層３１表面保護
層の下層４は材質。
厚さとも第一の実施例および比較例と同一であり、表面
保護層上層５も含めて各層の蒸着条件も全く同様であっ
た。
保護層上層５も含めて各層の蒸着条件も全く同様であっ
た。
この様にして製作した感光体に対し、繰り返し特性、耐
刷性および外観について比較した。繰り返し特性では、
印字上かぶりの発生を招く帯電低下、印字上濃度低下の
発生を招く残電上昇について評価した。帯電低下につい
ては各感光体同一レベルであったが、残留電位について
は第５図に２５０サイクル後の値で示すように表面保護
層上層５の膜厚が厚くなる程高くなる傾向を示し、８−
を超えると１００ Ｖ以上になり、印字上では濃度低下
となる。また耐刷性を評価するため、反転現像方式のレ
ーザダイオードプリンタを用いてＡ４用紙に５万回印字
を行った後の表面保護層の上１ｉ５の膜厚を測った結果
を第６図に示す、最初のＭＩ！ｖが厚いほど残り膜厚が
厚く、寿命が長い。これらの評価をまとめたのが第１表
である。
刷性および外観について比較した。繰り返し特性では、
印字上かぶりの発生を招く帯電低下、印字上濃度低下の
発生を招く残電上昇について評価した。帯電低下につい
ては各感光体同一レベルであったが、残留電位について
は第５図に２５０サイクル後の値で示すように表面保護
層上層５の膜厚が厚くなる程高くなる傾向を示し、８−
を超えると１００ Ｖ以上になり、印字上では濃度低下
となる。また耐刷性を評価するため、反転現像方式のレ
ーザダイオードプリンタを用いてＡ４用紙に５万回印字
を行った後の表面保護層の上１ｉ５の膜厚を測った結果
を第６図に示す、最初のＭＩ！ｖが厚いほど残り膜厚が
厚く、寿命が長い。これらの評価をまとめたのが第１表
である。
第１表
円筒感光体の外観はいずれもクランクがなく良好であっ
た。
た。
本発明によれば、表面保ｔ１層を高ＡｓＪ度の上層と低
Ａｓ？ｌｉ度の下層とから形成して下地層との熱膨張係
数の差によるひび割れを防止した、機能分離型セレン電
子写真用感光体の表面保護層の上層の厚さを８Ｑ以下に
おいて下層より厚くすることにより、繰り返し特性の著
しい低下なしに耐刷性を向上させることができた。
Ａｓ？ｌｉ度の下層とから形成して下地層との熱膨張係
数の差によるひび割れを防止した、機能分離型セレン電
子写真用感光体の表面保護層の上層の厚さを８Ｑ以下に
おいて下層より厚くすることにより、繰り返し特性の著
しい低下なしに耐刷性を向上させることができた。
第１図（δ）、（ト））は本発明の一実施例と比較例の
感光体の概念的断面図、第２図は５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ
濃度と熱膨張係数の関係線図、第３図、第４図はそれぞ
れ本発明の異なる実施例の感光体の概念的断面図、第５
図は本発明の実施例および比較例の表面保護層上Ｎ膜厚
と残留電位との関係線図、第６図は本発明の実施例およ
び比較例の表面保護層上層の５０に印字前後の膜厚の関
係線図である。
感光体の概念的断面図、第２図は５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ
濃度と熱膨張係数の関係線図、第３図、第４図はそれぞ
れ本発明の異なる実施例の感光体の概念的断面図、第５
図は本発明の実施例および比較例の表面保護層上Ｎ膜厚
と残留電位との関係線図、第６図は本発明の実施例およ
び比較例の表面保護層上層の５０に印字前後の膜厚の関
係線図である。
Claims (1)
- １）導電性基体上に非晶質セレンまたは非晶質セレン・
テルル合金からなる電荷輸送層、２０〜５０重量％のテ
ルルを含有する非晶質セレン・テルル合金からなる電荷
発生層およびそれぞれ異なるひ素濃度を有するセレン・
ひ素合金の２層よりなり電荷発生層側の下層のひ素含有
量が表面側の上層のひ素含有量より少ない表面保護層を
順次積層してなるものにおいて、表面保護層の上層の厚
さが下層の厚さより厚いが８μｍ以下であることを特徴
とする電子写真用セレン感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4529888A JPH01219753A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 電子写真用セレン感光体 |
| DE19893904409 DE3904409A1 (de) | 1988-02-26 | 1989-02-14 | Elektrofotografischer selen-fotorezeptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4529888A JPH01219753A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219753A true JPH01219753A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12715409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4529888A Pending JPH01219753A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219753A (ja) |
| DE (1) | DE3904409A1 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043662A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS6330762A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 塩化ビニル樹脂中の残留塩化ビニルモノマ−の定量方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4529888A patent/JPH01219753A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-14 DE DE19893904409 patent/DE3904409A1/de active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043662A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS6330762A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 塩化ビニル樹脂中の残留塩化ビニルモノマ−の定量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3904409C2 (ja) | 1990-11-08 |
| DE3904409A1 (de) | 1989-08-31 |
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