JP3144342B2 - 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス - Google Patents
電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセスInfo
- Publication number
- JP3144342B2 JP3144342B2 JP12373197A JP12373197A JP3144342B2 JP 3144342 B2 JP3144342 B2 JP 3144342B2 JP 12373197 A JP12373197 A JP 12373197A JP 12373197 A JP12373197 A JP 12373197A JP 3144342 B2 JP3144342 B2 JP 3144342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- electrophotographic
- speed
- photosensitive layer
- resolution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速、高解像度の
電子写真用応用機器の複写機、プリンタ、ファクシミリ
等の心臓部として使用される電子写真用感光体（以下単
に「感光体」とも称する）に関する。
電子写真用応用機器の複写機、プリンタ、ファクシミリ
等の心臓部として使用される電子写真用感光体（以下単
に「感光体」とも称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真用応用機器の複写機、プリン
タ、ファクシミリ等は、年々高速化、高画質化（高解像
度）へと指向されている。従来、複写速度４０ｐｐｍ〜
１００ｐｐｍ、分解能（解像度）２４０ｄｐｉ以下の機
器では、耐刷性の優位なＳｅ系感光体の、Ａｓ2Ｓｅ3を
感光材料として有する感光体が広く採用されている。か
かる感光体の場合、感光層の膜厚は高帯電現像（約１，
０００Ｖ）に対応して画像欠陥の出にくい６０〜８０μ
ｍの膜厚タイプで製造されていた。
タ、ファクシミリ等は、年々高速化、高画質化（高解像
度）へと指向されている。従来、複写速度４０ｐｐｍ〜
１００ｐｐｍ、分解能（解像度）２４０ｄｐｉ以下の機
器では、耐刷性の優位なＳｅ系感光体の、Ａｓ2Ｓｅ3を
感光材料として有する感光体が広く採用されている。か
かる感光体の場合、感光層の膜厚は高帯電現像（約１，
０００Ｖ）に対応して画像欠陥の出にくい６０〜８０μ
ｍの膜厚タイプで製造されていた。
【０００３】かかる感光体は、図１に示す電子写真用応
用機器の複写プロセスの代表例において、帯電部１の暗
所で帯電させ、露光部２で画像情報に従った光を当て電
位を減衰させて、感光体表面に静電潜像を形成させてい
る。次いで、この静電潜像に現像部３で現像剤を付着さ
せ、画像を可視化している。しかる後、転写部４でこの
可視化した画像を用紙に転写し、定着部５で定着させて
いる。この一連の複写プロセスによりコピーができあが
る。
用機器の複写プロセスの代表例において、帯電部１の暗
所で帯電させ、露光部２で画像情報に従った光を当て電
位を減衰させて、感光体表面に静電潜像を形成させてい
る。次いで、この静電潜像に現像部３で現像剤を付着さ
せ、画像を可視化している。しかる後、転写部４でこの
可視化した画像を用紙に転写し、定着部５で定着させて
いる。この一連の複写プロセスによりコピーができあが
る。
【０００４】前記プロセスの静電潜像を形成する過程に
おいて、プロセスが高速になるほど、即ち感光体の回転
速度が高くなるほど感光体表面に当たる光量は少なくな
るので、より高感度の感光体が求められる。また、感光
体表面の電位が露光してから減衰が完了するまでにある
時間（電位減衰完了時間）がかかるので、プロセスを高
速にするためには所要の速さの光応答性が要求される。
つまり従来の感光体では、高速化に伴い露光から現像ま
での時間が短くなった場合、電位の減衰が完了しないう
ちに現像工程に入ることがある。その影響により画像に
濃淡が出る等の乱れが生じるので、画質が低下するとい
う問題が生ずる。
おいて、プロセスが高速になるほど、即ち感光体の回転
速度が高くなるほど感光体表面に当たる光量は少なくな
るので、より高感度の感光体が求められる。また、感光
体表面の電位が露光してから減衰が完了するまでにある
時間（電位減衰完了時間）がかかるので、プロセスを高
速にするためには所要の速さの光応答性が要求される。
つまり従来の感光体では、高速化に伴い露光から現像ま
での時間が短くなった場合、電位の減衰が完了しないう
ちに現像工程に入ることがある。その影響により画像に
濃淡が出る等の乱れが生じるので、画質が低下するとい
う問題が生ずる。
【０００５】かかる帯電電位の減衰は、図２に示す感光
体の模式的断面構造から分かるように、帯電した感光体
表面に光が当たると感光体の内部に正および負の電荷輸
送キャリヤーが発生し、それぞれが与えられた帯電界方
向の表面側および基体側へと移動し、電荷が中和される
ことにより完了する。このキャリヤーの移動時間が前記
電位減衰完了時間（光応答性）を決定している。
体の模式的断面構造から分かるように、帯電した感光体
表面に光が当たると感光体の内部に正および負の電荷輸
送キャリヤーが発生し、それぞれが与えられた帯電界方
向の表面側および基体側へと移動し、電荷が中和される
ことにより完了する。このキャリヤーの移動時間が前記
電位減衰完了時間（光応答性）を決定している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の高
感度感光体では、前記キャリヤーの移動速度が遅くて電
位減衰完了時間が長く（光応答性が悪く）、これが原因
で画質の低下を招いていた。
感度感光体では、前記キャリヤーの移動速度が遅くて電
位減衰完了時間が長く（光応答性が悪く）、これが原因
で画質の低下を招いていた。
【０００７】また、ある一定の電位減衰完了時間を確保
するためには感光体の外径を大きくする必要があるが、
複写機と感光体との関係から製造上限界があった。
するためには感光体の外径を大きくする必要があるが、
複写機と感光体との関係から製造上限界があった。
【０００８】更に、今日、高画質化への対応として現像
剤を微粒子化して解像度（分解能）を向上させる傾向に
あるが、従来の感光層の膜厚では厚過ぎて、発生した電
荷輸送キャリヤーの横方向への移動量が無視できず、画
像のにじみ、ぼけの原因となり、切れの悪い画質となっ
ていた。なお、薄膜タイプの感光体を製造しようとして
も、基板表面加工を切削加工で行う場合には表面粗さＲ
ｍａｘが０．８〜１２μｍと大きくなることから、切削
時のバリ等が障害となり、画像上白点、黒点が出やす
く、実用化は不可能とされてきた。
剤を微粒子化して解像度（分解能）を向上させる傾向に
あるが、従来の感光層の膜厚では厚過ぎて、発生した電
荷輸送キャリヤーの横方向への移動量が無視できず、画
像のにじみ、ぼけの原因となり、切れの悪い画質となっ
ていた。なお、薄膜タイプの感光体を製造しようとして
も、基板表面加工を切削加工で行う場合には表面粗さＲ
ｍａｘが０．８〜１２μｍと大きくなることから、切削
時のバリ等が障害となり、画像上白点、黒点が出やす
く、実用化は不可能とされてきた。
【０００９】そこで本発明の目的は、電子写真用応用機
器の高速化、高画質化へ十分に対応し得る、画像欠陥の
出ない高光応答性および高解像度の感光体を提供するこ
とにある。
器の高速化、高画質化へ十分に対応し得る、画像欠陥の
出ない高光応答性および高解像度の感光体を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の感光体は、導電性基体上に形成された感光
層が、Ａｓを３６〜４０重量％含有するＡｓ2Ｓｅ3合金
にヨウ素が１，０００〜２０，０００ｐｐｍ添加されて
なり、かつ該感光層の膜厚が３０〜５０μｍであること
を特徴とするものである。
に、本発明の感光体は、導電性基体上に形成された感光
層が、Ａｓを３６〜４０重量％含有するＡｓ2Ｓｅ3合金
にヨウ素が１，０００〜２０，０００ｐｐｍ添加されて
なり、かつ該感光層の膜厚が３０〜５０μｍであること
を特徴とするものである。
【００１１】前記電子写真用応用機器は、帯電位８００
Ｖ以下の低帯電現像で使用されることが好ましい。
Ｖ以下の低帯電現像で使用されることが好ましい。
【００１２】また、前記導電性基体の表面粗さＲｍａｘ
は、０．５μｍ以下であることが好ましい。
は、０．５μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】さらに、前記感光層の蒸着後に、１００〜
２００℃にて３０〜８０分間加熱処理が施されているこ
とが好ましい。
２００℃にて３０〜８０分間加熱処理が施されているこ
とが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】複写速度１００ｐｐｍ以上、解像
度３００ｄｐｉ以上の高速、高画質の電子写真用応用機
器に搭載される本発明の感光体は、耐刷性の優位なＳｅ
系感光体であり、感光材料としてＡｓ2Ｓｅ3を使用し、
常法に従い蒸着処理を施して感光層を積層させることが
できる。
度３００ｄｐｉ以上の高速、高画質の電子写真用応用機
器に搭載される本発明の感光体は、耐刷性の優位なＳｅ
系感光体であり、感光材料としてＡｓ2Ｓｅ3を使用し、
常法に従い蒸着処理を施して感光層を積層させることが
できる。
【００１５】かかる高速化、高画質化対応として、高感
度、高光応答性の感光体を得るには、Ａｓを３６〜４０
重量％、好ましくは３６〜３８重量％含有するＡｓ2Ｓ
ｅ3感光層にヨウ素を１，０００〜２０，０００ｐｐ
ｍ、好ましくは２，０００〜１０，０００ｐｐｍ添加す
る。Ａｓ2Ｓｅ3感光層のＡｓ含量が３６重量％未満だと
感度が悪くなり、一方４０重量％を超えると電荷保持率
が悪くなる。また、ヨウ素の添加量が１，０００ｐｐｍ
未満だと感光層内部にドーピングされる量が少なく高光
応答性についての効果が出ず、一方２０，０００ｐｐｍ
を超えると感光層の電気抵抗が下がるため、暗減衰が大
きくなり、帯電位が低くなることにより、静電特性全般
が悪くなる。
度、高光応答性の感光体を得るには、Ａｓを３６〜４０
重量％、好ましくは３６〜３８重量％含有するＡｓ2Ｓ
ｅ3感光層にヨウ素を１，０００〜２０，０００ｐｐ
ｍ、好ましくは２，０００〜１０，０００ｐｐｍ添加す
る。Ａｓ2Ｓｅ3感光層のＡｓ含量が３６重量％未満だと
感度が悪くなり、一方４０重量％を超えると電荷保持率
が悪くなる。また、ヨウ素の添加量が１，０００ｐｐｍ
未満だと感光層内部にドーピングされる量が少なく高光
応答性についての効果が出ず、一方２０，０００ｐｐｍ
を超えると感光層の電気抵抗が下がるため、暗減衰が大
きくなり、帯電位が低くなることにより、静電特性全般
が悪くなる。
【００１６】また、本発明においては、高解像度を得る
ために感光層の膜厚を３０〜５０μｍ、好ましくは３０
〜４０μｍとする。この膜厚が３０μｍ未満では層が薄
過ぎて画像上白点、黒点が出やすくなり、一方５０μｍ
を超えると相対的に電荷輸送キャリヤーの横方向への移
動量が大きくなり、画像のにじみ、ぼけといった切れの
悪い画質原因となる。
ために感光層の膜厚を３０〜５０μｍ、好ましくは３０
〜４０μｍとする。この膜厚が３０μｍ未満では層が薄
過ぎて画像上白点、黒点が出やすくなり、一方５０μｍ
を超えると相対的に電荷輸送キャリヤーの横方向への移
動量が大きくなり、画像のにじみ、ぼけといった切れの
悪い画質原因となる。
【００１７】本発明においては、使用する電子写真用応
用機器の帯電位を８００Ｖ以下（膜厚当たりの帯電位
（ＶＯ／Ｌ）が１６Ｖ／μｍ以下）の低帯電現像とする
こととの組み合わせにより、画像欠陥の出現を、より完
全に抑えることができる。
用機器の帯電位を８００Ｖ以下（膜厚当たりの帯電位
（ＶＯ／Ｌ）が１６Ｖ／μｍ以下）の低帯電現像とする
こととの組み合わせにより、画像欠陥の出現を、より完
全に抑えることができる。
【００１８】また、本発明においては、前記感光層が形
成される円筒状導電性基体の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍ
ａｘを０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下に鏡
面加工にすることによっても、より画像欠陥を抑えるこ
とができる。かかる鏡面加工は、例えば、切削加工で鏡
面用バイトを使うことにより行うことができる。また、
前記円筒状導電性基体の材質としては、アルミニウム、
ニッケル、ＳＵＳ等を用いることができる。
成される円筒状導電性基体の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍ
ａｘを０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下に鏡
面加工にすることによっても、より画像欠陥を抑えるこ
とができる。かかる鏡面加工は、例えば、切削加工で鏡
面用バイトを使うことにより行うことができる。また、
前記円筒状導電性基体の材質としては、アルミニウム、
ニッケル、ＳＵＳ等を用いることができる。
【００１９】更に、本発明の感光体においては、感光層
の蒸着後に、１００〜２００℃にて３０〜８０分間加熱
処理を施することにより、より感度を高めることができ
る。なお、従来の製造方法では、蒸着後暗所に放置する
程度で特別なことはしていなかった。
の蒸着後に、１００〜２００℃にて３０〜８０分間加熱
処理を施することにより、より感度を高めることができ
る。なお、従来の製造方法では、蒸着後暗所に放置する
程度で特別なことはしていなかった。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。 試験例１ 高速、高解像度用感光体として、Ａｓ３８重量％のＡｓ
2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加、２，０００ｐｐ
ｍ添加、１０，０００ｐｐｍ添加の３種類の感光層材料
を使用して、該感光層の膜厚が４０μｍおよび７０μｍ
の２種類、合計で６種類の感光体を製造した。尚、基体
のＲｍａｘは０．８〜１．０μｍ、感光層の蒸着後の熱
処理はなしとした。
する。 試験例１ 高速、高解像度用感光体として、Ａｓ３８重量％のＡｓ
2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加、２，０００ｐｐ
ｍ添加、１０，０００ｐｐｍ添加の３種類の感光層材料
を使用して、該感光層の膜厚が４０μｍおよび７０μｍ
の２種類、合計で６種類の感光体を製造した。尚、基体
のＲｍａｘは０．８〜１．０μｍ、感光層の蒸着後の熱
処理はなしとした。
【００２１】上述のようにして製造した感光体につい
て、電荷輸送キャリヤーの移動速度と、複写速度１５０
ｐｐｍ（周速度６００ｍｍ／ｓ）、解像度６００ｄｐｉ
および帯電位７００Ｖのプリンタでの画質について評価
した。製造した感光体のキャリヤー移動度の測定結果と
速度を下記の表１に示す。
て、電荷輸送キャリヤーの移動速度と、複写速度１５０
ｐｐｍ（周速度６００ｍｍ／ｓ）、解像度６００ｄｐｉ
および帯電位７００Ｖのプリンタでの画質について評価
した。製造した感光体のキャリヤー移動度の測定結果と
速度を下記の表１に示す。
【００２２】
【表１】 ＊Ｓ＝μ・Ｖ／Ｌ
【００２３】画像品質の評価結果を下記の表２に示す。
なお、表中、○印は良好、△印は普通、×印は不良を表
す。
なお、表中、○印は良好、△印は普通、×印は不良を表
す。
【００２４】
【表２】
【００２５】前記表１および表２から、Ａｓ2Ｓｅ3感光
体でヨウ素の添加量が多くかつ薄膜タイプになるほど、
電荷輸送キャリヤーの速度が高く、即ち光応答性が向上
し、また、高速プリンタによる画像品質結果では、解像
度、にじみ等が改善されることが分かる。
体でヨウ素の添加量が多くかつ薄膜タイプになるほど、
電荷輸送キャリヤーの速度が高く、即ち光応答性が向上
し、また、高速プリンタによる画像品質結果では、解像
度、にじみ等が改善されることが分かる。
【００２６】試験例２ 高速、高解像度用感光体として、Ａｓが３８重量％のＡ
ｓ2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加と１０，０００
ｐｐｍ添加の２種類の感光層材料を使用して、該感光層
の膜厚が４０μｍ、基体の表面粗さＲｍａｘが０．８〜
１．０μｍと０．３μｍ以下の２種類、合計で４種類の
感光体を製造した。尚、感光層の蒸着後の熱処理はなし
とした。ここで、基体のＲｍａｘ０．８〜１．０μｍの
加工方法は、旋盤による切削加工で刃先の形状が円形の
Ｒバイトを使用したが、基体のＲｍａｘ０．３μｍ以下
の加工方法は、旋盤による切削加工で刃先の形状が平ら
な天然ダイヤの平バイトを使用した。
ｓ2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加と１０，０００
ｐｐｍ添加の２種類の感光層材料を使用して、該感光層
の膜厚が４０μｍ、基体の表面粗さＲｍａｘが０．８〜
１．０μｍと０．３μｍ以下の２種類、合計で４種類の
感光体を製造した。尚、感光層の蒸着後の熱処理はなし
とした。ここで、基体のＲｍａｘ０．８〜１．０μｍの
加工方法は、旋盤による切削加工で刃先の形状が円形の
Ｒバイトを使用したが、基体のＲｍａｘ０．３μｍ以下
の加工方法は、旋盤による切削加工で刃先の形状が平ら
な天然ダイヤの平バイトを使用した。
【００２７】上述のようにして製造した感光体につい
て、キャリヤー移動速度と、複写速度１５０ｐｐｍ（周
速度６００ｍｍ／ｓ）、解像度６００ｄｐｉおよび帯電
位７００Ｖのプリンタでの画質（にじみ、解像度等）お
よび画像欠陥について評価した。製造した感光体のキャ
リヤー移動度の測定結果と速度を下記の表３に示す。
て、キャリヤー移動速度と、複写速度１５０ｐｐｍ（周
速度６００ｍｍ／ｓ）、解像度６００ｄｐｉおよび帯電
位７００Ｖのプリンタでの画質（にじみ、解像度等）お
よび画像欠陥について評価した。製造した感光体のキャ
リヤー移動度の測定結果と速度を下記の表３に示す。
【００２８】
【表３】 ＊Ｓ＝μ・Ｖ／Ｌ
【００２９】画像品質の評価結果を下記の表４に示す。
なお、表中、○印は良好、△印は普通を表す。
なお、表中、○印は良好、△印は普通を表す。
【００３０】
【表４】
【００３１】前記表３から、Ａｓ2Ｓｅ3感光体でヨウ素
の添加量が多くなるほど電荷輸送キャリヤーの速度が高
くなり光応答性が向上することが分かる。また前記表４
から、高速プリンタによる画像品質結果では、ヨウ素添
加の感光体の方が解像度、にじみ等が改善され、更に基
体表面粗さＲｍａｘが０．３μｍ以下の方が画像欠陥が
少ないことが分かる。
の添加量が多くなるほど電荷輸送キャリヤーの速度が高
くなり光応答性が向上することが分かる。また前記表４
から、高速プリンタによる画像品質結果では、ヨウ素添
加の感光体の方が解像度、にじみ等が改善され、更に基
体表面粗さＲｍａｘが０．３μｍ以下の方が画像欠陥が
少ないことが分かる。
【００３２】試験例３ 高速、高解像度用感光体として、Ａｓ３８重量％のＡｓ
2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加、１０，０００ｐ
ｐｍ添加の２種類の感光体材料を使用して、膜厚が４０
μｍの感光層を基体表面に蒸着し、その後１５０℃の恒
温槽に６０分間放置して加熱処理を施した。尚、基体の
Ｒｍａｘは０．８〜１．０μｍとした。
2Ｓｅ3合金にヨウ素をそれぞれ無添加、１０，０００ｐ
ｐｍ添加の２種類の感光体材料を使用して、膜厚が４０
μｍの感光層を基体表面に蒸着し、その後１５０℃の恒
温槽に６０分間放置して加熱処理を施した。尚、基体の
Ｒｍａｘは０．８〜１．０μｍとした。
【００３３】上述のようにして製造した感光体につい
て、電荷輸送キャリヤー移動速度と、感度について測定
した。更に、複写速度２００ｐｐｍ（周速度８００ｍｍ
／ｓ）、解像度６００ｄｐｉおよび帯電位７００Ｖのプ
リンタでの画質（濃度、解像度等）について評価した。
製造した感光体のキャリヤー移動度の測定結果と速度を
下記の表５に示す。
て、電荷輸送キャリヤー移動速度と、感度について測定
した。更に、複写速度２００ｐｐｍ（周速度８００ｍｍ
／ｓ）、解像度６００ｄｐｉおよび帯電位７００Ｖのプ
リンタでの画質（濃度、解像度等）について評価した。
製造した感光体のキャリヤー移動度の測定結果と速度を
下記の表５に示す。
【００３４】
【表５】 ＊Ｓ＝μ・Ｖ／Ｌ
【００３５】感度測定結果と画像品質（濃度、解像度、
にじみ等）の評価結果を下記の表６に示す。なお、表中
の感度測定は、１μＪ／ｃｍ2の露光量を照射した時の
露光電位（明部電位）を示す。従って、電位が低くなる
ほど感度が高く、高感度になっていることを示す。ま
た、表中、○印は良好、△印は普通、×印は不良を表
す。
にじみ等）の評価結果を下記の表６に示す。なお、表中
の感度測定は、１μＪ／ｃｍ2の露光量を照射した時の
露光電位（明部電位）を示す。従って、電位が低くなる
ほど感度が高く、高感度になっていることを示す。ま
た、表中、○印は良好、△印は普通、×印は不良を表
す。
【００３６】
【表６】
【００３７】前記表５から、Ａｓ2Ｓｅ3感光体でヨウ素
の添加量が多くなるほどキャリヤーの速度が高くなり光
応答性が向上することが分かる。また、前記表６から、
加熱処理を施すことにより感度が高くなり、また超高速
プリンタにおける画像品質結果では、濃度、解像度、に
じみ等が改善されることが分かる。
の添加量が多くなるほどキャリヤーの速度が高くなり光
応答性が向上することが分かる。また、前記表６から、
加熱処理を施すことにより感度が高くなり、また超高速
プリンタにおける画像品質結果では、濃度、解像度、に
じみ等が改善されることが分かる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の感光
体においては、光応答性および解像度が向上し、画像欠
陥を生ずることなく電子写真用応用機器の高速化、高画
質化へ十分に対応することができる。
体においては、光応答性および解像度が向上し、画像欠
陥を生ずることなく電子写真用応用機器の高速化、高画
質化へ十分に対応することができる。
【図１】電子写真用応用機器の複写プロセスを示す説明
図である。
図である。
【図２】感光体の模式的断面図である。
１ 帯電器 ２ 露光部 ３ 現像部 ４ 転写部 ５ 定着部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−342262（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−282265（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189556（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−204263（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/00 - 5/16
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性基体上に形成された感光層が、Ａ
ｓを３６〜４０重量％含有するＡｓ2Ｓｅ3合金にヨウ素
が１，０００〜２０，０００ｐｐｍ添加されてなり、か
つ該感光層の膜厚が３０〜５０μｍであることを特徴と
する電子写真用感光体。 - 【請求項２】 前記電子写真用応用機器が帯電位８００
Ｖ以下の低帯電現像で使用される請求項１記載の電子写
真用感光体を用いた電子写真プロセス。 - 【請求項３】 前記導電性基体の表面粗さＲｍａｘが
０．５μｍ以下である請求項１記載の電子写真用感光
体。 - 【請求項４】 前記感光層の蒸着後に、１００〜２００
℃にて３０〜８０分間加熱処理が施されている請求項１
記載の電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12373197A JP3144342B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス |
| DE19820648A DE19820648A1 (de) | 1997-05-14 | 1998-05-08 | Fotoleiter für Elektrofotografie, Verfahren zur Herstellung desselben und elektrofotografisches Verfahren, das diesen verwendet |
| US09/078,673 US6110631A (en) | 1997-05-14 | 1998-05-14 | Photoconductor for electrophotography and method of manufacturing and using a photoconductor |
| US09/442,825 US6124072A (en) | 1997-05-14 | 1999-11-18 | Photoconductor for electrophotography and method of manufacturing and using a photoconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12373197A JP3144342B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312076A JPH10312076A (ja) | 1998-11-24 |
| JP3144342B2 true JP3144342B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=14867961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12373197A Expired - Fee Related JP3144342B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6110631A (ja) |
| JP (1) | JP3144342B2 (ja) |
| DE (1) | DE19820648A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635557B2 (en) | 2002-03-15 | 2003-10-21 | Neumann Information Systems, Inc | Halogen doped solid state materials |
| US7298983B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-11-20 | Xerox Corporation | Method for detecting lateral surface charge migration through double exposure averaging |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1250737B (ja) * | 1963-07-08 | |||
| GB1193348A (en) * | 1966-10-03 | 1970-05-28 | Rank Xerox Ltd | Xerographic Process and Apparatus |
| US3961953A (en) * | 1974-05-28 | 1976-06-08 | Xerox Corporation | Method of fabricating composite trigonal selenium photoreceptor |
| JPS59229566A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-24 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の特性安定化方法 |
| JPS63316059A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4822712A (en) * | 1988-04-08 | 1989-04-18 | Xerox Corporation | Reduction of selenium alloy fractionation |
| JPH01316750A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JP2679361B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1997-11-19 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体の感光層表面粗面化法 |
| JP2962300B2 (ja) * | 1998-02-02 | 1999-10-12 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP12373197A patent/JP3144342B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-08 DE DE19820648A patent/DE19820648A1/de not_active Withdrawn
- 1998-05-14 US US09/078,673 patent/US6110631A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-18 US US09/442,825 patent/US6124072A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6124072A (en) | 2000-09-26 |
| DE19820648A1 (de) | 1998-11-19 |
| JPH10312076A (ja) | 1998-11-24 |
| US6110631A (en) | 2000-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2156540A (en) | Electro photographic member | |
| JP2882210B2 (ja) | 電子写真感光体、該感光体の製造方法および該感光体を用いた画像補正方法 | |
| US20030129511A1 (en) | Image forming method, image forming apparatus, process cartridge and photoconductor | |
| JP3144342B2 (ja) | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス | |
| JPH11352713A (ja) | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス | |
| JP2962300B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP5656664B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH05265243A (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ | |
| JP3471873B2 (ja) | 画像形成方法 | |
| JP3161724B2 (ja) | 電子写真装置 | |
| JP2994093B2 (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ | |
| JPS59139061A (ja) | 潜像形成方法 | |
| JPH0535424B2 (ja) | ||
| JPH0545920A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2819037B2 (ja) | 電子写真用機能分離型セレン感光体 | |
| JP4011770B2 (ja) | 電子写真用円筒部材の表面精密加工方法、電子写真用円筒部材、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
| JP2666501B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH04284459A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2001142356A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH09325504A (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置 | |
| JPH0468358A (ja) | 画像形成方法 | |
| JP2000181111A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH08146624A (ja) | 電子写真感光体、電子写真装置及び電子写真装置ユニット | |
| JPH09325510A (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置 | |
| JPH04149450A (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |