JP2962300B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高速（Ａ４用紙
で１００枚／分以上），高解像度（３００ｄｐｉ以上）
の電子写真応用機器である複写機，プリンタ，ファクシ
ミリなどの心臓部として使用される電子写真用感光体に
関する。
で１００枚／分以上），高解像度（３００ｄｐｉ以上）
の電子写真応用機器である複写機，プリンタ，ファクシ
ミリなどの心臓部として使用される電子写真用感光体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真応用機器である複写機，プリン
タ，ファクシミリなどは、年々、高速化，高画質化（高
解像度化）へと指向されている。従来、Ａ４用紙への画
像形成速度４０枚／分〜１００枚／分程度，解像度（分
解能）２４０ｄｐｉ程度以下の機器では、耐刷性の優位
な非晶質Ｓｅ系材料，なかでも非晶質Ｓｅ−Ａｓ合金系
材料を感光材料とする電子写真用感光体が使用されてき
た。
タ，ファクシミリなどは、年々、高速化，高画質化（高
解像度化）へと指向されている。従来、Ａ４用紙への画
像形成速度４０枚／分〜１００枚／分程度，解像度（分
解能）２４０ｄｐｉ程度以下の機器では、耐刷性の優位
な非晶質Ｓｅ系材料，なかでも非晶質Ｓｅ−Ａｓ合金系
材料を感光材料とする電子写真用感光体が使用されてき
た。
【０００３】このような非晶質Ｓｅ−Ａｓ合金系感光体
は、切削加工などで表面粗さがＲma x で０．８μｍ〜
１．２μｍとされた基体表面に、非晶質Ｓｅ−Ａｓ合金
系材料を真空蒸着して膜厚６０μｍ〜８０μｍの感光層
を形成し、その後エージング（明中および暗中に数時間
〜数十時間放置）することにより製造されていた。ま
た、かかる感光体を用いた電子写真応用機器（以下、単
に機器とも称する）の画像形成プロセスは、例えば、円
筒状の感光体を用いる場合、図２に模式的に示すよう
に、感光体は矢印の方向に回転させられながら、機器の
帯電部５で表面が帯電され、露光部６で画像情報に従っ
た光を当てられて表面に静電潜像が形成され、この静電
潜像に現像部７で現像剤を付着させて可視像化し、転写
部８でこの可視像を用紙などの支持体に転写し、定着部
９で支持体上に定着して画像を得る。従来は、感光体は
比較的高電位（８００Ｖ〜１，２００Ｖ）に帯電されて
使用されていたが、基体表面の粗さがＲmax で０．８μ
ｍ〜１．２μｍであっても、感光層膜厚が６０μｍ〜８
０μｍと厚く、点欠陥などの画像欠陥の発生は抑えられ
ていた。
は、切削加工などで表面粗さがＲma x で０．８μｍ〜
１．２μｍとされた基体表面に、非晶質Ｓｅ−Ａｓ合金
系材料を真空蒸着して膜厚６０μｍ〜８０μｍの感光層
を形成し、その後エージング（明中および暗中に数時間
〜数十時間放置）することにより製造されていた。ま
た、かかる感光体を用いた電子写真応用機器（以下、単
に機器とも称する）の画像形成プロセスは、例えば、円
筒状の感光体を用いる場合、図２に模式的に示すよう
に、感光体は矢印の方向に回転させられながら、機器の
帯電部５で表面が帯電され、露光部６で画像情報に従っ
た光を当てられて表面に静電潜像が形成され、この静電
潜像に現像部７で現像剤を付着させて可視像化し、転写
部８でこの可視像を用紙などの支持体に転写し、定着部
９で支持体上に定着して画像を得る。従来は、感光体は
比較的高電位（８００Ｖ〜１，２００Ｖ）に帯電されて
使用されていたが、基体表面の粗さがＲmax で０．８μ
ｍ〜１．２μｍであっても、感光層膜厚が６０μｍ〜８
０μｍと厚く、点欠陥などの画像欠陥の発生は抑えられ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような画像形成
プロセスで静電潜像を形成する過程において、高速にな
る（すなわち感光体の回転速度が速くなる）ほど感光体
表面に当たる露光量は少なくなるので、より高感度の感
光体が求められる。また、感光体表面の電位は露光され
て減衰が完了するまでに或る時間を要する（電位減衰時
間または光応答性がある）ことから、高速化で露光から
現像までの時間が短くなった場合、露光による電位の減
衰が完了しないうちに現像工程に入り、濃淡差などの可
視像の乱れが生じて画質が低下するという問題が発生す
る。
プロセスで静電潜像を形成する過程において、高速にな
る（すなわち感光体の回転速度が速くなる）ほど感光体
表面に当たる露光量は少なくなるので、より高感度の感
光体が求められる。また、感光体表面の電位は露光され
て減衰が完了するまでに或る時間を要する（電位減衰時
間または光応答性がある）ことから、高速化で露光から
現像までの時間が短くなった場合、露光による電位の減
衰が完了しないうちに現像工程に入り、濃淡差などの可
視像の乱れが生じて画質が低下するという問題が発生す
る。
【０００５】この帯電位の減衰は、図３の模式的断面図
に示すように、感光層２の表面が帯電された，例えば正
帯電された（基体１には負電位が誘起される）感光体の
表面に光が当てられると、感光層２の内部に正および負
の電荷キャリヤが発生し、それぞれが形成されている電
界により基体１側の表面および感光層２の表面側に移動
して、それぞれの電荷が中和されて帯電位の減衰が完了
する。この電荷キャリヤの移動時間が前記の電位減衰時
間（光応答性）を決定する。
に示すように、感光層２の表面が帯電された，例えば正
帯電された（基体１には負電位が誘起される）感光体の
表面に光が当てられると、感光層２の内部に正および負
の電荷キャリヤが発生し、それぞれが形成されている電
界により基体１側の表面および感光層２の表面側に移動
して、それぞれの電荷が中和されて帯電位の減衰が完了
する。この電荷キャリヤの移動時間が前記の電位減衰時
間（光応答性）を決定する。
【０００６】従来の感光体では、電荷キャリヤの移動度
が遅くて電位減衰時間が長い（光応答性が悪い）ため
に、高速の機器に用いた場合、画質の低下を招いてい
た。また、ある一定の電位減衰時間を確保するために
は、感光体の外径を大きくすることにより対応すること
が可能であるが、機器と感光体の関係から感光体の外径
を大きくすることには限界があった。
が遅くて電位減衰時間が長い（光応答性が悪い）ため
に、高速の機器に用いた場合、画質の低下を招いてい
た。また、ある一定の電位減衰時間を確保するために
は、感光体の外径を大きくすることにより対応すること
が可能であるが、機器と感光体の関係から感光体の外径
を大きくすることには限界があった。
【０００７】さらに、高画質化への対応として、現像剤
を微粒子化して解像度（分解能）を向上させる傾向にあ
るが、従来の感光層の膜厚では厚過ぎて、発生した電荷
キャリヤが横方向へ移動し、画像のにじみ，ぼけの原因
となり、切れの悪い画質となっていた。感光層の膜厚を
薄くすると、基体の表面加工を切削加工で行う場合に
は、表面粗さがＲmax で０．８μｍ〜１．２μｍと大き
くなることから、切削時のバリなどが障害となり画像上
白点欠陥や黒点欠陥が発生し易くなり、実用上問題とな
っていた。
を微粒子化して解像度（分解能）を向上させる傾向にあ
るが、従来の感光層の膜厚では厚過ぎて、発生した電荷
キャリヤが横方向へ移動し、画像のにじみ，ぼけの原因
となり、切れの悪い画質となっていた。感光層の膜厚を
薄くすると、基体の表面加工を切削加工で行う場合に
は、表面粗さがＲmax で０．８μｍ〜１．２μｍと大き
くなることから、切削時のバリなどが障害となり画像上
白点欠陥や黒点欠陥が発生し易くなり、実用上問題とな
っていた。
【０００８】さらにまた、従来の感光体では高速の機器
に対して感度が不十分であった。この発明は、上述の点
に鑑みてなされたものであって、電子写真応用機器の高
速化，高画質化に対応可能な、感度，光応答性，解像度
の向上した感光体を提供することを目的とする。
に対して感度が不十分であった。この発明は、上述の点
に鑑みてなされたものであって、電子写真応用機器の高
速化，高画質化に対応可能な、感度，光応答性，解像度
の向上した感光体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、導電性基体上に形成される感光層が、暗所で
の帯電位の保持と露光時の電荷キャリヤの輸送を主たる
機能とする第一層とその上に形成された露光時の電荷キ
ャリヤの発生を主たる機能とする第二層とが積層されて
なり、前記第一層と第二層が共に非晶質セレン・ひ素合
金であって、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が前記第一
層のひ素（Ａｓ）濃度より高く、かつ前記第一層のひ素
（Ａｓ）濃度が１０重量％以上４５重量％以下の範囲内
であり、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が２５重量％以
上４５重量％以下の範囲内である電子写真用感光体にお
いて、前記第一層と第二層が共にそれぞれ５０，０００
重量ｐｐｍ以下のよう素（Ｉ2）を含むことによって解
決される。
によれば、導電性基体上に形成される感光層が、暗所で
の帯電位の保持と露光時の電荷キャリヤの輸送を主たる
機能とする第一層とその上に形成された露光時の電荷キ
ャリヤの発生を主たる機能とする第二層とが積層されて
なり、前記第一層と第二層が共に非晶質セレン・ひ素合
金であって、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が前記第一
層のひ素（Ａｓ）濃度より高く、かつ前記第一層のひ素
（Ａｓ）濃度が１０重量％以上４５重量％以下の範囲内
であり、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が２５重量％以
上４５重量％以下の範囲内である電子写真用感光体にお
いて、前記第一層と第二層が共にそれぞれ５０，０００
重量ｐｐｍ以下のよう素（Ｉ2）を含むことによって解
決される。
【００１０】セレン−ひ素合金においては、Ａｓ濃度を
高めることにより感度を高めることができるが、帯電位
の保持能は低下する傾向が見られる。感光層を二層に分
け、第一層のＡｓ濃度を低めとし第二層のＡｓ濃度を第
一層のＡｓ濃度より高くすることにより、帯電位の保持
能を低下させることなく感度を高めることができる。
高めることにより感度を高めることができるが、帯電位
の保持能は低下する傾向が見られる。感光層を二層に分
け、第一層のＡｓ濃度を低めとし第二層のＡｓ濃度を第
一層のＡｓ濃度より高くすることにより、帯電位の保持
能を低下させることなく感度を高めることができる。
【００１１】セレン−ひ素合金にＩ2 を添加することに
より、電荷キャリヤの移動度が大きくなり光応答性が向
上する。しかしながら、Ｉ2 濃度が高くなると膜質が悪
くなる傾向がでてくるので５０，０００重量ｐｐｍ以下
である必要がある。また、Ｉ2 濃度が高くなると感度が
低下する傾向が現れるので、電荷キャリヤ発生を主機能
とする第二層のＩ2 濃度は第一層のＩ2 濃度より少ない
ことが望ましい。
より、電荷キャリヤの移動度が大きくなり光応答性が向
上する。しかしながら、Ｉ2 濃度が高くなると膜質が悪
くなる傾向がでてくるので５０，０００重量ｐｐｍ以下
である必要がある。また、Ｉ2 濃度が高くなると感度が
低下する傾向が現れるので、電荷キャリヤ発生を主機能
とする第二層のＩ2 濃度は第一層のＩ2 濃度より少ない
ことが望ましい。
【００１２】また、感光層の膜厚を薄くすると画像のに
じみをなくし良好な画像を得るために望ましい。その上
で、暗所での帯電位の保持を主機能とする第一層の膜厚
は感光体としての特性上可能な限り厚くし、光受容時の
電荷キャリヤの発生を主機能とする第二層の膜厚は薄く
することが望ましい。第一層の膜厚は２０μｍ以上７０
μｍ以下の範囲内とし、第二層の膜厚は５μｍ以上３０
μｍ以下の範囲内とすると好適である。このように膜厚
を薄くした感光体は画像形成時帯電位８００Ｖ以下と従
来の８００Ｖ〜１２００Ｖより低い帯電で使用されるの
が望ましい。
じみをなくし良好な画像を得るために望ましい。その上
で、暗所での帯電位の保持を主機能とする第一層の膜厚
は感光体としての特性上可能な限り厚くし、光受容時の
電荷キャリヤの発生を主機能とする第二層の膜厚は薄く
することが望ましい。第一層の膜厚は２０μｍ以上７０
μｍ以下の範囲内とし、第二層の膜厚は５μｍ以上３０
μｍ以下の範囲内とすると好適である。このように膜厚
を薄くした感光体は画像形成時帯電位８００Ｖ以下と従
来の８００Ｖ〜１２００Ｖより低い帯電で使用されるの
が望ましい。
【００１３】また、感光層は、真空蒸着後加熱処理され
ると、感光層内のＩ2 の分布が均一となるので好まし
い。加熱処理は温度１００℃以上２００℃以下の範囲内
で３０分間以上８０分間以下の範囲内で行われることが
望ましい。また、導電性基体の表面粗さはＲmax で０．
５μｍ以下であることが望ましい。表面粗さがこれより
大きくなると、上述のような低帯電で使用しても画像上
点欠陥が発生するようになるので好ましくない。導電性
基体の材質としては、加工性の点でアルミニウム系合金
が望ましい。
ると、感光層内のＩ2 の分布が均一となるので好まし
い。加熱処理は温度１００℃以上２００℃以下の範囲内
で３０分間以上８０分間以下の範囲内で行われることが
望ましい。また、導電性基体の表面粗さはＲmax で０．
５μｍ以下であることが望ましい。表面粗さがこれより
大きくなると、上述のような低帯電で使用しても画像上
点欠陥が発生するようになるので好ましくない。導電性
基体の材質としては、加工性の点でアルミニウム系合金
が望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係わる感光体
の模式的断面図であって、導電性基体１の上に第一層
３，第二層４の積層からなる感光層２が形成された構成
である。このような層構成の感光体において、第一層お
よび第二層をＳｅ−Ａｓ合金で形成する。
の模式的断面図であって、導電性基体１の上に第一層
３，第二層４の積層からなる感光層２が形成された構成
である。このような層構成の感光体において、第一層お
よび第二層をＳｅ−Ａｓ合金で形成する。
【００１５】第一層，第二層を構成するＳｅ−Ａｓ合金
の材料組成と感光体の感度との間には図４，図５，図６
に示すような関係がある。なお、第一層の膜厚は３０μ
ｍ，第二層の膜厚は１０μｍとした。各図において、第
二層中のＡｓ濃度についてはパラメーターとして２０重
量％，３０重量％，３６重量％，３８．６重量％（化学
量論的組成），４０重量％，５０重量％と変え、横軸は
第一層中のＡｓ濃度を重量％で示し、縦軸は感光体の感
度を波長６４０ｎｍの単色光により帯電位８００Ｖを１
００Ｖにまで減衰させるに要する光エネルギーＥ100 で
示してあり、Ｉ 2 濃度については、第一層，第二層両層
同量で、図４では０重量ｐｐｍ、図５では１０．０００
重量ｐｐｍ、図６では５０．０００重量ｐｐｍとした場
合を示す。また、各図には感度について画像良好な領域
を一点鎖線で示してある。
の材料組成と感光体の感度との間には図４，図５，図６
に示すような関係がある。なお、第一層の膜厚は３０μ
ｍ，第二層の膜厚は１０μｍとした。各図において、第
二層中のＡｓ濃度についてはパラメーターとして２０重
量％，３０重量％，３６重量％，３８．６重量％（化学
量論的組成），４０重量％，５０重量％と変え、横軸は
第一層中のＡｓ濃度を重量％で示し、縦軸は感光体の感
度を波長６４０ｎｍの単色光により帯電位８００Ｖを１
００Ｖにまで減衰させるに要する光エネルギーＥ100 で
示してあり、Ｉ 2 濃度については、第一層，第二層両層
同量で、図４では０重量ｐｐｍ、図５では１０．０００
重量ｐｐｍ、図６では５０．０００重量ｐｐｍとした場
合を示す。また、各図には感度について画像良好な領域
を一点鎖線で示してある。
【００１６】図４より第一層のＡｓ濃度約４７重量％以
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となり、図５より第一層のＡｓ濃度約４８重量％以
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となり、図６より第一層のＡｓ濃度約４９重量％以
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となる。また、図４，図５，図６よりＩ2 濃度が多
くなるにつれて感度は良くなる傾向が見られる。
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となり、図５より第一層のＡｓ濃度約４８重量％以
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となり、図６より第一層のＡｓ濃度約４９重量％以
下，第二層のＡｓ濃度約４５重量％以下の範囲内で画像
良好となる。また、図４，図５，図６よりＩ2 濃度が多
くなるにつれて感度は良くなる傾向が見られる。
【００１７】感光層のＡｓ濃度については、第一層およ
び第二層の果たすべき機能から考えて、第二層のＡｓ濃
度が第一層のＡｓ濃度より高く、かつ、第一層のＡｓ濃
度範囲は１０重量％〜４５重量％、第二層のＡｓ濃度範
囲は２５重量％〜４５重量％，とする必要がある。
び第二層の果たすべき機能から考えて、第二層のＡｓ濃
度が第一層のＡｓ濃度より高く、かつ、第一層のＡｓ濃
度範囲は１０重量％〜４５重量％、第二層のＡｓ濃度範
囲は２５重量％〜４５重量％，とする必要がある。
【００１８】また、Ｉ2 濃度については、図では第一
層，第二層同濃度の場合を示したが、Ｉ2 濃度が高くな
ると感度が低下する傾向がでてくることが知られている
ので、第二層のＩ2 濃度が第一層のＩ2 濃度より少ない
ことが望ましい。また、Ｓｅ−Ａｓ合金層中のＩ2 濃度
と電荷キャリヤ移動度との関係を図７の線図に示す。こ
れより、層中のＩ2 濃度が増すにつれて電荷キャリヤ移
動度が大きくなることが判る。しかし、別の実験（説明
はせず）から、Ｉ2 濃度が５０，０００重量ｐｐｍ程度
を超えて多くなると膜のピンホールが増加するなど膜質
が低下してくることが判っているので、Ｉ2 濃度として
は５０，０００重量ｐｐｍ以下とする必要がある。
層，第二層同濃度の場合を示したが、Ｉ2 濃度が高くな
ると感度が低下する傾向がでてくることが知られている
ので、第二層のＩ2 濃度が第一層のＩ2 濃度より少ない
ことが望ましい。また、Ｓｅ−Ａｓ合金層中のＩ2 濃度
と電荷キャリヤ移動度との関係を図７の線図に示す。こ
れより、層中のＩ2 濃度が増すにつれて電荷キャリヤ移
動度が大きくなることが判る。しかし、別の実験（説明
はせず）から、Ｉ2 濃度が５０，０００重量ｐｐｍ程度
を超えて多くなると膜のピンホールが増加するなど膜質
が低下してくることが判っているので、Ｉ2 濃度として
は５０，０００重量ｐｐｍ以下とする必要がある。
【００１９】また、感光層の膜厚は、第一層膜厚＞第二
層膜厚とし、第一層膜厚は２０μｍ以上７０μｍ以下の
範囲内、第二層膜厚は５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内
とする。基体の表面粗さは、例えばダイヤモンドバイト
による切削加工で、Ｒmax ０．５μｍ以下、より好まし
くは０．３μｍ以下とする。材質は、アルミニウム，ニ
ッケル，ステンレス鋼などが用いられるが、加工性の点
でアルミニウム合金が好適である。
層膜厚とし、第一層膜厚は２０μｍ以上７０μｍ以下の
範囲内、第二層膜厚は５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内
とする。基体の表面粗さは、例えばダイヤモンドバイト
による切削加工で、Ｒmax ０．５μｍ以下、より好まし
くは０．３μｍ以下とする。材質は、アルミニウム，ニ
ッケル，ステンレス鋼などが用いられるが、加工性の点
でアルミニウム合金が好適である。
【００２０】
【実施例】以下、具体的な実施例について説明する。 実施例１ アルミニウム合金からなる円筒の外周面を表面粗さＲ
max ０．３μｍに加工して基体とする。この基体の外周
面上に、Ａｓ濃度３５重量％，Ｉ2 濃度５，０００重量
ｐｐｍのＳｅ−Ａｓ合金を真空蒸着して膜厚３０μｍの
非晶質の第一層を形成し、その上に、Ａｓ濃度３８．６
重量％，Ｉ2 濃度１，０００ｐｐｍのＳｅ−Ａｓ合金を
真空蒸着して膜厚１０μｍの非晶質の第二層を形成して
膜厚４０μｍの感光層を設け、続いて、温度１５０℃で
６０分間の加熱処理を施して感光体を作製した。
max ０．３μｍに加工して基体とする。この基体の外周
面上に、Ａｓ濃度３５重量％，Ｉ2 濃度５，０００重量
ｐｐｍのＳｅ−Ａｓ合金を真空蒸着して膜厚３０μｍの
非晶質の第一層を形成し、その上に、Ａｓ濃度３８．６
重量％，Ｉ2 濃度１，０００ｐｐｍのＳｅ−Ａｓ合金を
真空蒸着して膜厚１０μｍの非晶質の第二層を形成して
膜厚４０μｍの感光層を設け、続いて、温度１５０℃で
６０分間の加熱処理を施して感光体を作製した。
【００２１】実施例２ 実施例１において、第一層の膜厚を５０μｍとしたこと
以外は実施例１と同様にして、感光層膜厚６０μｍの感
光体を作製した。 比較例１ アルミニウム合金からなる円筒の外周面を表面粗さＲ
max ０．８μｍに加工して基体とする。この基体の外周
面上に、Ａｓ濃度３８．６重量％，Ｉ2 無添加のＳｅ−
Ａｓ合金を真空蒸着して膜厚４０μｍの非晶質の単層の
感光層を形成し、明中２４時間＋暗中２４時間のエイジ
ングを行って感光体を作製した。
以外は実施例１と同様にして、感光層膜厚６０μｍの感
光体を作製した。 比較例１ アルミニウム合金からなる円筒の外周面を表面粗さＲ
max ０．８μｍに加工して基体とする。この基体の外周
面上に、Ａｓ濃度３８．６重量％，Ｉ2 無添加のＳｅ−
Ａｓ合金を真空蒸着して膜厚４０μｍの非晶質の単層の
感光層を形成し、明中２４時間＋暗中２４時間のエイジ
ングを行って感光体を作製した。
【００２２】比較例２ 比較例１において、感光層の膜厚を６０μｍとしたこと
以外は比較例１と同様にして感光体を作製した。以上の
ようにして作製した各感光体について、電荷キャリヤの
移動度μ，帯電位６００Ｖにおける移動速度Ｓ（＝μ・
Ｖ／Ｌ）（Ｌは感光層膜厚を表す），感度Ｅ100 を測定
した。その結果を表１に示す。
以外は比較例１と同様にして感光体を作製した。以上の
ようにして作製した各感光体について、電荷キャリヤの
移動度μ，帯電位６００Ｖにおける移動速度Ｓ（＝μ・
Ｖ／Ｌ）（Ｌは感光層膜厚を表す），感度Ｅ100 を測定
した。その結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１に見られるように、感光層を第一層と
第二層の積層とし、さらにＩ2 を添加した実施例１，２
の感光体は電荷キャリヤの移動度，感度が従来の比較例
１，２の感光体に比して大幅に増加することが判る。ま
た、膜厚の薄い実施例１の方が感度が低いにもかかわら
ず移動速度が実施例２よりも速く光応答性が良いことが
判る。
第二層の積層とし、さらにＩ2 を添加した実施例１，２
の感光体は電荷キャリヤの移動度，感度が従来の比較例
１，２の感光体に比して大幅に増加することが判る。ま
た、膜厚の薄い実施例１の方が感度が低いにもかかわら
ず移動速度が実施例２よりも速く光応答性が良いことが
判る。
【００２５】また、複写速度２００枚／分（周速度８０
０ｍｍ／秒），解像度６００ｄｐｉ，帯電位６００Ｖ，
露光波長６４０ｎｍのプリンタに搭載して画質（解像
度，にじみ，画像欠陥（点欠陥など））を評価した。そ
の結果を表２に示す。なお、表中、○印は良好，△印は
普通，×印は不良を表す。
０ｍｍ／秒），解像度６００ｄｐｉ，帯電位６００Ｖ，
露光波長６４０ｎｍのプリンタに搭載して画質（解像
度，にじみ，画像欠陥（点欠陥など））を評価した。そ
の結果を表２に示す。なお、表中、○印は良好，△印は
普通，×印は不良を表す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２に見られるように、感光層を第一層と
第二層の積層とし、さらにＩ2 を添加し、膜厚の薄い実
施例１の感光体が最良の画質を示すことが判る。また、
比較例１の感光体に見られるように膜厚が薄い単層の感
光体では画像に点欠陥が発生するようになる。
第二層の積層とし、さらにＩ2 を添加し、膜厚の薄い実
施例１の感光体が最良の画質を示すことが判る。また、
比較例１の感光体に見られるように膜厚が薄い単層の感
光体では画像に点欠陥が発生するようになる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば、電子写真応用機器の高速化，高画質化に対応可能
な、感度，光応答性，解像度の向上した感光体を得るこ
とが可能となる。
れば、電子写真応用機器の高速化，高画質化に対応可能
な、感度，光応答性，解像度の向上した感光体を得るこ
とが可能となる。
【図１】この発明に係わる感光体の層構成を示す模式的
断面図
断面図
【図２】画像形成プロセスの説明図
【図３】従来の感光体における帯電，露光，減衰のプロ
セスの説明図
セスの説明図
【図４】Ｉ2 を含まないＳｅ−Ａｓ合金からなる感光層
の、第一層および第二層のＡｓ濃度と感光体の感度との
関係を示す線図
の、第一層および第二層のＡｓ濃度と感光体の感度との
関係を示す線図
【図５】Ｉ2 を１０，０００重量ｐｐｍ含むＳｅ−Ａｓ
合金からなる感光層の、第一層および第二層のＡｓ濃度
と感光体の感度との関係を示す線図
合金からなる感光層の、第一層および第二層のＡｓ濃度
と感光体の感度との関係を示す線図
【図６】Ｉ2 を５０，０００重量ｐｐｍ含むＳｅ−Ａｓ
合金からなる感光層の、第一層および第二層のＡｓ濃度
と感光体の感度との関係を示す線図
合金からなる感光層の、第一層および第二層のＡｓ濃度
と感光体の感度との関係を示す線図
【図７】Ｉ2 を含みＡｓ濃度３８．６重量％のＳｅ−Ａ
ｓ合金からなる層におけるＩ2濃度と電荷キャリヤ移動
度との関係を示す線図
ｓ合金からなる層におけるＩ2濃度と電荷キャリヤ移動
度との関係を示す線図
１ 導電性基体 ２ 感光層 ３ 第一層 ４ 第二層 ５ 帯電部 ６ 露光部 ７ 現像部 ８ 転写部 ９ 定着部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−28653（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−282265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−251754（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−237455（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−173749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−273868（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−48671（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−167553（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−111539（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−187857（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/00 101 G03G 5/08 101 G03G 5/10
Claims (6)
- 【請求項１】導電性基体上に形成される感光層が、 暗所での帯電位の保持と露光時の電荷キャリヤの輸送を
主たる機能とする第一層とその上に形成された露光時の
電荷キャリヤの発生を主たる機能とする第二層とが積層
されてなり、前記第一層と第二層が共に非晶質セレン・
ひ素合金であって、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が前
記第一層のひ素（Ａｓ）濃度より高く、かつ前記第一層
のひ素（Ａｓ）濃度が１０重量％以上４５重量％以下の
範囲内であり、前記第二層のひ素（Ａｓ）濃度が２５重
量％以上４５重量％以下の範囲内である電子写真用感光
体において、 前記第一層と第二層が共にそれぞれ５０，０００重量ｐ
ｐｍ以下のよう素（Ｉ2）を含むことを特徴とする電子
写真用感光体。 - 【請求項２】第二層のよう素（Ｉ2 ）濃度が第一層のよ
う素（Ｉ2 ）濃度より少ないことを特徴とする請求項１
記載の電子写真用感光体。 - 【請求項３】第一層の膜厚が第二層の膜厚より厚く、か
つ、第一層の膜厚が２０μｍ以上７０μｍ以下の範囲内
であり、第二層の膜厚が５μｍ以上３０μｍ以下の範囲
内であることを特徴とする請求項１または２記載の電子
写真用感光体。 - 【請求項４】感光層が１００℃以上２００℃以下の範囲
内で３０分間以上８０分間以下の範囲内で加熱処理され
ていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに
記載の電子写真用感光体。 - 【請求項５】導電性基体の表面粗さがＲmax で０．５μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいず
れかに記載の電子写真用感光体。 - 【請求項６】導電性基体がアルミニウム合金からなるこ
とを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電
子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10020597A JP2962300B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子写真用感光体 |
| DE19903362A DE19903362A1 (de) | 1998-02-02 | 1999-01-28 | Fotoleiter für Elektrofotografie |
| US09/241,134 US6045958A (en) | 1998-02-02 | 1999-02-01 | Photoconductor for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10020597A JP2962300B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218949A JPH11218949A (ja) | 1999-08-10 |
| JP2962300B2 true JP2962300B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12031690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10020597A Expired - Fee Related JP2962300B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6045958A (ja) |
| JP (1) | JP2962300B2 (ja) |
| DE (1) | DE19903362A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP3144342B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2001-03-12 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法及びこの感光体を用いた電子写真プロセス |
| WO2013146234A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱化学株式会社 | 静電荷像現像用トナー |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1250737B (ja) * | 1963-07-08 | |||
| JPS49112623A (ja) * | 1973-02-03 | 1974-10-26 | ||
| US4710442A (en) * | 1986-02-11 | 1987-12-01 | Ricoh Systems, Inc. | Gradient layer panchromatic photoreceptor |
| US4770965A (en) * | 1986-12-23 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Selenium alloy imaging member |
| JPH01316750A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP10020597A patent/JP2962300B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-28 DE DE19903362A patent/DE19903362A1/de not_active Withdrawn
- 1999-02-01 US US09/241,134 patent/US6045958A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19903362A1 (de) | 1999-08-05 |
| US6045958A (en) | 2000-04-04 |
| JPH11218949A (ja) | 1999-08-10 |
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