JP3011184B2 - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザープリンタ
ー、普通紙複写機等に用いることのできる電子写真用感
光体に関し、詳しくは導電性基板上にセレン−ヒ素合金
が真空蒸着され感光膜が形成されてなる電子写真用セレ
ン感光体（単に「感光体」とも称する）に関する。
ー、普通紙複写機等に用いることのできる電子写真用感
光体に関し、詳しくは導電性基板上にセレン−ヒ素合金
が真空蒸着され感光膜が形成されてなる電子写真用セレ
ン感光体（単に「感光体」とも称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真用感光体として従来より多様さ
れているセレン感光体は、アルミニウム合金等の円筒状
導電性基板の外表面上にセレン系材料を真空蒸着して成
膜することにより製造される。かかるセレン感光体のう
ち、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空蒸着され感
光膜が形成されてなるセレン−ヒ素感光体は、これまで
主に単層型で用いられてきた。
れているセレン感光体は、アルミニウム合金等の円筒状
導電性基板の外表面上にセレン系材料を真空蒸着して成
膜することにより製造される。かかるセレン感光体のう
ち、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空蒸着され感
光膜が形成されてなるセレン−ヒ素感光体は、これまで
主に単層型で用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のセレン−ヒ素感
光体は、例えば、Ａ４サイズの印刷で４０枚／分から１
５０枚／分程度の大型高速プリンターに搭載する場合は
単層構造でも十分な光応答性を持っていたが、これが３
００枚／分以上となると、感光体表面位に当たる光源の
露光量が少なくなるため、単層構造の膜では光応答性が
不十分で、感度不足を生じてしまうという問題があっ
た。このため、画像の乱れを招き、画質が低下してしま
った。
光体は、例えば、Ａ４サイズの印刷で４０枚／分から１
５０枚／分程度の大型高速プリンターに搭載する場合は
単層構造でも十分な光応答性を持っていたが、これが３
００枚／分以上となると、感光体表面位に当たる光源の
露光量が少なくなるため、単層構造の膜では光応答性が
不十分で、感度不足を生じてしまうという問題があっ
た。このため、画像の乱れを招き、画質が低下してしま
った。
【０００４】また、単層型セレン感光体の場合、光源の
波長により感度の変化が大きいため、単層型セレン感光
体を搭載したプリンターの光源の波長選択が自由にでき
ないといった問題もあった。このため、従来においては
搭載機側で光源波長のばらつきを小さくしなければなら
なかった。
波長により感度の変化が大きいため、単層型セレン感光
体を搭載したプリンターの光源の波長選択が自由にでき
ないといった問題もあった。このため、従来においては
搭載機側で光源波長のばらつきを小さくしなければなら
なかった。
【０００５】そこで本発明の目的は、感光体表面位に当
たる光源の露光量が少なくても十分な光応答性を有し、
かつ搭載機側での使用できる露光光源の選択幅を広げる
ことができ、露光光源の波長のばらつきに依らず、より
感度を一定に保つことが可能な電子写真用セレン感光体
を提供することにある。
たる光源の露光量が少なくても十分な光応答性を有し、
かつ搭載機側での使用できる露光光源の選択幅を広げる
ことができ、露光光源の波長のばらつきに依らず、より
感度を一定に保つことが可能な電子写真用セレン感光体
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空
蒸着された感光膜において電荷の発生と輸送という機能
を分離させ、電荷の発生効率と移動度を高めるべく、セ
レン−ヒ素合金中のヒ素濃度が異なる２種類のセレン−
ヒ素合金を真空蒸着し、所定の条件下で電荷発生機能を
持つ層と、電荷輸送機能を持つ層とを形成せしめたとこ
ろ、前記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成
するに至った。
を解決すべく、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空
蒸着された感光膜において電荷の発生と輸送という機能
を分離させ、電荷の発生効率と移動度を高めるべく、セ
レン−ヒ素合金中のヒ素濃度が異なる２種類のセレン−
ヒ素合金を真空蒸着し、所定の条件下で電荷発生機能を
持つ層と、電荷輸送機能を持つ層とを形成せしめたとこ
ろ、前記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成
するに至った。
【０００７】即ち、本発明の電子写真用セレン感光体
は、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空蒸着され感
光膜が形成されてなる電子写真用セレン感光体におい
て、前記セレン−ヒ素合金中のヒ素濃度が異なる２種類
のセレン−ヒ素合金が真空蒸着され、ヒ素濃度の高い方
のセレン−ヒ素合金が電荷発生層を形成し、ヒ素濃度濃
度の低い方のセレン−ヒ素合金が電荷輸送層を形成して
なることを特徴とするものである。
は、導電性基板上にセレン−ヒ素合金が真空蒸着され感
光膜が形成されてなる電子写真用セレン感光体におい
て、前記セレン−ヒ素合金中のヒ素濃度が異なる２種類
のセレン−ヒ素合金が真空蒸着され、ヒ素濃度の高い方
のセレン−ヒ素合金が電荷発生層を形成し、ヒ素濃度濃
度の低い方のセレン−ヒ素合金が電荷輸送層を形成して
なることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の電子写真用セレン感光体は、上記
構成とすることにより、大型高速プリンターに十分に適
用し得る高い感度を有し、かつ露光光源の波長のばらつ
きに依存しない一定感度を持つようになる。
構成とすることにより、大型高速プリンターに十分に適
用し得る高い感度を有し、かつ露光光源の波長のばらつ
きに依存しない一定感度を持つようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。図１は、基板１上に電荷
輸送層が形成され、さらにその上に電荷発生層が積層さ
れてなる積層型感光体の一例の模式的断面を示す。電荷
発生層上には、さらに必要に応じて保護層を設けること
ができる。
を参照して具体的に説明する。図１は、基板１上に電荷
輸送層が形成され、さらにその上に電荷発生層が積層さ
れてなる積層型感光体の一例の模式的断面を示す。電荷
発生層上には、さらに必要に応じて保護層を設けること
ができる。
【００１０】本発明において使用し得る導電性基板１
は、円筒状、板状、フィルム状のいずれでもよく、材質
的にはアルミニウム、鉄、銅、ステンレス鋼、ニッケ
ル、これらの合金等の金属、あるいはガラスや合成樹脂
等の表面に導電処理が施されたものが挙げられる。
は、円筒状、板状、フィルム状のいずれでもよく、材質
的にはアルミニウム、鉄、銅、ステンレス鋼、ニッケ
ル、これらの合金等の金属、あるいはガラスや合成樹脂
等の表面に導電処理が施されたものが挙げられる。
【００１１】導電性基板１上へのセレン−ヒ素合金の真
空蒸着は、比較的厚膜の電荷輸送層は、蒸発源に充填さ
れた蒸着材料を真空中で加熱して蒸発させる通常の抵抗
加熱蒸着法を好適に採用し得るが、薄膜の電荷発生層は
通常の抵抗加熱蒸着法の他、フラッシュ蒸着法を好適に
採用することができる。
空蒸着は、比較的厚膜の電荷輸送層は、蒸発源に充填さ
れた蒸着材料を真空中で加熱して蒸発させる通常の抵抗
加熱蒸着法を好適に採用し得るが、薄膜の電荷発生層は
通常の抵抗加熱蒸着法の他、フラッシュ蒸着法を好適に
採用することができる。
【００１２】本発明においては、蒸着すべきセレン−ヒ
素合金中のヒ素濃度が異なる２種類のセレン−ヒ素合金
を使用し、ヒ素濃度の高い方のセレン−ヒ素合金で電荷
発生層を、またヒ素濃度の低い方のセレン−ヒ素合金で
電荷輸送層を形成する。これは、次のような理由に基づ
くものである。即ち、下記の実施例に示すように、蒸着
したセレン−ヒ素合金中の電荷発生層のヒ素濃度を一定
にして電荷輸送層のヒ素濃度を下げていったところ、こ
れに依存して移動度が速くなることが確認され、一方、
電荷輸送層のヒ素濃度を一定にして電荷発生層のヒ素濃
度を上げていくことによっても電荷の移動度がヒ素濃度
に依存して速くなり、かつ電荷の発生効率も高まること
が確認されたことによる。好ましくは、電荷発生層のヒ
素濃度を電荷輸送層のヒ素濃度よりも２重量％以上高く
する。
素合金中のヒ素濃度が異なる２種類のセレン−ヒ素合金
を使用し、ヒ素濃度の高い方のセレン−ヒ素合金で電荷
発生層を、またヒ素濃度の低い方のセレン−ヒ素合金で
電荷輸送層を形成する。これは、次のような理由に基づ
くものである。即ち、下記の実施例に示すように、蒸着
したセレン−ヒ素合金中の電荷発生層のヒ素濃度を一定
にして電荷輸送層のヒ素濃度を下げていったところ、こ
れに依存して移動度が速くなることが確認され、一方、
電荷輸送層のヒ素濃度を一定にして電荷発生層のヒ素濃
度を上げていくことによっても電荷の移動度がヒ素濃度
に依存して速くなり、かつ電荷の発生効率も高まること
が確認されたことによる。好ましくは、電荷発生層のヒ
素濃度を電荷輸送層のヒ素濃度よりも２重量％以上高く
する。
【００１３】電荷発生層のヒ素濃度は、好ましくは３０
重量％から５０重量％の範囲内であり、一方電荷輸送層
のヒ素濃度は、好ましくは２０重量％から４０重量％の
範囲内である。電荷発生層のヒ素濃度が３０重量％未満
であると、電荷の発生が不十分であり、５０重量％を超
えると外観上欠陥が生じる。また、電荷輸送層のヒ素濃
度が２０重量％未満であると、電荷発生層と電荷輸送層
のセレン−ヒ素合金の膨張係数の違いにより、外観上欠
陥（クラック）が生じる。４０重量％を超えると電荷の
移動度が不十分となる。
重量％から５０重量％の範囲内であり、一方電荷輸送層
のヒ素濃度は、好ましくは２０重量％から４０重量％の
範囲内である。電荷発生層のヒ素濃度が３０重量％未満
であると、電荷の発生が不十分であり、５０重量％を超
えると外観上欠陥が生じる。また、電荷輸送層のヒ素濃
度が２０重量％未満であると、電荷発生層と電荷輸送層
のセレン−ヒ素合金の膨張係数の違いにより、外観上欠
陥（クラック）が生じる。４０重量％を超えると電荷の
移動度が不十分となる。
【００１４】また、本発明の感光体において、感光膜中
にドープすべきハロゲンの濃度は、好ましくは５００ｐ
ｐｍから１００００ｐｐｍの範囲内である。この濃度が
５００ｐｐｍ未満であると十分な移動度が得られず、１
００００ｐｐｍを超えると暗減衰が大きく（保持率が悪
く）なってしまう。
にドープすべきハロゲンの濃度は、好ましくは５００ｐ
ｐｍから１００００ｐｐｍの範囲内である。この濃度が
５００ｐｐｍ未満であると十分な移動度が得られず、１
００００ｐｐｍを超えると暗減衰が大きく（保持率が悪
く）なってしまう。
【００１５】電荷発生層は、所要の電荷発生機能を持つ
必要があり、この電荷発生機能を良好に発揮させる上
で、その膜厚は、好ましくは５μｍから２０μｍであ
る。また、電荷輸送層は、暗所では絶縁体層として感光
層の電荷を保持し、光受容時には電荷発生層から注入さ
れる電荷を輸送する機能を良好に発揮させる上で、その
膜厚は、好ましくは２０μｍから６０μｍである。積層
型感光膜全体の膜厚は、好ましくは２５μｍから８０μ
ｍの範囲内とする。
必要があり、この電荷発生機能を良好に発揮させる上
で、その膜厚は、好ましくは５μｍから２０μｍであ
る。また、電荷輸送層は、暗所では絶縁体層として感光
層の電荷を保持し、光受容時には電荷発生層から注入さ
れる電荷を輸送する機能を良好に発揮させる上で、その
膜厚は、好ましくは２０μｍから６０μｍである。積層
型感光膜全体の膜厚は、好ましくは２５μｍから８０μ
ｍの範囲内とする。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。な
お、以下において「％」の表示は「重量％」を意味する
ものとする。電荷発生層のヒ素濃度と電荷移動度との関係 電荷輸送層のヒ素濃度を３０重量％で固定し、電荷発生
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷発生層のヒ素濃度と電荷の移
動度との関係を求めた。得られた結果を図２に示す。な
お、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。ま
た、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これにも４００
０ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の移動
度μは、Time of flight法（Ｔ．Ｏ．Ｆ）法により測定
した。
お、以下において「％」の表示は「重量％」を意味する
ものとする。電荷発生層のヒ素濃度と電荷移動度との関係 電荷輸送層のヒ素濃度を３０重量％で固定し、電荷発生
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷発生層のヒ素濃度と電荷の移
動度との関係を求めた。得られた結果を図２に示す。な
お、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。ま
た、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これにも４００
０ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の移動
度μは、Time of flight法（Ｔ．Ｏ．Ｆ）法により測定
した。
【００１７】図２から明らかなように、電荷輸送層のヒ
素濃度を一定にした場合、電荷発生層のヒ素濃度が電荷
輸送層のヒ素濃度よりも高くなる程電荷の移動度が速く
なることが確認された。
素濃度を一定にした場合、電荷発生層のヒ素濃度が電荷
輸送層のヒ素濃度よりも高くなる程電荷の移動度が速く
なることが確認された。
【００１８】電荷輸送層のヒ素濃度と電荷移動度との関
係 電荷発生層のヒ素濃度を４０重量％で固定し、電荷輸送
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷輸送層のヒ素濃度と電荷の移
動度との関係を求めた。得られた結果を図３に示す。な
お、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。ま
た、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の移動度
μは、実施例１と同様にＴ．Ｏ．Ｆ法により測定した。
係 電荷発生層のヒ素濃度を４０重量％で固定し、電荷輸送
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷輸送層のヒ素濃度と電荷の移
動度との関係を求めた。得られた結果を図３に示す。な
お、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。ま
た、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４０００
ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の移動度
μは、実施例１と同様にＴ．Ｏ．Ｆ法により測定した。
【００１９】図３から明らかなように、電荷発生層のヒ
素濃度を一定にした場合、電荷輸送層のヒ素濃度が電荷
発生層のヒ素濃度よりも低くなる程電荷の移動度が速く
なることが確認された。
素濃度を一定にした場合、電荷輸送層のヒ素濃度が電荷
発生層のヒ素濃度よりも低くなる程電荷の移動度が速く
なることが確認された。
【００２０】電荷発生層のヒ素濃度と電荷の発生効率と
の関係 電荷輸送層のヒ素濃度を３０重量％で固定し、電荷発生
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷発生層のヒ素濃度と電荷の発
生効率との関係を求めた。得られた結果を図４に示す。
なお、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４００
０ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。
また、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４００
０ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の発生
効率は、ゼログラフィックゲイン法（Xerographic Gai
n）により測定した。
の関係 電荷輸送層のヒ素濃度を３０重量％で固定し、電荷発生
層のヒ素濃度を変化させて円筒状アルミニウム基板上に
セレン−ヒ素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積
層型感光体について、電荷発生層のヒ素濃度と電荷の発
生効率との関係を求めた。得られた結果を図４に示す。
なお、電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに４００
０ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープした。
また、電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４００
０ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。電荷の発生
効率は、ゼログラフィックゲイン法（Xerographic Gai
n）により測定した。
【００２１】図４から明らかなように、電荷発生層のヒ
素濃度が高くなるに従い電荷の発生効率が高くなること
が分かる。
素濃度が高くなるに従い電荷の発生効率が高くなること
が分かる。
【００２２】電荷発生層と電荷輸送層の各ヒ素濃度の組
み合わせ 電荷輸送層のヒ素濃度と電荷発生層のヒ素濃度とを夫々
変化させて円筒状アルミニウム基板上にセレン−ヒ素合
金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積層型感光体につ
いて、下記の表１に示す、電荷発生層と電荷輸送層の各
ヒ素濃度の組み合わせごとでの感度評価を行った。な
お、いずれも電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに
４０００ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープ
し、また電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４０
００ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。感度の測
定は、感光体ドラム試験機を用いてＥＤＡ評価法にて下
記の基準に従い行った。 ◎：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３０μ
Ｊ／ｃｍ２未満 ○：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３０μ
Ｊ／ｃｍ２以上０．３５μＪ／ｃｍ２未満 △：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３５μ
Ｊ／ｃｍ２以上０．４０μＪ／ｃｍ２未満 ×：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．４０μ
Ｊ／ｃｍ２以上
み合わせ 電荷輸送層のヒ素濃度と電荷発生層のヒ素濃度とを夫々
変化させて円筒状アルミニウム基板上にセレン−ヒ素合
金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した積層型感光体につ
いて、下記の表１に示す、電荷発生層と電荷輸送層の各
ヒ素濃度の組み合わせごとでの感度評価を行った。な
お、いずれも電荷発生層の膜厚は１０μｍとし、これに
４０００ｐｐｍの膜中濃度になるようにヨウ素をドープ
し、また電荷輸送層の膜厚は３０μｍとし、これに４０
００ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。感度の測
定は、感光体ドラム試験機を用いてＥＤＡ評価法にて下
記の基準に従い行った。 ◎：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３０μ
Ｊ／ｃｍ２未満 ○：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３０μ
Ｊ／ｃｍ２以上０．３５μＪ／ｃｍ２未満 △：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．３５μ
Ｊ／ｃｍ２以上０．４０μＪ／ｃｍ２未満 ×：露光波長λ＝６５０ｎｍのときの感度が０．４０μ
Ｊ／ｃｍ２以上
【００２３】また、参考のために下記の表２に、ヒ素濃
度を変化させて円筒状アルミニウム基板上にセレン−ヒ
素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した単層型セレン
感光体についての同様の評価結果を示す。なお、この単
層型セレン感光体の感光層の膜厚は４０μｍとし、これ
に４０００ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。
度を変化させて円筒状アルミニウム基板上にセレン−ヒ
素合金を抵抗加熱蒸着法にて真空蒸着した単層型セレン
感光体についての同様の評価結果を示す。なお、この単
層型セレン感光体の感光層の膜厚は４０μｍとし、これ
に４０００ｐｐｍの膜中濃度のヨウ素をドープした。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】 前記表１および表２に示す結果から明らかなように、電
荷発生層のヒ素濃度が電荷輸送層のヒ素濃度よりも高く
なればなる程感度が良好となることが分かる。
荷発生層のヒ素濃度が電荷輸送層のヒ素濃度よりも高く
なればなる程感度が良好となることが分かる。
【００２６】露光光源の波長と感度との関係 電荷輸送層のヒ素濃度を３０重量％で固定し、電荷発生
層のヒ素濃度を変化させて得た前記積層型感光体（電荷
発生層のヒ素濃度：４０％、４５％、５０％）と、ヒ素
濃度３８％の前記単層型感光体について、露光光源の波
長と感度との関係を求めた。得られた結果を図５に示
す。また、同様に、電荷発生層のヒ素濃度を４０重量％
で固定し、電荷輸送層のヒ素濃度を変化させて得た前記
積層型感光体（電荷輸送層のヒ素濃度：３０％、３６
％、３８％、４０％）と、ヒ素濃度３８％の前記単層型
感光体について、露光光源の波長と感度との関係を求め
た。得られた結果を図６に示す。なお、感度測定は前記
と同様にして行った。
層のヒ素濃度を変化させて得た前記積層型感光体（電荷
発生層のヒ素濃度：４０％、４５％、５０％）と、ヒ素
濃度３８％の前記単層型感光体について、露光光源の波
長と感度との関係を求めた。得られた結果を図５に示
す。また、同様に、電荷発生層のヒ素濃度を４０重量％
で固定し、電荷輸送層のヒ素濃度を変化させて得た前記
積層型感光体（電荷輸送層のヒ素濃度：３０％、３６
％、３８％、４０％）と、ヒ素濃度３８％の前記単層型
感光体について、露光光源の波長と感度との関係を求め
た。得られた結果を図６に示す。なお、感度測定は前記
と同様にして行った。
【００２７】図５および図６から明らかなように、積層
型感光体は、露光光源の波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍの
範囲内において、単層型感光体と比較して露光光源の波
長に感度が依存していないことが分かる。
型感光体は、露光光源の波長５５０ｎｍ〜６５０ｎｍの
範囲内において、単層型感光体と比較して露光光源の波
長に感度が依存していないことが分かる。
【００２８】
【発明の効果】本発明により、電荷の発生効率と移動度
の向上により大型高速プリンターの高速化に十分耐え得
るセレン感光体の製造が可能となった。また、本発明の
積層型セレン感光体を搭載すれば、搭載機側での使用で
きる露光光源の選択幅を広げることができ、露光光源の
波長のばらつきに依らず、より感度を一定に保つことが
可能となった。
の向上により大型高速プリンターの高速化に十分耐え得
るセレン感光体の製造が可能となった。また、本発明の
積層型セレン感光体を搭載すれば、搭載機側での使用で
きる露光光源の選択幅を広げることができ、露光光源の
波長のばらつきに依らず、より感度を一定に保つことが
可能となった。
【図１】積層型感光体の模式的断面図である。
【図２】電荷発生層のヒ素濃度と電荷移動度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】電荷輸送層のヒ素濃度と電荷移動度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】電荷発生層のヒ素濃度と電荷の発生効率との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図５】電荷輸送層のヒ素濃度を固定し電荷発生層のヒ
素濃度を変動させたときの、露光光源の波長と感度との
関係を示すグラフである。
素濃度を変動させたときの、露光光源の波長と感度との
関係を示すグラフである。
【図６】電荷発生層のヒ素濃度を固定し電荷輸送層のヒ
素濃度を変動させたときの、露光光源の波長と感度との
関係を示すグラフである。
素濃度を変動させたときの、露光光源の波長と感度との
関係を示すグラフである。
１ 導電性基板 ２ 電荷輸送層 ３ 電荷発生層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−28653（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−282265（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−251754（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−237455（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−195551（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/08 101 B G03G 5/08 101 D
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基体上にセレン−ヒ素合金からな
り真空蒸着により形成された感光層が、ヒ素濃度の低い
電荷輸送層と、その上に形成されヒ素濃度の高い電荷発
生層との積層からなる電子写真用セレン感光体におい
て、前記電荷輸送層のヒ素濃度が２０重量％以上３０重
量％以下の範囲内であり、前記電荷発生層のヒ素濃度が
４０重量％以上５０重量％以下の範囲内であり、前記電
荷発生層のヒ素濃度が前記電荷輸送層のヒ素濃度よりも
２０重量％以上高く、かつ前記電荷輸送層と電荷発生層
が共に夫々５００ｐｐｍから１００００ｐｐｍの範囲内
の濃度のハロゲンを含むことを特徴とする電子写真用セ
レン感光体。 - 【請求項２】 前記電荷発生層の膜厚が５μｍから２０
μｍで、前記電荷輸送層の膜厚が２０μｍから６０μｍ
であり、積層型感光膜全体の膜厚が２５μｍから８０μ
ｍの範囲内である請求項１記載の電子写真用セレン感光
体。
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|---|---|---|---|
| JP10163956A JP3011184B2 (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 電子写真用セレン感光体 |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP10163956A JP3011184B2 (ja) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 電子写真用セレン感光体 |
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- 1998-06-11 JP JP10163956A patent/JP3011184B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1999-06-03 US US09/325,582 patent/US6228545B1/en not_active Expired - Fee Related
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