DE3919805A1 - Elektrofotografischer fotorezeptor - Google Patents
Elektrofotografischer fotorezeptorInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen elektrofotografischen Foto
rezeptor vom sogenannten Funktionstrennungstyp, der eine
Ladungsträgererzeugungsschicht, eine Ladungsträgertrans
portschicht und eine Oberflächenschutzschicht aufweist und
der außerdem zwischen der Ladungsträgererzeugungsschicht
und der Oberflächenschutzschicht mit einer Ladungsträgerin
jektions-Regulierschicht ausgestattet ist, um zu verhin
dern, daß das Verweil-Vermögen der positiven Ladung auf der
Oberfläche zwischen der Ladungsträgererzeugungsschicht und
der Oberflächenschutzschicht abnimmt.
Bei einem elektrofotografischen Drucker wird Licht im lan
gen Wellenlängenbereich von beispielsweise 630 bis 800 nm
von einer Belichtungsquelle, zum Beispiel einer Leucht
diode, einem Halbleiterlaser oder einem Gaslaser als Auf
zeichnungslicht abgegeben, um auf der Oberfläche eines
Fotorezeptors ein elektrostatisches, latentes Bild zu er
zeugen. Bei einem solchen Drucker wird im allgemeinen ein
Fotorezeptor vom sogenannten Funktionstrennungstyp einge
setzt, der folgendermaßen aufgebaut ist: Eine Ladungsträ
gererzeugungsschicht besitzt eine hohe Empfindlichkeit auch
gegenüber langwelligem Licht, eine Ladungsträgertransport
schicht dient zum Transportieren der von der Ladungsträger
erzeugungsschicht erzeugten Träger, und eine Oberflächen
schutzschicht schützt die Trägererzeugungsschicht vor äuße
rer Beanspruchung. Um die von der Ladungsträgererzeugungs
schicht durch andere Einwirkung als die Belichtung, zum
Beispiel durch thermische Erregung, erzeugten Elektronen
daran zu hindern, das Verweil-Vermögen der auf der Oberflä
che gebildeten positiven Ladungen zu senken, ist zwischen
die Ladungsträgertransportschicht und die Oberflächen
schutzschicht eine Trägerinjektions-Regulierschicht einge
fügt, die aus einer Legierung mit hohem Se-Anteil besteht
und einen breiten Bandabstand besitzt. Was die übrigen
Materialien angeht, so wird für die Trägererzeugungsschicht
eine hochkonzentrierte Te-Se-Legierung verwendet, während
für die Ladungsträgertransportschicht ein amorphes Se
Material und für die Oberflächenschutzschicht eine
schwachkonzentrierte As-Se-Legierung verwendet wird.
Die Oberflächenschutzschicht ist eine wichtige Schicht, die
die Haltbarkeit (zum Drucken geeignete Lebensdauer) eines
Fotorezeptors bestimmt. Allerdings besitzt eine schwachkon
zentrierte As-Se-Legierung, die üblicherweise für diese
Oberflächenschutzschicht verwendet wird, eine im Vergleich
zu As2Se3 hohe Wärmeausdehnung und geringe mechanische Fe
stigkeit. Ein solches mechanisch schwaches Material wird
verwendet, um der Erzeugung von Rissen und Sprüngen wegen
der Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen
der Oberflächenschutzschicht und der darunter liegenden
Schicht vorzubeugen, d. h. der darunter liegenden Träger
transportschicht, für die ein amorphes Se Material verwen
det wird, die einen sehr hohen Wärmeausdehnungskoeffizien
ten besitzt. Folglich leidet ein solcher Fotorezeptor be
dauerlicherweise an mangelnder Haltbarkeit, d.h. er besitzt
nur eine geringe zum Drucken geeignete Lebensdauer. Im Hin
blick darauf, daß es möglich wäre, die mechanische Festig
keit der Oberflächenschutzschicht zu verbessern bei gleich
zeitigem Senken der Wärmeausdehnungskoeffizienten der Trä
gertransportschicht und der Oberflächenschutzschicht, wurde
in jüngster Zeit ein Fotorezeptor vom Funktionstrennungstyp
aus Se-Te-As für einen Laserdrucker entwickelt, welcher
eine hohe Druck-Lebensdauer aufweist. Bei einem solchen Se-
Te-As-Fotorezeptor wird sowohl für die Trägertransport
schicht als auch für die Oberflächenschutzschicht eine
As2Se3-Legierung verwendet. Da die äußere Oberflächen
schicht aus einer As2Se3-Legierung besteht, weist der Foto
rezeptor eine hohe Druck-Lebensdauer auf, die derjenigen
eines herkömmlichen As2Se3-Fotorezeptors entspricht. Aller
dings ist dieser Fotorezeptor auch nachteilig hinsichtlich
der Wärmebeständigkeit. Das heißt: Da die Wärmeausdehnungs
koeffizienten der darunter liegenden Schichten, nämlich der
Trägererzeugungsschicht und der Trägerinjektions-Regulier
schicht, doppelt so groß sind wie der der Oberflächen
schutzschicht, expandieren, wenn der Fotorezeptor bei einer
Temperatur von 50°C belassen wird, die darunter liegenden
Schichten, d. h. die Ladungsträgererzeugungsschicht und die
Trägerinjektions-Regulierschicht sehr stark, wodurch
Rißbildungen in der Oberflächenschutzschicht entstehen.
Aufgabe der Erfindung ist es, die oben aufgezeigten Nach
teile weitestgehend zu vermeiden und einen elektrofotogra
fischen Fotorezeptor anzugeben, der eine hohe Druck-Lebens
dauer und eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist, ohne daß
die üblicherweise für einen Fotorezeptor geforderten Eigen
schaften nennenswert beeinträchtigt sind.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch angegebene
Erfindung gelöst.
Dadurch, daß auf der Ladungsträgererzeugungsschicht und der
Trägerinjektions-Regulierschicht eine Wärmeausdehnungs-Ent
lastungsschicht vorgesehen wird, in der die As-Konzentra
tion nach und nach zunimmt und der Wärmeausdehnungskoeffi
zient sich demjenigen der Oberflächenschutzschicht annä
hert, werden die Wärmeausdehnungen der Trägererzeugungs
schicht und der Trägerinjektions-Regulierschicht in einer
Atmosphäre hoher Temperatur absorbiert, und dadurch wird
der Entstehung von Rissen und Sprüngen in der Oberflä
chenschutzschicht vorgebeugt.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an
hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines er
findungsgemäßen elektrofotografischen Fotorezep
tors, und
Fig. 2 eine Schnittansicht des Aufbaus eines Ver
gleichsbeispiels.
Eine leitende Unterlage 1 besteht allgemein aus einem Me
tall, zum Beispiel Al oder Ni. Auf der Unterlage 1 ist mit
einer Dicke von 50 bis 80 µm als Trägertransportschicht ein
Film aus einer 35 bis 40 Gew.-%-As-Se-Legierung gebildet.
Zusammensetzung und Dicke der Trägererzeugungsschicht 3 be
stimmen sich durch die Wellenlänge des Lichts, das bei der
Belichtung eines Bildes verwendet wird. Am meisten wird
eine Schicht mit einer Dicke von 0,1 bis 1 µm verwendet,
die sich aus einem Material mit einer Te-Konzentration von
30 bis 50 Gew.-% zusammensetzt. Eine Trägerinjektions-Regu
lierschicht 4 setzt sich zusammen aus einem Film einer 5
Gew.-%-As-Se-Legierung, die einen breiteren Bandabstand be
sitzt als die Trägererzeugungsschicht 3, und die eine Dicke
von etwa 0,1 bis 2 µm aufweist. Zwischen der Trägerinjek
tions-Regulierschicht 4 und der Oberflächenschutzschicht 6
befindet sich eine Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht 5,
die sich aus einer Se-As-Legierung zusammensetzt. Die Wär
meausdehnungs-Entlastungsschicht 5 ist so zusammengesetzt,
daß ihre As-Konzentration in der Nähe der Trägerinjektions
Regulierschicht 4 etwa 5 Gew.-% entspricht, was etwa die
gleiche As-Konzentration wie die der Regulierschicht 4 ist,
während die As-Konzentration in Richtung auf die Oberflä
chenschutzschicht 6 nach und nach zunimmt und schließlich
in der Nähe der Oberflächenschutzschicht 6 die gleiche Kon
zentration von As aufweist wie die Schutzschicht 6 selbst.
Die Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht 5 ist zu einer
Schichtdicke von 0,5 bis 3 µm ausgebildet, da bei einer zu
dünnen Schicht kein Effekt erzielt wird, während bei einer
zu dicken Schicht die Empfindlichkeit und die Restpoten
tial-Kennlinie verschlechtert wird. Die Oberflächenschutz
schicht 6 setzt sich zusammen aus einer 35 bis 40 Gew.-%
aufweisenden As-Se-Legierung, die etwa As2Se3 entspricht
und allgemein eine Dicke von 1 bis 5 µm aufweist. Außer der
Ladungsträgererzeugungsschicht 3 kann man den Schichten bis
zu 1500 ppm Jod hinzufügen, um die Bewegung der Ladungen zu
beschleunigen. Der Zusatz von mehr als 1500 ppm Jod ist un
günstig im Hinblick auf den Dunkelzerfall.
Als Beispiele und Vergleichsbeispiele wurden vier Arten von
Fotorezeptoren hergestellt, die den oben geschilderten Auf
bau besitzen.
Die Dicke der Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht 5 beträgt
2 µm, und die As-Konzentration beträgt 5 Gew.-% in der Nähe
der Trägerinjektions-Regulierschicht 4 und 36,8 Gew.-% in
der Nähe der Oberflächenschutzschicht 6. Zur Herstellung
dieses Fotorezeptors wurde ein einen Durchmesser von 80 mm
aufweisendes Aluminiumrohr, dessen Oberfläche bearbeitet
und gewaschen worden war, in eine Aufdampfanlage einge
bracht, in der ein Vakuum von 10-5 Torr bei einer Tempera
tur der Unterlage von 190°C erzeugt wurde. Ein Schiffchen
mit einer As-Se-Legierung mit einem Anteil von 36,8 Gew.-%
As wurde auf 380°C aufgeheizt, um eine Arsen-Selen-Legie
rung mit 36,8 Gew.-% Arsen auf dem Rohr bis zu einer Dicke
von 60 µm als Trägertransportschicht 2 niederzuschlagen.
Durch Blitzniederschlagung wurden als Trägererzeugungs
schicht 3 bzw. als Elektroneninjektions-Regulierschicht 4
von je 1 µm Dicke eine Te-Se-Legierung mit 44 Gew.-% Te und
eine As-Se-Legierung mit 5 Gew.-% As niedergeschlagen. Als
nächstes wurde durch Blitzniederschlagung als Wärmeausdeh
nungs-Entlastungsschicht 5 eine Se-As-Legierung derart auf
gebracht, daß die As-Konzentration von 5 Gew.-% bis zu 36,8
Gew.-% bei fortschreitender Verdampfung variierte. Die
Schichtdicke der Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht 5 be
trug insgesamt 2 µm. Schließlich wurde als Oberflächen
schutzschicht 6 eine As-Se-Legierung mit 36,8 Gew.-% As
durch Blitzniederschlagung mit einer Dicke von 2 µm nieder
geschlagen.
Die Trägertransportschicht 2 und die Oberflächenschutz
schicht 6 enthalten jeweils 1000 ppm Jod, und die Träger
injektions-Regulierschicht 4 enthält 100 ppm Jod. Die Dicke
der Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht 5 beträgt 1 µm, und
die As-Konzentration beträgt 5 Gew.-% in der Nähe der Trä
gerinjektions-Regulierschicht 4 und 38,7 Gew.-% in der Nähe
der Oberflächenschutzschicht 6. Zur Herstellung dieses Fo
torezeptors wurde ein einen Durchmesser von 60 mm aufwei
sendes Aluminiumrohr, welches oberflächenbehandelt und ge
waschen worden war, in eine Aufdampfanlage eingebracht, die
auf 10-5 Torr evakuiert wurde, während die Temperatur der
Ünterlage auf 200°C gehalten wurde. Ein Schiffchen mit
einer darin befindlichen As2Se3-Legierung mit 1000 ppm zu
gegebenem Jod wurde auf 400°C aufgeheizt, um die As2Se3-Le
gierung mit 1000 ppm zugegebenem Jod auf das Rohr zu einer
Dicke von 60 µm als Trägertransportschicht 2 aufzubringen.
Durch Blitzniederschlagung wurden eine 46 Gew.-% Te enthal
tende Te-Se-Legierung mit 100 ppm Jod und eine 5 Gew.-% As
aufweisende As-Se-Legierung mit zugegebenen 100 ppm Jod als
Trägererzeugungsschicht 3 mit 0,5 µm Dicke bzw. als Trä
gerinjektions-Regulierschicht 4 mit 1 µm Dicke niederge
schlagen. Als nächstes wurde durch Blitzniederschlagung
eine Se-As-Legierung als Wärmeausdehnungs-Entlastungs
schicht 5 niedergeschlagen, derart, daß die As-Konzentra
tion mit fortschreitendem Aufdampfen von 5 Gew.-% bis 38,7
Gew.-% variierte. Die Schichtdicke der Wärmeausdehnungs-
Entlastungsschicht 5 betrug insgesamt 1 µm. Darauf wurde
schließlich durch Blitzniederschlagung eine As2Se3-Legie
rung mit zusätzlich 1000 ppm Jod abschließend mit einer
Dicke von 3 µm als Oberflächenschutzschicht 6 niederge
schlagen.
Die Fotorezeptoren 3 und 4 der Vergleichsbeispiele hatten
denselben Aufbau wie die Fotorezeptoren 1 und 2, mit der
Ausnahme, daß die Fotorezeptoren 3 und 4 nicht die Wärme
ausdehnungs-Entlastungsschicht 5 besaßen. Die elektrischen
Eigenschaften, die Ermüdung und die Wärmebeständigkeit
jedes dieser Fotorezeptoren wurde ermittelt. Die Ergebnisse
sind in Tabelle 1 niedergelegt.
Aus der Tabelle 1 ist ersichtlich, daß die Ausführungsbei
spiele eines erfindungsgemäßen Fotorezeptors hinsichtlich
Wärmeausdehnung hervorragend sind und hinsichtlich der
elektrischen Eigenschaften und der Dauerfestigkeit keines
wegs schlechter sind als die Vergleichsbeispiele, die keine
Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht besitzen.
Demnach sind die Vorteile der Erfindung darin zu sehen, daß
die Rißbildung in der Oberflächenschutzschicht eines posi
tiv geladenen Fotorezeptors in einer Hochtemperatur-Atmo
sphäre aufgrund einer Differenz der Wärmeausdehnung zwi
schen Ladungsträgererzeugungsschicht und Ladungsträgerin
jektions-Regulierschicht verhindert ist und folglich die
Wärmebeständigkeit verbessert ist, ohne daß dabei die ande
ren Eigenschaften des Fotorezeptors beeinträchtigt sind.
Erreicht wird dies durch eine Wärmeausdehnungs-Entlastungs
schicht zwischen der Trägerinjektions-Regulierschicht und
der Oberflächenschutzschicht derart, daß die As-Konzentra
tion der Wärmeausdehnungs-Entlastungsschicht derart va
riiert, daß sie nach und nach den Unterschied in der Zusam
mensetzung zwischen Trägerinjektions-Regulierschicht und
Oberflächenschutzschicht ausgleicht.
Claims (1)
- Elektrofotografischer Fotorezeptor, umfassend eine Ladungsträgertransportschicht (2) und eine Oberflächen schutzschicht (6) aus einer Selen-Arsen-Legierung mit einer Zusammensetzung von annähernd As2Se3 auf einer leitenden Unterlage (1), eine Ladungsträgererzeugungsschicht (3) aus einer Selen-Legierung und eine Ladungsträgerinjektions-Re gulierschicht (4) aus einer Selenschicht mit niedriger Arsenkonzentration, wobei die Ladungsträgererzeugungs schicht (3) und die Ladungsträgerinjektions-Regulierschicht (4) einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen als As2Se3 und auf die Ladungsträgertransportschicht (2) in der genannten Reihenfolge auflaminiert sind, und eine Wär meausdehnungs-Entlastungsschicht (5) mit einer Arsenkonzen tration, die von der Zusammensetzung, die annähernd der der Ladungsträgerinjektions-Regulierschicht entspricht, nach und nach zunimmt zu einer Zusammensetzung, die etwa derje nigen der Oberflächenschutzschicht entspricht, und die zwi schen der Ladungsträgerinjektions-Regulierschicht (4) und der Oberflächenschutzschicht (6) vorgesehen ist.
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