JPS5811946A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5811946A JPS5811946A JP11051481A JP11051481A JPS5811946A JP S5811946 A JPS5811946 A JP S5811946A JP 11051481 A JP11051481 A JP 11051481A JP 11051481 A JP11051481 A JP 11051481A JP S5811946 A JPS5811946 A JP S5811946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- halogen
- photoconductive layer
- photoconductive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関するものである。
特に非晶質セレン蒸着膜を光半導体として使用する電子
写真感光体に関するものである。
写真感光体に関するものである。
電子写真感光体としては、適用される電子写真プロセス
に応じて種々の構成のものが用いられる。その中で、表
面に絶縁層を有する感光体においては、絶縁層上に静電
像を形成するもので、このために帯電により絶縁層と光
導電層との界面に電荷が注入されることが必要である。
に応じて種々の構成のものが用いられる。その中で、表
面に絶縁層を有する感光体においては、絶縁層上に静電
像を形成するもので、このために帯電により絶縁層と光
導電層との界面に電荷が注入されることが必要である。
例えばこのような電子写真プロセスとして、１次帯電、
画像露光、画像露光と同時に若しくは画像露光後にＡＣ
除電若しくは１次帯電と逆極性の帯電および全面露光か
らなるプロセスが挙げられる。光導電層がＳｅ 、 ５
ｅＴｅの如きＰ型半導体で構成されている場合には、１
次帯電を負のコロナ放電によって行い基板より正の電荷
を光導電層に注入させ、光導電層に印加されている電界
によりその電荷を絶縁ｌ−１光導電層界面に移動させて
いる。
画像露光、画像露光と同時に若しくは画像露光後にＡＣ
除電若しくは１次帯電と逆極性の帯電および全面露光か
らなるプロセスが挙げられる。光導電層がＳｅ 、 ５
ｅＴｅの如きＰ型半導体で構成されている場合には、１
次帯電を負のコロナ放電によって行い基板より正の電荷
を光導電層に注入させ、光導電層に印加されている電界
によりその電荷を絶縁ｌ−１光導電層界面に移動させて
いる。
初めの帯電に際して、絶縁層と光導電層との間に適当量
の電荷が注入されることは、高コントラストの静電像を
作るために不ｏＪ欠なことである。このために、例えば
、導電性支持体が金属である場合には、特公昭４９−６
２２３号公報に開示されているように基板と光導電層と
の間に電荷注入層を設けるユニ夫がされている。この電
荷注入層は帯電時において光導電層中に十分な電荷を供
給し、絶縁層と光導電層との間に適当量の電荷を存在せ
しめることに寄与する。
の電荷が注入されることは、高コントラストの静電像を
作るために不ｏＪ欠なことである。このために、例えば
、導電性支持体が金属である場合には、特公昭４９−６
２２３号公報に開示されているように基板と光導電層と
の間に電荷注入層を設けるユニ夫がされている。この電
荷注入層は帯電時において光導電層中に十分な電荷を供
給し、絶縁層と光導電層との間に適当量の電荷を存在せ
しめることに寄与する。
光導電層としてＳｅ系光導電層を用いる場合には、光導
電層の製造に際しては特に基板とセレン蒸着膜界面ある
いはＳｅ蒸着膜中に電荷の移動、注入を妨げる障壁、ト
ラップなどを生み出す欠陥を作らないように細心の注意
が払われる。もしもこの様な欠陥部分が形成されると、
画像電位の不足、初期の画像電位の変動あるいは大きな
残留電位などが見られる。
電層の製造に際しては特に基板とセレン蒸着膜界面ある
いはＳｅ蒸着膜中に電荷の移動、注入を妨げる障壁、ト
ラップなどを生み出す欠陥を作らないように細心の注意
が払われる。もしもこの様な欠陥部分が形成されると、
画像電位の不足、初期の画像電位の変動あるいは大きな
残留電位などが見られる。
積層欠陥を形成しない様にＳｅを蒸着する技術として基
板とＳｅ層の間に結晶性Ｓｅ層あるいはハロゲン元素な
どを高濃度に含むＳｅ層などを電荷堆 注入層として設けること、あるいはＳｅ層のＶ積速度、
熱履歴などを制御することなどを行っている。
板とＳｅ層の間に結晶性Ｓｅ層あるいはハロゲン元素な
どを高濃度に含むＳｅ層などを電荷堆 注入層として設けること、あるいはＳｅ層のＶ積速度、
熱履歴などを制御することなどを行っている。
しかし実際にはこれらの障壁、トラップを低レベルに押
えかつ製造毎に常に同じレベルにコントロールすること
は容易ではない。例えば、従来の製造例の場合、基板と
同程度に充分な電荷濃度をもつ電荷注入層を基板に蒸着
し、その上に電荷移動層としてのＳｅを蒸着していた。
えかつ製造毎に常に同じレベルにコントロールすること
は容易ではない。例えば、従来の製造例の場合、基板と
同程度に充分な電荷濃度をもつ電荷注入層を基板に蒸着
し、その上に電荷移動層としてのＳｅを蒸着していた。
こ板温度が精度よ〈制ｄ１１されていないと、わずかな
がら界面に障壁が生じ、しかもそのレベルが蒸着毎に変
化し、製造されるＳｅ系感光体の特性が変化する。
がら界面に障壁が生じ、しかもそのレベルが蒸着毎に変
化し、製造されるＳｅ系感光体の特性が変化する。
而して本発明は、電荷の注入効果に優れた感光体であっ
て、感光体を量産した場合特性にバラツキが生じない感
光体を提供することを主たる目的とする。
て、感光体を量産した場合特性にバラツキが生じない感
光体を提供することを主たる目的とする。
本発明は、基板上にＳｅ系光導電層および絶縁層を有す
る電子写真感光体において、Ｓｅ系光導電層中のハロゲ
ン元素の含有率が基板側から光導電層表面上に向って連
続的に減少していることを特徴とするものである。
る電子写真感光体において、Ｓｅ系光導電層中のハロゲ
ン元素の含有率が基板側から光導電層表面上に向って連
続的に減少していることを特徴とするものである。
即ち、本発明による感光体では光２ｐＩ電層中に含まれ
るハロゲン濃度が基板方向において大きく、基板とは反
対方向の方に連続的Ｖこ減少してと電荷移動層との界面
が存在せず、号だ、連続又パ 的に形成されるものがあるから、トラップ壁の欠陥部分
が形成されにくく、捷だ、量産にも同じ特性の光導電層
が容易に製造できるものである。
るハロゲン濃度が基板方向において大きく、基板とは反
対方向の方に連続的Ｖこ減少してと電荷移動層との界面
が存在せず、号だ、連続又パ 的に形成されるものがあるから、トラップ壁の欠陥部分
が形成されにくく、捷だ、量産にも同じ特性の光導電層
が容易に製造できるものである。
基板側におけるハロゲン濃度は基板面から厚声
さ２Ｖまでの平均濃度で７０ ｐｐｍ以上、特に５００
ｐｐｍ以上が好適である。また基板側とはン１ 反対側の光導電層の面から厚さ２澗］での７・ロゲンの
平均濃度は５０１）ｐｆｎ以下、特には２０ｐｐｍ以下
が好適であり、基板側のハロゲン濃度の１１５０以下、
特に１７１００以下が好適である。
ｐｐｍ以上が好適である。また基板側とはン１ 反対側の光導電層の面から厚さ２澗］での７・ロゲンの
平均濃度は５０１）ｐｆｎ以下、特には２０ｐｐｍ以下
が好適であり、基板側のハロゲン濃度の１１５０以下、
特に１７１００以下が好適である。
ハロゲンとしては、Ｆ％Ｃ７ｌ、 Ｂｎおよび■が適宜
選択して用いられる。
選択して用いられる。
本発明による感光体の代表的な製法は次の通りである。
いｌ槓速度の小はい領域では、混在するハロケン元素が
ＳｅＦ鎖状構造の欠陥部分をターミネイに大きく安定に
なった時より、Ｓｅ層の比抵抗を下げる原因ともなる。
ＳｅＦ鎖状構造の欠陥部分をターミネイに大きく安定に
なった時より、Ｓｅ層の比抵抗を下げる原因ともなる。
ハロゲン元素の混入耽の少ないＳｅ層を連続して充分な
）！α厚だけ蒸着するという方法をとる。
）！α厚だけ蒸着するという方法をとる。
本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成は、基板、
光導電層および絶縁１ｆ４から構成される。絶縁１−は
光導電層が感する光（輻射線）に対して透過性である。
光導電層および絶縁１ｆ４から構成される。絶縁１−は
光導電層が感する光（輻射線）に対して透過性である。
基板としては、例えば、Ａｌ 、 Ｎｉ 、黄銅、 Ｃ
ｕ 、Ａ−ｇなどであり、光導電層は、従来、電子写真
用光導電性月料と１〜て用いられる各種のＳｅ系光導電
材料から形成される。
ｕ 、Ａ−ｇなどであり、光導電層は、従来、電子写真
用光導電性月料と１〜て用いられる各種のＳｅ系光導電
材料から形成される。
ど、あるいけこれらの半導体に例えば、Ｓ ｌ ｐ。
Ｇｅ等の他の元素を添加１−だものが挙げられる。
絶縁Ｉ―は、普通には、樹脂から構成される。そのよう
な樹脂として有効なのは例えば、ポリエステル、ポリパ
ラキシリレン、ポリウレタン、ポリカーボネイト、ポリ
スチレンなどである。
な樹脂として有効なのは例えば、ポリエステル、ポリパ
ラキシリレン、ポリウレタン、ポリカーボネイト、ポリ
スチレンなどである。
７（？―欠番
実施例１
第１図に示す様な配置で蒸着実験を行った。
シ
１はアルミ銘リンダ−１２はステンレス製のシャッター
、３，４は石英製の蒸着ボートを示す。
、３，４は石英製の蒸着ボートを示す。
３のボートにＵ元素を５０００ｐｐｍ混入させた純度９
９．９９％の粒状セレン１１０ｇチャージした。
９．９９％の粒状セレン１１０ｇチャージした。
４のボートに純［９９： ９９％の粒状セレン全２００
ン １チヤージした。石英ボート開口部とアルミグリンダ−
の距離は約２０（ｗｂである。
ン １チヤージした。石英ボート開口部とアルミグリンダ−
の距離は約２０（ｗｂである。
次に５ｘ １０−”Ｉ’ｏｒｒにＸ空Ｊすを気して、ア
ルミジ グリンダ−を６５℃に内部ヒーターで保温しながら、１
分間に１０回転させるという条件下で次の蒸着を行った
。３の石英ボートのタングステンコイルヒーターに９０
Ｖ８Ａの電流を１０分間流して約３７０℃の蒸発温度で
蒸着を行った後５分経過後ボート４のタングステンコイ
ルヒーターに８０Ｖ７Ａの１１を流を流す。約５分後蒸
発源の温度が２８０℃に達したときにシャッターを開い
て、その拶約４０分間約３５０℃の蒸発源温度で全量を
蒸発させる。このとき得られたザンプルをａとする。
ルミジ グリンダ−を６５℃に内部ヒーターで保温しながら、１
分間に１０回転させるという条件下で次の蒸着を行った
。３の石英ボートのタングステンコイルヒーターに９０
Ｖ８Ａの電流を１０分間流して約３７０℃の蒸発温度で
蒸着を行った後５分経過後ボート４のタングステンコイ
ルヒーターに８０Ｖ７Ａの１１を流を流す。約５分後蒸
発源の温度が２８０℃に達したときにシャッターを開い
て、その拶約４０分間約３５０℃の蒸発源温度で全量を
蒸発させる。このとき得られたザンプルをａとする。
表
グにサンプルとＣｎ添加濃度を示す） ｉ ２１．０７
チヤージした。上記と同条件下でタングステンコイルヒ
ーターに８０Ｖ７Ａの電流を流し、シャッターは最初か
ら開けておくという条件で蒸着を行った。
チヤージした。上記と同条件下でタングステンコイルヒ
ーターに８０Ｖ７Ａの電流を流し、シャッターは最初か
ら開けておくという条件で蒸着を行った。
各蒸着サンプルの蒸着に用いたセレンのａ濃度を第１表
に示す。
に示す。
第 １ 表
次に得られたサンプルａ −ｊの蒸着膜表面にポリカー
ボネート樹脂金２５μの厚さに塗布して絶縁層を形成し
、感光ドラムを作成した。
ボネート樹脂金２５μの厚さに塗布して絶縁層を形成し
、感光ドラムを作成した。
なお蒸着膜の厚さは５２μであった。この感光ドラムに
一次帯電としてθ６０００Ｖのコロナ放電全０．２％間
行ってその表面をθ２ｏｏｏｖに０ 帯電し、次に二次帯′市として電源・電圧の６０００Ｖ
の正コロナ放電’ｉ ０．２１１１３Ｃ間行って絶縁層
表面を除電し、次に感光ドラム表面を一様に全自照この
プロセスを２卸で繰返し行ったときの全面照射後の表面
電位の変化（第１回、第］Ｏ肱第５０回）の値を第２表
に示す。
一次帯電としてθ６０００Ｖのコロナ放電全０．２％間
行ってその表面をθ２ｏｏｏｖに０ 帯電し、次に二次帯′市として電源・電圧の６０００Ｖ
の正コロナ放電’ｉ ０．２１１１３Ｃ間行って絶縁層
表面を除電し、次に感光ドラム表面を一様に全自照この
プロセスを２卸で繰返し行ったときの全面照射後の表面
電位の変化（第１回、第］Ｏ肱第５０回）の値を第２表
に示す。
第２表
次に上記帯電測定においてサンプルａ −ｋについチー
次帯電θ６０００Ｖのコロナ放′醒時間を０．２１ｆｌ
から２．０′冠に延長して充分に帯電時間をかけた場合
（他のプロセス条件については同じ）について測定した
結果全第３表に示す。
次帯電θ６０００Ｖのコロナ放′醒時間を０．２１ｆｌ
から２．０′冠に延長して充分に帯電時間をかけた場合
（他のプロセス条件については同じ）について測定した
結果全第３表に示す。
第２表、第３表の結果は、アルミシリンダーとセレン蒸
看膜界面および界面近くでのキャリヤー（電荷）移動障
壁の大きさを示している。
看膜界面および界面近くでのキャリヤー（電荷）移動障
壁の大きさを示している。
α添加濃度が大きくなるに従ってキャリヤーの注入時間
・回数に依存せず一定の表面電位（画像電位）を示すこ
とが分かる。同様にα添加濃度が大きくなるに従って、
充分にキャリヤーの注入時間をかけて得られる最大表面
電位が低下することが分かる。
・回数に依存せず一定の表面電位（画像電位）を示すこ
とが分かる。同様にα添加濃度が大きくなるに従って、
充分にキャリヤーの注入時間をかけて得られる最大表面
電位が低下することが分かる。
次に、アルミシリンダーに約２０μのＡ８箔を巻きつけ
サンプルａについてはａ添加＠ ｌｉ ５０００ｐｐｍ
の粒状セレン（純度９９．９９％）ｋｌｏｚ蒸着した。
サンプルａについてはａ添加＠ ｌｉ ５０００ｐｐｍ
の粒状セレン（純度９９．９９％）ｋｌｏｚ蒸着した。
以後サンプルｂ−ｋについては、各Ｃ濃度の粒状セレン
（第１表参朋）ヲ各２１０ｇ−チャージして電流８０Ｖ
７Ａ通電後（１ン開始〜４分まで（２）８分〜１０分（
３）１７分〜５０分（終了まで）の３点について各時間
内のみシャッターを開けて蒸着したサンプルを作った。
（第１表参朋）ヲ各２１０ｇ−チャージして電流８０Ｖ
７Ａ通電後（１ン開始〜４分まで（２）８分〜１０分（
３）１７分〜５０分（終了まで）の３点について各時間
内のみシャッターを開けて蒸着したサンプルを作った。
（１）の開始より４分間で約２μの厚さの蒸着膜が得ら
れ（２）の８分〜１０分で堆積膜厚４〜６μのｌＮｉで
ある２μ淳の蒸着膜が得られた。（３）の４８分〜５０
分で堆積膜厚５０μ〜５２μの間である／２μ岸の蒸着
膜が得られた。次に各ａ ＝ ｋサンプルについて（１
）〜（３）の分析用サンプルｎψ（イ）ｒアルミ箔より
はがし取って１原子吸光分析を行うことによって実際の
Ｃ濃度を測定し／こ。この結果全第４表に示す。
れ（２）の８分〜１０分で堆積膜厚４〜６μのｌＮｉで
ある２μ淳の蒸着膜が得られた。（３）の４８分〜５０
分で堆積膜厚５０μ〜５２μの間である／２μ岸の蒸着
膜が得られた。次に各ａ ＝ ｋサンプルについて（１
）〜（３）の分析用サンプルｎψ（イ）ｒアルミ箔より
はがし取って１原子吸光分析を行うことによって実際の
Ｃ濃度を測定し／こ。この結果全第４表に示す。
第４表
１だ用いた粒状セレン２Ｈ１ｉ７を蒸発中に真空槽内に
設置した水晶振動子によって蒸発中の蒸発速度の変化を
調べＩＣ６この結果を第２図に示す。第２図を見ると、
ヒーターに；ＩＴｉ ’ｆＭ、後、蒸発速度は徐々に立
上がす、最初の５分間で、熱平衡状態の１／２〜１／３
になり、約２０分で平衡に遅することが分かる。この結
果から上述（１）のサンプルはセレンの堆積速用−が非
常に小さい領域である。（２）のサンプルはセレンの堆
積速度が充分な大きさである熱平衡状態の堆積速度半分
から、はぼ平衡状態の堆積速度に等しい大きさまで変化
している領域である。（３）のサンプルはセレンの堆積
速度がほぼ熱平衡状態に達している。
設置した水晶振動子によって蒸発中の蒸発速度の変化を
調べＩＣ６この結果を第２図に示す。第２図を見ると、
ヒーターに；ＩＴｉ ’ｆＭ、後、蒸発速度は徐々に立
上がす、最初の５分間で、熱平衡状態の１／２〜１／３
になり、約２０分で平衡に遅することが分かる。この結
果から上述（１）のサンプルはセレンの堆積速用−が非
常に小さい領域である。（２）のサンプルはセレンの堆
積速度が充分な大きさである熱平衡状態の堆積速度半分
から、はぼ平衡状態の堆積速度に等しい大きさまで変化
している領域である。（３）のサンプルはセレンの堆積
速度がほぼ熱平衡状態に達している。
領域である。第２図第４表の結果から明らかな様にキャ
リヤー移動の障壁形成を抑える働きが有効になるのは堆
積膜厚４〜６μのちょうど電荷注入作用を示すセレン層
の部分から電荷移動作用をなすセレン層の部分に変わる
場所でのＣ濃度が制御されていることと、堆積膜厚１０
〜５２μの電荷移動用セレン層がα元素を含むとしても
微量が良好であることが分かる。
リヤー移動の障壁形成を抑える働きが有効になるのは堆
積膜厚４〜６μのちょうど電荷注入作用を示すセレン層
の部分から電荷移動作用をなすセレン層の部分に変わる
場所でのＣ濃度が制御されていることと、堆積膜厚１０
〜５２μの電荷移動用セレン層がα元素を含むとしても
微量が良好であることが分かる。
実施例２
実施例ｆ１と同様の方法で、実施例ヂ１のサンプルａと
サンプルｇｋそれぞれ蒸着をくり返して量産し、１０づ
つのサンプルを作成した。
サンプルｇｋそれぞれ蒸着をくり返して量産し、１０づ
つのサンプルを作成した。
実施例〆ｌと同様の方法で絶縁層を塗布後帯電特性の測
定を行い全面照射後の表面電位の値を得た。（第１回、
第１０回、第５０回）第５表に結果を示す。
定を行い全面照射後の表面電位の値を得た。（第１回、
第１０回、第５０回）第５表に結果を示す。
第 ５ 衣
第５表を見て明らかな様にサンプルａは電荷注入性セレ
ン層を充分な膜厚たけ蒸着し、′醒荷移動用セレン層の
蒸着でもシャッターを使用して充分な堆積速度（約１．
０μ／ｍｉｎと予想される）になってから蒸着を開始す
るという手間のかかる制御をしているが、アルミシリン
ダーの温度とセレンの堆積速度の微小な変動で作られた
ドラムの特性にバラツキが生首れる。
ン層を充分な膜厚たけ蒸着し、′醒荷移動用セレン層の
蒸着でもシャッターを使用して充分な堆積速度（約１．
０μ／ｍｉｎと予想される）になってから蒸着を開始す
るという手間のかかる制御をしているが、アルミシリン
ダーの温度とセレンの堆積速度の微小な変動で作られた
ドラムの特性にバラツキが生首れる。
これに対してサンプル１は一度の蒸発で電荷注入性セレ
ンと電荷移動性セレンを同時に堆積してし１つのでシャ
ッターの制御が不要でありしかも堆積初期の電信移動性
セレン層の欠陥部分をω元素が補償するのできわめて再
現性の良い特性を示すドラムになっている。他のノ・ロ
ゲン元素１ｉ’、Ｒｒ、Ｉについても同様の効果を認め
ている。
ンと電荷移動性セレンを同時に堆積してし１つのでシャ
ッターの制御が不要でありしかも堆積初期の電信移動性
セレン層の欠陥部分をω元素が補償するのできわめて再
現性の良い特性を示すドラムになっている。他のノ・ロ
ゲン元素１ｉ’、Ｒｒ、Ｉについても同様の効果を認め
ている。
このように本発明の感光体は一度の蒸発で′電荷注入性
セレンと電荷移動用セレン層を同時に製膜することが出
来て、しかも添加したハロゲン製置とセ［ノンの堆槙迷
度が効率的に連続に変化する為、 （１）基板とセレ〉′層界面及び界面近くキャリヤー移
動の障壁を作りに＜＜、また、 （２） ボートに同じ材料を同梱チャージして一定温
度で蒸発させれば作られるキャリヤー移動障壁のレベル
はごく小さく、一定している為製造のくりかえし再現性
が高い。
セレンと電荷移動用セレン層を同時に製膜することが出
来て、しかも添加したハロゲン製置とセ［ノンの堆槙迷
度が効率的に連続に変化する為、 （１）基板とセレ〉′層界面及び界面近くキャリヤー移
動の障壁を作りに＜＜、また、 （２） ボートに同じ材料を同梱チャージして一定温
度で蒸発させれば作られるキャリヤー移動障壁のレベル
はごく小さく、一定している為製造のくりかえし再現性
が高い。
第１図はセレンの蒸着装置の配置を示す図である。第２
図は蒸着速朋を示すグラフである。 １ニアルミシリンダー、２：シャッター、３および４：
蒸着用石英ボート 出願人 キャノン株式会社 ＋）−ｌ！ＵＷノ二一 〜 ら ■ 埴 寸 Ｎ
図は蒸着速朋を示すグラフである。 １ニアルミシリンダー、２：シャッター、３および４：
蒸着用石英ボート 出願人 キャノン株式会社 ＋）−ｌ！ＵＷノ二一 〜 ら ■ 埴 寸 Ｎ
Claims (1)
- （１）基板上にＳｅ系光導電層および絶縁層を有する電
子写真感光体において、Ｓｅ系光導電層中のハロゲン元
素の含有率が基板側から光導電層表面上に向って連続的
に減少していることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051481A JPS5811946A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11051481A JPS5811946A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811946A true JPS5811946A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14537715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11051481A Pending JPS5811946A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529679A (en) * | 1982-12-27 | 1985-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4588467A (en) * | 1983-11-07 | 1986-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stator for rotating electric machine |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP11051481A patent/JPS5811946A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529679A (en) * | 1982-12-27 | 1985-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4588467A (en) * | 1983-11-07 | 1986-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stator for rotating electric machine |
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