JPS58205159A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58205159A JPS58205159A JP8834382A JP8834382A JPS58205159A JP S58205159 A JPS58205159 A JP S58205159A JP 8834382 A JP8834382 A JP 8834382A JP 8834382 A JP8834382 A JP 8834382A JP S58205159 A JPS58205159 A JP S58205159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tellurium
- selenium
- photoreceptor
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体の構造に関するものである。
機能分１！ｌ型のセレン感光体が各種開発されているが
、これ等の構造は、セレン、テルル、アンチ七ン、ビス
マス、ヒ素、硫黄等と適時に使用して、キャリア生成層
とキャリア移動層とに大別している。
、これ等の構造は、セレン、テルル、アンチ七ン、ビス
マス、ヒ素、硫黄等と適時に使用して、キャリア生成層
とキャリア移動層とに大別している。
しかし、これ岬の層構成では、両階関番こ大きな感度差
を有することが多く、接合部の大きな移動度ギャップ差
によって欠陥が生じ易く、感光体としての機能に障管を
与え易い。この様な構造を持つ感光体としては、セレン
階上にセレンヒ素合金、スレン−テルル合金等を積層し
たタイプがあげられる。又、かかる点を改善する為に全
層を合金化した感光体が提案されているが、テルルを用
いて増感を行なった場合、その添加量は、大量となり、
環境条件によっては結晶化の進行がおこりやすく、電子
写真特性を着しく害する恐れがある。本発明は前述の欠
点を解決し、烏感度で残留電位が少なくしかも、耐環境
性に優れ、且つ、４Ｐ色性の陶土を図りうる電子金 写真感光体を提供するものである。本発明においては特
にセレン−テルルによる層構成の上層部に、アンチモン
を添加することを提案している。これにより導電性支持
体上から表面層にいたるまで連続的にテルルが分布し、
大きな移動度ギャップ差を生じないので、感光体に電気
特性的な障害が生じにくい。また、アンチモンの添加に
よって、表面層に加わる各種のストレスから感光体を保
護し、結晶化、傷等の発生を抑制する事が可能となる。
を有することが多く、接合部の大きな移動度ギャップ差
によって欠陥が生じ易く、感光体としての機能に障管を
与え易い。この様な構造を持つ感光体としては、セレン
階上にセレンヒ素合金、スレン−テルル合金等を積層し
たタイプがあげられる。又、かかる点を改善する為に全
層を合金化した感光体が提案されているが、テルルを用
いて増感を行なった場合、その添加量は、大量となり、
環境条件によっては結晶化の進行がおこりやすく、電子
写真特性を着しく害する恐れがある。本発明は前述の欠
点を解決し、烏感度で残留電位が少なくしかも、耐環境
性に優れ、且つ、４Ｐ色性の陶土を図りうる電子金 写真感光体を提供するものである。本発明においては特
にセレン−テルルによる層構成の上層部に、アンチモン
を添加することを提案している。これにより導電性支持
体上から表面層にいたるまで連続的にテルルが分布し、
大きな移動度ギャップ差を生じないので、感光体に電気
特性的な障害が生じにくい。また、アンチモンの添加に
よって、表面層に加わる各種のストレスから感光体を保
護し、結晶化、傷等の発生を抑制する事が可能となる。
また、実機内においては、各部品からの発熱によつて温
度上昇は避けられず、かかる状況下で紙、ブレード尋が
接触する為転移温度を上昇させることが必要となる。
度上昇は避けられず、かかる状況下で紙、ブレード尋が
接触する為転移温度を上昇させることが必要となる。
この点に関しても、アンチモンの添加により、必要な転
移１１１１Ｌの上昇を得ることが可能である。
移１１１１Ｌの上昇を得ることが可能である。
第１図は本発明の実施例、による電子写真感光体の構成
側御で図において１はアルミニ９ム郷からなる導電性支
持体、２はセレン−テルル合金を主成分とする感光層、
ｉはセレン−テルル合′ｊ 金を主成分とする感光層の上層部にアンチモン１： を添加せしめた感光層である。なお、ｌの導電性支持体
と２の１１＆九層間に電気的又は機械的特常の変更、変
形は本発明に含まれるものである。
側御で図において１はアルミニ９ム郷からなる導電性支
持体、２はセレン−テルル合金を主成分とする感光層、
ｉはセレン−テルル合′ｊ 金を主成分とする感光層の上層部にアンチモン１： を添加せしめた感光層である。なお、ｌの導電性支持体
と２の１１＆九層間に電気的又は機械的特常の変更、変
形は本発明に含まれるものである。
以下実施例をもりて詳細番こ説明する。
実施例１
真空槽内に、ｆＩ＃、面に研摩仕上げし、適切な表面処
理を施した外径１２０ＩＩｍ長さ３００ｍｍのアルミニ
ウムドラムを設置し、その下方にテルル１０％を含有す
るセレン−テルル合金を入れた第１蒸発諒、テルル２０
％を含有するセレンテルル合金を入れた第２蒸発ｔｈ！
およびアンチモンを入れた第３蒸発源をそれぞれ設置し
た。さらに第２、第３蒸発源上に任意に開閉が可能なシ
ャ、ターを設置した。アルミニューム基体ａｔを７５℃
に株った状態で槽内を１ｘｌＯ−５Ｔ。
理を施した外径１２０ＩＩｍ長さ３００ｍｍのアルミニ
ウムドラムを設置し、その下方にテルル１０％を含有す
るセレン−テルル合金を入れた第１蒸発諒、テルル２０
％を含有するセレンテルル合金を入れた第２蒸発ｔｈ！
およびアンチモンを入れた第３蒸発源をそれぞれ設置し
た。さらに第２、第３蒸発源上に任意に開閉が可能なシ
ャ、ターを設置した。アルミニューム基体ａｔを７５℃
に株った状態で槽内を１ｘｌＯ−５Ｔ。
「ｒまで排気し、蒸着を開始する。まず第−蒸発韓に通
電加熱を行ない、５５Ｊのセテブーテレン ルル層を形成した。次に、第２蒸発曽と第３蒸発源に通
電加熱を行ない前者が３３０℃、後者が６５０℃になり
蒸着レートが一定になった時点でシャッターを開ける。
電加熱を行ない、５５Ｊのセテブーテレン ルル層を形成した。次に、第２蒸発曽と第３蒸発源に通
電加熱を行ない前者が３３０℃、後者が６５０℃になり
蒸着レートが一定になった時点でシャッターを開ける。
セレンテルルとアンチモンの共蒸着鳩を５ｓ積層させて
、シャッターを閉じ、両蒸発源への通電を断った。この
結果アンチモンが６％添加されたセレン−テルルアンチ
モン層がセレン−テルル層上に形成された。この感光ド
ラムを本発明を実施した試料ｌとする。
、シャッターを閉じ、両蒸発源への通電を断った。この
結果アンチモンが６％添加されたセレン−テルルアンチ
モン層がセレン−テルル層上に形成された。この感光ド
ラムを本発明を実施した試料ｌとする。
比較の為に、第３ｓ着源を用いないで蒸着を行ない、セ
レン−テルルの＃１度は試料１き同じにした本発明を実
施しない試料２を得た。さらｌζＭ １ 、ＩＭ源ニセ
レンを入れ、セレン−セレン−テルル合金の層構成をな
した本発明を実施しない試料３を得た。これら三つの試
料について、暗中放ｆｌｔ後に、コロナ帯電にょって、
７００ボルトに表向を＠電させ、１００ワツトタングス
テン電球による半減無光１１および白色螢光燈の除電に
よる１５０サイクル稜の残＠電位の＃Ｊ定を行ない表１
の結果を得た。
レン−テルルの＃１度は試料１き同じにした本発明を実
施しない試料２を得た。さらｌζＭ １ 、ＩＭ源ニセ
レンを入れ、セレン−セレン−テルル合金の層構成をな
した本発明を実施しない試料３を得た。これら三つの試
料について、暗中放ｆｌｔ後に、コロナ帯電にょって、
７００ボルトに表向を＠電させ、１００ワツトタングス
テン電球による半減無光１１および白色螢光燈の除電に
よる１５０サイクル稜の残＠電位の＃Ｊ定を行ない表１
の結果を得た。
さらに、５０℃の環境で放置した稜−一テストを実施し
た所、試料２．試料３については、１００時間後で、結
晶核の発生による白点が現われ。
た所、試料２．試料３については、１００時間後で、結
晶核の発生による白点が現われ。
２００時間後には全面に白点が広がり、感光体としての
機能を失なった。これに反し、試料ｌでは、３００時間
俵も結晶核の発生は見られず、初期と変わらない１ｌｉ
ｌｉ惨であった。さらζζ上層部合金のガラス化転移点
のｎ１創の結果は、１１ｔ、料１１オフ０℃に対して、
試料２．試料３は６１℃であった。
機能を失なった。これに反し、試料ｌでは、３００時間
俵も結晶核の発生は見られず、初期と変わらない１ｌｉ
ｌｉ惨であった。さらζζ上層部合金のガラス化転移点
のｎ１創の結果は、１１ｔ、料１１オフ０℃に対して、
試料２．試料３は６１℃であった。
実に例２
実施例１と間挿な設置条件にふいて、第１蒸Ｑ紳＋Ｃ、
テルル２５％を含季するセレンテルル合金を入れ、第２
＃発０にテルル１５％を含有するセレンテルル合金を入
れ、第３蒸発韓にはアンチモンを入れて、ｉ着を行ない
、５５Ｊ１のセレン・テルル合金層とアンチモン５％を
含む七本発明を実施した試料４とした。暗放置後の測定
にて１表１に示す幼を得た。また分光感度測定の結果図
２に示す機番こ長波長側へ長く凧を引く分布となり、全
色性の感光体となっている。
テルル２５％を含季するセレンテルル合金を入れ、第２
＃発０にテルル１５％を含有するセレンテルル合金を入
れ、第３蒸発韓にはアンチモンを入れて、ｉ着を行ない
、５５Ｊ１のセレン・テルル合金層とアンチモン５％を
含む七本発明を実施した試料４とした。暗放置後の測定
にて１表１に示す幼を得た。また分光感度測定の結果図
２に示す機番こ長波長側へ長く凧を引く分布となり、全
色性の感光体となっている。
以上の説明から明らかなように本発明によれば高感度で
残留電位が少なく、シかも耐環境性に優れた感光体が得
られ、且つテルルの濃度比によって長波長まで感度分布
の延びた金色性の感光体も可能となり、その用途は広く
実用上の効果は大きい。
残留電位が少なく、シかも耐環境性に優れた感光体が得
られ、且つテルルの濃度比によって長波長まで感度分布
の延びた金色性の感光体も可能となり、その用途は広く
実用上の効果は大きい。
第１図は本発明の実施例による電子写真感光体の構成側
御、第２図は分光感度比較ＩＩＩ線である。１は導電性
支持体、２悼セレン−テルル合金を主成分とする感光層
、３は２の上層部にアンチモンを添加せしめた感光層で
ある。 山梨電子工業株式会社
御、第２図は分光感度比較ＩＩＩ線である。１は導電性
支持体、２悼セレン−テルル合金を主成分とする感光層
、３は２の上層部にアンチモンを添加せしめた感光層で
ある。 山梨電子工業株式会社
Claims (2)
- （１） 導電性支持体上に積層されたセレン−テルル
合金を主成分とする感光層の上層部にアンチモンを添加
せしめたことを特徴とする電子写真感光体 - （２） アンチモンを含む上層部のテルル濃度を、５
０％未満、アンチモン濃度を２０％未満。 下部セレン−テルル合金層のテルル８度を５０％未満と
したことを特徴とする特許請求の範囲第＋１１項の記載
の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8834382A JPS58205159A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8834382A JPS58205159A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205159A true JPS58205159A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=13940202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8834382A Pending JPS58205159A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205159A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154084A (ja) * | 1974-06-03 | 1975-12-11 | ||
| JPS5250238A (en) * | 1975-10-21 | 1977-04-22 | Yamanashi Denshi Kogyo Kk | Amorphous selenium.tellurium electrophotographic light sensitive mater ial |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP8834382A patent/JPS58205159A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154084A (ja) * | 1974-06-03 | 1975-12-11 | ||
| JPS5250238A (en) * | 1975-10-21 | 1977-04-22 | Yamanashi Denshi Kogyo Kk | Amorphous selenium.tellurium electrophotographic light sensitive mater ial |
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