JPH03174161A - 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 - Google Patents
正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体Info
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- JPH03174161A JPH03174161A JP1300690A JP1300690A JPH03174161A JP H03174161 A JPH03174161 A JP H03174161A JP 1300690 A JP1300690 A JP 1300690A JP 1300690 A JP1300690 A JP 1300690A JP H03174161 A JPH03174161 A JP H03174161A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、正帯電・反転現像方式の電子写真装置に用
いられる電子写真感光体に関する。
いられる電子写真感光体に関する。
E従来の技術〕
電子写真を応用したレーザビームプリンタ、ファクシミ
リ、発光ダイオードプリンタなどの正帯電方式の電子写
真装置は、大部分が光照射した電子写真感光体の表面電
位の低い部分に正の電荷を付与したトナーを付け、これ
を紙に転写させるというネガ−ポジ反転現像方式である
。このような方式においては、トナーの紙への転写には
負コロナ帯電が使われている。
リ、発光ダイオードプリンタなどの正帯電方式の電子写
真装置は、大部分が光照射した電子写真感光体の表面電
位の低い部分に正の電荷を付与したトナーを付け、これ
を紙に転写させるというネガ−ポジ反転現像方式である
。このような方式においては、トナーの紙への転写には
負コロナ帯電が使われている。
上記の負コロナ帯電で電子写真感光体表面に負電荷が付
与あるいは誘起されるが、この負電荷は、セレン系材料
を一般の蒸着法でアモルファス状態に成膜して作製した
電子写真感光体(以下、単に感光体とも称する)では、
電子の移動度が遅いために光除電を行っても光減衰しに
くい。このため、感光体表面に負電荷が残ってしまい、
続いて感光体表面に対して行われる正コロナ帯電による
正電荷をキャンセルする現象が発生する。残留する負電
荷にばらつきがあると、正電荷にばらつきが生じ、続い
て行われる露光により形成される静電潜像に悪影響を与
えることになる。
与あるいは誘起されるが、この負電荷は、セレン系材料
を一般の蒸着法でアモルファス状態に成膜して作製した
電子写真感光体(以下、単に感光体とも称する)では、
電子の移動度が遅いために光除電を行っても光減衰しに
くい。このため、感光体表面に負電荷が残ってしまい、
続いて感光体表面に対して行われる正コロナ帯電による
正電荷をキャンセルする現象が発生する。残留する負電
荷にばらつきがあると、正電荷にばらつきが生じ、続い
て行われる露光により形成される静電潜像に悪影響を与
えることになる。
例えば、プリンタの用紙にカット紙を使用すると、紙の
有り無しで負コロナ帯電の効率が異なるので、感光体表
面に負電荷の多い部分と少ない部分が生じ、その結果、
得られる画像も紙の有った部分と無かった部分とで濃度
に差が生じ、いわゆる紙間濃度差が発生する。この紙間
濃度差は負コロナ帯電による負電荷帯電量が大きい程は
っきりと画像上に現れてくる。また、連続紙使用の場合
でも、転写時の負コロナ帯電が感光体表面に負電荷を誘
起し、この負電荷が多い程次の正コロナ帯電時の電位の
乗りが悪くなり、繰り返し使用時における正帯電の低下
量が大きくなり、疲労特性が悪化し、ネガ−ポジ反転現
像方式では画像上地かぶりが発生し、画像品質が低下す
る。
有り無しで負コロナ帯電の効率が異なるので、感光体表
面に負電荷の多い部分と少ない部分が生じ、その結果、
得られる画像も紙の有った部分と無かった部分とで濃度
に差が生じ、いわゆる紙間濃度差が発生する。この紙間
濃度差は負コロナ帯電による負電荷帯電量が大きい程は
っきりと画像上に現れてくる。また、連続紙使用の場合
でも、転写時の負コロナ帯電が感光体表面に負電荷を誘
起し、この負電荷が多い程次の正コロナ帯電時の電位の
乗りが悪くなり、繰り返し使用時における正帯電の低下
量が大きくなり、疲労特性が悪化し、ネガ−ポジ反転現
像方式では画像上地かぶりが発生し、画像品質が低下す
る。
このような現象を抑制する方法として、本出願人の出願
に係る特願昭61−314407号明細書に記載された
、セレン系材料からなる感光層の蒸着時の基体温度を高
めて感光層の感光体基体との界面を結晶させる方法、あ
るいは同じく本出願人の出願に係る特願昭62i101
31号明細書に記載された、5e−Te合金の薄層を感
光層と基体の間に介在させる方法により基体側からの正
孔の注入を促進する方法があるが、これらの方法では基
体処理のばらつき、蒸着条件のばらつきによる負電荷帯
電量のばらつきの防止、あるいは密着性の確保などに問
題があった。
に係る特願昭61−314407号明細書に記載された
、セレン系材料からなる感光層の蒸着時の基体温度を高
めて感光層の感光体基体との界面を結晶させる方法、あ
るいは同じく本出願人の出願に係る特願昭62i101
31号明細書に記載された、5e−Te合金の薄層を感
光層と基体の間に介在させる方法により基体側からの正
孔の注入を促進する方法があるが、これらの方法では基
体処理のばらつき、蒸着条件のばらつきによる負電荷帯
電量のばらつきの防止、あるいは密着性の確保などに問
題があった。
この発明が解決しようとする課題は、正帯電・反転現像
方式での使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光体
表面への負電荷の帯電が少なく、ばらつきも少なくて、
正帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使用時
の正帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶりの
発生9紙間濃度差の発生を抑制できる感光体を提供する
ことにある。
方式での使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光体
表面への負電荷の帯電が少なく、ばらつきも少なくて、
正帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使用時
の正帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶりの
発生9紙間濃度差の発生を抑制できる感光体を提供する
ことにある。
上記の課題は、この発明によれば、導電性基体上にセレ
ン系材料からなる感光層を備えた電子写真感光体におい
て、感光層に5ea2を含有させることによって解決さ
れる。
ン系材料からなる感光層を備えた電子写真感光体におい
て、感光層に5ea2を含有させることによって解決さ
れる。
感光層が電荷輸送層と電荷発生層との積層で構成されて
いる場合には電荷輸送層にSeO2を含有させる。
いる場合には電荷輸送層にSeO2を含有させる。
5ea2の含有量は1000重量ppm以上5000重
量ppm以下の範囲が好適である。
量ppm以下の範囲が好適である。
また、上記の課題は、導電性基体上にセレン系材料から
なる感光層を備えた電子写真感光体において、導電性基
体と感光層との間にCfを含有するセレン系材料からな
るアンダーコート層を介在させる構成とすることによっ
て解決される。CI含有量はlO重量ppm以上300
重量ppm以下の範囲内にあると好適であり、アンダー
コート層の膜厚は1μm以上5μm以下の範囲内にある
と好適である。
なる感光層を備えた電子写真感光体において、導電性基
体と感光層との間にCfを含有するセレン系材料からな
るアンダーコート層を介在させる構成とすることによっ
て解決される。CI含有量はlO重量ppm以上300
重量ppm以下の範囲内にあると好適であり、アンダー
コート層の膜厚は1μm以上5μm以下の範囲内にある
と好適である。
セレン系材料としては高純度Se、 5e−Te合金、
Se−^S合金が好適に用いられる。
Se−^S合金が好適に用いられる。
感光層にSeO2−を含有させることにより、または、
導電性基体と感光層との間にCflを含有するセレン系
材料からなるアンダーコート層を介在させることにより
、帯電特性、暗減衰、繰り返し使用時の帯電低下などを
悪化させることなしに負電荷の暗減衰を大きくして感光
体表面の負電荷の帯電を少なくすることができ、感光体
の疲労特性を改善し、画像上濃度低下、地かぶり1紙間
濃度差の発生を抑制することが可能となる。
導電性基体と感光層との間にCflを含有するセレン系
材料からなるアンダーコート層を介在させることにより
、帯電特性、暗減衰、繰り返し使用時の帯電低下などを
悪化させることなしに負電荷の暗減衰を大きくして感光
体表面の負電荷の帯電を少なくすることができ、感光体
の疲労特性を改善し、画像上濃度低下、地かぶり1紙間
濃度差の発生を抑制することが可能となる。
第1図および第2図はこの発明の感光体のそれぞれ異な
る実施例を示す模式的断面図である。各図において、1
は導電性基体、2はセレン系材料からなる電荷輸送層2
aと電荷発生層2bとからなる感光層、3はセレン系材
料からなる表面保護層、4はClを含むセレン系材料か
らなるアンダーコート層である。
る実施例を示す模式的断面図である。各図において、1
は導電性基体、2はセレン系材料からなる電荷輸送層2
aと電荷発生層2bとからなる感光層、3はセレン系材
料からなる表面保護層、4はClを含むセレン系材料か
らなるアンダーコート層である。
実施例1
感光体の導電性基体1として外径80mm、長さ285
mmの^1合金素管の外表面を研削またはバイトで加工
し、中心線平均粗さRaを0.7μm、ろ波最大うねり
を0.35μm9表面凹凸の平均間隔Smを30μmと
した後、トリクレン脱脂し、温度150℃で36分間の
加熱処理を行った。このように前処理した導電性基体1
を真空蒸着装置の回転支持軸に装着して温度を66℃に
し、真空槽のベルジャ温度を44℃に保ち、2〜4×1
0″5TOrrの真空中でSen、を含有した高純度S
eを48μmの厚さに成膜して電荷輸送層2aとし、続
いて、基体温度を54℃にし、Teを45重量%含む5
e−Te合金を0.15μmの厚さに成膜して電荷発生
層2bとし、感光層2を懲戒した。
mmの^1合金素管の外表面を研削またはバイトで加工
し、中心線平均粗さRaを0.7μm、ろ波最大うねり
を0.35μm9表面凹凸の平均間隔Smを30μmと
した後、トリクレン脱脂し、温度150℃で36分間の
加熱処理を行った。このように前処理した導電性基体1
を真空蒸着装置の回転支持軸に装着して温度を66℃に
し、真空槽のベルジャ温度を44℃に保ち、2〜4×1
0″5TOrrの真空中でSen、を含有した高純度S
eを48μmの厚さに成膜して電荷輸送層2aとし、続
いて、基体温度を54℃にし、Teを45重量%含む5
e−Te合金を0.15μmの厚さに成膜して電荷発生
層2bとし、感光層2を懲戒した。
さらに続いて、^Sを1.5〜4重量%含む5e−As
合金を3μmの厚さに成膜して表面保護層3として、第
1図に示した構成の感光体を作製した。
合金を3μmの厚さに成膜して表面保護層3として、第
1図に示した構成の感光体を作製した。
上述の魁造方法で、電荷輸送層に用いる高純度Seへの
SeO2の含有量を100.500.1000.500
0゜10000重ffippmと変化させた5種類の感
光体を各種類30本ずつ作製して感光体グループI−1
,I−2゜1−3.I−4,1−5とした。
SeO2の含有量を100.500.1000.500
0゜10000重ffippmと変化させた5種類の感
光体を各種類30本ずつ作製して感光体グループI−1
,I−2゜1−3.I−4,1−5とした。
このようにして作製した感光体を、28.6rpmで回
転させ、放電長280mmのコロナチャージャによりI
1合合金体への流れ込み電流が一30μへの一定となる
条件で感光体表面に負コロナ帯電を加え、2秒後の表面
電位を測定し、各感光体グループの平均値とばらつきを
調べた。また、850vに正帯電し、2秒後の電位保持
率を測定して暗減衰を評価した。さらに、温度40℃の
高温雰囲気中で正帯電・反転現像方式の画像出しプロセ
スを250サイクル繰り返し、 1サイクル目と250
サイクル目の正帯電位の差を測定して帯電低下を評価し
た。さらにまた、正帯電・反転現像方式で得られた画像
について、画像濃度1画像紙間濃度差を調べた。
転させ、放電長280mmのコロナチャージャによりI
1合合金体への流れ込み電流が一30μへの一定となる
条件で感光体表面に負コロナ帯電を加え、2秒後の表面
電位を測定し、各感光体グループの平均値とばらつきを
調べた。また、850vに正帯電し、2秒後の電位保持
率を測定して暗減衰を評価した。さらに、温度40℃の
高温雰囲気中で正帯電・反転現像方式の画像出しプロセ
スを250サイクル繰り返し、 1サイクル目と250
サイクル目の正帯電位の差を測定して帯電低下を評価し
た。さらにまた、正帯電・反転現像方式で得られた画像
について、画像濃度1画像紙間濃度差を調べた。
これらの測定、評価結果を第1表に示す。
第
表
第1表から、電荷輸送層へのSeO□の含有量の少ない
感光体グループI−1,I−2では負帯電量が大きいた
めに画像紙間濃度差が生じ、また正コロナ帯電による正
電荷がキャンセルされるために正帯電が低くなり、画像
濃度が低下することが判る。また、S e [+ 2の
含有量が非常に多い感光体グループ1−5では、負帯電
量は小さいが暗減衰、帯電低下が大きく、画像上地かぶ
りが発生する。これに対して、感光体グループI−3,
I−4では負帯電量は小さくて画像紙間濃度は現れず、
画像濃度の変動も少なく、安定して良質な画像が得られ
る。電荷輸送層に1000重量ppm〜5000重lp
pmのSea、を含有させることが極めて有効であるこ
とは明らかである。
感光体グループI−1,I−2では負帯電量が大きいた
めに画像紙間濃度差が生じ、また正コロナ帯電による正
電荷がキャンセルされるために正帯電が低くなり、画像
濃度が低下することが判る。また、S e [+ 2の
含有量が非常に多い感光体グループ1−5では、負帯電
量は小さいが暗減衰、帯電低下が大きく、画像上地かぶ
りが発生する。これに対して、感光体グループI−3,
I−4では負帯電量は小さくて画像紙間濃度は現れず、
画像濃度の変動も少なく、安定して良質な画像が得られ
る。電荷輸送層に1000重量ppm〜5000重lp
pmのSea、を含有させることが極めて有効であるこ
とは明らかである。
以上の実施例は積層型の感光層を備えた感光体であるが
、これに限られるものではなく、単層型の感光層を備え
た感光体においても、感光層にSea、を含有させるこ
とは同様に有効である。
、これに限られるものではなく、単層型の感光層を備え
た感光体においても、感光層にSea、を含有させるこ
とは同様に有効である。
実施例2
感光体の導電性基体1として、外径120mm 、長さ
480mmの^1合金素管の外表面を研削またはバイト
で加工し、表面粗さを最大高さRmaxで0.8μmと
した後、トリクレン脱脂し、温度250℃で36分間の
加熱処理を行った。このように前処理した導電性基体1
を真空蒸着装置の回転支持軸に装着して温度62℃に加
熱し、真空槽のベルジャ温度を45℃に保ち、1〜5
Xl0−’Torrの真空中で、まず、C1を含有した
高純度Seを蒸着してアンダーコート層4を形成した。
480mmの^1合金素管の外表面を研削またはバイト
で加工し、表面粗さを最大高さRmaxで0.8μmと
した後、トリクレン脱脂し、温度250℃で36分間の
加熱処理を行った。このように前処理した導電性基体1
を真空蒸着装置の回転支持軸に装着して温度62℃に加
熱し、真空槽のベルジャ温度を45℃に保ち、1〜5
Xl0−’Torrの真空中で、まず、C1を含有した
高純度Seを蒸着してアンダーコート層4を形成した。
続いて、その上に高純度Seからなる膜厚綿50μmの
電荷輸送層2a、Teを45重量%含有する5e−Te
合金からなる膜厚綿0.2μmの電荷発生層2bを順次
蒸着成膜して感光層2を形成し、さらにその上にAsを
1.5〜4重量%含有するSe−^S合金を約3μmの
厚さに蒸着して表面保護層3を形成して、第2図に示し
た構成の感光体を作製した。
電荷輸送層2a、Teを45重量%含有する5e−Te
合金からなる膜厚綿0.2μmの電荷発生層2bを順次
蒸着成膜して感光層2を形成し、さらにその上にAsを
1.5〜4重量%含有するSe−^S合金を約3μmの
厚さに蒸着して表面保護層3を形成して、第2図に示し
た構成の感光体を作製した。
上述の製造方法において、アンダーコート層に用いる高
純度SeへのCl含有量およびアンダーコート層の膜厚
を第2表に示すように変化させて、実施例11−1〜l
l−12の各感光体を作製した。また、比較のために、
アンダーコート層を形成しない比較例11−1の感光体
、アンダーコート層を形成せず。
純度SeへのCl含有量およびアンダーコート層の膜厚
を第2表に示すように変化させて、実施例11−1〜l
l−12の各感光体を作製した。また、比較のために、
アンダーコート層を形成しない比較例11−1の感光体
、アンダーコート層を形成せず。
そのかわりに電荷輸送層に用いる高純度Seに25重量
ppmのClを含有させ電荷輸送層全層にC1をドープ
した比較例ll−2の感光体をそれぞれ作製した。
ppmのClを含有させ電荷輸送層全層にC1をドープ
した比較例ll−2の感光体をそれぞれ作製した。
第
表
このようにして作製した感光体について、感光体
を11J5rpmで回転させながら、
放電長460mmのコ
ロナチャージャにより^1合金基体への流れ込み電流が
一55μ^一定となる条件で感光体表面に負コロナ帯電
を加え、1.5秒後の表面電位を測定した。
一55μ^一定となる条件で感光体表面に負コロナ帯電
を加え、1.5秒後の表面電位を測定した。
また、正帯電の1秒後の電位保持率を測定して暗減衰特
性を評価した。さらに、正帯電・反転現像方式の画像出
しプロセスを230サイクル繰り返し、1サイクル目と
230サイクル目の正帯電位の差すなわち帯電低下量を
調べて疲労特性を評価した。
性を評価した。さらに、正帯電・反転現像方式の画像出
しプロセスを230サイクル繰り返し、1サイクル目と
230サイクル目の正帯電位の差すなわち帯電低下量を
調べて疲労特性を評価した。
さらにまた、正帯電・反転現像方式の画像出しで得られ
た画像の良否を評価した。その結果を第3表に示す。
た画像の良否を評価した。その結果を第3表に示す。
/
/
/
第
表
また、第3図は、アンダーコート層の膜厚をパラメータ
として、アンダーコート層のl含有量と負帯電位との関
係を示す線図であって、実線は膜厚1μmの場合2点線
は膜厚2μmの場合、−点鎖線は膜厚5μmの場合を示
す。
として、アンダーコート層のl含有量と負帯電位との関
係を示す線図であって、実線は膜厚1μmの場合2点線
は膜厚2μmの場合、−点鎖線は膜厚5μmの場合を示
す。
第2表および第3表より、アンダーコート層を設けない
比較例■−1では、負帯電位が高く、得られる出力画像
の画質が悪く、アンダーコート層を設けずに電荷輸送層
全層にCl、を含有させた比較例11−2では、負帯電
位は減少するが電位保持率が低く、帯電低下量が大きい
という問題が生じ画像が良くない。これに対して、実施
例では実施例ll−1を除けば負帯電位が低く、電位保
持率、帯電低下量も良好で、良質の画像が得られ、アン
ダーコート層を設けることによる効果は明らかである。
比較例■−1では、負帯電位が高く、得られる出力画像
の画質が悪く、アンダーコート層を設けずに電荷輸送層
全層にCl、を含有させた比較例11−2では、負帯電
位は減少するが電位保持率が低く、帯電低下量が大きい
という問題が生じ画像が良くない。これに対して、実施
例では実施例ll−1を除けば負帯電位が低く、電位保
持率、帯電低下量も良好で、良質の画像が得られ、アン
ダーコート層を設けることによる効果は明らかである。
また、第3表より負帯電位が一2O0v以下となれば良
質の画像が得られることが判る。そのためには、第3図
より、アンダーコート層の膜厚が1μmの場合IIを1
00重量ppm以上含有させれば良く、膜厚5μmの場
合にはCIlをlO重lppm以上含有させれば良いこ
とが判る。ところが、第2表および第3表より、アンダ
ーコート層のC1含有量が増え、かつ、膜厚が厚くなる
につれて帯電低下量が増大する傾向が見られる。アンダ
ーコート層としては、膜厚は1μm以上5μm以下の範
囲内とし、C1含有量は10重量ppm以上300重量
ρρm以下の範囲とすることが好適であることが判る。
質の画像が得られることが判る。そのためには、第3図
より、アンダーコート層の膜厚が1μmの場合IIを1
00重量ppm以上含有させれば良く、膜厚5μmの場
合にはCIlをlO重lppm以上含有させれば良いこ
とが判る。ところが、第2表および第3表より、アンダ
ーコート層のC1含有量が増え、かつ、膜厚が厚くなる
につれて帯電低下量が増大する傾向が見られる。アンダ
ーコート層としては、膜厚は1μm以上5μm以下の範
囲内とし、C1含有量は10重量ppm以上300重量
ρρm以下の範囲とすることが好適であることが判る。
以上の実施例においては、アンダーコート層の構成材料
として高純度Seを用いたが、これに限られるものでは
なく 、5e−Te合金、 Se−^S合金など他のセ
レン系材料を用いても同様の効果が得られる。
として高純度Seを用いたが、これに限られるものでは
なく 、5e−Te合金、 Se−^S合金など他のセ
レン系材料を用いても同様の効果が得られる。
この発明によれば、セレン系材料からなる感光層を備え
た感光体において、感光層に5ea2を含有させること
により、または導電性基体と感光層との間にClを含有
するセレン系材料からなるアンダーコート層を介在させ
ることにより、正帯電・反転現像方式の使用に際して、
転写時の負コロナ帯電で感光体表面への負電荷の帯電が
少なくばらつきも少なくて、正帯電が良好に乗り、暗減
衰も少なく、繰り返し使用時の帯電低下も少なくて、画
像上濃度低下や地かぶりの発生1紙間波度差の発生を抑
制でき、良質な出力画像の得られる電子写真感光体を得
ることができる。
た感光体において、感光層に5ea2を含有させること
により、または導電性基体と感光層との間にClを含有
するセレン系材料からなるアンダーコート層を介在させ
ることにより、正帯電・反転現像方式の使用に際して、
転写時の負コロナ帯電で感光体表面への負電荷の帯電が
少なくばらつきも少なくて、正帯電が良好に乗り、暗減
衰も少なく、繰り返し使用時の帯電低下も少なくて、画
像上濃度低下や地かぶりの発生1紙間波度差の発生を抑
制でき、良質な出力画像の得られる電子写真感光体を得
ることができる。
第1図および第2図はこの発明の感光体のそれぞれ異な
る実施例を示す模式的断面図、第3図はアンダーコート
層の膜厚をパラメータとしてアンダーコート層のC1含
有量と負帯電位との関係を示す線図である。 l 導電性基体、2 感光層、2a 電荷輸送層、2b
電荷発生層、3 表面保護層、4 ア第 ] 図 第 図 C見合有量(ppm) 第 図
る実施例を示す模式的断面図、第3図はアンダーコート
層の膜厚をパラメータとしてアンダーコート層のC1含
有量と負帯電位との関係を示す線図である。 l 導電性基体、2 感光層、2a 電荷輸送層、2b
電荷発生層、3 表面保護層、4 ア第 ] 図 第 図 C見合有量(ppm) 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)導電性基体上にセレン系材料からなる感光層を備え
た電子写真感光体において、感光層にSeO_2が含有
されていることを特徴とする正帯電・反転現像方式電子
写真装置用電子写真感光体。 2)導電性基体上にセレン系材料からなる感光層を備え
た電子写真感光体において、導電性基体と感光層との間
にClを含有するセレン系材料からなるアンダーコート
層を介在させたことを特徴とする正帯電・反転現像方式
電子写真装置用電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013006A JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-226823 | 1989-09-01 | ||
JP22682389 | 1989-09-01 | ||
JP2013006A JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03174161A true JPH03174161A (ja) | 1991-07-29 |
JP2867530B2 JP2867530B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=26348720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013006A Expired - Lifetime JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2867530B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59126539A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
JPS59133558A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
JPS59133557A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
JPS60102644A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
JPS63276258A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH03172854A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用機能分離型セレン感光体 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2013006A patent/JP2867530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59126539A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
JPS59133558A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
JPS59133557A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
JPS60102644A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
JPS63276258A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH03172854A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用機能分離型セレン感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2867530B2 (ja) | 1999-03-08 |
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