JP3538514B2 - 電子写真用セレン感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用セレン感光体の製造方法Info
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- JP3538514B2 JP3538514B2 JP02035597A JP2035597A JP3538514B2 JP 3538514 B2 JP3538514 B2 JP 3538514B2 JP 02035597 A JP02035597 A JP 02035597A JP 2035597 A JP2035597 A JP 2035597A JP 3538514 B2 JP3538514 B2 JP 3538514B2
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- Japan
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- selenium
- arsenic
- photosensitive layer
- conductive substrate
- electrophotography
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子写真用セレン
感光体の感光層の製造方法に係り、特にセレン―ヒ素合
金からなる感光層中のハロゲン元素ドープ量を所望値に
制御する電子写真用セレン感光体の製造方法に関する。
感光体の感光層の製造方法に係り、特にセレン―ヒ素合
金からなる感光層中のハロゲン元素ドープ量を所望値に
制御する電子写真用セレン感光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セレン―ヒ素合金を感光層に用いる電子
写真用セレン感光体はセレン―ヒ素合金のヴィッカース
硬度が１３０kg/mm2、半減衰露光量が０．５lx・s 、ガ
ラス転移温度が１７０℃等の特性を示し、耐刷性，感
度，耐熱性に優れるため高速プリンタを始めとして中速
ないし高速の複写機に用いられる。
写真用セレン感光体はセレン―ヒ素合金のヴィッカース
硬度が１３０kg/mm2、半減衰露光量が０．５lx・s 、ガ
ラス転移温度が１７０℃等の特性を示し、耐刷性，感
度，耐熱性に優れるため高速プリンタを始めとして中速
ないし高速の複写機に用いられる。
【０００３】電子写真用セレン感光体は複写機の高速化
や小型化、プリンタの高速化，小型化，光源の多様化に
対応して高速応答性のセレン―ヒ素合金が使用される。
高速応答性のセレン―ヒ素合金には例えば第三元素とし
てハロゲン元素をドープしてホール（正孔）のモビリテ
ィー（移動度μ）を大きくした三二セレン化ヒ素As2Se3
が用いられる。
や小型化、プリンタの高速化，小型化，光源の多様化に
対応して高速応答性のセレン―ヒ素合金が使用される。
高速応答性のセレン―ヒ素合金には例えば第三元素とし
てハロゲン元素をドープしてホール（正孔）のモビリテ
ィー（移動度μ）を大きくした三二セレン化ヒ素As2Se3
が用いられる。
【０００４】電子写真プロセスは感光体上への帯電、光
照射による潜像の形成、トナー付着による現像、現像の
記録紙上への転写、熱あるいは圧力による定着、除電の
工程からなる。図２はプリンタ用のセレン感光体におけ
る光導電機構を示す模型図である。電子写真用セレン感
光体３はアルミニウムである導電性基体３Ｂ上に感光層
３Ａとしてセレン―ヒ素合金である三二セレン化ヒ素As
2Se3を積層して製造される。正電荷３Ｅにより正帯電し
た感光層３Ａに光が照射されると、セレン―ヒ素感光層
内部で電子３Ｃとホール３Ｄが発生する。セレン―ヒ素
感光層はホール導電体であり、ホール３Ｄはセレン―ヒ
素感光層の内部を導電性基体３Ｂに向かって流れ、導電
性基体３Ｂに注入される。ホールのモビリティーが大き
いと光応答速度が大きくなり高速応答性の感光体が得ら
れる。セレン―ヒ素感光層内に残された電子は感光層表
面の正電荷３Ｅを除去する。このようにして画像に対応
する画像パターンの光照射により画像部の正電荷が除去
されたネガ潜像が形成される。
照射による潜像の形成、トナー付着による現像、現像の
記録紙上への転写、熱あるいは圧力による定着、除電の
工程からなる。図２はプリンタ用のセレン感光体におけ
る光導電機構を示す模型図である。電子写真用セレン感
光体３はアルミニウムである導電性基体３Ｂ上に感光層
３Ａとしてセレン―ヒ素合金である三二セレン化ヒ素As
2Se3を積層して製造される。正電荷３Ｅにより正帯電し
た感光層３Ａに光が照射されると、セレン―ヒ素感光層
内部で電子３Ｃとホール３Ｄが発生する。セレン―ヒ素
感光層はホール導電体であり、ホール３Ｄはセレン―ヒ
素感光層の内部を導電性基体３Ｂに向かって流れ、導電
性基体３Ｂに注入される。ホールのモビリティーが大き
いと光応答速度が大きくなり高速応答性の感光体が得ら
れる。セレン―ヒ素感光層内に残された電子は感光層表
面の正電荷３Ｅを除去する。このようにして画像に対応
する画像パターンの光照射により画像部の正電荷が除去
されたネガ潜像が形成される。
【０００５】図３は三二セレン化ヒ素As2Se3中の第三元
素（ヨウ素）添加量（ヨウ素ドープ量）を媒介変数とし
てモビリティーの絶対温度逆数依存性を示す線図であ
る。図に示すように第三元素のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで示す添
加量（ヨウ素のドープ量）が増えるとホールのモビリテ
ィーが増大する。従来のセレン―ヒ素合金感光層はハロ
ゲン元素濃度を変化させたセレン―ヒ素合金原料を導電
性基体上に蒸着して、三二セレン化ヒ素As2Se3中のヨウ
素ドープ量を調節していた。
素（ヨウ素）添加量（ヨウ素ドープ量）を媒介変数とし
てモビリティーの絶対温度逆数依存性を示す線図であ
る。図に示すように第三元素のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで示す添
加量（ヨウ素のドープ量）が増えるとホールのモビリテ
ィーが増大する。従来のセレン―ヒ素合金感光層はハロ
ゲン元素濃度を変化させたセレン―ヒ素合金原料を導電
性基体上に蒸着して、三二セレン化ヒ素As2Se3中のヨウ
素ドープ量を調節していた。
【０００６】図４はセレン―ヒ素合金感光層の製造に使
用されるプラネタリ蒸着炉を示す模式断面図である。蒸
着炉１の内部は真空引きされる。台座６上のボート４は
約４００℃の温度に加熱され、内部のセレン―ヒ素合金
原料５が蒸発する。蒸発したセレン―ヒ素合金はヒータ
カバー２により所定の温度に加熱された４個の感光体３
上に蒸着される。感光体３は矢印に示すように自転し且
つ公転する。
用されるプラネタリ蒸着炉を示す模式断面図である。蒸
着炉１の内部は真空引きされる。台座６上のボート４は
約４００℃の温度に加熱され、内部のセレン―ヒ素合金
原料５が蒸発する。蒸発したセレン―ヒ素合金はヒータ
カバー２により所定の温度に加熱された４個の感光体３
上に蒸着される。感光体３は矢印に示すように自転し且
つ公転する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな従来の製造方法においては、セレン―ヒ素合金感光
層中のハロゲン元素ドープ量を所望値に制御するために
は感光層中のハロゲン元素ドープ量に対応してハロゲン
元素濃度を変化した複数のセレン―ヒ素合金原料を調製
する必要があり、原料の種類が増大して電子写真用セレ
ン感光体の製造が煩雑になるという問題があった。
うな従来の製造方法においては、セレン―ヒ素合金感光
層中のハロゲン元素ドープ量を所望値に制御するために
は感光層中のハロゲン元素ドープ量に対応してハロゲン
元素濃度を変化した複数のセレン―ヒ素合金原料を調製
する必要があり、原料の種類が増大して電子写真用セレ
ン感光体の製造が煩雑になるという問題があった。
【０００８】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、所定濃度のハロゲン元素を含む一種類のセレン―
ヒ素合金原料を用いてセレン―ヒ素合金感光層中のハロ
ゲン元素ドープ量を制御することが可能な電子写真用セ
レン感光体の製造方法を提供することにある。
的は、所定濃度のハロゲン元素を含む一種類のセレン―
ヒ素合金原料を用いてセレン―ヒ素合金感光層中のハロ
ゲン元素ドープ量を制御することが可能な電子写真用セ
レン感光体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれは導電性基体上にハロゲン元素の添加されたセレン
―ヒ素合金からなる感光層を積層してなる電子写真用セ
レン感光体の製造方法において、所定濃度のハロゲン元
素を含むセレン―ヒ素合金原料を用い、導電性基体上に
感光層を真空蒸着する際に導電性基体の表面温度を調節
してハロゲン元素の添加量を所定の濃度に調節すること
により達成される。
よれは導電性基体上にハロゲン元素の添加されたセレン
―ヒ素合金からなる感光層を積層してなる電子写真用セ
レン感光体の製造方法において、所定濃度のハロゲン元
素を含むセレン―ヒ素合金原料を用い、導電性基体上に
感光層を真空蒸着する際に導電性基体の表面温度を調節
してハロゲン元素の添加量を所定の濃度に調節すること
により達成される。
【００１０】上述の発明においてセレン―ヒ素合金原料
中のハロゲン元素の所定濃度が１００ｐｐｍないし５０
００ｐｐｍであること、または導電性基体の表面温度が
１９０℃ないし２３０℃であることが有効である。ハロ
ゲン元素はセレン―ヒ素合金を導電性基体上に蒸着する
際に導電性基体の表面温度が低い程、セレン―ヒ素合金
感光層中に多く取り込まれる。
中のハロゲン元素の所定濃度が１００ｐｐｍないし５０
００ｐｐｍであること、または導電性基体の表面温度が
１９０℃ないし２３０℃であることが有効である。ハロ
ゲン元素はセレン―ヒ素合金を導電性基体上に蒸着する
際に導電性基体の表面温度が低い程、セレン―ヒ素合金
感光層中に多く取り込まれる。
【００１１】
【発明の実施の形態】セレン―ヒ素合金原料中のハロゲ
ン元素濃度は１００ｐｐｍないし５０００ｐｐｍの範囲
内の一定濃度の原料が用いられる。また導電性基体の表
面温度は１９０℃ないし２３０℃の範囲内の所定値に調
節される。
ン元素濃度は１００ｐｐｍないし５０００ｐｐｍの範囲
内の一定濃度の原料が用いられる。また導電性基体の表
面温度は１９０℃ないし２３０℃の範囲内の所定値に調
節される。
【００１２】
【実施例】アルミニウム素管表面を研削した後にアルミ
ニウム素管の予備洗浄、トリクレン洗浄、アルカリエッ
チング、硝酸エッチング、次いで大気中での加熱を行い
アルミニウム素管を前処理した。プラネタリ蒸着炉内の
蒸発源用ボートに４２００ｐｐｍのヨウ素を含むセレン
―ヒ素合金原料を装填した。ヨウ素濃度は２０００ない
し２５００ｐｐｍを目標とした。プラネタリ蒸着炉の真
空度を約１０-5Torrに維持しながら昇温し、ベーキング
を行った。窒素冷却を行った後にヒータカバーの温度を
調節してアルミニウム素管の表面温度を１９０ないし２
３０℃５種類に変化して蒸着を行った。蒸着時間は約５
０分、蒸発源の温度は４００±５℃であった。蒸着後に
セレン―ヒ素感光層中のヨウ素濃度を蛍光Ｘ線法で測定
した。
ニウム素管の予備洗浄、トリクレン洗浄、アルカリエッ
チング、硝酸エッチング、次いで大気中での加熱を行い
アルミニウム素管を前処理した。プラネタリ蒸着炉内の
蒸発源用ボートに４２００ｐｐｍのヨウ素を含むセレン
―ヒ素合金原料を装填した。ヨウ素濃度は２０００ない
し２５００ｐｐｍを目標とした。プラネタリ蒸着炉の真
空度を約１０-5Torrに維持しながら昇温し、ベーキング
を行った。窒素冷却を行った後にヒータカバーの温度を
調節してアルミニウム素管の表面温度を１９０ないし２
３０℃５種類に変化して蒸着を行った。蒸着時間は約５
０分、蒸発源の温度は４００±５℃であった。蒸着後に
セレン―ヒ素感光層中のヨウ素濃度を蛍光Ｘ線法で測定
した。
【００１３】セレン―ヒ素感光層中におけるヨウ素ドー
プ量のアルミニウム素管表面温度依存性が次表に示され
る。
プ量のアルミニウム素管表面温度依存性が次表に示され
る。
【００１４】
【表１】
図１はセレン―ヒ素感光層中におけるヨウ素濃度（ヨウ
素ドープ量）のアルミニウム素管表面温度依存性を示す
線図である。アルミニウム素管表面温度を調節してセレ
ン―ヒ素合金感光層を蒸着することによりセレン―ヒ素
合金感光層中のヨウ素ドープ量が変化することがわか
る。
素ドープ量）のアルミニウム素管表面温度依存性を示す
線図である。アルミニウム素管表面温度を調節してセレ
ン―ヒ素合金感光層を蒸着することによりセレン―ヒ素
合金感光層中のヨウ素ドープ量が変化することがわか
る。
【００１５】アルミニウム素管表面温度を１９０ないし
２３０℃に調節すると、セレン―ヒ素合金のヨウ素濃度
が１００ｐｐｍの場合に感光層中のヨウ素濃度を３０な
いし６０ｐｐｍ、セレン―ヒ素合金のヨウ素濃度が５０
００ｐｐｍの場合に感光層中のヨウ素濃度を２５００な
いし３０００ｐｐｍに調節できる。アルミニウム素管表
面温度が１９０℃よりも低い場合には蒸着膜の表面が滑
らかにならず外観不良となる。
２３０℃に調節すると、セレン―ヒ素合金のヨウ素濃度
が１００ｐｐｍの場合に感光層中のヨウ素濃度を３０な
いし６０ｐｐｍ、セレン―ヒ素合金のヨウ素濃度が５０
００ｐｐｍの場合に感光層中のヨウ素濃度を２５００な
いし３０００ｐｐｍに調節できる。アルミニウム素管表
面温度が１９０℃よりも低い場合には蒸着膜の表面が滑
らかにならず外観不良となる。
【００１６】
【発明の効果】この発明によれば固定濃度のハロゲン元
素を含むセレン―ヒ素合金原料を用い、導電性基体の表
面温度を調節してセレン―ヒ素合金を導電性基体上に真
空蒸着するので、セレン―ヒ素合金感光層中のハロゲン
元素ドープ量を所望値に制御することが可能となる。
素を含むセレン―ヒ素合金原料を用い、導電性基体の表
面温度を調節してセレン―ヒ素合金を導電性基体上に真
空蒸着するので、セレン―ヒ素合金感光層中のハロゲン
元素ドープ量を所望値に制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】セレン―ヒ素感光層中におけるヨウ素濃度（ヨ
ウ素ドープ量）のアルミニウム素管表面温度依存性を示
す線図
ウ素ドープ量）のアルミニウム素管表面温度依存性を示
す線図
【図２】プリンタ用のセレン感光体における光導電機構
を示す模型図
を示す模型図
【図３】三二セレン化ヒ素As2Se3中のヨウ素ドープ量を
媒介変数としてモビリティーの絶対温度逆数依存性を示
す線図
媒介変数としてモビリティーの絶対温度逆数依存性を示
す線図
【図４】セレン―ヒ素合金感光層の製造に使用されるプ
ラネタリ蒸着炉を示す模式断面図
ラネタリ蒸着炉を示す模式断面図
１ 蒸着炉
２ ヒータカバー
３ 感光体
３Ａ 感光層
３Ｂ 導電性基体
３Ｃ 電子
３Ｄ ホール
４ ボート
５ セレン―ヒ素合金原料
６ 台座
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03G 5/08 - 5/082
Claims (3)
- 【請求項１】導電性基体上にハロゲン元素の添加された
セレン―ヒ素合金からなる感光層を積層してなる電子写
真用セレン感光体の製造方法において、所定濃度のハロ
ゲン元素を含むセレン―ヒ素合金原料を用い、導電性基
体上に感光層を真空蒸着する際に導電性基体の表面温度
を調節してハロゲン元素の添加量を所定の濃度に調節す
ることを特徴とする電子写真用セレン感光体の製造方
法。 - 【請求項２】セレン―ヒ素合金原料中のハロゲン元素の
所定濃度が１００ｐｐｍないし５０００ｐｐｍである請
求項１に記載の電子写真用セレン感光体の製造方法。 - 【請求項３】導電性基体の表面温度が１９０ないし２３
０℃である請求項１に記載の電子写真用セレン感光体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02035597A JP3538514B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02035597A JP3538514B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221872A JPH10221872A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3538514B2 true JP3538514B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=12024815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02035597A Expired - Fee Related JP3538514B2 (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3538514B2 (ja) |
-
1997
- 1997-02-03 JP JP02035597A patent/JP3538514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10221872A (ja) | 1998-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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