JPS6043872A

JPS6043872A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6043872A
Application number: JP58151823A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 斎藤　恵志
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-08-20
Filing date: 1983-08-20
Publication date: 1985-03-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、ｘｍ、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部拐に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔大電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を冶す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値２光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合重な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更吟は、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半ず体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。又、別には、照射される光が光導電層中に於
いて、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量が多
くなると、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対
する反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反
射による干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因
となる。この影響は、解像度を上げる為に、照射スポッ
トを小さくする程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源
とする場合には大きな問題となっている。

更に、ａ−３ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子−や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光等電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子′（ＳＬ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ　）とを
母体とする非晶質材料、殊にこれ等の原子を母体とし、
水素原子（ロ）又はハロゲン原子■のいずれか一方を少
なくとも含有するアモルファス材料、所謂水素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化アモルファス
シリコンゲルマニウム、或イハハロケン含有水素化アモ
ルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等の総称的表
記としてｒ　ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する
〕から構成される非晶質層を有する光導電部材の構成を
以後・に説明される様に特定化して作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかシでなく、従来
の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れた特性を有していること及び長波長側に於ける吸収
スペクトル−特性に優れていることを見出した点に基い
ている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制御を受けない全環境温であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ１−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、光導
電性を有する光受容層とを有し、該光受容層はシリコン
原子を含む非晶質材料で構成された第１の非晶質層（１
）と、シリコン原子件ゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第２の非晶質層（ｎ）とが前記支持体
側より順に設けられた層構成を有するとともに、ハロゲ
ン原子■を含有している。前記第２の非晶質層（ｎ）中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態は層厚方向及び支
持体の表面に平行な面内に於いて均一である。ハロゲン
原子（３）は前記第１の非晶質層（１）中または前記第
２の非晶質層（Ｉｆ）中の少なくともどちらか一方に含
有されれば良い。また前記第１の非晶質層（１）中およ
び前記第２の非晶質層（ＩＩ）中の少なくともどちらか
一方には伝導性を支配する物質が含有されているのが好
ましいゎ上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す３殊に、
電子写真用像形成部材として適用させた場合には、画像
形成へ９残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が
安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するものであって
、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハー
フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画
像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就いて詳細に
説明する。

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明するために
模式的に示した模式的説明図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部、材用とし
ての支持体１０１の上に、充分な体積抵抗と光導電性を
有する光受容層１０２を有する。光受容層１０２は、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の非晶質層（１）　１０
３と、その上にａ−８ｉ、　Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第
２の非晶質ｍ（ＩＩ）１０４とを有する層構成とされる
。光導電性は、第１及び第２の非晶質層のいずれに荷わ
せても良いが、いずれにしても入射される光が充分到達
し得る、層が少なくとも光導電性を有する様に層設針さ
れる必要がある。又、この場合、第１及び第２の非晶質
層の両者が夫々所望の波長スペク）／しの光に対して光
導電性を有し、且つ、充分な量のフォトキャリアを発生
し得る層として設計されるのが望ましい０本発明の光導電部材に於いては、第１の非晶質層（Ｉ）
または、第２の非晶質層（ＩＩ）の少なくとも一方に伝
導性を支配する物質■を含有させることによって、含有
される層の伝導性を所望に従って任意に制御することが
できる。物質（Ｑは、光受容層に於いて、或いは第１及
び第２の非晶質層の夫々に於いて、層厚方向には均一で
も不均一でもいずれの分布状態であっても良い様に含有
される。又、物質（Ｑの含有される層領域（ＰＮ）に於
いて、その層厚方向に、物質（Ｑは連続的に、均−或い
は不均一な分布状態となる様に含有される。

たとえば第２の非晶質層（ｎ）の層厚を第１の非晶質層
ＣＩ）の層厚より厚くし、主に第２の非晶質層（ＩＩ）
を電荷発生層と電荷輸送層としての機能を持たせる様に
して用いる場合には、伝導性を支配する物質（０は、第
１の非晶質層（１）では支持体側で多くなる分布状態と
なるようにすることが望ましく、また−伝導性を支配す
る物質（０は第２の非晶質層（１）では、第１の非晶質
層（Ｉ）と第２の非晶質＋５　（Ｉｆ）の界面又は界面
近傍で多くなる分布状態となるようにすることが望まし
い。

他方、第１の非晶質層（１）の層厚を第２の非晶質層（
Ｕ）の層厚より厚くし主に第２の非晶質層（Ｉ［）に電
荷発生層としての機能をもたせる様にし、第１．の非晶
質層（Ｉ）を電荷輸送層としての機能をもたせる様にし
て用いる場合には、伝導性を支配する物質（０は第１の
非晶質層（１）の支持体側により多く分布する様に含有
させることが望ましい。

このような伝導性を支配する物質（０としては、所謂、
半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発
明に於いては、Ｓｔ又はＧｅに対して、Ｐ型伝導特性を
与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物
を挙げることが出来る。具体的には、Ｐ型不純物として
は周期律表第■族に属する原子（第■族原子）、例えば
Ｂ（硼素）　、　Ａｌ（アルミニウム）　、　Ｇａ　（
ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）　、　Ｔ／　（タリウ
ム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａで
ある。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａ８（砒素’）　＋’
　ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス：）等であり
、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ。

Ａｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）に含有
される伝導特性を制御する物質（０の含有量は、該層領
域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。又、前記層領
域（１）　Ｎ　）に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは、ｏ、
ｏｉ−５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　。

よシ好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適には１乏５　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明、に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導特性
を支配する物質（０の含有量を、好ましくは３０　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上することによって、例えば該含有させる物質（Ｃ）
が前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
■極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの光受容層
中への電子の注入を効果的に阻止することが出来、又、
前記物質（Ｃりが前記のｎ型不純物の場合には、光受容
層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体
側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。

上記の様な場合には前記層領域（ＰＮ）を除いた部分の
層領域（６）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝導特
性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を支配
する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導
特性を支配する物質を、層領域（ＰＮ）に含有される実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域■）中に含有される前記伝導
特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ）
に含有される前記物質の極性や含有量を応じて所望に従
って適宜決定されるものであるが、好ましくは、ｏ、ｏ
ｏｉ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、より好適には
０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　＋最適には０
．１〜２００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍとされるのが望まし
い。

本発明に於いて、１蕾領域（ＰＮ）及び層領域■）に同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域（２））に於ける含有量としては、好捷しくは、３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。上記
した場合の他に、本発明に於いては、光受容層中に、一
方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた層
領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例えば光
受容層中に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記
のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様に設
けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設けることが
出来る。

本発明において、必要に応じて光受容層中に含有される
ハロゲン原子■としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の非晶質＠（Ｉ）を形成するには、例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いは、イオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第１の非晶質層（１）を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、水素原子Ｉ導入用の又は／及びノ・ロ
ゲン原子■導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ　Ｓｉ（Ｈ９Ｘ　）から成る層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲラ・
トラスパッタリングする際、水素原子（６）又は／及び
ハロゲン原子（３）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入してやれば良い。

本発明において第１の非晶質層（１）を形成するのに使
用される原料ガスとなる出発物質としては、次のものが
有効なものとして挙げることが出来る。

先ずＳｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、Ｓ
ｉＨ４，５ｉ２Ｉ−Ｉ６．５１３Ｈｓ　、５１４ＨＩＯ
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成
作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ＋
　＋　５ｉｔＨａが好ましいものとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件Ｓｉ供給用
の原料ガスとなる有効な出発物質としては、上記の水素
化硅素の他に、ハロゲン原子■を含む硅素化合物、所謂
、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体、具体的には
例えばＳｉＦ４　＋　５ｉｚＦｅ　ｒ　５ｉｃ１４　、
８ｔＢｒ＋等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙
げることが出来、更には、ＳｉＨ２Ｆ２＋　５ｔＨＪｚ
　、　５ｉＨｔＣ１２，５ｉＨＣ／ｓ　。

５ｉＨＪｒ２１５ｉＨＢｒ、等のハロゲン置換水素化硅
素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原質と
して挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て形成される第１の非晶質層（１）中にＳｉと共にノ・
ロゲン原子（３）を導入することが出来る。

本発明において第一の非晶質層（Ｉ）を形成する際に使
用されるノ・ロゲン原子■導入用の原料ガスとなる有効
な出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素の／Ｓ　ロゲンガス、ＢｒＦ
　＋　Ｃ７Ｆ　＋　Ｃｌ１Ｆ３　＋　ＢｒＦ５　ｌＢｒ
Ｆ５　ｌ　ＩＦｓ　、ＩＦ７　＋　ＩＣｌ＋　ＩＢｒ　
等の／％Ｏゲン間化合物、ＨＦ　、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ
　、　ＨＩ　等のノーロゲン化水素を挙げることが出来
る。

第１の非晶質層（Ｉ）を構成する層領域中に、伝導特性
を制御する物質（Ｏｌ例えば、第■族原子或いは第■族
原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１μ族
原子導入用の出発物質或い質と共に導入してやれば良い
。この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るもの
としては、氷温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体
的には硼素原子導入用−としては、Ｂ２Ｈ，・Ｂ４Ｈ１
０、ＢｓＨｏ　、　Ｂ５ＨＩＩ　、ＢａＨ＋ｏ　、　Ｂ
６ＨＩ２　、　ＢａＨｔ４等の水素化硼素、ＢＦｓ　、
　ＢＣ７８，ＢＢｒｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡｌＣ１ｓ　、ＧａＣ１ｓ　。

Ｇａ（ＣＨｓ）ｓ　、　ＩｎＣｌ３．　ＴｌＣｌ！ｓ等
も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨａ　
、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ，Ｉ。

ＰＦｓ　＋　ＰＦｓ　＋　ＰＣＡ！ｓ　＊　ＰＣｌ５＊
　Ｐ　Ｂｒ　ｓ　＋　Ｐ　Ｂｒ５　＋　Ｐ　Ｉ３等のハ
ロゲン北隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ，。

ＡｓＦ３．　ＡｓＣ７，、ＡｓＢｒ、　＋　ＡｓＦ、　
、　ＳｂＨ，、ＳｂＦ３．５ｂＦｉ。

８ｂＣＩ１．　＋　５ｂＣｌｉ　、　ＢｉＨ３＊　Ｂ１
Ｃ７３＋　Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子導入用の出発物質
の有効彦ものとして挙げることが出来る。

本発明に一於いて、第１の非晶質層（１）に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該非晶質層（ｉ）
に要求される伝導特性、或いは該＋１）に直に接触して
設けられる他の層の特性や、該他の層との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、好ましくは
、０．００１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　
、よシ好過には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ。

最適には１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の非晶質層（Ｉ）中に含有される
水素原子０の量又はノ・ロゲン原子（３）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　’）は好ましく
は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１非晶質層（１）中に含有される水素原子（６）又は
／及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（ロ）、或いはハロゲン
原子（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。

本発明の第１の非晶質層（Ｉ）の層厚は、該非晶質層（
１）が主に支持体と第２の非晶質層（Ｉｆ）との密着層
として働くか、または密着層と電荷輸送層として働くか
によって所望に従って適宜法められる。前者の場合には
、好ましくは１００Ｏλ〜５０μｍ、より好ましくは、
２０００λ〜３０μＩｎ。

最適には２００Ｏλ〜１０μｍとされるのが望ましい。

後者の場合には、好ましくは１〜１００μｍ、より好ま
しくは１〜８０μｍ２　最適には２〜５０μｍとされる
のが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の非晶質層（１）
の層厚が薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第
２の非晶質層（ＩＩ）には、伝導特性を支配する物質Ｃ
）を含有させた層領域（ＰＮ）を第１の非晶質層（１）
側に局在的に設けることによシ、該層領域（ＰＮ）を所
謂、電荷注入阻止層として機能する様にすることが出来
る。

即ち、伝導特性を支配する物質Ｃ）が含有される層領域
（ＰＮ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３０　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好適には５０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該含有させる物
質Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受、けた際に支持体側からの
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来、又、前記含有させる物質Ｃ）が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受
けた際に、支持体側から光受容層中への正孔の注入を効
果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には第２の非晶質層ＯＩ）に於いて前記
層領域（ＰＮ）を除いた部分の層領域（ＺＩ［）には、
層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性を支配する物質の
極性とは別の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物質
を、層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量よりも一段と
少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚｎ　）中に含有される前
記伝導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所
望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０
．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、よシ好適
には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適に
は０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましいものである。

本発明に於いて、第２の非晶質層Ｇｌ）に設けられる層
領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚｌｌ　）に同種の伝導性を
支配する物質を含有させる場合には、層領域（Ｚｌｌ）
に於ける含有量としては、好ましくは、３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｒｎ以下とするのが望ましいものである。上
記した場合の他に、本発明に於いては、第２の非晶質層
■中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配す
る物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設けて
、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰シ
、例えば第２の非晶質層（ＩＤ中に、前記のＰ型不純物
を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域
とを直に接触する様に設けて所謂Ｐ−ｎ接合を形成して
、空乏層を設けることが出来る。

本発明において、第２の非晶質層■中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的
に達成される様に所望に従って適宜法められるが、好ま
しくは１〜９．５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
シ好ましくは１００〜８Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、最適には５００〜７　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｔｎとされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第２の非晶質層（１１）
中に含有されるノ・ｐゲン原子■としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が誉げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の非晶質層■を形成するには、例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、
Ｘ）で構成される第２の非晶質層０１）を形成するには
、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給　−用の原料ガスと、必要に応じて水素原子
０導入用の原料ガス又は／及びノ・ロゲン原子囚導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
にａ　５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スノくツタリング法で形成する場合には、例え
ばＡｒ　、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲ
ット、或いは、該ターゲットとＧｅ＋構成されたターゲ
ットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合された
ターゲラトラ使用して、必要に応じてＨｅ　、Ａｒ等の
稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に
応じて、水素原子０又は／及びハロゲン原子■導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタ
リングしてやれば良い。イオンブレーティング法の場合
には、例えば多結晶シリコど又は単結晶シリコンと多結
晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、
或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱
蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通
過させる以外はスパッタリングの場合と同様にするゆで
行う事が出来る。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、５ｌＨａ　ｖ　５ｉｔＨａ　ｒＳｉ
ｓＨ＠　ｙ　５ｉ４Ｈｔｏ等のガス状態の又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＳ　ＩＬ　＋　Ｓ　１　＊　Ｈ
ｅが好ましいものとして挙げられる。Ｇｅ供給用の原料
ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨａ　＃　ＧｅｔＨ
ａ　ｐＧｅｓＨｓ　＋　Ｇｅ４Ｈｔｏ　、ＧｅａＨｓ＋
＋　、　ＧｅｅＨ＋４ｒ　ＧｅｙＨｌｅ　Ｆ　Ｇｅ５Ｈ
ｔｓ　＋Ｇｅ＊　）（２０等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、Ｇｌ！Ｈ４−Ｇｅｎｕｓ　、　Ｇ
ｅ５Ｈｓが好ましいものとして挙げられる。

本発明に於゛いて使用されるハロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、　ＢｒＦ　ｔ　ＣｔＦ　ｒ　ＣｂＦｓ　ｔＢｒ
Ｆａ　ｌ　ＢｒＦｇ　ｌ　ＩＦｓ　＊　ＩＦ７　＋　Ｉ
Ｃ／、　ｙ　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げること
が出来る。

ハロゲン原子を含む硅紫化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換された７ラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
　ｉＦ４　ｐ　Ｓｉ＊Ｆｓ　、　５ｉＣ４ｓ　５ｉ−Ｂ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第２の非晶
質層（Ｉｆ）を製造する場合、基本的には、例えばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の
原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　ｔ　Ｌ　ｖ
　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
して第２の非晶質層（Ｉｆ）を形成する堆積室に導入し
、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによって、所望の支持体上に第２の非晶
質層Ｑｌ）を形成し得るものであるが、水素原子の導入
割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等のガス
に更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも
所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物の、ガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２ｊ或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣｌ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｔＨｔＦ＊　
＋　５ｔＨｄｔ　ｒＳｉＨｚＣ＆　ｒ　５ｉＨＣｔｓ　
ｒ　５ｉＨ２Ｂｒｔ　ｌ　５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置
換水素化硅素、及びＧｅＨＦ５　、　ＧｅＨｔＦｔ　、
　ＧｅＨｓＦ　。

ＧｅＨＣｔｓ　ｓ　ＧｅＨｔＣ４ｚ　、　ＧｅＨｓＣｔ
ｔ　Ｇｅ′ＨＢｒ５　、　ＧｅＨＪｒｚ　１ＧｅＨｓＢ
ｒ　、　ＧｅＨＩａ　、　ＧｅＨ２１ｔ　、　ＧｅＨ＆
工等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を
構成要素の１つとするハロゲン化物ｙ　ＧｅＦａ　＋　
Ｇｅｃム。

ＧｅＢｒａ　＃　ＧｅＩｊ　、　ＧｅＦｔ　、　ＧｅＣ
１ａ　＋　ＧｅＢｒｔ　ｙ　ＧｅＩｔ　ｓ等のへロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
物質も有効な第２の非晶質層［有］）形成用の出発物質
として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第２
の非晶質層値）形成の際に府中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第２の非晶質層の）中に構造的に゛導入する
には、上記の他にＨ２，或いはＳ　ｉＬ　、　Ｓ　ｂＨ
・。

Ｓ　ｔｓＨ＊　ｐ　Ｓ　１４Ｈｔ。等の水素化硅素をＧ
ｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と或いは、ＧｅＨ＜　＋　ＧｅｔＨａ　＋　ＧｅｓＨｍ
　ｗ　Ｇｅ４１Ｌｅ　ｖ　ＧｅａＨｔｓ　、　ＧｅＪ（
ｎ　１ＧｅｔＨｒａ　ｐ　ＧｅａＨｔｓ　＃　ＧｅｏＨ
ｔｏ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリ
コン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第２の非晶質層の）中に含有される水素原子０の景又は
へロゲン原子頭の景又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０　ａｔｏｍｉ
ｃ　Ｘ　、よ）好適には０６０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
　Ｘ　、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ　と
されるのが望ましい。

第２の非晶質層Ｑｌ）中に含有される水素原子０又は／
及びハロゲン原子■の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子０、或いはハロゲン原子■を含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入
する量、放電電力等を制御してやれば良い。

第２の非晶質層（ＩＤを構成する層領域中に・、伝導特
性を制御する物質（Ｃ’ｌ、例えば、第■族原子或いは
第■族原子を構造的に導入するには、第１の非晶質層（
１）の形成を説明した場合と同様に層形成の際に前記し
た第■族原子導入用の出発物質或いは第■族原子導入用
の出発物質をガス状態で堆積室中に、第２の非晶質層Ｑ
ｌ）を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。

本発明の光導電部材に於ける第２の非晶質層０１）の層
厚は、第２の非晶質層値）を主にフォトキャリアの発生
層として用ｉる場合には、フォトキャリアの励起光源に
対する第２の非晶質層Ｑ［）の吸収係数を考慮して適宜
法められ、好ましくは１０００人〜５′ｏ１１ｍ１　よ
シ好ましくは１００ＯＡ〜３０μｍ１最適には１０００
λ〜２０μｍとされるのが望ましい。

また第２の非晶質層（ＩＤを主にフォトキャリアの発生
と電荷、輸送としての機能を有する層として用いる場合
は、フォトキャリアが効率よく輸送される様に所望に従
って適宜法められ好ましくは１〜１００μｍ１よシ好ま
しくは１〜８０μｍ１最適には２〜５０μｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、光受容層を構成し、伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）を充分量含有して支持体側に偏在して設け
られることによシミ荷注入阻止層として機能する層領域
の層厚としては、該層領域と該層領域上に形成される他
の層領域とに要求される特性に応じて所望に従って適宜
決定されるものであるが、その下限としては好ましくは
３０Å以上、よシ好適には４０λ以上、最適には５０λ
以上とされるのが望ましい。ｆ、：・又、上記層領域中
に含有される伝導特性を制御する物質の含有量が３　Ｑ
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場合には、該層領
域の層厚の上限としては、好ましくは１０μ以下、好適
には８μ以下、最適には５μ以下とされるのが望ましい
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えばＮ　ＮｉＣｒ　、ステンレス。

ＡｔｔＣｒ　ＩＭＯ、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ　５ＶｔＴ
ｉ　、ｐｔ　、Ｐｄ　１等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース。

アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

飼えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　。

Ａｔ　＋　Ｏｒ　ｔ　Ｍｏ　ｔ　Ａｕ　ａ　Ｉ　ｒ　ｙ
　Ｎｂ　ｔ　Ｔａ　Ｉ　Ｖ　＋　Ｔｌ　ｐ　Ｐ　ｔ　＋
Ｐｄ　、　ＩｎｚＯａ　Ｆ　５ｎＯｔ　ｇ　ＩＴＯ（Ｉ
ｎｔＯｓ　＋　ＳｎＯ＊　）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ
ｔ　ｒ　Ａｇ　ｔ　Ｐｂ　ｒ　Ｚｎ　、　Ｎｉ　。

Ａｕｔｃｒ、Ｍｏ、ｘｒ、Ｎｂ、’ｒａ、ｖ、’ｒｉｔ
ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に４電性が付与され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用
像形成部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通シの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限シ薄くされる。丙午ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第６図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅ
で稀釈されたＧｅＨ，ガス（純度９９．９９９％、以下
ＧｅＨ，／Ｈｅと略す。）ホンへ、１１０４　はＨｅ　
でｍ釈されたＳｉＦ、ガス（純度９９．９９％、以下８
ｉＦ、／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＨｅで稀釈
されたＢ　２Ｈ，ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ、
Ｈ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純
度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６　
、リークパルプ１１３５が閉じられているこれを確認し
、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１　、補助バルブ１１３２゜１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３４
を開いて反応室１１０１　、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５×工０″ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ１１３２　、１１３３、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第１の非晶質Ｎ　（
ｔ）を形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５より
Ｂ２Ｈ６／Ｈｅガスをバルブ１１２２．１１２５を夫々
間いて出口圧ゲージ１１２７．１１３０の圧を１ｋｇ１
ｃｒ＆に調整し、流入バルブ１１１２．１１１５ヲ徐々
に開けて、マスフロコントローラ１１０７゜１１１０内
に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７　、
１１２０、補助バルブ１１３２を徐−々に開いて夫々の
ガスを反応室１１０１に流入させる。このときＳｉＨ，
／Ｈｅガス流量とＢ　２Ｈ６／Ｈｅガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７　、１１２０を
調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になる
ように真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が
加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源１１４゜
を所望の電力に設定して反応室１１ｏ１内にグルー放電
を生起させて基体１１３７上に第１の非晶質層（１）を
形成する。

次に第１の非晶質層（Ｉ）上に第２の非晶質層（１）を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１工０２よ
りＳ　ｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅ
Ｈ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５よりＢ　２Ｈ。

／Ｈｅガスをバルブ１１２２．１１２３．１１２５を夫
々間いて出口圧ゲージ１１２７　、１１２８　、１１３
０の圧を１　ｋｆｉ／Ｃ１１ｔに調整し、流入バルブ　
１１１２゜１１１３　、１１１５　”ｌｔ徐々に開けて
、マスフロコントローラ１１０７．１１０８．１１１０
内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７．
１１１８゜１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。このとき
８ｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＨ，／Ｈｅガス流量とＢ
２Ｈａ／Ｈｅガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７　、１１１８　、１１２０を調整し、
又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように真
空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の
開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒー
ター１１３８により５０〜４００“０の範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源１１４０を所望
の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起
させて上に第２の非晶質層（１１＞を形成する。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／基
体上に、第１表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間コ四す帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２−ｅｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

□その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリア
ーを含む）を像形成部材表面をカスケードすることによ
って、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、■５．０にＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

光源をタングステンランプの代りに８１０ｎｍのＧａ　
Ａ　ｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を用いて、静置像
の形成を行った以外は、実施例１と同様のトナー画像形
成条件にして、上記と同様の条件で作成した電子写真用
像形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を行った
ところ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位
の画像が得られた。

実施例２第４図に示した製造装置により、シリンダー状のｈｅ基
体上に、第２表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて実施例１と同様に
、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例３第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／基
体上に、第３表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

実施例４第４図に示した製造装置により、シリンダー状のｈｅ基
体上に、第４表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行つたところ、解像力
に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例５第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｅ基
体上に、第５表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力
に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例６第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｅ基
体上に、第６表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力
に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た゛。

実施例７第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＩ！
基体上に、第７表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例８第４図に示した製造装置により、シリンダー状のｈｅ基
体上に、第８表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力
に優れ、諧調外現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例９第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ−基
体上にＢ２Ｉ（６のＳｉＨ，に対する容積濃度を除いて
第１表に示す条件と同様の条件としＢ２Ｈ６濃度は第９
表に示す各条件として電子写真用像形成部材の夫々を形
成した。

こうして得られた像形成部材の夫々を、実施例１と同様
な手順で画質評価を行ったところ第９表に示す結果を得
た。

実施例１０第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ（基
体上に、第１０表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例１１第４図に示し起製造装置により、シリンダー状、のＡ／
基体上に、第１１表に示す条件で電子写真用像形成部材
を形成した。

実施例１２第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／基
体上に、第１２表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例１３第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第３表に示す条件で電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行ったとこは、解像力
に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例１４第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／基
体上に、第１４表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例１５第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第１５表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例１６第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ基
体上に、第１６表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

実施例１７第４図に示した製造装置により、シリンダー状のｈｅ基
体上に、第１７表に示す条件で電子写真用像形成部材を
形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて、実施例１と同様
に、トナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力
に優れ、諧調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例１８ＳｉＨ，に対するＢ２Ｉ（、の容積濃度以外は実施例１
０と同様な条件とし、Ｂ２Ｈ６濃度は予め設定されたバ
ルブ操作プログラム曲線に従って、バルブを操作するこ
とによって変化させることで第２図に示すＢ分布濃度を
有する電子写真用像形成部材の夫々（試料１８−１〜１
８−８　）を形成した。

こうして得られた像形成部材の夫々を実施例１０と同様
な方法で画質評価を行ったところ、いずれも解像力に優
れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１９第４図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／基
体上にＳｉＨ４に対するＢ２Ｈ６容積濃度又はＰＨ，容
積濃度を除いて第１表に示す条件で行いＢ、Ｈ６容積濃
度又はＰＨ，容積濃度は予め設計されたバルブ操作のプ
ログラムに従ってバルブ操作を行うことで変化させ第３
Ａ図、第３Ｂ図に夫々示す、Ｂ分布濃度、Ｐ分布濃度を
夫々有する電子写真用像形成部材（試１ｘ９Ａ−ｘ〜１
９Ａ−８゜１９Ｂ−１〜１９Ｂ−８）を形成した。

、−こうして得られた像形成部材の夫々を実施例１と同
様な手順で画質評価を行い解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた。

特開ｎａ＋；＋＋−４：（８’７２　（１８）

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的説明図、第２図、第３八図。第３Ｂ図は、夫々、本発明の実施例に於ける不純物の含
有分布濃度を示すグラフ、第４図は本発明の光導電部材
を製造する為の装置の一例を示す模式的説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と光導電性を有する光受容
層とを有し、該光受容層は、シリコン原子を含む非晶質
材料で構成された第１の非晶質層（Ｉ）と、シリコン原
子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された
第２の非晶質＠（■）とを有するとともに７・ロゲン原
子が含有されていることを特徴とする光導電部材。
（２）ど：第１１・の−非晶、質層（Ｉ）および第２の
非晶質層（ＩＩ）の少なくとも一方に水素原子が含有さ
れている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（３）　第１の非晶質層（Ｉ）および第２の非晶質層（
Ｉｆ）の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有
されている特許請求の範囲第１項および第２項に記載の
光導電部材。
（４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
原子である特許請求の範囲第３項に記載の光導電部材。
（５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
原子である特許請求の範囲第３項に記載の光導電部材。