JPS63294569A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体に関し、感光体層の基板に対する
密着性を高めた電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体ドラ
ムを搭載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光
体自体にも種々の特性が要求されている。この要求に対
してアモルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公
害性並びに光感度特性に優れているという理由から注目
されている。

しかし乍ら、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと
略す）層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約ｌＯ９Ω・ｃｍの暗抵抗率しか得られず、これを電
子写真感光体に用いる場合には１０１ｚΩ・ｃｍ以上の
暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。その
ために酸素や窒素などの元素を微少量ドーピングして高
抵抗化にし得るが、その反面、光導電性が低下するとい
う問題がある。

また、ホウ素などを添加しても高抵抗化が期待できるが
、十分に満足し得るような暗抵抗率が得られず約１０１
１Ω・ｃｍ程度にすぎない。

一方、上記の如きドーピング剤の開発と共にａ−３ｉ光
導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体が
提案されている。

例えば、第２図はこの積層型感光体であり、基板（１）
の上にキャリア注入阻止１ｉ！（２）　、ａ−３ｔ光導
電層（３）及び表面保護層（４）が順次積層されている
。

この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止層（２）
は基板（１）からのキャリアの捧入を阻止するものであ
り、表面保護層（４）はａ−３ｉ光導電１ｉ（３）を保
護して耐湿性等を向上させるものであるが、両者のＮ（
２）及び（４）ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯
電能を高めることが目的であり、そのためにこれらの層
を光導電性にする必要はない。

このように従来周知のａ−５ｉ悪感光は光キヤリア発生
層をａ−Ｓｔ光導電層により形成させた点に大きな特徴
があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感度特性等
に優れた長所を有している反面、暗抵抗率が不十分であ
るためにドーピング剤を用いたり、更に積層型感光体に
することで暗抵抗率を大きくしている。即ち、積層型感
光体に形成されるキャリア注入阻止層（２）及び表面保
ＲｉＪＷ（４）はａ−Ｓｉ光導電層自体が有する欠点を
補完するものであり、ａ−Ｓｔ光導電層（３）と実質上
区別し得る層と言える。

本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣと略す）は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に１０１３Ω・ｃｍ以上になり、更にドーピング
剤の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体と
成り得ることを見い出した。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし乍ら、このａ−５ｉＣ感光体が、例えばアルミニ
ウム製導電性基板上に成膜形成された場合、アルミニウ
ムはａ−ＳｉＣに比べて熱膨張係数が一段と大きく、こ
れにより、グロー放電分解法による基板加熱並びにその
成膜終了後の冷却に伴い、ａ−５ｉＣ層自体の内部応力
が著しく大きくなり、その結果、長期間に亘る反復使用
によってａ−ＳｉＣ光導電層のアルミニウム基板に対す
る密着力が低下し、ａ−３ｉＣＨの剥離やその層自体に
クランクが生じるという問題がある。

〔発明の目的〕

従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は基板上に成膜形成したａ−３ｉＣ層に剥離やク
ランクが生じなくなり、これによって高品質且つ高信頼
性の電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は表面保護層及びキャリア注入阻止層
を実質上不要とすることができる電子写真感光体を提供
することにある。

本発明の更に他の目的は正極性に帯電可能な電子写真感
光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に光導電性ａ−３ｉＣ層を形成
した電子写真感光体であって、前記ａ−３ｉＣ層は少な
くとも第１のＪ？ＬｆＩ域及び第２のＮ’ｎＭ域を具備
し、第１の層領域は第２の層領域より基板側に配置され
且つ第２の層領域に比べて周期律表第ＩＩＩａ族元素が
多く含まれており、更に第１の層領域は酸素又は窒素の
うち少なくとも一種を０．０１乃至６０原子％含有して
いることを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明電子写真感光体の基本的層構成は第１図に示す通
りであり、導電性基板（１）上に光導電性ａ−３ｉＣ層
（５）を形成し、これによって暗抵抗率を１０１３Ω・
ｃｍ以上にまで高めることができ、更にこのＮ（５）の
内部は基板（１）から順次第１の層領域（６）と第２の
層領域（７）が形成され、その第１のＮ５Ｔｔ域（６）
に酸素又は窒素のうち少なくとも一種を含有させ、これ
により、基板（１）に対するａ−ＳｉＣ層（５）の密着
力が顕著に大きくなると共に表面電位を高めることがで
きる。

このような酸素及び／又は窒素（以下、基板密着用元素
と呼ぶ）の含有量はシリコン、炭素及び基板密着用元素
の総量に対して０．Ｏｌ乃至６０原子％、好適には０．
１乃至３０原子％、最適には０．５乃至２０原子％がよ
く、この含有量が０．０１原子％未溝の場合にはａ−３
ｉＣＮの基板との密着性が期待できなく、更に表面電位
に対する改善が期待できなくなり、一方、それが６０原
子％を超える場合には残留電位が大きくなり、実用上支
障がでる。

また、第１の層領域（６）の厚みは０．１乃至５μｍ、
好適には０．２乃至３μｍの範囲内に設定すればよく、
この範囲内であれば、密着性を改善し、表面電位を高め
ることができる。

このように基板密着用元素を第１の層領域（６）に含有
させるに当たっては、このＮ領域（６）の全体に対して
上記範囲内で含有される限りにおいて、その層内部に均
−又は不均一な含有分布でドーピングさせる。

基板密着用元素を第１の層領域（６）の層厚方向に亘っ
て不均一な含有率でドーピングさせる場合には第３図乃
至第１０図に示すように種々の含有分布がある。

第３図万里第１０図においては、横軸は第１の層領域（
６）の基板（１）との界面（ａ）から第２の！！層領域
７）との界面（ｂ）へ至る層厚方向の厚みを表わし、縦
軸は基板密着用元素の含有量を表わしている。−いずれ
の含有分布も基板（１）側に片寄って比較的多く含有さ
せており、これにより、密着性が更に一層向上し、残留
電位の低減化が有利に行われる。

また第３図万至第６図に示すように第１の層領域（６）
の内部に基板密着用元素含有領域（８）と基板密着用元
素非含有領域（９）を形成してもよく、このように二分
化した場合には基板密着用元素含有領域（８）の厚みは
第１のＮ　ｆｉｌ域（６）の厚みに比べて１！２倍以下
、望ましくは１！３倍以下になるように設定するとよく
、これによって残留電位を小さくすることができる。

前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＵＳ　、＾１等の金属
導電体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面
に導電性被膜をコーティングしたものがあり、いずれの
材料を用いても本発明の目的を達成することができるが
、就中、ＡＩがコスト面及び密着性という点で最も有利
である。

また本発明において、ａ−３ｉＣ１！　（５）が光導電
性を有するようになった点については、アモルファス化
したケイ素と炭素を不可欠な構成元素とし、更にそのダ
ングリングボンドを終端させるべく水素元素（１０やハ
ロゲン元素を所要の範囲内で含有させることによって光
導電性が生じるものと考えられる。本発明者等が炭素の
含有比率を幾通りにも変えて光導電性の実験を行ったと
ころ、ａ−３ｉＣＮ（５）をａ−Ｓｉ＋−ｘ　Ｃｗで表
わした場合、Ｘが０．０１≦Ｘ≦０．９、好適には０．
０５≦Ｘ≦０．５の範囲内に設定きれた場合、高帯電性
が得られ且つ優れた光導電性と成り得る。

また、水素元素（Ｈ）やハロゲン元素などのダングリン
グボンド終端用元素の含有量は５乃至５０原子％、好適
には５乃至４０原子％、最適には１０乃至３０原子％が
よく、通常、■元素が用いられている、このＨ元素はダ
ングリングボンドの終端部に取込まれ易いのでバンドギ
ャップ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優
れた半導体特性が得られる。

このＨ元素の一部をハロゲン元素と置換してもよく、こ
れにより、ａ−５ｉＣ層の局在準位密度を下げて光導電
性及び耐熱性（温度特性）を高めることができる。その
置換比率はダングリングボンド終端用全元素中０．０１
乃至５０原子％、好適には１乃至３０原子％がよい、ま
た、このハロゲン元素にはＦ＋ＣＩｔＢｒ＋ｌ＋Ａｔ等
があるが、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。

光導電性ａ−３ｉＣ層（５）の厚みは５乃至１００μｍ
、好適には１０乃至５０μｍの範囲内に設定するとよく
、その範囲内であれば２００Ｖ　　以上の表面電位が得
られ、また画像の分解能及び画像流れが生じないように
することができる。

また本発明においては、この光導電性ａ−５ｉＣＦＪ（
５）に周期律表第ｍａ族元素を含有させた場合には正極
性に帯電させることができる。

このように周期律表第１１１ａ族元素（以下、ｍａ族元
素と略す）のドーピングによって正極性に帯電し易くな
る点については、ａ−３ｉＣ層が正極性を保持するのに
十分に高い抵抗率をもち、そして、基板からの負電荷の
注入を防ぐ効果にも優れ、更に正電荷に対する電荷移動
度が優れている等の理由によるものと考えられる。

このＩＩＩａ族元素としてはＢ、ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎ等
があるが、就中、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を
敏感に変え得る点で望ましい。

このように正極性帯電用感光体を得るためには、第１の
Ｎ領域（６）は第２の層領域（７）に比べてｍａ族元素
が多く含まれていることが重要であり、これにより、第
１の層領域（６）の導電率が大きくなり、基板側からの
キャリアの注入が阻止されると共にａ−３ｉＣ層の全領
域で発生した光キャリアが基板へ円滑に流れ、その結果
、表面電位が太きくなり、光感度特性が向上する。

第２の層領域（７）のＩＩＩａ族元素含有量は０．１乃
至１０．　ＯＯＯｐｐｍの範囲内で、好適には０．１乃
至１，００ｏｐｐｍの範囲内で適宜決めるとよく、これ
によって正極性で有利に帯電能を高めることができる。

また本発明の電子写真感光体においては、上述したよう
にｍａ族元素の含有分布によって２層領域を形成する点
に特徴があるが、更に炭素についても層厚方向に亘って
種々の含有分布を設定することができ、これを第１１図
乃至第１６図によって示す。

これらの図において、横軸は基板から感光体表面に至る
層厚方向を表わし、縦軸は炭素含有量を表わしている。

尚、この横軸において（６）　、　（７）に示すそれぞ
れの範囲は第１の層領域及び第２の層領域を表している
。

即ち、第１１図は炭素含有比率が全層に亘って一定であ
り、第１２図は第１の層領域（６）で炭素含有量を少な
くしており、これに対して第１３図乃至第１６図は第１
の層領域が第２の層領域に比べて炭素が多く含有されて
いることを示すものであり、これによって表面電位が一
段と高くなって光感度特性が向上する。また、第１４図
乃至第１６図のように炭素含有量を層厚方向に亘って漸
次変えると表面電位及び光感度を一層高め且つ残留電位
が小さくなる。

かくして上記電子写真感光体によれば、光導電性ａ−Ｓ
ｉＣ層が基板に対して密着性に優れており、更に表面電
位が高くて残留電位が小さくなり、これによって優れた
画像コントラストが得られ且つ画像にカブリが生じなく
なった高品質且つ高信頼性の電子写真感光体が提供され
る。

そこで、本発明者等は上記結果を踏まれて鋭意研究に努
めたところ、このａ−５ｉＣ層の層内部に更に種々の層
領域を生成させることによって電子写真特性が一段と向
上し得ることを見い出した。

即ち、本発明においては、炭素又はｍａ族元素の含有比
率を層厚方向に亘って変化させ、３種類又は４種類の層
領域を生成させ、これによって第１の態様乃至第３の態
様までの電子写真感光体が得られる。そして、これらの
態様の電子写真感光体においていずれも第１のＮ領域（
６）に基板密着用元素を含有させるものであり、その含
有量及び含有分布等々は前述した通りである。

以下、本発明の各々の態様を詳細に述べる。

工しｑ態様 第１の態様によれば、基板上に光導電性ａ−３ｉＣ層を
形成した電子写真感光体であって、前記ａ−ＳｉｃＮは
少なくとも第１の層領域、第２の層領域及び第３のＮ領
域を具備し、第１の層領域は第２のＮ領域より、第２の
１！領域は第３のＮ領域よりそれぞれ基板側に配置され
、且つ第３の層領域は第２の層領域に比べ炭素が多く含
まれていると共に第２のＮ　ＴｉＮ域は０．１乃至１０
．　ＯＯＯｐｐｍのｍａ族元素が含まれており、更に第
１の層領域は第２のＨＥｌ域よりもｍａ族元素を多く含
むと共に基板密着用元素を０．０１乃至６０原子％含有
していることを特徴とする電子写真感光体が提供される
。

この第１の態様によ耗ば、第１７図に示す通り、第１図
にて示した第２の層領域（７）の上に更に第３のＪ！層
領域８）を形成し、これに伴って第３の層領域（８）の
炭素含有量を第２の層領域（７）よりも多くし、そして
、第１のＮ領域（６）、第２のＮ領域（７）及び第３の
層領域（８）を実質上一体化して光導電性ａ−３ｉＣ層
（５ａ）とした。

この第３の層領域（８）を形成すると、ａ−５ｉＣ履（
５ａ）の表面側の暗抵抗率が大きくなり、これに伴って
感光体の表面電位が顕著に向上する。

即ち、第３の層領域（８）は、光導電性ａ−Ｓｉｃ層（
５ａ）の表面側を高抵抗化させるために形成されており
、第２図にて述べた従来周知の表面保ｌｉ１層（４）と
は全く区別し得るものである。また、光キヤリア発生層
とキャリア輸送層とに分けられた機能分離型感光体によ
れば、キャリア輸送層を１０Ｉ３Ω・ｃｍ以上に高抵抗
化させるが、この層に格別大きな光導電性が要求されて
おらず、通常、光導電率の暗導電率に対する比率が１０
００倍未満の光導電性に設定されているに過ぎない、こ
れに対して、第３の層領域（８）はこの比率が１０００
倍以上の光導電性を有しており、上記キャリア輸送層に
対しても十分に区別し得る。

第３の層領域（１０）の層厚は第２の層領域（７）に比
べて１倍以下、好ましくは１７２倍以下、最適には１／
４倍以下がよく、これにより、表面電位が顕著に向上す
ると共に光感度に優れ且つ残留電位が小さくなるという
点で望ましいと言える。

本発明によれば、光導電性ａ−ＳｉＣ層（５ａ）の炭素
含有分布は第１８図乃至第２３図に示す通りであり、横
軸は基板から感光体表面に至る層厚方向を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において、（６
）　（７）　（１０）にて示すそれぞれの範囲は第１の
層領域、第２の層領域及び第３の層領域を表している。

これらの図のなかで第１９図、第２１図、第２２図及び
第２３図においては層厚方向に亘って炭素の含有量を連
続的且つ漸次変えており、これにより、表面電位が一層
向上すると共に光感度に優れ、更に残留電位も一層小さ
くなる。

蚤し■店課 第２の態様によれば、基板上に光導電性ａ−ＳｉＣ層を
形成した電子写真感光体であって、前記ａ−ＳｉＣ層は
少なくとも第１の層領域、第２のＮ２Ｍ域、第３の層領
域、第４の層領域を基板側から感光体表面へ向けて順次
具備し且つ第３のＮ　ｆｉｌ域は第２の層領域に比べて
、第４の層領域は第３の層領域に比べてそれぞれ炭素が
多く含まれていると共に第２のＪｉ！９１域は０．１乃
至１０，０００ｐｐ＋ｇのＩ［［ａ族元素が含まれてお
り、更に第１の層領域は第２の層領域よりもｍａ族元素
を多（含み且つ基板密着用元素を０．０１乃至６０原子
％含有していることを特徴とする電子写真感光体が提供
される。

この第２の態様によれば、第２４図に示す通り、第１の
態様に示した第３の層領域（１０）の上に更に第４の層
領域（１１）を形成し、これに伴って第４の層領域（１
１）が第３の層領域（１０）に比べて炭素を多く含んで
おり、そして、第１の層領域（６）乃至第４の層領域（
１１）を実質上一体化して光導電性ａ−ＳｔＣ層（５ｂ
）とした。

この第４のＮ　ｆｉｎ域（１１）は第３の層領域（ｌＯ
）に比べて炭素を多く含有させて高抵抗化させており、
これより、帯電能を高めて表面電位を向上させることが
でき、その結果、耐電圧が高くて長寿命の感光体を得る
ことができる。

本発明によれば、光導電性ａ−ＳｉＣ層（５ｂ）の炭素
含有分布は第２５図乃至第２８図に示す通りであり、横
軸は基板から感光体表面に至る層厚方向を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において、（６
）　（７）　（１０）　（１１）にて示すそれぞれの範
囲は第１の層領域、第２のＮ領域、第３の層領域及び第
４の領域を表している。

これらの図のなかで第２６図及び第２８図は層厚方向に
亘ワて炭素の含有量を連続的且つ漸次変え、これにより
、表面電位及び光感度が一層向上し、更に残留電位も一
層小さくなる。

第り至皿課 第３の態様によれば、基板上に光導電性ａ−ＳｉＣ層及
びａ−３ｉＣ表面保護層を順次形成した電子写真感光体
であって、前記光導電性ａ−ＳｉＣｌｉは少なくとも第
１の層領域、第２°のＮ領域及び第３の層領域を具備し
、第１の層領域は第２のＩＩ層領域り基板側に、第２の
Ｎ領域は第３の層領域より基板側にそれぞれ配置され、
且つ第３の層領域は第２の層領域に比べて炭素が多く含
まれていると共に第２の層領域は０．１乃至１０．ＯＯ
ＯｐｐｍのＩ［［ａ族元素が含まれており、更に第１の
Ｎ領域は第２の層領域よりもｍａ族元素を多く含み且つ
基板密着用元素を０．０１乃至６０原子％含有している
ことを特徴とする電子写真感光体が提供される。

この第３の態様によれば、第２９図に示す通り、第１の
態様にて示した第３のＮ８１域（１０）の上に更にａ−
ＳｉＣ表面保護層（１２）を形成したものであり、この
ａ−３ｉＣ表面保護層（１２）は光導電性ａ−ＳｉＣ層
（５ａ）の表面をオーバーコートして保護するために形
成される。

ａ−５ｉＣ表面保護層（１２）はａ−３ｉＣから成ると
いう点では光導電性ａ−５ｉＣ層（５ａ）と同じである
が、炭素の含有量を多くして高硬度化し、これによって
表面保護作用をもたらす。

このａ−ＳｉＣ表面保護層（１２）は、その構成元素の
組成比を変えて光導電性又は非光導電性とすることがで
き、炭素の含有量を多くすると非光導電性になる傾向が
あり、これに伴って高硬度特性が得られ、高硬度ａ−３
ｉＣ表面保護層となる。

第３の態様によれば、炭素含有分布は第３０図及び第３
１図に示す通りであり、横軸は基板から感光体表面に至
る層厚方向を示し、縦軸は炭素含有■を示している。尚
、この横軸において（６）　（７）　（１０）（１２）
にて示すそれぞれの範囲は第１の層領域、第２の層領域
、第３の層領域及びａ−３ｉＣ表面保護層を表している
。

本発明によれば、２層領域から成る光導電性ａ−ＳｉＣ
層を備えた電子写真感光体並びに第１の態様乃至第３の
態様のいずれの電子写真感光体においても、そのＳｉＣ
ｑの表面上に従来周知の表面保護層を形成してもよい。

この表面保護層にはそれ自体高絶縁性、高耐蝕性及び高
硬度特性を有するものであれば、種々の材料を用いるこ
とができ、例えばポリイミド樹脂などの有機材料＋　ａ
　−Ｓ　ｔ　Ｃ＋　Ｓ　ｔ　Ｏｚ　＋　Ｓ　ｓ　Ｏ＋　
Ａ　１　ｚ　Ｏ：ｌ　ｌ　Ｓ　ｉＣ＋　Ｓ　ｉ　ｓ　Ｎ
４、ａ−Ｓｉ、　ａ−５ｔ：Ｈ，ａ−５ｉ：Ｆ、　ａ−
ＳｉＣ；Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いるこ
とができる。

次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−ＳｉＣ層を形成する方法にはグロー放電分解法、イ
オンブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空
蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜生成技術がある。

グロー放電分解法を用いてａ−ＳｉＣ層を形成する場合
にはケイ素（Ｓｉ）含有ガスと炭素（Ｃ）含有ガスを組
合せ、その混合ガスをグロー放電分解する。

このＳｉ素金含有ガスは５ｉＨｎ＋５ｉＪａ＋５ｉＪａ
、５ｉＦｔ＋５ｉＣ１４，５ｉｌｌＣｈ等々があり、就
中、ＳｉＨ４や５ｉｚｔ１．はそれ自体Ｓｉ、ｌ！：Ｈ
元素が結合しているために膜中にＨが取り込まれ易（、
これにより、膜中のダングリングボンドが低減して光導
電性を向上させる点で望ましい。

またＣ含有ガスにはＣＨ４，ＣＪｉ、ＣＪｚ、ＣＪｓ等
々があるが、就中、ＣｚＨｚが高速成膜性が得られる点
で望ましい。

本発明者等が行った実験によれば、５ｉＩＩＩａガスと
Ｃ，Ｈ，ガスを組合せて成る成膜用ガスをグロー放電分
解した場合、５乃至２０μｍ／時の成膜速度が得られた
。因に５ｉｔ１４ガスとＣ１１４ガスを用いてａ−３ｉ
Ｃ膜を生成した場合、その成膜速度は約０．３乃至１μ
ｍ／時である。

更にａ−ＳｉＣＪ！の形成に当たって、その層に基板密
着用元素をドーピングする場合には上記成膜用ガスに０
□、Ｎ、、Ｎｏ、Ｎ１３．Ｎｏ□、Ｎｌｈ、ＮＦ＋、Ｃ
ｏ、ＣＯｚ等々を混合すればよい。

更に本発明に係る製法によれば、ｃ２１１□とＳｔ含有
ガスをグロー放電分解領域に導入するに当たってこのガ
ス組成比を０．０１：１乃至３：１の範囲内に、好適に
は０．０５：１乃至１：１、最適には０．０５：１乃至
０．３：１の範囲内に設定すればよ＜　、０．０１：　
ｌの比率から外れた場合には暗抵抗率が１０１１Ω・ｃ
ｍ以下となって電荷保持力が十分でなく、大きな帯電電
位を得ることができなくなり、３：ｌの比率から外れた
場合には膜中にダングリングボンドが増加して暗抵抗率
が１０”Ω・ｃｍ以下となる。

ダングリングボンド終端用元素として１ｉ元素を用いる
場合には、Ｈ２ガスはＣｚＨｚガスおよびＳｉＨ４ガス
の流量合計値に対して３倍以下、好適には２倍以下に配
合すればよく、これから外れると膜中の水素が過剰とな
って感光体に要求される電気的特性が劣化する。

また基板密着用元素含有ガスはＳｉ含有ガス及びＣ含有
ガスの合計流量に対して、１／１０００乃至３倍の範囲
内に、好適には１／２００乃至１倍の範囲内に設定すれ
ばよく、これによって基板密着用元素を所要量ドーピン
グさせることができる。

本発明に係る製法によれば、上述したようにａ−ＳｉＣ
ｆｉを生成するに当たっては、グロー放電用の高周波電
力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の通りに設定
するのがよい。

即ち、高周波電力は０．０５乃至０．５Ｗ／ｃｍ”の範
囲内に設定すればよ＜　、０．０５Ｗ／ｃｍ”未満であ
ると成膜速度が小さくなり、０．５Ｗ／ｃｍ２を越える
とプラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移
動度が小さくなる。また、ガス圧は０．１乃至２．０Ｔ
ｏｒｒの範囲内に設定すればよ＜　、０．ＩＴｏｒｒ未
満であると成膜速度が小さくなり、２．０Ｔｏｒｒを超
えると放電が不安定となる。更に、基板温度はａ−Ｓｉ
膜の成膜形成に比べて３０乃至８０℃位高くするのがよ
く、望ましくは２００乃至４００℃の範囲がよく、この
基板温度が２００℃未満であればＳｔとＣのネットワー
ク化が阻害され、４００℃を超えると水素の脱離が著し
くなって暗抵抗率が小さくなる。

次にｃｚｏｚガス及びＳｉ含有ガスから成るａ−ＳｉＣ
生成用ガスをグロー放電によって分解し、ａ−ＳｉＣＪ
ｉを形成し、このようにして本発明の電子写真感光体並
びに第１の態様乃至第３の態様のそれぞれの電子写真感
光体を製作する場合を順次述べる。尚、いずれの製作例
も第１の層領域に基板密着用元素を、ドーピングさせる
方法は前述した通りである木衾皿公製抜 本発明の製法によれば、ａ−ＳｉＣ生成用ガスをグロー
放電分解して光導電性ａ−５ｉＣ層を基板上に形成した
電子写真感光体の製法にあって、前記ガスはＣ，１１、
及びＳｉ含有ガスから成り、そのガス組成比を０．０１
：１乃至３：ｌの範囲内に設定し、且つｍａ族元素含有
ガスを含有させると共に成膜中にこの含有比率を小さく
したことを特徴とする電子写真感光体の製法が提供され
る。

第１の態様に係る製法 第１の態様によれば、ａ−ＳｉＣ生成用ガスをグロー放
電分解して光導電性ａ−ＳｉＣ層を基板上に形成した電
子写真感光体の製法であって、前記ガスはＣ，Ｈ２及び
Ｓｉ含有ガスから成り、そのガス組成比を０．０１：１
乃至３：１の範囲内に設定し、成膜中にガス組成比を変
えて前記ａ−ＳｉＣ層に少なくとも第１の層領域、第２
の層領域及び第３の層領域を具備させ、第１の層領域は
第２の層領域より基板側に、第２のＪＷ層領域第３の層
領域より基板側にそれぞれ配置され、第３の層領域は第
２のＮ領域に比べて炭素が多く含まれ、且つ前記第２の
層領域の形成時にａ−ＳｉＣ生成用ガスに１０−’乃至
１モルχのｍａ族元素含有ガスを含むとともに第１のｌ
ｉ　９Ｍ域の形成時にａ−５ｉＣ生成用ガス中における
ｍａ族元素含有ガスの占める割合が第２の層領域の形成
時に比べて大きいことを特徴とする電子写真感光体の製
法が提供される。

・２の態策にこる製法 第２の態様によれば、ａ−ＳｉＣ生成用ガスをグロー放
電分解して光導電性ａ−ＳｉＣ層を基板上に形成した電
子写真感光体の製法であって、前記ガスはＣ，Ｉ＋□及
びＳｉ含有ガスから成り、そのガス組成比を０．０１：
１乃至３：１の範囲内に設定し、成膜中にガス組成比を
変えて前記ａ−３ｉＣＪｉｉに少なくとも第１のＮ領域
、第２のＮ領域、第３の層領域及び第４の層領域を基板
側から感光体表面へ向けて順次具備し、且つ第３の層領
域は第２のＮ　Ｔｉｆｆ域に比べて、第４のＮ６１域は
第３ＯＮ領域に比べてそれぞれ炭素が多く含まれ、前記
第２のＪｆｆｌｊｌ域の形成時に前記ａ−ＳｉＣ生成用
ガスに１０−６乃至１モルχのｍａ族元素含有ガスを含
むとともに第１のＦｆＳＩ域の形成時にａ−ＳｉＣ生成
用ガス中におけるｍａ族元素含有ガスの占める割合が第
２のＮ　９１４域の形成時に比べて大きいことを特徴と
子る電子写真感光体の製法が提供される。

第３の皿上ぷ」し１１人 第３のＢ様によれば、ａ−３ｉＣ生成用ガスをグロー放
電分解して光導電性ａ−ＳｉＣＮ及びａ−ＳｉＣ表面保
護層を順次形成した電子写真感光体の製法にあって、前
記ガスはｃｚｕｚ及びＳｉ含有ガスから成り、そのガス
組成比を０．０１：１乃至３：１の範囲内に設定し、成
膜中にガス組成比を変えて前記ａ−ＳｉＣＮに少なくと
も第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域を具備
させ、第１の層領域は第２の層領域より基板側に、第２
の層領域は第３の層領域より基板側にそれぞれ配置され
、第３の１領域は第２の層領域に比べて炭素が多（含ま
れ、且つ前記第２の層領域の形成時に前記３−３ｉＣ生
成用ガスに１０−６乃至１モル２のｍａ族元素含有ガス
を含むとともに第１の層領域の形成時にａ−ＳｉＣ生成
用ガス中におけるＩＩＩａ族元素含有ガスの占める割合
が第２の層領域の形成時に比べて大きいことを特徴とす
る電子写真感光体の製法が提供される。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第３２図により説明する。

図中、第１、第２、第３、第４、第５４、第６タンク（
１３）　（１４）　（１５）　（１６）　（１７）　（
１Ｂ）には、それぞれ５ｔＨ４，ＣＪｚ、Ｂｚｌｌｉ（
Ｈｚガス希釈テｏ、２Ｘ含有）、　Ｂｚｔｌａ（ｌ１ｇ
ガス希釈で３８ｐｐｍ含有）＋Ｈｚ＋ＮＯガスが密封さ
れており、Ｈ２はキャリアーガスとしても用いられる。

これらのガスは対応する第１、第２、第３、第４、第５
、第６調整弁（１９）　（２０）　（２１）　（２２）
　（２３）　（２４）を開放することにより放出され、
その流量がマスフローコントローラ（２５）　（２６）
　（２７）　（２８）　（２９）　（３０）により制御
され、第１、第２、第３、第４、第５タンク（１３）　
（１４）　（１５）　（１６）　（１７）からのガスは
第１主管（３１）へ、第６タンク（１８）からのＮＯガ
スは第２主管（３２）へ送られる。尚、（３３）　（３
４）は止め弁である。第１主管（３１）及び第２主管（
３２）を通じて流れるガスは反応管（３５）へと送り込
まれるが、この反応管（３５）の内部には容量結合型放
電用電極（３６）が設置されており、それに印加される
高周波電力は５０Ｉ／Ｉ乃至３Ｋｗが、また周波数は１
乃至５０ＭＨｚが適当である。反応管（３５）の内部に
はアルミニウムから成る筒状の成膜基板（３７）が試料
保持台（３８）の上に載置されており、この保持台（３
８）はモーター（３９）により回転駆動されるようにな
っており、そして、基板（３７）は適当な加熱手段によ
り約２００乃至４００℃好ましくは約２００乃至３５０
℃の温度に均一に加熱される。更に反応管（３５）の内
部はａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．
１乃至２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポ
ンプ（４０）と拡散ポンプ（４１）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−５ｉＣ膜（Ｂ、Ｎ、Ｏを含有する）を基板
（３７）に形成する場合には、第１、第２、第３、第５
調整弁（１９）　（２０）　（２１）　（２３）を開い
てそれぞれヨリ５ｉｌｌａ＋ＣＪｚ＋ＢＪａ＋Ｈｚ　カ
スヲ放出Ｌ、第６ｖ！４整弁（２４）を開いてＮＯガス
を放出し、そして、その放出量はマスフローコントロー
ラ（２５）　（２６）　（２７）　（２９）（３０）に
より制御され、５ｉＨｔ＋ＣＪｚ＋ＢＪｉ＋Ｈｚの混合
ガスは第１主管（３１）を介して反応管（３５）へ流し
込まれ、ＮＯガスは第２主管（３２）を介して反応管（
３５）へ流し込まれる。そして、反応管（３５）の内部
が０゜１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度
が２００乃至４００℃、容量結合型放電用電極（３６）
に印加される高周波電力が５０−乃至３Ｋｗ　、また周
波数が１乃至５０　Ｍ　Ｈｚに設定されていることに相
俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してＢ、Ｎ、Ｏ
を含有したａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、光導電性ａ−５ｔＣＮをアルミニウム
製成膜基板に生成し、そのＣ２１１□ガスの配合比率に
対する導電率を測定した。

即ち、第３２図に示した容量結合型グロー放電分解分解
装置を用いて第１タンク（１３）よりＳｉＨ，ガスを１
０１００５ｅの流量で、第５タンク（１７）より■２ガ
スを３００ｓｅｃｍの流量で放出し、第２タンク（１４
）よりＣ、１１、ガスを１０〜１００３ｃｃｌｌの流量
で放出し、約５μｍの厚みのａ−ＳｉＣ膜を製作し、暗
導電率及び光導電率を測定したところ、第３３図に示す
通りの結果が得られた。尚、基板温度を３００℃、ガス
圧を０゜４５Ｔｏｒｒ、高周波電力を１５０−に設定し
た。

第３３図によれば、横軸にＣｔ　ＩＩ　、ガス流！（ｓ
ｃｃａ＋）を、縦軸に導電率〔（Ω・ｃｏｄ）−’）を
表わし、・印は暗導電率のプロット、０印はＨｅ−Ｎｅ
レーザー（波長６３２．８ｎａ＋　、１００　μｍ　Ｗ
／ｃｍりを照射した時の光導電率のプロットであり、ａ
、ｂはそれぞれの特性曲線である。

第３３図から明らかな通り、暗導電率は１０−　”　（
Ω・ａｍ）−’以下と成り得、最小で約１Ｏ−１ｈ（Ω
・Ｃ１１）伺まで得られた。また、光導電率は暗導電率
に比べて１０００倍以上となり、このａ−ＳｉＣ層が電
子写真感光体用として十分に満足し得る光導電性をもっ
ていることが判る。

（例２） 本例においては、（例１）に基いてＢｍＨ＆ガス（又は
ｐｕｓガス）を導入して暗導電率及び光導電率を測定し
たところ、第３４図に示す通りの結果が得られた。

図中、横軸はＳｉＨ，とＣ，Ｈ，の合計流量に対するＢ
　２　ＩＩ　、′４＠量（これは■２ガスの希釈比率よ
り換算して求められるＢｚＨｉの絶対流量のことである
）である。尚、Ｂ　ｔ　Ｉｆ　ｈ純量をＰＲ，純量に置
き換えた場合も参考例として記載する。

第３４図によれば、・印は暗導電率のプロットであり、
Ｑ印は光導電率のプロットであり（この光導電率は（例
１）と同様にして求められる）、Ｃ９ｄはそれぞれ特性
曲線である。

第３４図から明らかな通り、光導電率は暗導電率に比べ
て１０００倍以上となり、ＰやＢをドーピングしたａ−
ＳｉＣ層が電子写真感光体用として満足し得る光導電性
をもっている。

（例３） 本例においては、（例２）に基づき下記の通りにガス流
量を設定して得られたａ−ＳｉＣｒＩｉに対して分光感
度特性を測定しており、その結果は第３５図に示された
分光感度曲線ｅとなった。尚、この図は各波長において
等エネルギー光を照射した時の光導電率を示す。

互入抜１ Ｓｉ８者ガス流量・・・１００ｓｃｃｌｌＣｚＨ＊ガス
流量・・・１０３ｃｃｍ ＢＪａ（ＢＪｉ１０３ｃ含有）ガス流量”　・１０００
１０００ｓｃガス流量・・・・１００ｓｃｃ１１第３５
図より明らかな通り、可視光領域に光感度が認められ、
特に長波長側に増感があり、電子写真用光導電体に適し
ていることが判る。

（例４） 本例においては、（例３）と同じように製作したａ−Ｓ
ｉＣ層（厚み３０．ｕｓ　　）に対して表面電位並びに
暗減衰及び光減衰のそれぞれの特性を測定した。この測
定は＋５．６ＫＶのコロナチャージャで正帯電し、暗中
での表面電位の経時変化と、６５０ｎｍの単色光照射直
後の表面電位の経時変化を追ったものである。

その結果は第３６図に示す通りであり、ｆ、ｇはそれぞ
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。

第３６図より明らかな通り、表面電位が約＋６００Ｖと
大きくなっており、暗減衰も５秒後で２５χ程度であり
、電荷保持能力に優れている。また、光導電率にも優れ
ており、残留電位も小さいと言える、尚、このａ−Ｓｉ
Ｃ怒光体を−５，６ＫＶのコロナチャージャで負帯電さ
せたところ、表面電位が数十Ｖであった。

また、このａ−ＳｉＣ感光体を、＋５．６ＫＶのコロナ
チャージャによって正極性に帯電させ、次いで画像露光
して磁気ブラシ現像を行った結果、画像濃度が高く、高
コントラストで良質な画像が得られ、３０万回の繰り返
しテスト後においてもａ−ＳｉＣＭＡの剥離が全く生じ
なくて初期画像の劣化が見られず、耐久性も良好である
ことを確認した。

（例５） 次に本例において本発明の電子写真感光体を製作した。

即ち、基板用アルミニウム製ドラムを第３２図に示した
容量結合型グロー放電分解装置の反応管（３５）内に設
置し、そして、第１タンク（１３）より５ｉＩＩＩａガ
スを、第２タンク（１４）よりＣｚＨｉガスを、第３タ
ンク（１５）及び第４タンク（１６）よりＢ、Ｈ，ガス
を、第５タンク（１７）よりＨ２ガスを、第６タンク（
１８）よりＮＯガスをそれぞれ放出し、第１表に示す製
造条件で第１の層領域及び第２の層領域を形成した。

このようにして形成した第１の層領域の原子組成比をＸ
線マイクロアナライザーにより測定したところ、炭素は
２０原子％、窒素は２原子％、酸素は１原子％、Ｂは３
０００ｐｐｆｆｌであった。

かくして得られた感光体を、暗中で＋５．６にνの高圧
源に接続されたコロナチャージャで正極性に帯電させ、
次いで分光された単色光（６５０ｎｍ）を感光体表面に
照射し、これによって下記の通りの電子写真特性が得ら
れた。尚、残留電位は露光開始５秒後の値である。

表面電位・・・＋７００ｖ 光感度・・・・０．３８ｃ１ｅｒｇ−１残留量位・・・
２５Ｖ この感光体を＋５．６ＫＶのコロナチャージャによって
正極性に帯電させ、次いで画像露光して磁気ブラシ現像
を行ったところ、画像濃度が高く、高コントラストで良
質な画像が得られた。また、３０万回の繰り返しテスト
後においてもａ−ＳｉＣ層の剥離が全く生じなくて初期
画像の劣化が見られず、耐久性も良好であることを確認
した。然るに、第１の層領域を形成するに当たって上記
ＮＯガスを導入しなかった場合にはａ−ＳｉＣ層の成膜
直後に室温下にもどすと剥離が生じた。

〔以下余白〕

（例６） 本例においては、（例５）のうちＮＯガスの流量並びに
第１の層領域の厚みを幾通りにも変えた場合、或いは基
板密着用元素含有ガスに０□、Ｎ、、ＣＯ２を用いた場
合について、それ以外の製作条件を（例６）と同一にし
、各種感光体を製作したところ、第２表に示す通りの結
果が得られた。

第２表中の表面電位、光感度及び残留電位は（例５）に
て述べた測定方法により求めており、また、膜の密着性
評価は◎印、Ｏ印、△印及び×印に４区分しており、◎
印は感光体の成膜面に対してナイフでもって傷を付け、
次いでその感光体ドラムを液体窒素のなかに浸漬すると
いう試験を行ったところ、このような過酷試験を行って
もクランクが生じない場合であり、Ｏ印は上記過酷試験
を行えばクラックが生じるが、その傷が付けられた感光
体ドラムを自然放置し、経時変化を追っても何ら剥離が
進行しない場合であり、Δ印はナイフでもって傷が付け
られた感光体ドラムを放置しても剥離が進行しないが、
この感光体ドラムを水中へ浸漬すると剥離が生じた場合
であり、ｘ印はナイフでもって傷が付けられた感光体、
もしくはこの傷が付けられていない感光体であっても自
然放置すると剥離現象が徐々に生じた場合である。

更に感光体ドラムを複写機に搭載して実用評価テストを
行ったところ、◎印は３０万枚の耐刷試験を行っても何
らピンホールが生じなかった場合に相当し、Δ印はこの
耐刷試験において約５万枚でピンホールが生じた場合に
相当する。

〔以下余白〕

第２表より明らかな通り、感光体Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｇ、
ｌｌ。

１、に、Ｎ、Ｐ、Ｑにおいては密着性に優れており、そ
して、表面電位が高く、残留電位が小さいことが判る。

然るに感光耐Ａ、　Ｊ、　Ｈにおいては基板密着用元素
の含有量が著しく少なくなっており、そのために密着性
に劣り、そして、表面電位が小さくなっている。

また感光体Ｆ、　Ｌ、　Ｏにおいては基板密着用元素の
含有量が多過ぎ、これによって残留電位が際立って高く
なっている。

（例７） 本例においては第１の態様の感光体を第３表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。

表面電位・・・＋７６０ｖ 光感度・・・・０．４０ｃｌＩＩ！ｅｒｇ−１残留電位
・・・３０Ｖ 次に（例４）と同様に３０万回の繰り返しテスト後にお
いてもａ−ＳｉＣ層の剥離が全く生じなくて初期画像の
劣化が見られず、耐久性も良好であることを確認した。

然るに、第１の層領域を形成するに当たってＮＯガスを
導入しなかった場合にはａ−ＳｉＣ層の成膜直後に室温
下にもどすと剥離が生じた〔以下余白〕 （例８） 本例においては第２の態様の感光体を第４表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。

表面電位・・・＋８２０ｖ 光感度・・・・０．４２ｃｍ”ｅｒｇ−’残留電位・・
・３５Ｖ また、耐久性試験については（例４）と同様に３０万回
の繰り返し試験を行ったところ、（例４）と同じ結果が
得られた。然るにＮＯガスを導入しなかった場合には成
膜直後に室温下にもどすと剥離が生じた。

更に、この感光体の表面電位、暗減衰及び光減衰のそれ
ぞれの特性を（例４）と同様に測定したところ、第３７
図に示す通りの結果が得られた。図中、ｈ、ｉはそれぞ
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。

第３７図より明らかな通り、表面電位が約＋８２０ｖと
著しく大きくなっており、暗減衰も５秒後で８χ程度で
あって電荷保持能力に優れている。

（例９） 本例においては第３の態様の感光体を第Ｅ表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。

表面電位・・・＋８７０Ｖ 光感度・・・・０．４２ＣＩＩＩｚｅｒｇ−１残留電位
・・・４５Ｖ また、耐久性試験については（例５）と同様に３０万回
の繰り返し試験を行ったところ、（例６）と同じ結果が
得られたが、ＮＯガスを導入しなかった場合には成膜直
後に室温下にもどすと剥離が生じた。

〔以下余白〕

（例１０　） 本例においては、第３２図に示したグロー放電分解装置
を用いて下記の製造条件によって成膜速度を測定したと
ころ、第３８図に示す通りの結果が得られた。

１１ｄ１庄 高周波電力・・・１５〇− ガス圧力・・ｌ）、４５Ｔｏｒｒ 基板温度・・・３００℃ ５ｉＩＩＩａガス流量・・・１００ｓｃｃＩＩＨｚガス
流量・・・３００８ｃｃ １１第３８図中Ｏ印は測定結果のプロットであり、ｊは
その特性曲線である。

第３８図より明らかな通り、ＣｚＨｔガスの含有比率が
大きくなるのに伴って成膜速度が大きくなっており、約
５〜１３μ−７時の成膜速度となった。

（例１１　） 本例においては、（例１０　”）と同一の製造条件によ
って０１□ガスの含有比率を変えながら膜中の水声含有
量を追ったところ、第３９図に示す通りの結果が得られ
た。

第３９図中、○印及び・印はそれぞれＳｉ及びＣと結合
したＨの結合量を示すプロットであり、ｋ、Ｉｌはそれ
ぞれの特性曲線である。

第３９図より明らかな通り’ｓｃ！Ｈ２ガスの含有比率
が大きくなるのに伴ってＣ−Ｈ結合が増大すると共に５
ｉ−８４８合が減少することが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、全層に
亘って光導電性を有するａ−ＳｉＣが高い暗抵抗率とな
り、且つ光感度特性にも優れていることによって実質上
表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とすることが
でき、その結果、光導電性ａ−３ｉＣｌ！ｉだけから成
る電子写真感光体が提供できる。

また本発明の電子写真感光体によれば、基板と対面する
領域に酸素及び／又は窒素をドーピングしており、これ
によって基板に対する密着性が向上し、その結果、耐久
性が大きくなった長期信頼性の電子写真感光体が提供さ
れる。そして、これに伴って基板側からのキャリアの注
入を阻止する作用が大きくなり、それによって表面電位
が大きくなるという利点も有する。

更に本発明の電子写真感光体によれば、層厚方向に亘っ
て炭素及びＩ［［ａ族元素の含有量を変えることによっ
て表面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且つ
残量電位を顕著に小さくすることができる。特に、炭素
の含有量を層厚方向に亘って変えると、抵抗率が制御さ
れて所要の層領域が得られ、その結果、格段に高性能な
電子写真感光体が提供できる。

また本発明によれば、正極性に有利に帯電することがで
きる正極性用電子写真感光体が提供できる。。

更に、従来のａ−Ｓｔ感光回を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体の局所的な放電破壊
が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生じる
という問題があったが、本発明によれば、ａ−３ｉの誘
電率がε・１２であるのに対し□てａ−５ｉＣはε・７
と約半分程度であるために帯電能に優れており、これに
より、表面電位を高くしても何ら上記の放電破壊が発生
しなくなり、その結果、高品質且つ高信顛性の電子写真
感光体が提供される。

また、本発明の電子写真感光体によれば、それ自体で帯
電能及び耐環境性に優れていることがら、特に保護層を
設ける必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或いは
現像剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によ
って表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等
で研摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限
を受けず感光体の初期特性を維持することができ、それ
によって初期における良好な画像を長期に亘り安定して
供給することが可能となる。

更に本発明の電子写真感光体を、従来のａ−３ｉ悪感光
と比較した場合、このａ−ｓｔａ光体の問題点として耐
湿性に劣っているので画像流れが生じ易く、また、帯電
能に劣っているのでゴースト現象が発生するが、これを
解決するためにａ−Ｓｉ感光体の使用時にヒータを用い
てその感光体を加熱し、その発生を防止している。これ
に対して本発明の電子写真感光体は耐湿性且つ帯電能に
優れているために上記のようにヒータを用いて使用する
必要はないという長所がある。

また、本発明の電子写真感光体はａ−３ｉ悪感光と比べ
て炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特性（ピ
ーク６００〜７００ｎｍ　）が得られると共に光感度自
体を増大させることができ、更に必要に応じて不純物元
素をドーピングすれば長波長側の増感も可能になるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を示す説明図
、第２図は従来の電子写真感光体の層構造を示す説明図
、第３図、第４、第５図、第６図、第７図、第８図、第
９図及び第１０図は本発明に係る電子写真感光体の第１
の層領域の基板密着用元素含有量を示す説明図、第１１
図、第１２図、第１３図、第１４図、第１５図及び第１
６図は本発明電子写真感光体の炭素含有量を糸す説明図
、第１７図は第１の態様の感光体のＮＴｉ１域を示す説
明図、第１８図、第１９図、第２０図、第２１図、第２
２図及び第２３図は第１の態様の感光体の炭素含有量を
示す説明図、第２４図は第３の態様の感光体のＮ領域を
示す説明図、第２５図、第２６図、第２７図及び第２８
図はそれぞれ第３の態様の感光体の炭素含有量を示す説
明図、第２９図は第３の態様の感光体のＩＩ層領域示す
説明図、第３０図及び第３１図は第３のＢ様の感光体の
炭素含有量を示す説明図、第３２図は本発明の実施例に
用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説明図、第
３３図はＣ２１１□ガスの流量比率に対する導電率を示
す線図、第３４図はＰ１１３ガス及びＢ１０．ガスのそ
れぞれの流量比率に対する導電率を示す線図、第３５図
はアモルファスシリコンカーバイド層の分光感度特性を
示す線図、第３６図はアモルファスシリコンカーバイド
層の暗減衰及び光減衰を示す線図、第３７図は第２の態
様のアモルファスシリコンカーバイド層の暗減衰及び光
減衰を示す線図、第３８図はＣ！　Ｈｔガスの流量比率
に対する成膜速度を示す線図、第３９図はＣｚＨｔガス
の流量比率に対する水素原子の結合比率を示す線図であ
る。 ■・・・基板 ５．５ａ、５ｂ、・・・光導電性アモルファスシリコン
カーバイド層 ６・・・第１の層領域 ７・・・第２のＮ領域 １０・・・第３の層領域 １１・・・第４のｉ領域 １２・・・アモルファスシリコンカーバイド表面保護層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社同　　　　汚材
　孝夫

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に光導電性アモルファスシリコンカーバイ
   ド層を形成した電子写真感光体であって、前記アモルフ
   ァスシリコンカーバイド層は少なくとも第１の層領域及
   び第２の層領域を具備し、第１の層領域は第２の層領域
   より基板側に配置され且つ第２の層領域に比べて周期律
   表第IIIａ族元素が多く含まれており、更に第１の層領
   域は酸素又は窒素のうち少なくとも１種を０．０１乃至
   ６０原子％含有していることを特徴とする電子写真感光
   体。
2. （２）前記第２の層領域は０．１乃至１０，０００ｐｐ
   ｍの周期律表第IIIａ族元素を含有していることを特徴
   とする特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体
   。
3. （３）前記アモルファスシリコンカーバイド層は１乃至
   ９０原子％の炭素を含有していることを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光体。