JPS60235148A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ　）　全母体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。　ａ−８ｉは、Ｓ　ｉ　−Ｓ　ｉの結合手が切れた
いわゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に
起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在
する。　このために、熱励起担体のホッピング伝導が生
じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラ
ップされて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記
欠陥を水素原子（）ＩＩ）で補償して５ｔＫ）（を結合
させることによって、ダングリングボンドを埋めること
が行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０”〜１０＠
Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。　従って、ａＳｔ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度（３） が大きく、初期帯電電位が低いという問題点を有してい
る。　しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射す
ると抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層とし
て極めて優れた特性を有している。

第１図には、上記のａｓｓ：Ｈを母材としたａ−Ｓ　ｉ
系感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。　
この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方では
、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラー
ユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設ゆられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするための第２ミラーユニソ）２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１
０、現像器１１、（４） 転写部１２、分離部１３、クリーニング部１４が夫々配
置されており、給紙箱１５から各給紙ローラー１６．１
７を経て送られる複写紙１８はドラム９のトナー像の転
写後に更に定着部１９で定着され、トレイ３５へ排紙さ
れる。　定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱
ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現像済みの複
写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が°Ｐｈ１ｌ
。

Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０
Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化す
ること等が知られている。　但、炭素の含有によりバン
ドギャップが拡がるために長波長感度が不良となるとい
う欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａＳｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型の
２層構造を作成し、上層のａ−８ｉ：Ｈにより広い波長
域での光感度を得、かつａＳｔ：Ｈ層とへテロ接合を形
成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向上を図
っている。

しかしながら、ａｓｔ：Ｈ層の暗減衰を充分に防止でき
ず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるものと
はならない上に、表面にａ−８ｉＳＨ層が存在している
ことにより化学的安定性や契械的強度、耐熱性等が不良
となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ　ＳｔＣ：Ｈ層を電荷輸送層として形成している。

　また、前記電荷輸送層のない感光体も知られている（
特開昭５７−５２１７８号公報）。　これらの公知の感
光体に関しては、表面改質層によって暗減衰の防止、表
面の化学的安定性等の効果は期待できるものの、次の如
き問題点があることが判明した。

即ち、上記の如き表面改質層の構成物質であるａ−８ｉ
Ｃ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ρゎは１０　Ω−ｃｍが
限界であり、これより太き（はならないために帯電電位
の保持性が十分ではない。　また、Ｓｉｎ、を表面改質
層に使用した場合、ρ。は高くなるが、帯電極近傍で発
生した活性種（放電雰囲気中等のイオンや、分子、原子
）が表面に吸着され易く、このために沿面放電が生じて
画像流れが生じ易くなる。　これに対し、ａ　Ｓ　ｉＣ
：　ＨはＳｉｎ。

の如き活性種の吸着は生じ難いが、上記の如くρつが不
充分であって帯電電位の保持能（特に高温高湿下におけ
る保持能）が悪い。　こうした欠陥は、（７） 表面改質層をアモルファス窒化シリコン（ａ−８ｉＮ：
Ｈ）で構成した場合も同様に生じる。

３、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保
持能が良く、沿面放電も生じ難い感光体を提供するもの
である。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられている感光体において、前記表
面改質層が１〜２０ａｔｃｍｉｃ％の酸素（但、シリコ
ン原子と窒素原子と酸素原子との合計原子数を１００１
００ａｔｏ％とする。）を含有していることを特徴とす
るものである。

本発明によれば、ａ−８ｉＮ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化窒化シリコン（ａ−８ｉＮ：Ｈ）から
なる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−８ｉ系
感光体の表面特性についての欠（８） 点を解消することができる。　即ち、この表面改質層は
ａ−８ｉ系感光体の表面電位特性の改善、長期に亘る電
位特性の保持、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ
放電で生成される化学種の影響防止）、表面硬度が高い
ことによる耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性の向上
、熱転写性（特に粘着転写性）の向上等の機能を有する
ものである。

しかも、この表面改質層には、酸素が１〜２０ａｔｏｍ
ｉｃ％（以下、「ａｔｏｍｉｃ％」を単に％と記す。）
含有せしめられているために、表面改質層の比抵抗が大
きく向上（＞＞１０”Ω−ｃｍ）Ｌ、特に高温又は高湿
下での帯電電位の保持能が著しく向上する。

逆に、酸素原子が１％未満ではそうした効果がなく、２
０％を越えると活性種の吸着に依る画像流れが生じてし
まう。　従って、表面改質層中の酸素含有量を１〜２０
％に設定することが必須不可欠であり、２〜１０％とす
るのが好適である。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−８ｉ系電子写真感光体３９
を示すものである。　この感光体３９は例えば正帯電用
のものであって、Ａノ等のドラム状導電性支持基板４１
上に、周期表第ｍａ族元素（例えばホウ素）がヘビード
ープされたａＳＸ：Ｈからなるｉ型（真性化された）電
荷発生層４３と、酸素含有アモルファス水素化窒化シリ
コン（Ｏ含有量　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈ）からなる表面
改質層４５とが積層された構造からなっている。　電荷
発生層４３はρ９と光照射時の抵抗率へとの比が電子写
真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領
域の光に対するもの）が良好である。

また、周期表第１１１ａ族元素、例えばホウ素を流量比
（Ｂ、Ｈ，／５ｉＨ４）　＝　１〜１００四でドーピン
グすることによって真性化すなわちｉ型化（固有抵抗を
１０１１〜１０１２Ω−ｃｍ　）　Ｌ、、高抵抗化でき
る。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、ＳｉとＮとＯとの合計原
子数に対し１〜２０％の酸素を含有せしめているので、
比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用
効果が得られる。　即ち、第３図に曲線ａで示すように
、表面改質層に単なるａ−８ｉＮ：Ｈを用いた場合、そ
の比抵抗は窒素含有量に従って高められるか１０　Ω−
ｃｍ以上になることが分っている。　これに対し、本発
明に基いて、ａ−８ｉＮ：Ｈ中に酸素を含有せしめたＯ
含有量−８ｉＮ：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５％）
には、曲線すで示すように、比抵抗が大きく上昇して窒
素含有量を決めることによって１０　Ω−ｃｍをはるか
に上回る値を示すことが確認された。

このＯ含有量−８ｉＮ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質
してａ−８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするため
に必須不可欠なものである。　即ち、表面での電荷保持
と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体
としての基本的な動作を可能とするものである。　従っ
て、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長
期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位
特性を再現できる。　これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面
とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等
の影響を受け易く、電位特性の経時変化が著しくなる。

　また、ａ−８ｉ　Ｎ　：　Ｈは表面硬度が高いために
、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性
があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱
を付与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の窒素組成を選択することが重要である。　即ち、
窒素原子含有量がＳ　ｉ　＋Ｎ＋０＝１００％としたと
き１０〜７０％であることが望ましい。

Ｎ含有量が１０％以上であると、上記した比抵抗が所望
の値となり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２．
ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光学
的に透明な窓効果により照射光はａ−８ｉ：Ｈ層（電荷
発生層）４３に到達し易くなる。　しかし、Ｎ含有量が
１０％未満では、比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。　また、Ｎ含有量が７０％を越える
と層の窒素量が多くなり、半導体特性が失なわれ易い上
にａ−８ｉ　Ｎ　：　Ｈ膜をグロー放電法で形成すると
きの堆積速度が低下し易いので、Ｎ含有量は７０％以下
とするのがよい。

また、ａ−８ｉＮ：Ｈ層４５ノ膜厚を４０ＯＡ≦ｔ≦５
００ＯＡノ範囲内（％Ｋ　４００　Ｘ≦ｔ　＜　２００
０　Ｘ　］Ｃ選択することも重要である。　即ち、その
膜厚が５００ＯＡを越える場合には、残留電位■、が高
くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体
としての良好な特性を失ない易い。　また、膜厚を４０
０Ａ未満とした場合には、トンネル効果によって電荷が
表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度
の低下が生じてしまう。

電荷発生層４３については、上記の如く高抵抗化するこ
とによって電荷保持能を向上させることができる。　こ
れによって、光感度、電位保持能共に良好な電荷発生層
とすることができる。　また、上記電荷ブロッキング層
４２は、基板４１からの電子の注入を充分に防ぐには、
周期表第ｍａ族元素（例えばポロン）を流量比Ｂ２Ｈ６
／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１０（１〜５０００　ｙｅｓでドー
プして、Ｐ型（更にはＰ十型）化するとよい。　上記し
た各層の厚みについても適切な範囲があり、電荷発生層
４２は１０〜３０μｍ、ブロッキング層４２は４００〜
２μｍとするのがよい。

電荷発生層４３が１０μｍ未満であると帯電電位が充分
でなく、また３０μｍを越えることは実用上不充分であ
り、製膜にも時間がかかる。　ブロッキング層４２も４
００Ａ未満であるとブロッキング効果が低く、また、２
μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。　なお、上
記の各層は水素を含有することが必要である。　特に、
電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリングボンド
を補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために
必須不可欠であって、１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％である
のが望ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５も同
様である。　また、ブロッキング層４２の導電型を制御
するための不純物として、Ｐ型化のためにボロン以外に
もＡＣＧａ、Ｉｎ、ＴＩ等の周期表第Ｈ１ａ重元素を使
用できる。　このブロッキング層はＮ型化し、負帯電用
の感光体とすることもでき、このためには、Ｐ、　Ａｓ
、　Ｓｂ、　Ｂｉ等の周期表第Ｖａ族元素なドープでき
る。　例えば、流量比ＰＨ３／５ｉＨ４＝１００〜１０
０〇四としてＰをドープするのがよい。

なお、このブロッキング層４２にも、上記と同様に酸素
を所定量ドープしてその高抵抗化を図ってもよい。　ま
た、ブロッキング層４２は必ずしも不純物ドーピングに
よりＰ又はＮ型化されなくてもよい（即ち不純物はドー
プしなくてもよい）し、場合によってはブロッキング層
自体を設けなくてもよい。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生せしめられる。　な
お、図中の６２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合
物の供給源、６３は０２又はガス状酸素化合物の供給源
、６４はＮＨ３、Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６
５はＡｒ等のキャリアガス供給源、６６は不純物ガス（
例えばＢ２Ｈ，又はＰＨ３）供給源、６７は各流量計で
ある。　このグロー放電装置において、まず支持体であ
る例えばＡＪ基板４１０表面を清浄化した後に真空槽５
２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０””Ｔｏｒ
ｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所定温
度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００
℃）に加熱保持する。　次いで、高純度の不活性ガスを
キャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン
化合物、及び不純物ガスを適当量希釈した混合ガス；Ｓ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物、ＮＨ３又はＮ２．０
２の混合ガスを適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．
０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により
高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加する。　
これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、不純物ヘビードープドａＳｔ
：Ｈ１不純物ライトドープドａ−８ｉ：Ｈ，０（１５） 含有ａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層４２．４３．４５として
基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応して）堆積
させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｉ系感光体の各層の形成時に於て、ダ
ングリングボンドを補償するためには、上記したＩ（の
代りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形で
導入し、ａ　Ｓ＋　：Ｆ、　ａ　ｓｔ：Ｈ：　Ｆ、ａ−
８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｆ、ａ
−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ　とすることもできる。

この場合のフッ素量は０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％が望
ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−（１６） ７８４１３号（特願昭５４−１５２４５５号）の方法）
等によっても上記感光体の製造が可能である。

第５図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えば１０−３〜１０　
Ｔｏｒｒの高真空状態とする。　当該ペルジャー７１内
には基板４１を配置してこれをヒーター７５により温度
１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００℃に加熱
すると共に、直流電源７６により基板１にθ〜−１０ｋ
Ｖ、好ましくは−１〜−６ｋＶの直流負電圧を印加する
。　また、出口が基板４１と対向するようペルジャー７
１に接続して設けた水素ガス放電管７７より活性水素及
び水素イオンをペルジャー７１内に導入しながら、基板
４１と対向するよう設けたシリコン蒸発源７８及び必要
あればアルミニウム蒸発源７９を加熱すると共に各上方
のシャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをそ
の蒸発速度比が例えば１：１０−’となる蒸発速度で同
時に蒸発させる。　これによって上記層４２．４３を順
次形成する。　引続いて、アルミニウムの蒸発は中断し
て新たに０□を適宜放電管７０に導入し、ここで活性化
させてからペルジャー７１内へ導入し、同時に図示省略
した放電管を介してＮＨ３又はＮ２ガスを適宜導入し、
これにより上述の層４５ヲ形成する。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第６図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
より排出される。　この図示の例の放電空間部材８２は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、８７．８８が冷却水入口及び出口を示す。

８９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管７７における電極間距離は１０〜
１５■であり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３の圧
力は１０−”Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａノ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状ｋｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０’Ｃ（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背
圧のもとで周波数１３．５６　Ｍｌ（ｚの高周波電力を
印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、ＳｉＨ４とＢ２Ｈ６とからなる反応ガスを導入
し、流量比１　：　１　：　（１，５Ｘ１０””）の（
Ａｒ＋ＳｉＨ４＋Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電分解
することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ
Ｔｓｉ：Ｈ層４２を６μｍ／ｈ　ｒの堆積速度で厚さ１
μｍに製膜した。　引き続き、流量比を変えた５ｉｎ４
とＢ２Ｈ。

の混合ガスを放電分解し、厚さ１９μｍのＢライトドー
プドａＳｔ：Ｈ層４３を形成した。　引き続いて、Ｂ２
Ｈ，の供給を止め、流量比４：１：６：１の（Ａｒ　＋
　Ｓ　ｉＨａ　＋ＮＨｓ　＋　０２　）混合ガスと共に
グロー放電分解し、厚さ１００ＯＡの０含有ａ　ＳｔＮ
：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。　この感光体を用いて、複写機（Ｕ−Ｂｉｘ３
０００改造機：小西六写真工業物製）により画像出しを
行なった結果、解像度、階調性がよく、画像濃度が高く
、カプリのない鮮明な画像が得られた。　また、２０万
回の繰り返し複写を行なっても、安定した良質な画像が
続けて得られた。

また、各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示
す結果が得られた。　これによれば、表面改質層のＯ含
有量を１〜２０％、特に２〜１０％とすれば、感光体の
画像再生特性等が大きく向上することが分る。　なお、
画質については、◎は画像鮮明、○は画像良好、△は画
質が実用上採用可能、×は画質が実用上採用不可を夫々
示す。

（以下余白、次頁に続く）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８ｉ系感光体の断面図、 第３図はａ−８ｉＮの比抵抗を比較して示すグラフ、 第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第６図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・−・・・・・・・ａ−８ｉ系
感光体４１・・・・・・・・・・・・・・・・・・支持
体（基板）４２・・−・・・・・・・・・・・・・・・
ブロッキング層４３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・電荷発生層４５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・表面改質層５５・・・・・・・・・・−・・・・・
・・ヒーター５６・・・・・・・・・・・・・・・・・
・高周波電源５７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・電極６２〜６６・・・・・・・・・各ガス供給源７０
．７７・・・・・・・・・ガス放電管７８．７９・・・
・・・・・・蒸発源 である。 代理人　弁理士　通板　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化窒化シリコンからなる表面改質層が設けられて
   いる感光体において、前記表面改質層が１〜２０　ａｔ
   ｏｍｔｃ％の酸素（但、シリコン原子と窒素原子と酸素
   原子との合計原子数を１００１００ａｔｏ％とする。）
   を含有していることを特徴とする感光体。 ２、表面改質層の窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ
   ％（但、シリコン原子と窒素原子と酸素原子との合計原
   子数を１００　ａｔｏｍｉ　ｃ％とする。）である、特
   許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷発生層が周期表第ｍａ族元素のドーピングによ
   って真性化されている、特許請求の範囲の第１項又は第
   ２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層と、この電荷発生層下の基体との間に、
   アモルファ、ス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
   なりかつ周期表第■１族元素のドーピングされたＰ型電
   荷ブロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の
   第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。 ５、電荷発生層と、この電荷発生層下の基体との間に、
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   りかつ周期表第Ｖａ族元素のドーピングされたＮ型電荷
   ブロッキング層が形成されている、特許請求の範囲の第
   １項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。