JPS61160751A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は電子写真感光体に関する。

〔従来技術とその問題点〕

従来電子写真感光体として、例えばアモルファスセレン
またはアモルファスセレンにひ素、テルル、アンチモン
などの不純物をドープした光導電材料を用いた感光体、
あるいは酸化亜鉛や硫化カドミウムなどの光導電材料を
樹脂バインダに分散させて用いた感光体などが使用され
ている。しかしながらこれらの感光体は温度、湿度など
の雰囲気安定性１機械的強度、猿境汚染性の点で問題が
ある。

近年、光導電材料としてアモルファスシリコン（ａ−８
ｉ）を用いることによってこれら従来の電子写真感光体
の欠点を解消する技術が種々提案されている。蒸着ある
いはスパッタリングによって作製されたａ−８ｉは暗比
抵抗が１０５Ω譚と低く、また光導亀度が極めて小さい
ので電子写真感光体用の光導電材料としては望ましくな
い０これは、このような製法で作製したａ−８ｉでは５
ｔ−８ｔ結合が切れたいわゆるダングリングボンドが生
成しておシ、この欠陥に起因してエネルギ・ギャップ内
に多くの局在準位が存在する。このため暗所においても
熱励起キャリアのホッピング伝導が生じて暗比抵抗が小
さく、また露光時には光励起キャリアが局在準位に捕獲
されるために光導電性が悪いのである。

これに対してシランガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４）のグロー放電
分解によって作製したアモルファス水素化シリコン（ａ
　３１：　Ｈ）では上記欠陥を水素原子０で補償しＳｉ
にＨを結合させることによってダングリングボンドの数
を大幅に低減できるので、光導電性が非常に良好にな＃
）Ｐ型およびＮ型の価電子制御も可能となったが、暗比
抵抗値は高々１０８〜１０９０αであって電子写真感光
体として必要な１０１２Ω譚以上の比抵抗値に対しては
まだ低い。従ってこのようなａ−８ｉ：Ｈからなる感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。

そこでこのよりなａ−８ｔ：Ｈに電荷保持能を付与する
ため前述の価電子制御が可能なことに着目し、はう素を
適当量ドープすることによシ暗比抵抗を１０１２Ω個以
上まで高めて、カールソン方式による複写プロセスに適
用することを可能にしている。

このような＆−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は初期的に
は良好な複写画像が得られるものの、長期間大気中ある
いは高湿中に保存しておいた後複写した場合しばしば画
像不良を発生することがある。

また多数回複写を繰返すとしだいに画像ぼけを生じてく
ることもわかっている。このような劣化した感光体は特
に高湿雰囲気中で複写した場合湿度が高いほど画像ぼけ
を発生しやすく、また複写回数が増すと画像ぼけを生じ
始める臨界湿度はしだいに下がる傾向があることが確か
められている。

上述のごと＜、ａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は長期
にわたって大気や湿気にさらされることによシ、あるい
は複写プロセスにおけるコロナ放電などで生じる化学ａ
ｆ（オゾン、窒素酸化物２発生期酸素など）により感光
体最表面が影響を受けやナズムについてはこれまでにま
だ十分な検討はなされていない。このような画像不良の
発生を防止し耐刷性を向上するために、感光体の表面に
保護層を設けて化学的安定化を図る方法が試みられてい
る０例えは表面保護層としてアモルファス炭化水素化シ
リコン（ａ　８１）６０１−Ｘ：Ｈ，０＜ｘ＜１）ある
いはアモルファスｉｌ　化水素化シリコン（ａ−８ｔｘ
Ｎｉ−エ：Ｈ。

０＜ｘ＜１）を設けることによって感光体表面層の複写
プロセスあるいは環境雰囲気による劣化を防ぐ方法が知
られている。しかし表面保護層中の炭素濃度あるいは窒
素濃度を適当な値に選べば感光体の耐刷性をかなシ改良
することはできるが、高湿度雰囲気中での耐湿性までは
維持することができず、数万枚複写を繰返した後では相
対湿度６０％で 台÷ｍの雰囲気での複写で画像はけが発生する。さらに
保護機能を高めようとして例えば炭素意を多くすると残
留電位が増大するなど他の特性上の問題が生じる◇従っ
て感光体特性を良好に維持しながら、これらの表面保護
層を設けて感光体の耐刷性、耐湿性を大幅に向上するこ
とはできない状況にある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述の問題点を解消して長期保存およ
び繰返し使用に際して特性劣化現象を起こさず、高湿雰
囲気中においても複写画像不良などの特性の低下がほと
んどみられない、感光体として特性が常時安定していて
使用環境にほとんど制約を受けない、耐久性、耐刷性、
耐湿性に優れた電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は光感度が高く、分光感度領域も全可
視域にわたっていて、かつ光応答性の速い電子写真感光
体を提供することである。

〔発明の要点〕

本発明の目的は第１図に示すように導電性支持体１の上
に少なくとも光導電層３と表面保護層５とが積層された
感光体において、光導電層３と表面保護層５との光学的
エネルギーギャップの差が少なくとも０．５ｅＶあり、
この２層３，５の間に少なくとも１つの中間層４が設け
られ、この中間層４の光学的エネルギーギャップの値が
前記２層３゜５の光学的エネルギーギャップの中間の値
であり、かつ光導電層３と中間層４１表面保膜層５と中
間層４との間の光学的エネルギーギャップの差がそれぞ
れ０．４ｅＶ以下となるようにすることにより達成され
る。

〔発明の実施例〕

以下図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。

第１図は本発明の感光体の一つの実施例を示す断面図で
あって、導電性支持体１０上にブロッキング層２．光導
電層３．中間層４２表面保護層５が順次極層されてなる
。導電性支持体１は感光体の電極であると同時に層２，
３，４．５の支持体となっている。ブロッキング層２は
暗所において電極である支持体１から光導電層側への電
荷担体（キャリア）の注入を阻止するためのものであっ
て、感光体の表面電位の向上、暗減衰の低減に役立つ。

光導電層３は感光体の中枢的な機能を有する層であって
、暗所では高比抵抗で表面電位を保持し、光照射時には
光を受容してキャリアを発生し、発生したキャリアを輸
送する機能を有する◎中間層４は光導電層３と表面保護
層５との光学的エネルギーギャップの整合性を良くする
ために設けられるものであって、画像複写にあたって有
害となる層３．５間の電荷の蓄積をなくする機能を有す
る。

表面保護層５は感光体の耐刷性の向上、耐環境性の維持
（熱、湿気、コロナ放電で生成される化学種、その他雰
囲気の影曽防止）１表面電位の改善。

長期にわたる電位特性の保持などの機能を有する。

以下アモルファスシリコンを主材料とし前記実施例の構
成をもつ感光体について本発明をさらに詳細に説明する
０アルミニウムまたはステンレススチールなどの金属、
あるいはガラスまたは樹脂シートに導電処理がなされた
ものからなるシート状または円筒状の導電性支持体ｌ上
にアモルファス水素化シリコン（ａ−８ｉ　：　Ｈ）か
らなるブロッキング層２が設けられている・この層２に
は暗所で支持体から光導電層側へのキャリアの注入を阻
止するために適当な不純物がドーピングされている。例
えば感光体を正帯電して使用する場合にはほう素を１０
０　ｐｐｍ以上ドーピングすることによ、ＯＰ型化して
負電荷の注入を阻止できるようにする。また高抵抗にし
て注入阻止能をもたせるために炭素または窒素を添加し
てもよい。その厚みはＯ，Ｏ需の範囲が望ましい０ブロ
ッキング層２の上Ｋａ−８ｉ：Ｈからなる光導電層３が
極層される。層３は暗比抵抗が大きく、光受容時のキャ
リア発生能、キャリア輸送能の良好なことが必要でａ−
８ｉのダングリングボンドをＨで補償することが不可欠
であってそのときのＨの含有率は５〜３０原子優に制御
されるのが望ましい。またａ−８ｉ：Ｈは前述の通シネ
純物のドーピングによシその導電型の制御が可能である
が光導電層３として使用する場合にはその要望される電
気的、光学的特性をみたすためにａ−８ｉ：）（に周期
律表第■６６層素例えばほう素を０．ｌｐｐｍ〜５　ｐ
ｐｍドープすることが望ましい０層の厚みは５μｍ〜６
０μｍであることが好ましい。また光導電層３の高比抵
抗化、帯電能向上のために必要に応じてａ　　Ｓｌ：Ｈ
に適量の炭素あるいは窒素または酸素を導入してもよい
。光導電層３の上には水素と酸素を含むアモルファスふ
っ素化炭化シリコｙ　（ａ　ＳｉＣ：Ｏ：Ｆ　：Ｉ（）
からなる中間層４が設けられる。中間層４は前述のよう
に光導電層３と表面保護層５との間の光学的エネルギー
ギャップの整合性を良くするために設けられるものであ
って、中間層４の光学的エネルギーギャップは隣り合う
層５の光学的エネルギーギャップの中間の値を有し、か
つその差がそれぞれ０．４ｅＶ以下でなければならない
０光導電層３と表面保護層５とを直接積層した感光体で
は複写を多数回繰返すと特に高湿中で複写画像にぼけが
生じてくるが、その原因は次のように考えられる。すな
わち光導電層３を形成しているａ−８１：　Ｈの光学的
エネルギーギャップは１．７ｅＶ〜１．９ｅＶであり、
表面保護層５の光学的エネルギーギャップは後述するよ
うに２．３ｅＶ〜２．８　ｅＶに調整されている。光学
的エネルギーギャップにこのような大きな差がある場合
に両層３．５が直接積層されるとその間の接合でのキャ
リアの移動がスムーズにいきに〈＜、二つの層の界面に
おいてキャリアが蓄積しゃすくなシ低抵抗になる０感光
体表面に静電潜像が形成されるときすぐ近傍にこのよう
な低抵抗領域があると表面電荷が流れてシャープな潜像
ができず複写画像ぼけが発生する要因となる。表面保護
層５が充分その機能を発揮している初期段階ではこの要
因はカバーされていて画像ぼけはほとんどみられないが
層５の保護機能がいくらかでも劣化してくる２）例えば
多数回複写が繰す返された後などにはこの要因が顕在化
して画像ぼけが生じてくると考えられる。ａ−８ｉＣ：
０：Ｆ：Ｈは炭素原子含有量および酸素原子含有量を変
えることによりその光学的エネルギーギャップを変化さ
せることができる。第２図には一例としてａ−８ｉＣ：
Ｆ：Ｈの炭素含有量と光学的エネルギーギャップとの関
係が示されているが、このことを利用して表面保趙層５
の光学的エネルギーギャップを段階的に変化させ、光導
電層３の光学的エネルギーギャップとの差と画像はけと
の関係を調べた結果、その差を０．４ｅＶ以下とすれば
良好な結果が得られることが判明した。しかしながら表
面保護層５の光学的エネルギーギャップはその保護性能
を維持するためには２．３ｅＶ以下にすることは好まし
くない◇中間層４はこのような知見に基づいて光導電層
３と表面保護層５との間に形成され、前述のように２つ
の層３，５の中間の光学的エネルギーギャップを有し、
かつその差がそれぞれ０．４ｅＶ以下になるように調整
されているので、三つの層３．４．５間のキャリアの移
動がスムーズに行われるようにな夛キャリアの蓄積に起
因する前述の欠陥を除くことができるのである。

中間層の厚みは０．００５μｍ　＝　０．３μｍにする
ことが望ましい。ｏ、ｏｏｓμｍ以下では光導電層３と
表面保護層５との間を前記のようなプロファイルで有効
に分離しかたくな夛、また０、３μｍをこえると照射光
の一部が吸収される割合が高くなり特に短波長領域での
光感度の低下をひきおこすので好ましくない０なおこの
中間層は必要に応じて複数のａ−ＳｉＣ：Ｏ：Ｆ：Ｈ層
の積層体で形成し、前記の光学的エネルギーギャップを
多段階的に変化させてもよい。また一つの層内で厚さ方
向に光学的エネルギーギャップの勾配をつけることも有
効である。

中間層４の上に水素と酸素を含むアモルファスふっ素化
炭化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｏ：Ｆ：Ｈ）からなが望ま
しい。すなわち２．３ｅＶ以上とすると可視光および赤
外光に対して光学的に透明になりほとんどの照射光は光
導層３に到達する。逆に２．３ｅＶより小さくなると一
部分の光は表面保護層５に吸収され、感光体の光感度が
低下する。この傾向は短波長可視光において特に顕著で
あり短波長領域での光感度低下をひきおこす。２．８　
ｅＶを超えると層５の成分の大半が炭素となって有機被
膜にちかい性質をもつ絶縁体にちがいものとなシ残留電
位の増加をもたらすので好ましくない。２．３ｅＶ以上
２．８ｅＶ以下の範囲では層５中のシリコンと炭素との
比率がほぼ化学量論的な比率となシ、層５の化学的な安
定性や機械的強度などがａ−８ｉ：Ｈよシなる光導電層
３に比べて大巾に向上する。

表面保護層５中のふっ素は耐刷性および耐湿性を同上さ
せるために導入されるものであって、その含有量は５〜
２０原子チの範囲に制御されることが必要である。５原
子チよシ少ない場合には耐刷性、耐湿性向上がみられず
高湿下において画像不良が発生する。２０ｗ、子チよシ
多くなると感光体特性が悪化するのでよくない０ふっ素
を適量導入すると感光体最表面の表面エネルギーが下が
シ椀水性が高くなるため湿気を吸着しにくくなり、湿度
による悪影響を防止することができる。また表面保護層
５は水素を含有することが必要である０水素を含有しな
い場合には感光体の電荷保持性能が集用的なものとなら
ないからである。このため−水素含有量は２０〜５０原
子チが望ましい。層５の厚みは０．０５μｍ〜２μｍと
することが好ましい。

このようにして水素と酸素を適量含有したａ　−８ｉＣ
：Ｏ：Ｆ：Ｈよシなる表面保役層５を有する感光体は前
述の中間層の働きと相まってコロナ放電によるオシや窒
素酸化物などの雰囲気にさらされても感光体特性が変化
せず、現像、転写、クリーニング工程での表面の接触に
対して強くなシ耐刷性が向上し、特に最表面の化学的安
定性により耐湿性が著しく改善されている。

次に前記の感光体のグロー放電分解法による製造装置お
よび製造方法を第３図によｐ説明する。

この装置１１の真空槽１２内の支持体保持部１４に導電
性支持体１３が固定されヒーター１５で支持体１３を所
定の温度に加熱できるようになっている。支持体１３の
外側に高周波電極１７が配置され支持体１３との間にグ
ロー放電が生じうるようになっている。高周波電極１７
も支持体１３と同様にヒーター１８で加熱できる構造と
なっている。２１〜３７は各バルブ、４１は５ｔＨ４な
どガス状シリコン化合物の供給源、４２はＣＦ４　＋　
Ｃ２Ｆ６　ｅＣ３Ｆ８などのフロンガスの供給源、４３
はＳｉＦ、の供給源、４４はＣＨ４ｅ　Ｃ２Ｈ４などの
炭化水素の供給源、４５はＢ２Ｈ６などドーピングガス
の供給源、４６は０２の供給源、４７はＨ２の供給源で
ある。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
アルミニウム円筒基体を表面を例えばトリクロールエチ
レンで洗浄し清浄化した後真空槽１２内の支持体保持部
１４に固着し、槽内が１０′″６Ｔｏｒｒ程度の真空に
なるように真空排気系に接続されたパルプ３７を開いて
排気しかつアルミニウム円筒基体を例えば１２０℃〜３
５０℃内のある所の温度に加熱保持する。次いでバルブ
２１，２８．３Ｆｌ操作してＳｉＨ４またはガス状シリ
コン化合物を、バルブ２５．３２を繰作して不純物とし
て周期律表ＩＡ族元素のガス状化合物１例えばＢ２Ｈ６
（Ｈ２またはＨｅなどで稀釈したもの）を真空槽１２内
へ導入し、パルプ２１，２８，２５，３２．３５および
３７をそれぞれ調節して例えば０．１〜５Ｔｏｒｒの圧
力になるようにし、その反応圧下で高周波電源１６によ
）高周波電圧（周波数は例えば１３．５６ＭＩＩｚ）を
印加する。このようにして上記反応ガスをグロー放電分
解しブロッキング層２．光導電層３を連続して支持体上
に堆積させる。その際添加する不純物ガス例えばＨ２で
稀釈したＢ２Ｈ６の濃度あるいは流量を適宜調整するこ
とによって所望のドーピング量を得ることができる。ブ
ロッキング層として成膜する場合には例えばＳｉＨ４に
対してＢ２Ｈ６が１００　ｐｐｍ以上の濃度となるよう
に添加される。また光導電層として成膜する場合には例
えばＳｉＨ４に対してＢ２Ｈ６が０、１〜５　ｐｐｍに
なるようＫ　Ｂ２Ｈ６をＨ２で低濃度に稀釈したり流量
を調節したシして成膜される。不純物の添加量を最適化
することによシ光導電性の向上とともにその高抵抗化も
図ることができる０さらに中間層４および表面保Ｌ＃５
を堆積させるには、Ｓ　ＩＨ４ｅ　Ｓ　ＩＦ４　、　Ｓ
　１２Ｈ６などのガス状シリコン化合物に加えて、パル
プ２２．２９を操作してＣＦ４゜ＣＨＦ３　ｒ　Ｃ２Ｆ
６などのフロンガスを、またパルプ２４゜３１を操作し
てＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２などの炭化水素を、さら
にバルブ２６．３３により０２を真空槽内に導入しグロ
ー放電分解すればよい。その際シリコン化合物、炭化水
素、ふっ素化合物および酸素の流量比、支持体温度、放
電電力、反応ガス圧などを調整することにより、また成
膜時間を適切に選ぶことによって、所望の組成比および
光学的エネルギーギャップを有し、適当な膜厚のａ−８
ｉＣ：０：Ｆ：Ｈよりなる中間層および表面保護層を順
次連続して成膜することができる。また場合によシ例え
ばＢ２Ｈ６などの不純物を添加することによシミ気的特
性の改善を図ることも可能である。さらに上記中間層お
よび表面保護層中の構成元素の組成比あるいは不純物の
ドーピング量は供給される原料ガスの流ｆｔあるいは放
電電力の制御によって任意に変えることができることに
よシ、組成比または不純物ドーピング量を膜厚方向に変
化させることも極めて答易にできる。

次に具体的な実施例について述べる。

実施例１゜ トリクロルエチレンで脱脂洗浄したアルミニウム円筒基
体を第３図のグロー放電装置内にセットし、次の条件で
グロー放電を行ない厚さ０．２μｍのブロッキング層を
形成した。

５ｉＨ４（１００％）流ｔ　　　　　　　　　２５０ｃ
ｃ／分Ｂ２Ｈ６（５０００ｐｐｍ、Ｈ２ベース）流量　
　２０ｃｃ／分真空桶内反応ガス圧　　　　　　　０．
５Ｔｏｒｒ高周波電力および周波数　　　５０Ｗ、　１
３．５６ＭＨｚ支持体温度　　　　　　　　２０ｏ℃ 成膜時間　　　　　　　　　　１ｏ分 次に放電を停止してＢ２Ｈ６（５０００ｐｐｍ　、　Ｈ
２ヘース）の供給を止め、続いて次の条件（他の条件は
上記と同様）でグロー放電を行ない、厚さ２５μｍの光
導電層を形成した。

５ｉＨ４（１００％）流−ｊ！Ｅ２ｏｏｃｃ／分Ｂ２Ｈ
６（２０ｐＰｍ＊Ｈ２ペース）流量　　　　１０ｃｃ／
分真空槽内反応ガス圧　　　　　　　０．８Ｔｏｒｒ高
周波電力　　　　　　　　　３００Ｗ成膜時間　　　　
　　　　　　３時間 再び放電を停止後、さらに続けて次の条件でグロー放電
を行ない、厚さ０．０５μｍの中間層と厚さ０．６μｍ
の表面保護層を形成した。

５ｉＨ４（１００％）流量　　　　　　　４０ｃｃ／分
ＣＦ４（１００％）流ｉｔ　　　　　　　　　　４０ｃ
ｃ／分０２（１０％、Ｈｅベース）流量　　　　　５ｃ
ｃ／分真空槽内反応ガス圧　　　　　　０．７ＴＯｒｒ
高周波電力および成膜時間 中間層　　　　５０Ｗ、２分 表面保護層　２００Ｗ、３０分 上記グルー放電においては、まず所定のガス流量および
ガス圧に保持し高周波電力を５０Ｗにして２分間グロー
放電を行ない、放電を継続しつつ電力を２００Ｗに調整
し、さらに３０分間放電を続けることによシ中間層と表
面保護層とを順次連続して成膜した。

こうして得られた感光体の中間層および表面保禮層の光
学的エネルギーギャップはそれぞれ２．１５６Ｖおよび
２．５０　ｅＶであった。光学的エネルギーギャップは
別途中間層のみあるいは表面保護層のみをガラス基板上
に成膜したサンプルについて吸収スペクトルを測定して
求められた。またＥＳＣＡ分析を行った結果、上記製造
条件で形成された表面保護層はＳｔが３８原子チ、Ｃが
２７原子チ、０が２０原子チ、Ｆが１５原子チの元素組
成を有することが判った。この感光体の電子写真特性の
測定結果を第１表に示す。ここ感光体を暗所で＋６．Ｏ
ｋＹのコロナ放電で帯電したときの初期の値を初期帯電
位とし、続いてコロナ放電を中止して１秒間暗所保持し
たときの帯電位を初期帯電位で除した比率を保持率とし
、さらに続いて０．５１ｕｘのハロゲン光を照射し帯電
を初期帯電位の１／！に減衰させる光量を半減衰露光量
とし、２１ｕｘ−ａｅｃの光量を受けたときの帯電位を
残留電位とする。

第　　１　　表 この感光体に＋６ｋＶのコロナ放電により正帯電し、１
　ｌｕｘ・ｓｅｅの光量で画像露光を行った。そして磁
気ブラシ現像法で現像し紙に転写、定着したところ画像
濃度が高くかぶシのない鮮明な再現性の良い複写画像が
得られた。さらにこの感光体につき前述の画像複写を繰
返し行ない複写枚数１０万枚までの耐刷試験を実施した
後、温度３０℃における高湿度雰囲気において湿度を段
階的に上昇させ画像テストを行ったが相対湿度８３％の
高湿の状態においても画像ぼけは発生せず鮮明な複写画
像が得られ、耐刷試験による劣化はみられなかった。

耐刷試験前後の高温高湿雰囲気における画像複写テスト
の画質評価結果を第２表に示す。この表において画質評
価は次の通うである。

◎濃度高く鮮明で画質極めて良好。

○濃度高く鮮明で画質良好。

Δ濃度や＼低く不鮮明で画質や＼不良。

Ｘ濃度低く不鮮明で画質非常に悪い。

第　　２　　表 さらにこの実施例１の感光体について耐刷試験１０万回
後の電子写真特性を測定した。その結果を第３表に示す
。

第　　　３　　表 耐刷試験前の第１表の数値と比較してほとんど差はみら
れない〇 比較例１゜ 実施例１と同じ方法でブロッキング層、光導電層を形成
し、次いで中間層を堆積することなしに直接光導電層の
上に表面保護層を成膜した。この比較例１の感光体の表
面保護層の厚みは０．６μｍ、光学的エネルギーギャッ
プは２．５０ｅＶであった。比較例１の感光体について
実施例１と同じように＋６ｋＶのコロナ放電で正帯電し
、１１ｕｘ−ｓｅａの光重で画像露光し、磁気ブラシ現
像法で現像し、紙に転写、定着したところ、初期から画
像ぼけを生じ画像濃度も低く良好な画質は得られなかっ
た。実施例１と比較して、表面保護層と光導電層との間
の光学的エネルギーギャップの差が大きすぎ、両層の界
面の電気的整合が不適当であるため静電潜像が不鮮明に
なって画像ぼけなどの画質低下をひきおこすと推定され
る。このような問題を防止するために実施例１における
ように中間層を設けることが極めて有効である。

実施例２゜ 実施例１と同様の方法で製造するに際し、特に表面保護
層の成膜条件のうちフロンガス（ＣＦ４）の流量を変化
させ膜中の炭素含有率を変えることによって表面保護層
の光学的エネルギーギャップを種々に変えた感光体を製
造し、実施例１で述べたのと同じ画像テストを行って耐
刷性、耐湿性を調べたところ第４図に示すような結果が
得られた。

表面保護層の光学的エネルギーギャップが２．３ｅＶよ
シ小さい場合には高湿雰囲気下で濃度が低く画像ばけや
白ぬけなどの画質低下があられれ、２．８ｅＶを超える
と初期から画質が悪く地汚れが発生し、さらにはキャリ
ヤ引きをおこすこともあるので望ましくないｏ２．３ｅ
Ｖ〜２．８ｅＶの範囲においては耐刷性、耐湿性に優れ
た感光体を得ることが可能であることがわかる。

実施例３゜ 実施例１と同様の方法で成膜し、特に表面保護層を成膜
する際の成膜時間だけを変化させ、表面保護層の厚みの
異なる感光体を５８ｉ類製造した。

これらの感光体について表面保護層の厚みによる残留電
位の変化を調べた結果第５図に示す値を得た。これによ
れば表面保護層の膜厚は１．５μｍ以下とすれば残留電
位を低くできて望ましいことがわかる。

実施例４゜ 実施例工と同様の方法で成膜し、特に中間層を成膜する
際の成膜時間だけを変化させ、中間層の厚みの異なる感
光体を５ａ類製造し九〇これらの感光体について波長４
５０ｎｍの光に対する分光感度を測定したところ第６図
に示す値が得られた。

これによれば中間層の膜厚は０．３μｍ以下とすれば十
分な短波長光感度を維持できて好ましいことがわかる。

〔発明の効果〕

本発明によれば感光体の光導電層と表面保護層との間に
適切な中間層を設は光導電層と表面保護層との間の電気
的接合が良好になるようにする。

この中間層を設けることにより光導電層は耐刷性耐環境
性などをほとんど考慮することなく感光特性を最良とす
る構成にすることができ、また表面保護層は光導電層の
保護をＭ＆先に考えた構成にすることができ、非常に優
れた感光体を製造することができる。それはこれら両層
が感光体特性上要望される機能を十分に発揮するように
構成されると両層間の光学的エネルギーギャップの差が
大きくなシ、両層の接合する界面に電荷の蓄積が生じ、
その結果複写画像に不良が発生するという欠陥を、両層
の中間の光学的エネルギーギャップを有する中間層を両
層間に介在させることによシ解消しているからである。

このように中間層を形成することにより、帯電電位、光
感度が高く分光感度領域も広くかつ光応答性も速いなど
優れた電子写真特性を有し、保存中の特性の経時劣化の
ない、繰返し多数回複写しても特性２画像ともに安定な
、耐刷性および耐環境性の良好な、特に耐湿性の強い感
光体が得られることになり、中間層のもつ効果は極めて
大きい。

しかもこの中間層の形成は表面保護層を形成する工程と
一緒に簡単に行えるのでさらに効果は顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体の一実施例の断面図、第２図は
水素を含むアモルファスふっ素化炭化シリコンにおける
炭素含有量と光学的エネルギーギャップの関係を示す線
図、第３図は本発明の感光体を製造可能な装置の一例の
系統図、第４図は表面保護層の光学的エネルギーギャッ
プと感光体の耐刷試験前後の複写画像の良否との関係を
示す図、第５図は感光体の残留電位と表面保護層の厚み
との関係を示す線図、第６図は感光体の波長４５０ｎｍ
の光に対する分光感度と中間層の厚みとの関係を示す線
図である。 ｌ・・・・・・導電性支持体、２・・・・・・ブロッキ
ング層、３・・・・・・光導を眉、４・・・・・・中間
層、５・・・・・・表面保護層１閲 × Ｑ−５ｉ　／−Ｘ　（’Ｘ　：　Ｆ　：Ｈ才Ｚ　図 才４閃 表面保譚層〃み（、ｕｓ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）導電性支持体上に少なくとも光導電層と表面保護層
   とが積層されてなる感光体において、前記光導電層と前
   記表面保護層との間の光学的エネルギーギャップの差が
   少なくとも０．５ｅＶあり、かつ前記光導電層と前記表
   面保護層との間に少なくとも１つの中間層が設けられ、
   該中間層の光学的エネルギーギャップの値が前記光導電
   層、前記表面保護層それぞれの層の光学的エネルギーギ
   ャップの中間の値であり、前記光導電層と該中間層、前
   記表面保護層と該中間層との間の光学的エネルギーギャ
   ップの差がそれぞれ０．４ｅＶ以下であることを特徴と
   する電子写真感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
   保護層および中間層が水素と酸素を含むアモルファスふ
   つ素化炭化シリコンからなることを特徴とする電子写真
   感光体。 ３）特許請求の範囲第２項記載の感光体において、表面
   保護層の光学的エネルギーギャップが２．３〜２．８ｅ
   Ｖであり、中間層の光学的エネルギーギャップが１．９
   〜２．４ｅＶであることを特徴とする電子写真感光体。 ４）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
   保護層の厚みが０．０５μｍ〜２μｍであり、中間層全
   体の厚みが０．００５μｍ〜０．３μｍであることを特
   徴とする電子写真感光体。 ５）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、光導
   電層がアモルファス水素化シリコンおよび／またはアモ
   ルファスふつ素化シリコンからなることを特徴とする電
   子写真感光体。 ６）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、光導
   電層と導電性支持体との間にブロッキング層が設けられ
   ていることを特徴とする電子写真感光体。 ７）特許請求の範囲第６項記載の感光体において、ブロ
   ッキング層がほう素を含むアモルファス水素化シリコン
   であることを特徴とする電子写真感光体。 ８）特許請求の範囲第６項記載の感光体において、ブロ
   ッキング層の厚みが０．００５μｍ〜０．５μｍである
   ことを特徴とする電子写真感光体。