JPS62115168A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明のｂ６する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広ｄの光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する＠さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では１レーザー
として、小型で安価な｝Ｉｓ　−　Ｎｅレーザーあるい
は半導体レーザー（通常は６５０〜８２０　３一 ｎｍの発光波長を有する）を使用して像記録を行なうの
が一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４　−　８６３４１号公報や
特開昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコ
ン原子を含む非品質材料（以後ｒ　ａ−８１Ｊと略記す
る）から成る光受容部材が注目されＣいる〇しかしなが
ら、前記光受容部材については、光受容層を単層構成の
ＩＬ−Ｓｉ層とすると、その高光感度を保持しつつ、電
子写真用として要求される１０”　Ｑ　ｃｗｔ以上の暗
抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或いは
これ等に加えてホルン原子とを特定の量範囲で層中に制
御された形で構造的に含有させる必要性があり、ために
層形成に当って各種条件を厳密にコントレール１ること
が要求される等、光受容部材の股計についての許容度に
可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度の
問題をある回度低暗抵抗であっても、その高光感度を有
効６こ利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４　−　１２１７４３
号公報、特開昭５７　−　４０５３号公報、特開昭５７
−４１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特注
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、叉は／及び光受容
層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、
見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている
。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層′ｔｔｉｉｉＩ成する各層及び支持体と光受容層と
の層界面（以後、この自由表面及び層界面の両者を併せ
た意味で１界面−Ｊと称する。）より反射して来る反射
光の夫々が干渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する牛導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層ニ於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 この点を図面を以って以下に説明する。 第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■。と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ１ｓ
下部界面６０１で反射した反射光ＴＬ２が示されている
。 そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折−＄をｎ１光の
波長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに７ｉ以上の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１
、Ｒ２が２ｎｄ　ｍ　ｍλ　（ｍは整数、反射光は強め
合う）と２ｎｄ　＝（ｍ＋＋）　ｊ　（ｍは整数、反射
光は弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある
層の吸収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光
受容部材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の
層（多層）構成のものであるものにおいては、それらの
各層について第６図に示すような干渉効果が起って、第
７図に示すような伏線となり、その結果、それぞｔｌの
干渉が相乗的に作用し合って干渉Ｍ模様を」】するとこ
ろとなり、それがそのｔ−転写部材に影響し、該部材上
に前記干：ｅ縞梗様に対応した干渉縞が転写、定着され
る可視画像に現出して不良画像をもたらしてしまうとい
った問題がある・この問題を解消する策として、（ａ）
支持体表面をダイヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１
００００大の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例
えば特開昭５８−１６２９７５号公報参照）　、（ｂ）
アルミニウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、
或いは、樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散した
りして光吸収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６
５８４５号公報参照）　、（Ｑ）アルミニウム支持体表
面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドプラスジに
より砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光
散乱反射防ｒｂ層を設ける方法（例えば特開昭５７−１
６５５４号公報参照）等が提案されている。これ等の提
案方法は、一応の結果はもたらすものの、画像上に現出
する干渉縞模様を完全に解消するに十分なものではない
。 即ち、（ＬＬ）の方法については、支持体表面に特定大
の凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による
干渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの
、光散乱としては依然として正反射光成分が残存するた
め、該正反射光による干渉ａ模様が残存してしまうこと
に加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポッ
トに拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしま
う。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する齢、樹脂層よりの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後の１−８１層の形成に悪影υを
与えること等の問題点を有する。 （Ｑ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光Ｉｏは、光受容層８０２０表面でその一部が反射さ
れて反射光用となり、残りは、光受容層８０２の内部に
進入して透過光１１となる。透過光■１は、支持体８０
１の表面に於いて、その一部は、ｙｔ、散乱されて拡散
光絢、Ｒ２、Ｒ３・・・となり、残りが正反射されて反
射光Ｉｔ、となり、その一部が出射光−となって外部に
出ては行くが、出劃光Ｒ３は、反射光Ｒ１と干渉する成
分であっていずれにしろ残留するため依然として干渉縞
模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
ｊ併内部での多重反射が起らないように、支持体８０１
の表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたと
ころでかえって光受容層内で光が拡散してハレーション
を生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面でのｙ射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１ｓ支持体９０１面での正反射光絢の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがった干ｆ＃ｉ縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
９０１表面を不規則に荒すことでは、干＃、縞を完全に
防止することは不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がレフ１間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯力）る大言
な突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらして
しまう。 又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容ｊ韓１００２の凹
凸の傾斜面とが１００３’、１００４’で示すように平
行になる。 したがって、その部分では入射光は、２ｎｄｔ躍ｍλま
たは２ｎｄｔ−（ａ十Ｖ２　）　２（ＤＭ係カ８立チ、
夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光
受容層の層厚（１１，１１ｇ、ｄｌｌｌ１４の夫々の差
の中の最大が５以上である様な層厚の不均一性があるた
め明暗の縞模様が現われる◎従って、支持体１００１表
面を規則的に荒しただけでは、干渉縞模様の発生を完全
に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の−１９１ｔｆ
ｌＪ成の光受容部材のところで税関した支持体表面での
正反射光と、光受容層表面での反射光との干渉の他に、
各層間の界面での反射光による干渉が加わるため、−Ｍ
構成の光受容部材の干渉ｉｍｐＩ４様発現度合より一層
複雑となる・ 更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。 ところで、表面層の層厚が不均一である軟部は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場−［− 合、上述したように　干渉模様の現出を招く他、光受容
部材全体の感度変化、感度むら等をもたらすところとな
る。 こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
＾有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８１で構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすること２目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
Ｇこ常時安定して遅り、耐光疲労に優れ、繰返し使用に
際しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易
である、ａ−８１で構成された光受容層な有する光受容
部材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８１で構成された光受容層を有する
光受容部材を提１」（することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、１４８Ｎ比特性
及び高電気的耐圧性を有する、ａ−８１で構成された光
受容層を有する光受容部材を提供することにある□ 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於けれ密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある０ 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでさ
る、ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についでの前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見？得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上にシリコン原子を母体とする
非晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸
素原子、炭紫原子及び１素原子の中から選ばれる少なく
とも一種とを１１有する非晶質材料で構成された表面層
とを有する光受容層を備えた光受容部材であって、前記
感−坊一 光層と前記表面層との界面において光学的ノｆンドギャ
ップが整合しており、前記支持体の表面が、主ピークに
副ピークが重畳して複数の微小な凹凸形状を成している
断面形状のものであり、且つ、該支持体表面上の前記光
受容層が、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な
界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の
少なくとも一方向に多数配列しているものであることを
骨子とする光受容部材に関するＯところで、本発明者ら
が鋭意研究を重ねた結果書た知見は、概要、以下に記述
するところであるＯ 即ち、支持体上に表面層と感光層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面層と感光層との界面
において、表面層の有する光学的バンドギャップと、該
表面層が直接設けられる感光層の有する光学的バンドギ
ャップとが整合するように構成した場合、表面層と感光
層との界面にδける入射光の反射が防止され、表面層の
形成時における層厚むら又は／及び表面層の摩耗による
層厚むらによってもたらされるところの干渉模様や感度
むらの問題が解、有されるというものである。 また、該光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹
凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状の
１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称す
。）内に少くとも一対の非平行な界面を有するようにし
、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも
一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現われる
干渉模様の問題が解消されること、そして、その場合、
支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断形状を、ショート
レンジ内に形成される各層の層厚の管理された不均一化
、支持体と該支持体上に直接設けられる層との間の良好
な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性Ｐ確保
する為に、主ピークに副ピークが重畳した形状を呈する
ことが望ましいというもので１５６゜ところで後者の知
見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た事実関
係に基づくものであり０ このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 箇１図は、不発明に係る光受容部材の層構成の一例を示
す模式図であり、この例では、支持体１０１の表面が、
主ピークに副ピークが重畳して複数の微小な凹凸Ｊげ状
をなしている断面形状のものであり、該支持体１０１上
に、その凹凸形状に沿って、第一の層１０２と第二の層
１０３とからなる光受容層を備えている。 第２乃至４図は、本発明の光受容部材において、干渉鵡
模様の問題が解消されるところを説明するための図であ
る。第２囚図は前記構成の光受容部材の一部を拡大して
示した図であり、第２０３）図は同部分における明るさ
を示す図である。図中、２０２は感光層、２０３は表面
層、２０４は自由表面、２０５は感光層と表面層との界
面を示している。第２（４）図に示すごとく、表面層２
０３の層厚は、ショートレンジｌ内において４２１から
ｄＢに連続的に変化しているため、自由表面２０４と界
面２０５とは互いに異なる傾むきを有している。したが
って、このシａ−＞レンジＩに入射したレーザー等の可
干渉性光は、該ショートレンジＩにおいて干渉をおこし
、微小な干渉縞模様が生成はする。しかし、ショートレ
ンジ内に於て生ずる干渉縞は、ショートレンジＩの大き
さが照射光スボツシ径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。父、はとん
どないことではあるが、仮に画像に現われる状況が生じ
たとしても肉眼の分解能以下なので、実質的には同等支
障ない◇ 一方、第３図（但し、図中、３０２は感光層、３０３は
表面層、３０４は自由表面、３０５は感光層と表面層と
の界面を示す。）に示すように、感光層３０２と表面層
３０３との界面３０５と、自由表面３０４とが第３（Ａ
）ＩＭのごとく非平行である場合には、入射光りに対す
る反射光用と出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため
、第３（ト））図に示すごとく界面３０５と自由表面３
０４とが平行である一″論− 場合にくらべて干渉の度合が減少する。即ち、干渉を生
じても第３　（０）図に示す如く、一対の界］酊が平行
な関係にある場合よりも、一対の界面が非平行な関係に
ある場ａの方が干渉の度合が小さくなるため、干渉縞模
様の明暗の差が無視しつる程度に小さくなり、その結果
、入射光量は平均化される。 このことは、第２　（（ｍ図に示すようＯこ、表面層２
０３の層厚がマクロ的にも不均一である場合、即ち、異
なる２つの任意の位置における層厚６２８　％１２４が
ａｚｓｆ６ｚ、ｘ　である場合であっても同様であって
、全層領域において入射する光量は第２図（鴎に示すよ
うに均一となる。　′ 以上、支持体上に感光層と表面層とが積層さｉている場
合について記載したが、本発明の光受容部材の感光層が
多層構造を有している場合）例えば第４図に示すように
支持体上に、二つの１成層４０２と４０２′からなる感
光層４０２、および表面層４０３が積層されている場合
であっても、入射光■。に対して反射光Ｒ１、＆　％　
ＴＬｓ　、Ｒ４および２Ｏ− Ｒｓが存在するが、４０２′、４０２’、　４０３の各
々の層において第３図において説明したごとき入射する
先位が平均化される現象が生ずる。 その上、ショートレンジｌ内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生ずる。そのため
、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層界面の回
折による干渉との積として現われる。 したがって、光受容層全体で考えると干渉は名々の層で
の相栄効果となるため、本発明の光受容部材においては
、光受容層を構１席する層の路が増大するにつれ、より
一層〒渉による影響を防止することができる〇 以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
７こ形状を呈しているものである。 かくなる表面形状を有する支持体の使ルは、その上に光
受容ＩＧＪが形成されてなる光受容部材を、光受容層を
通過した光が支持体表面で反射゛することにより干渉し
形成される画像が縞模様となることを効率的に防止し、
優れた＠像を形ｓＡ・１することにつながる。 本発明の光受容部材の支持体の表面について、如姑す凹
凸膨軟の１周期の大きさｌは、照射光σ）スポット径を
Ｌと嶌れば、ｌ≦Ｌの関係にあることが必要である。 また、本発明の光受容部材の光受容層は、感ゲ層と夕面
層とからなり、該感光層は、シリコン原子を母体とする
アモルファス材料、特に好ましくはシリコン原子（８１
）と、水素原子０又にハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも
一方を含有するアモルファス材料〔以下、「ａ−ｓｉ（
Ｈ，ｘ）Ｊと表記する。〕、あるいけ、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から遺ばれる少なくとも一種？含
有するａ８１（Ｈ＊Ｘ）で構成されており、該糖−の層
には、さらに伝導性全制御する物質を含有せしめること
が好ましい。そして、該第−の層は多層構造を有してい
ることもあり、特に好ましくけ、前記伝導性を制御する
物質を含有するｉｉＥ荷注入１１１止層又は／及び電気
絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を構成層の一つとし
て有するものである。 また、前記表面層は、シリコン原子とＮ酸素原子、伏素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一秤とを
含有する非晶質材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓ
ｌ）と、酸素原子（０）、ｈ、ｉ　緊原子（０）及び窒
素原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一釉と、水素
原子（１■）及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいず
れか一方とを含有する了モル７アス材料〔以下、「ａ−
８↓（０，Ｏ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。）で構成
されている。 本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成されｂ光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、感光層と表面層とを積層して有し、さらに感
光層にあっては、後で詳述するように、感光層の支持体
側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量に含有す
る局在領域（すなわち電荷注入阻止層）を形成せしめる
こと、又は／及び、感光層の支持体側の端部に障壁層を
形成せしめることが望ましく、こうした構成層を有する
本発明の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の
界面が形成されることとなるが、本発明の光受容部材に
おいては、光受容層のショートレンジｌの層厚内（以後
、「微小カラム」と称す。）において、少なくとも一対
の非平行な界面が存在するようにされる。 そして、本発明の目的をより効果的に達成する為には微
小カラムにおける層厚の差、前述のｍ　２　（＆）図に
お目るｄ２１とａｆｆｚの差は、照射光の波長Ｐ１とす
ると、次式； ｄ２１　６．２２≧Ｊ（ｎ、光受容層の屈折率）ｎ を満足することが望ましい・そして、該層厚の差の上限
は、好ましくは０．１μ餌〜２声匍１より好ましくは０
．１μ堺〜１．５μ簿、最適には０．２ｐｍ−２４＝ 〜１μ惰とすることが望ましい〇 前述のごとく、本発明の光受容部材においてはショート
レンジ！内において、少くともいずれか２つの界面が非
平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、こ
の条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面が
存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある界
面について、任意の２つの位置をとって１それらの位置
における層厚の差をΔｌとし、照射光の波長’ｆ’　Ｊ
　Ｘ層の屈折率ｆｎとした場合、次式：

【満足するよう
に、層又は層領域を形成するのが望ましい◇ 本発明の光受容層の作成については、本発明の前述の目
的を効率的に達成するために、その層厚を光学的レベル
で制御する必要があることから、グレー放電法、スパッ
タリング法、イオンブレーティング法等の真空堆積法が
通常採用されるが、これらの他、光ＯＶＤ法、熱０ＶＴ
）法等を採用することもできる。 以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。 第１図は本発明の光受容部材の層構成を説明するために
模式的に示した図であり、図において１００は光受容部
材、１０１は支持体、１０２は感光層、１０３は表面層
、１０４は自由表面を表わしている。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。 支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、スパッタリング
などの物理的方法、旋盤加工などの機械的方法などによ
って形成されるが、生産管理を容易に行なうためには、
旋盤などの１械的加工方法が好ましい◎ たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプルグラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、ピ
ッチ、深さで形成される。この様な切削ｂｒ１工法によ
って形成される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支
持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の
螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋
構造とされても差支えない・ 或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造ご導
入しても良い。 また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るために、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に、これに加えて、入射光を効率よく一
方向に散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に２７一 対称（第５図（Ａ））、または、非対称（第５図［８）
）に統一されていることが好ましい。しかし、丈長体の
加工管理の自由度を高めるためには、両方が混在してい
るのがよい。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した。 ヒで、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。 即ち、第１には、光受容層を構成するａ−８１層（−１
、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状
態に応じて層品質は大きく変化するＯ 従って、ａ−８１層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。 第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことができなくなる〇また、ブレードクリーニン
グを行う場合、ブレードのいたみが早くなるという問題
がある◎上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討し
た結果、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは０．
３ｐ％　〜５００　ＰＮ、　　、ｌ：　ＩＪ好１１゜く
は１μｍ〜２００μ慣、最適には５μｍ〜５０μｍであ
るのが望ましい。 又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μ溪
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ１　最適には０．
６ｐｔｎ〜２　ｐｍとするのが望ましい。支持体表面の
凹部のピッチと最大深ざが上記の範囲にある場合、凹部
（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１ｇ
Ｆ〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とするのが望ましい。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ１ステンレス、Ａｌ５Ｏ
ｒ、　ＭＳ、Ａｕ、ＮｂＳ’Ｉ’ａ、Ｖ。 ＴＩ、Ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ホ０リエチ
ｔ−ン、ポリカーボネート、セル胃−ス、アセテート、
ポリプロピレン、ｌり塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。こ
れ等の電気γ１へ縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の妻面を１竹り処理し、該導電処理された表面側
に５ｔ、受容層？設けるのが望ましい。 ＦＩＡえば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ０ｒ。 Ａ／　％　Ｑｒ　）Δｆｏ、Ａｕ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ
　、　’Ｉ’ｍ、Ｖ、〒１−１Ｐｔ。 Ｐｌ　、　Ｔｎｚ０３　、５ｎ０２　、ＴＴＯのｔｇ□
ｓ　＋　５ｎＯｚ　）　　等から成る薄膜′ｆｉ−設け
ることによって導電性を付与し、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｔＯｒ　％、
Ａ４　、ムｇ　）ｐｂ　ＳＺｎ　ｓＮｔ、Ａｕ　ｚＯｒ
　１ＭＯＮ　Ｔｒ、Ｎｂ、’Ｉ’ａ　ｓ’ｌ　ＳＴＩ　
％　Ｐｔ　　等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面ト１ネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は、円筒状、ペルシ状、板状等任
意の形状であることができるが、用途、所望によって、
その形状は適宜に決めることのできるものである。例え
ば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部材
として使用するのであれば、連続高速複写の場合には、
無端ベル）状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決
定するが、光受容部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体の
製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、
１０μ以上とされる〇 感光層 本発明の光受容部材において、感光層１０２は、前述の
支持体１０１上に設けられるものであって、ａ　　８１
（ＨＪ）又は酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から
選ばれる少なくとも一種を含有するａ−ｓｉ（ｕ、Ｘ）
で構成されており、好ましくはさらに伝導性全制御する
物質が含有されているものである。 感光層中に含有せしめるハ田ゲン原子（Ｘ）としては、
具体的には７ツ紫、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
０そして、感光層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はノ１０ゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とへロ
ゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は通常の場合１〜４０　
ａｔｏｍｉｅ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｏ％と
されるのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的【効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０
Ｐ１より好ましくけ２〜５０μとする０ ところで、本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を
含有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感変
化と高暗抵抗化、そして支持体と感光層との間の密着性
の向上にあるＯ 本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
業原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の量は、比較的少量でよい。 また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の計は、支持体との密着性の向上を確実に図るために
、比較的多量にされる。 本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
σ）であり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｏ　
％、好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉａ％、最
適にはα００３〜３０ａｔｏｍｉａ％　とする。 ところで、感光層の全層領域に含有せしめるか、あるい
は、含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中
に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる量
の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば
、含有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の÷とな
るような場合には、含有せしめ６量は通常３０ａｔｏｍ
ｉｏ％以下、好ましくは２０　ｍｔｏｍｉｏ％以下、最
適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中力）ら選ばれる少くとも一種の散が、
支持体側においでは比較的多量であり、支持体側の端部
から表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層
側の端部付近においては、比較的少量となるか、あるい
は実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典
型的な例のいくつかを、第１１図乃至第１９図によって
説明する。しかし、不発明はこれらの例によって限定さ
れるものではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，０，
Ｎ）　Ｊと表記するＯ 第１１乃至１９図において、横軸は原子（０，０，Ｎ）
の分布濃度０を、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢは支
持体と感光層との界面位ｔ！ｔ′ｆｉ：、ｔＴは感光Ｊ
ｆ：ｉの表面層との界面の位Ｍを示す。 第１１図は、感光層中に含有ぜしめる原子（０，０，Ｎ
）０１層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。β例では、原子（０，０，Ｎ　）を含有する感光層と
支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ□までは、ｋ子（０
，０，Ｎ）の分布濃度０が０１なる一定値をとり、位置
ｔ１より表面層との界面位置ｔｙまでは尼子（０，０，
Ｎ　）　の分布濃度０が濃度０２から連続的に減少し、
位置ｔＴにおいては原子（０，０，Ｎ）σ）分布濃度が
０８となる・ 第１２図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，０，Ｎ　）の分布濃度Ｃは、ＷＩ　Ｍ
　ｔＢから位置１．２にいたるまで、濃度ｃ４がら連続
的に減少し、位置１Ｔにおいて濃度ｃ６となる。 第１３図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ！までは原
子（０，０，Ｎ）の分布濃度０が濃度ｃ６なる一定値を
保ち、位＠１．から位置ｔ７にいたるまでは、原子（０
０Ｎ）の分布濃度Ｏは濃度Ｃγがら徐々に連続的に減少
して位置ｔＴにおいては原子（０，０，Ｎ）の分布濃度
Ｃは実質的にゼロとなる・ 第１４図に示す例では、原子（０，０，Ｎ）の分布濃度
０は位［ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度ＣＩから
連続的に除々に減少し、位置ｔ、ｚにδいては原子（（
’）、０．Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる◇ 第１５図に示す例では、原子（０，０，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位ｆｌｆｆｆｉｔｓの間において
は濃度０＠の一定値にあり、位置ガから位ＨｔＴの間に
おいては、濃度Ｃ−から濃度ｏ１０となるまで、−次間
数的に減少する。 第１６図に示す例では、原子（０，０，Ｎ）の分布濃度
０は、位１１ｔｉ＋より位＃　ｔ４にいたるまでは濃度
０１１の一定値にあり、位ｔ　ｔ４より位置１．２にい
たるまでは濃度０１３から濃度０１Ｂとなるまで一次関
数的に減少する。 第１７図に示す例においては、原子（０，０，Ｎ）の分
布濃度０は、位置ｔＢから位置１Ｔにいたるまで、濃度
０１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。 第１８図に示す例では、原子（０，０，Ｎ　）の分布濃
度（］は、位置ｔＢから位置ｔｌにいたるまで濃度Ｃｔ
ａη）ら濃度０１６となるまで一次Ｒ数的に減少し、位
置ｔ５から位置１Ｔまでは濃度Ｃ１＠　の一定値を保つ
０ 最後に、第１９図に示す例では、原子（ｏ　、Ｏ、Ｎ　
）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度０１丁であり
、位置を力１ら位置ｔ６までは、濃度ｏｓｒからはじめ
はゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、
位置ｔ１Ｃは議席（５１ｆとなる。次に、荀’、　Ｎ　
ｔ＠がら位ＷＬｔｖまでははじめのうちは急激に減′し
し、その後は靜かに徐々に減少し、位Ｍｔｖにおいては
４度０１１１とｔｒる。更に位置ｔ１と位置ｔｌの間で
は極めてゆっくりと徐々に減少し、位置−ｔｌにおいて
濃度０２０となる。また更に、位置ｔ４から位ｔｉｎ　
ｔＴにいたるまでは、Ｗ＆　！！ｊＦＯｚｏから実質的
にゼロとなるまで徐々に減少する。 第１１図〜第１９図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，０，Ｎ）の分布濃度０の高い部
分？有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布
濃度Ｏがかなり低い部分を有する力）、あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光
層の支持体側の端部に原子（０，０，Ｎ　）の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と感光層との界面位簡ｔＢか
ら５μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密
着性の向上をより一層効率的に達成することができる。 前記局在領域は、原子（０，０，Ｎ　）を含有せしめる
感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される感光層に要求される特性に従って適宜法める。 局在領域に含有せしめる原子（０，０，Ｎ）の量は、原
子（０，０，Ｎ）の分子濃度０の最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉａ　ｐｐｍ以上、好ましくけ１３００　ａｔｏｍ
ｉｏ　ｐｐｍ以Ｌ１最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。 さらに、本発明の光受容部材においては感光層に伝導性
を制御する物質を、全層領域又は−３９一 部の層領域に均−又は不均一な分布状態で含有ゼしめる
ことができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物′？：拳げることかでき、Ｐ型伝
導性を与える周期律表ｍｌ族に」する原子（以下学に「
第■族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周
期律表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」と
称す。）が使用される。具体的には、第璽族原子として
は、Ｂ（硼素）、Ａ／（アルイニウム）　、Ｇａ（ガリ
ウム）、■ｎ（インジウム）、Ｔ／（タリウム）等Ｐ挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、％Ｇａ
である。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）　、Ａｔ１
（砒素）１．ｓｂ（アンチモン）　、ｎｉ　（ビスマン
）等を挙げることができるか、特に好ましいものは、Ｐ
、８１）である。 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第璽族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。 すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第璽族原子又は第■族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０　〜
Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏ＋ｍｉ。 ｐｐｍであり、好ましくは５×１０〜５　Ｘ　１０１１
０１ａｔｏ　ｐｐｍ　ｚＲ適にはＩ　Ｘ　１０　〜２　
Ｘ　１０”ａｔｏｍｉａｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第璽族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第■族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第璽族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有セしめた場合には
、光受容をの自由表面がθ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
り効率的に阻止することができる。 そして、この場合の含有量は比較的多量である。具体的
に番ゴ、一般的には３０〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍとするが、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔ
ｏｍｉ。 ｐｐｍ５最適にはＩ　Ｘ　１０”　〜５　Ｘ　１０”　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。そして、該効果を効率的
に奏するために番ゴ、一部の層領域あるいは高濃度に含
有する層領域の層厚′ｆ：ｔとし、それ以外の感光層の
層厚をｔｏとした場合、ｔ／を十ｔ。≦０．４の関係式
が成立することが望ましく、より好ましくは該関係式の
値が０．３５以下、最適には０３　以下となるようにす
るのが望ましい。また、該層領域の層厚は、一般的には
３　Ｘ　１０−”〜１０μとするが、好ましくけ４　Ｘ
　１０　’〜８μ、最適には５Ｘ１０”〜５μである。 次に感光層に含有せしめる第厘族原子又は第Ｖ族原子σ
）獣が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から表面層と接する側に向って減少し、表面層と接
する付近においては、比較的少量となるかあるいは実質
的にゼロに近くなるように第１族原子又は第Ｖ族原子を
分布させる場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子
、倹素原子及び窒素原子の中力）ら選ばれる少なくとも
−ｆＩｌｉを含有せしめる場合に例示した、第１１図乃
至１９図の例と同様の例によって説明することができる
。しかし、本発明は、これらの例によって限定されるも
のではない。 そして、第１１〜１９図に示した例のごとく、感光層の
支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃの高い部分を有し、感光層の表面層側においては、
該分布濃度０がかなり低いｆｔ度の部分あるいは実質的
にゼｐに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持
体側に近い部分に第璽族原子又は第■族原子の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域ｒｒ：ｖけること、好ま
しくは該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から
５μ以内に設けることにより、第１族原子又は第■族原
子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を
形成するという前述の作用効果がより一層効率的に奏さ
れる。 以上、第１族原子又は第■族原子の分布状態について、
個次に各々の作用効果全記述したが、所望の目的を達成
しつる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第夏躾原子又は第■族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第夏族原子又は第■族原子の饋を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止Ｉｆ１を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感
光層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御
する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を
含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御
する物質を、電荷明止層に含有される枡よりも一段と少
ないｆｔにして含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支に体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、＆／２０３．８１０２．５ｉｓＮ４等の
蕪機電気絶縁材料やｇ　ＩＪカーボネート等の有機電気
絶縁材料を挙げることができる。 表面層 不発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光Ｍ　
１０２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。 該表面層は、酸素原子（０）、炭素原子（０）及び冒禦
原子（Ｎ）の中から避ばれる少なくとも一種、好市しく
けさらに水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少な
くともいずれか一方を含有するａ−８ｉ〔以下、「ａ　
−８１（０，０，ＮＸＨ、Ｘ月と表記する。）で構成さ
れていて、光受容部材の自由表面１０４における入射光
の反射をへら（、透過率を増加させる機能を奏するとと
もに、光受容部材のＷＩ！湿性、連続繰返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性および耐久性等の緒特性を
向上せしめる機能を爽するものである。 そして、本発明の光受容部材にあっては、表面層１０３
と感光層１０２との界面において、表面層の有する光学
的バンドギャップＥ＠ｐｔと、該表面層が直接設けられ
ている感光層１０２の有する光学的バンドギャップＦｆ
ｏｐｔとが、整合するか、あるいは表面＠　１０３と感
光層１０２との界面における入射光の反射を実質的に防
止しりる程度に整合するように構成される必要がある。 さらに、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由表面
側の端部においては、表面層の下に設けられている感光
層１０２に到達する入射光の光音が充分に確保できるよ
うにするため、表面層１０３の自由表面側の端部におい
ては、表面層の有する光学的バンドギャップＥｏｐｔ　
Ｆ充分に大きくするように構成されることが望ましい。 そして、表面層１０３と感光層１０２との界面において
光学的バンドギャップＲａｐｔが整合するように構成す
るとともに、表面層の自由表面側の端部において光学的
バンドギャップＦｌｏｐｔを充分に大きくするように構
成する場合、表面層の有する光学的バンドギャップが、
表面層の層厚方向において連続的に変化するように１！
１成される。 表面層の光学的バンドギャップＥｏｐｔの層厚方向にお
ける値を前述のごとく制御するには、光学的バンドギャ
ップの調整原子であるところの１素原子（０）、炭素原
子（０）及び窒素原子（Ｎ）σ１中から選ばれる少くと
も一種の表面層に含有せしめる量を制御することによっ
て行なわれる。 具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０）、炭素原子（０）及び窒豫原子（Ｎ）の
中から選ばれる少なくとも一種〔以下、「原子（ＯＯＮ
）Ｊと表記する。〕が含有されていない場合には、表面
層の感光層とにソする側の端部における原子（ＯＯＮ）
の含有ｌをゼロ又はゼロに近い値とし、感光層の表面−
４７＝ 層と接する側の端部において原子（０，０，Ｎ　’）が
含有されている場合については、表面層の感光層と接す
る側の端部における原子（０，０，Ｎ　）の含有量と、
感光層の表面層と接する側の端部における原子（０ρ、
Ｎ）の含有量とが同じか、あるいは実質的に差がないよ
うにする。そして、表面層の感光層側の端部から自由表
面側の端部に向かって、原子（０，０，Ｎ　）の量を連
続的に増加させ、自由表面側の端部付近においては、自
由表面における入射光の反射を防止するのに充分な量の
原子（０，０，Ｎ）　１ｉ？含有せしめる。以下、表面
層における原子（０，０，Ｎ　）の分布状態の典型的な
例のいくつかを、第２０乃至２２図によって説明するが
、本発明はこれらの例によって限定されるものではない
。 第２０乃至２２図において、横軸は原子（０，０，Ｎ　
）およびシリコン原子の分布濃度０、縦軸は表面層の層
厚ｔを示しており、図中、ｔＴは感光層と表面層との界
面位置Ｓｔｙは自由表面位置１実線は原子（０，０，Ｎ
　）の分布濃度の変化、破線はシリコン原子（Ｓｌ）の
分布濃度の変化を示している。 第２０図は、表面層中に含有せしめる原子（０，０，Ｎ
　）とシリコン原子（Ｓｌ）の層厚方向の分布状態の第
一の典型例を示している。該例では、界面位ｆｔｔＴよ
り位置ｔ１まで、原子（０，０，Ｎ　）の分布濃度０が
ゼロより濃度Ｇとなるまで一次関数的に増加し、一方、
シリコン原子の分布濃度は、濃度Ｃ２から濃度Ｃ３とな
るまで一次関数的に減少し、位置ｔ１から位置ｔ７にい
たるまでは、原子（０，０，Ｎ）およびシリコン原子の
分布濃度Ｏは各々濃度へおよび濃度Ｃ３の一定値を保つ
。 第２１図に示す例では、原子（０，０，Ｎ）の分布濃度
０は界面位ｆｉ　ｔＴより位置−まではゼロから濃度へ
まで一次関数的に増加し、位置ｔ３より位Ｎ　ｔｙにい
たるまでは、濃度Ｃ４の一定値を保つ。 一方、シリコン原子の分布濃度０は、位置ｔＴより位Ｍ
　ｔｌまでは濃度Ｏ８から濃度０６まで一次関数的に減
少し、位置１ｇより位置ｔ１までは、濃度Ｃ６から濃度
０１まで一次関数的に減少し、位置ｔｊから位置ｔ１に
いたるまでは、濃１０マの一定値を保つ。表面層の形成
の初期において、シリコン原子の濃度が高い場合、成膜
速度が速くなるか、この例のようにシリコン原子の分布
濃度を２段階で減少することにより、成膜速度を補正す
ることができる。 第２２図に示す例では、位置ｔＴから位置ｔ４までは、
原子（０，０，Ｎ）の分布濃度はゼロから濃度Ｏｓまで
連続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｌ）の分布濃
度Ｃは、濃度０＠から濃度ｃ１ｎまで連続的に減少し、
位置ｔ４から位Ｗ　ｔｐにいたるまでは、原子（０，０
，Ｎ）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｌ）の分布濃
度は、各々濃度０８′８よび濃度０１０の一定値ご保つ
。この例のごとく、原子（０，０，Ｎ）の分布濃度な徐
々に連続して増加せしめる場合には、表面層の層厚方向
の屈折率の変化率２はぼ一定とすることができる。 本発明の光受容部材の表面層は、第２０乃至２２図に示
したごとく、表面層の感光層側の端部においては原子（
ＯｌＯｔＮ　）の分布濃度を実質的にゼνに近い濃度と
し、自由表面側に向かって連続的に増加させ、表面層の
自由表面側の端部においては、比較的高濃度である層領
域を設けるようにすることがａｔしい。そして、この場
合の該層領域の層厚は、反射防止層としての機能および
、保護層としての機能を果たすため、通常は０．１μｍ
以、ヒとなるようにされる。 表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく、含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｔ（十Ｘ）は、通常１
〜４０　ａｔｏｍｉａ％、好ましくは５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｏ％、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とする。 また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酵素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水デ原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や計産性をも加Ｍζした経済性の点に
おいても考慮する必要もある。 こうしたことから、表面ｉ−ｆの層厚は通常は３×１０
　〜３０μとするが、より好ましく　ｔ：１’　４　Ｘ
　１０　”〜２０μ、特に好ましくは５×１０〜１０μ
とする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の賭間顆の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として１
■いた場合にも、干渉現象による形成Ｍ像における下池
縞模様の現出を顕著に防止し、きｈ　Ｉ）で良質η【可
視画像を形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に４４導体レーザーとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速く、さらに杼めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写メ【用光受容部材として適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高Ｓ泣比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長番Ｊ〜濃度が
高く、ハーフ（−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に本発明のツＣ受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或い↓」イオンブレーテ
ィング法等の放電現象耐利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によつ°Ｃ適宜選択されて捩用されるが
、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての
条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭
素原子及び水累原子の導入娠゛容易に行い得る等のこと
からして、グロー放電法或い仁１スパッタリング法が好
適である。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成し”Ｃもよい。 例えば、グロー放磁法によって、ａ−８ｉ（］（、Ｘ）
で構成され６層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（８１）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、
水素原子（■（）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）４人用の原料ガスケ、内部が減圧にし得る堆積室内、
に導入して、該堆積室内にグ四−放寛を生起させ、予め
所定位Ｉｋに設置した所定の支持体表面、Ｌに＆−８ｉ
（Ｊ’ｒ、　Ｘ）から成るＭを）し成ｊる。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとしてに３．　Ｎ　５ｉｆｆ
＊、８１２Ｈａ　、８１３ｆ−１＠　ｚ　８１４Ｈ１０
ｑのガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が挙げられ、特に、ｊ−形成作業のし易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点で、５ｉｔ（４，５ｉｎ）Ｉ６が好ま
しい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、Ｂｒ１Ｆ　、ＯＩＦ　％　０Ｉ
Ｆ３．１３ｒ１％　％Ｂｒ’ｐａ、ｌＦｒ５　ＩＯ！、
ＩＢｒ　痔のハロケン間化合物、お」二び８１Ｆｉ、Ｓ
ｉ！ｆ’（５，８１０ｋ、８１Ｂｒｉ等のハロゲン化合
物等が挙げられ心。上述のごとさへロゲン化姓素のカメ
状態の又はガス化しつるものを用いる場合には、Ｓ１供
給用の原料ガスを別途使用すること］＜Ｌ、で、ハロゲ
ン原子を含有する１−８１で構成ざ口た層が形成できる
ので、特に有効であδ。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水繋ガ
フ（、ＺｆＦ　、　ｌｌ０Ｉ　％　ＨＥｒ　ｓ　Ｈ■　
等のハロゲン化物、Ｓｌ、Ｉｂ　、５ｉａＨａ　、５ｉ
３Ｈ＠　−、８！４Ｈｓｏ　　等の水紫化硅譲、あるい
はＳｉＪ、ｆ２Ｆ１、ＳｉＨｇＩｚ、５ＩＨ２０１２，
５１）ｉ（］？３．５ｉＩＩ２Ｅｒ２　、Ｓｉｈ’Ｂｒ
）　　等のハｊＪゲン置換水素化硅紫等のガス状闘の又
はガス化しうるちのをノ１１いることかでさ、これらの
原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは光電的特性
の制御という点で極め゛Ｃ有効であるところの水素原子
（Ｈ）の含有量の制＃を容易に行うことができるため１
有効である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロ
ゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導
入と同時に水素原子（ＴＪ）も導入されるので、特に有
効である。 また、ａ−８１層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の層の制御は、例えば支持体
温度、水素原子（Ｔ（）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を導入するために用いるＩＩＳ発物質の堆積室内へ導入
するＭ、放ｉｉ！電力等を制御することによって行われ
る。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ　−８Ｊ、（ＴＴ　、　Ｘ　）から成るｆｉｌ
を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には、
ハロゲン原子を導入するについては、前記のハロゲン化
合物又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、馬或いは前記したシラン類等のガスを
スパッタリング用の堆積室中に導入１７て該ガスのプラ
ズマ雰囲気【形成してやればよい。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＴ（２ガ
スを必要に応じてＨａ　、　Ａｒ　等の不活性ガスも含
めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記
Ｓ１ターゲツト管スパツタリンダすることによって、支
持体上にａ　　８１（ＨｓＸ）から成る層を形成する。 グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ　　５ｉ（Ｈ，Ｘ）はさらに
第厘族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、。 酸素原子あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）の層
の形成の際に、第璽族原子又は第■族原子導入用の出発
物質、窒素原子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出
発物質、あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述し
たａ−８１（Ｔ−Ｔ、Ｘ）形成用の出発物質と共に使用
して、形成する層中へのそれらのｌな制御しながら含有
せしめてやることによって酢なう。 例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第１族原
子導入用するａ　−Ｓｊ、（ｔ］’、　Ｘ　）で構成さ
れる１鐸又は層領域を形成するには、上述のａ　−５ｉ
（Ｉｆ、　Ｘ　）で溝戒される層の形成の際に、第■）
Ａ原子又は第１族原子導入用の出発物質を、ａ　　ｂ　
ｉ　（ｉ■＊　Ｘ　）形成用゛の出発物質とともに使用
して、形成する１−中へのそれらの鏡を制御しながら含
有せしめることによって行なう。 第１族原子導入用の出発物質とし゛Ｃ具体的には硼粱原
子導入用としては、Ｂｚｉ−１ｃ　、Ｂ４．ＥＴＩ　Ｏ
Ｎ　、’Ｂｓ１（ｓ、Ｂｓ１（１ｘ　％　１ｆ３ａ１．
（ｔｏ　％　Ｂ６ｉ１２、Ｂｓ山４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ３、ＢＣｌ２　、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素々ｋが
挙げられる。 この他、Ａｌ０１３、Ｇａｒｌ／３ｇ　Ｇａ（Ｏ）丁！
＞２　、ＩｎＯ／；１　、’１．’１ＯＩＢ等も挙げる
ことができる。 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰ■ｌ−，３、Ｐ２　Ｈ６等の水資化隣
、円（＊ｌ５ＰＦ３、ＰＦ５、　ＰＯ１３、ＰＯ１５）
Ｐ’、Ｂｒ３、ＰＢｒ３、ＰＩａ　’４のハロゲン比隣
が挙げられる。この他、ＡｓＦＴ３、Ａ８Ｆ３、Ａ３０
１３、　　ＡｓＢｒ３、　ＡｓＦ３、　８ｂＨ３１８ｂ
Ｆ３、ｓｂ’ｐ＝　、ＳｂＯ／３．５ｂｃｌ、、　、１
ＢｉＥｉａ　％　ＢｉＯ／３、］ＪｉＢｒ３　’ｌも第
Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とができる。 酸素原子をき有する層又は層領域ご形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのもυ〕が使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ＩＩ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（８１）ｔ−構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）　ｅ構成原子＝５９− とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子（０）及び
水素原子（Ｈ）の３つ分構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（Ｏｉ）、オゾン（Ｏｓ）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯｚ）、−二酸化窒
素（Ｎｅｏ　）　、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）　、四二
酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎｚ０ａ　）、
三酸化窒素（Ｎ０３）　、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素
原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例え
ば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ１０８１Ｈｓ　）　、）ジシ
ロキサン（Ｈ３８１０８１ｕ２ｏｓ　ｉＨ３）等の低級
シロキサン等を挙げることができる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又は８１０２ウエーハ、又はＳｌと５１０２が混合
されて含有されているウェーハをターゲットとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって行えばよい。 例えば、８１ウエーハなターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又ｌＶ及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。 又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又は阻と８１０２の混合した一枚のターゲットを使
用することによって、スパッター用のガスとしての稀釈
ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる
。 ＠素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる〇 窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える０その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子な構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。 例えばシリコン原子（８１）　Ｆ構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）′ｒｒ：ｗＩ成原子とする原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（ｓｉ　）
　Ｔｒ：構成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これ
も叉所望の混合比で混合するかして使用することができ
る。 又、別には、シリコン原子（８１）と水素原子（Ｔ（）
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒業原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎ′ｆｔ構成原子とする力）或いは
ＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモ
ニア（ＮＨａ）、ヒドラジン（Ｈ２１１ＪＮＴ（２）　
、アジ化水素（Ｎ’ｆＪｓ　）　、アジ化アンモニウム
（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒
化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる
。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン
原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（
ＦｓＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素
化合物を挙げることができる〇 スパッタリング法によって、窒素原子ご含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエ
ーハ又は８１４Ｎ４　ウェーハ、又は８１と５ｉ３ＮＪ
　　が混合されて含有されているウェーハをターゲット
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行えばよい。 例えば、８１ウエーハをターゲットとして使用すれば、
窒業原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエー八をスパ
ッタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳｉ３Ｎ４　　とは別々のターゲッ
トとして、又は８１と８１３Ｎ４　　の混合した一枚の
ターゲットを使用することによって、スパッター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とし
て含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って形成できる。 窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー１
１１１の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。 また、例えば炭素原子を含有する層又は層領域をグロー
放電法により形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）′？
ｒ：構成原子とする原料ガスと、炭素原子（ｆｌ）を構
成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（ＩＩ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料
ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又はシリ
コン原子（８１）Ｆ構成原子とする原料ガスと、炭素原
子（Ｃ）及び水素原子（ｌ（）を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或いはシ
リコン原子（８１）を構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Ｓｌ）、炭素原子（０）及び水素原子（■（
）を構成原子とする原料ガスを混合するか、更にまた、
シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスと炭素原子（０）を構成原子とする原料ガス
を混合して使用する。 スパッタリング法によって炭素原子を含有するａ−８１
（Ｈ，Ｘ）で構成される層または層領域を形成するには
、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハ又はＣ（グラファイ
ト）ウェーハ、又はＳｌと０が混合されて含有されてい
るウェーハをターゲットとして、これ等を所望のガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって行う。 Ｍ　エバｓｔウェーハなターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子父は／及びハ四ゲン原
子な導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ
１ウエーハをスパッタリングすればよい。 父、８１とＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハ四ゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマひ形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、　Ｓ
ｉとＩ■とを構成原子とする８　ｉＨａ　、Ｓ　１２Ｈ
ｅ、８１３Ｈｌ、８１４Ｈ１０等のシラン（８１１ａｎ
＠）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする
、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素等が挙げられる〇 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＯＨ４）
　、エタン（０，Ｈ（５）、プロパン（０ｓＨａ　）、
ｎ−ブタン（ｎ−０４Ｈ１＠）　、ペンタン（ＯｉＨｔ
ａ）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＣｈＬ
）、プロピレン（０，Ｈ，）　、ブテン−１（０４Ｈ＠
）、ブテン−２（０４Ｈａ）、インブチレン（０ａＨｓ
　）　、ペンテン（Ｏｓ　ＨＩＬ＋　）　、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２■り、メチルア
セチレン（０ａｌＴ４）　、ブチン（０４Ｈ６）等が挙
げられる。 ８１とＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、８
１．（ＯＴＴｓ）ａ　、８１（Ｏｘ）、ｒｉ）４等のナ
イ化アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガス
の他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｔ（２も使用で
きるＯ グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法により不発明の感光層および表面層を形成
する場合、ａ−８１（Ｈ，Ｘ　）に導入する第璽族原子
又は第Ｖ族原子あるいは原子（０，０，Ｎ）の含有量は
、堆積室中に流入される出発物質のガス流量、ガス流量
比を制御することにより行なわれる。 また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、′形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいは一６８＝ その爪等にも考慮をはらって決定する必要もある。 具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０°Ｃとす
るが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする〇堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ〒ｏｒｒとするが、特に
好ましくはｏ、ｉ〜０．５　Ｔｏｒｒとする。 また、放電パワーは０００５〜５０Ｗ／ｉとするのが通
常であるが、より好ましくは０．０１〜３０児包、特に
好ましくはＯ１旧〜２０Ｗ／ｃｄ　とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の置体的条件は、通常
には個々に独立しては容易にｉｔ決め難いものである。 したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。 本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であり、そのた
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
にするについては、成膜操作中、放電パワー、ガス圧を
比較的高く保つことによって行われる。 そしてそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類
、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体湿度等によ
って異り、これらの種々の条件を考慮して決定される。 ところで、本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、
炭素原子、窒素原子、第璽族原子又は第■族原子、ある
いは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均一
とするためには、光受容層を形成するに際して、前記の
諸条件を一定に保つことが必要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、あるい
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布製炭を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容層を
形成するには、グルー放電法を用いる場合であれば、酸
素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第璽族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する
際のガス流量ヲ、所望の変化率に従って適宜変化させ、
その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス
流すを変化させるには、具体的には、例えば手動あるい
は外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法
により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードル
パルプの６Ｈ日を漸次変化させる操作腎性えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量全制御し、所望の含有率曲線を得ることも
でさる。 また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、酸素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第１族原子
又は第■族原子の層厚方向の分布１度を層厚方向で変化
させて所望の層厚方向の分布状８乙形成するには、グロ
ー放電法を用いた場合と同様に、酸素原子、炭素原子、
窒素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入す
る際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至１０に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２３図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。 図中の２３０本２３０３．２３０４．２３０Ｂ　、２３
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その−例として、たと
えば、２３０２はＳｉｎ、ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、２３０３はｌｆ！で稀釈されたＢ　２Ｈ，ガス
（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ・／Ｈｚと略す。）
ボンベ、２３０４はＯＨ４ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、２３０５はＮ２ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、２３０６はＮ２ガス（純度９９．９９９％）ボン
ベである。 これらのガスを反応室２３０１に流入させるにはガスボ
ンベ２３０２〜２３０６のパルプ２３２２〜２３２６、
リークパルプ２３３５が閉じられていることご確認し又
、流入パルプ２３１２〜２３１６、流出パルプ２３１７
〜２３２１　、補助バルブ２３３２　、２３３３が開か
ｔ’Ｌ　’Ｃい心ことを確認して、先ずメイシノ（ルブ
２３３４　Ｋ開いて反応室２３０１　、ガス配管内を排
気する。次に真空計２３３６の読みが約５　×１０　ｔ
ｏｒｒになった時点で、補助パルプ２３３２．２３３３
　、流出パルプ２３１７〜２３２１を閉じる。 基体シリンダー２３３７上に光受容層を形成する場合の
一例をあげる。ガスボンベ２３０２より８１Ｈａガス、
ガスボンベ２３０３よりＢ、Ｈ＠／Ｈ，ガスの夫夫２バ
ルブ２３２人２３２３　′ｆ：開いて出口圧ゲージ２３
２７．２３２Ｂの圧１１ｋｇ／ｃｊに調整し、流入パル
プ２３１２．２３１３を徐々に開けて、マス７０コント
ローラ２３０？、２３０８内に流入させる。引、き続い
て流出パルプ２３１７．２３１８、補助バルブ２３３２
を徐々に開いてガスを反応室２３０１内に流入させる・
このときのＳｉＦ’、ガス流９１１　、Ｂａ１Ｔｓ　／
Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２
３１γ、２３１Ｂ（ｒ１１整し、叉、反応室２３０１内
の圧力が所望の値になるように真空計２３３６の読みを
見ながらメインバルブ２３３４の開０を調整する。 そして基体シリンダー２３３７の温廖が加熱ヒーター　
２３３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定され
ていることを確詔された後、を瀝２３４０　ｅ所望の電
力に設定して反応１２３（Ｂ内にグロー放電を生起せし
めるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）：
Ｅ−用いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、
Ｂ＊ＴＴｓ／Ｈｚガス流量ど８１Ｈｉガス流量とを制御
しながら、基体シリンダー２３３７上に先ず、硼章原子
を含有するａ　−８１（）Ｔ　、Ｘ）で構成されたＷｋ
光層を形成する。 感光層の上に表面層を形成するには、上記の掃作に引き
続き、例えば８１Ｈ４ガスと［４ガスの夫々を、必要に
応じてＴｉｏ　、　Ａｒ　、　）Ｔｚ等の希釈ガスで希
釈し、所望のガス流量で反応室２３０１内に流入し、マ
イクルコンピューター（図示せず）を用いて、あらかじ
め設計された変化率線に従つて、８ｉＨ４ガスとＯＨａ
ガスのガス流量を制御しながら、原子（ＯＯＮ）を含有
する＆　　８１（ＨｓＸ）で構咬された表面層を形成す
る。 感光層および表面層ケ形成する際、原料ガスの流Ｎをマ
イク四コンピューター等を用いて制御するが、この踪、
各原子導入用の摩料ガスとともに希釈ガスを用いること
により、反応室２３０１内のガス圧を安定させ、安定し
た成膜条件を確保することができる。 また、夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ
以外の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、
又夫々のＮを形成する際、前層の形成に使用したガスが
反応室２３０１内、流出バルブ２３１７〜２３２１から
反応室２３０１内に至るガス配管内に残留することを避
けるために、流出バルブ２３１７〜２３２１を閉じ補助
バルブ２３３２．２３３３　’Ｆ開いてメインバルブ２
３３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。 実施例】 支持体として、シリンダー状Ａ／基体（長さ３５７卸、
径８０關）に旋盤で第２４（Ａ）図に示すような溝を形
成した。このときの溝の形の断面杉状は第２４の）図に
示すとおりであった。なお、第２４（Ａ）図は該Ａ／支
持体の全体図であり、第２４ｇ３）図は、その表面の一
部分の断面膨軟を示す図である。 次に、該Ａ／支持体上に、以下の第１表に示す条件で、
軌２３図に示した製造装置により光受容層を形成した。 なお、表面層形成時におけるＯＨ４ガス、Ｈ２ガス、Ｓ
ｉＦ４ガスのガス流量は第２６図に示す流量変化線に従
って、マイクロコンビニ−ター制御により、自動的に調
整した。 こうして得られた光受容部材について、その光受容層の
層厚を電子、■南緯で測定したところ、光受容層の表面
は、支持体の表面に対して非平行となっており、人７支
持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２　ｐｍ
であった〇さらに、これらの光受容部材について、阿２
５図に示す画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スｌ
ツＦ径８０　ｐｌｌｌのレーザー光を照射してｉｉ＃偉
露光を行ない、現像、転写を行なって画像を得た。 得られた画像において、干＃縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。 なお、第２５（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２５ＣＢ）図は露光装置の全体を模
式的に示１側面略図である。図中、２５０１は光受容部
材、２５０２は牛導体レーザー、２５０３はｆθレンズ
、２５０４はポリゴン之う−を示している。 実施例２ 第２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａ／支持体上に光受
容Ｉｆを形成した。 なお、感光層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６／
８１Ｆａ　Ｓ　１００　ｐｐｍであって、該喘全層につ
いてＩ！Ｊ２００　ｐｐｍドーピングされているように
なるべく導入した。また表面層形成時におけるＮｚガス
、ＳｉＦ４ガスおよびＨ，ガスのガス流量は第２７図に
示す流液変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御
により、自動的に調整した。 こうして得られた光受容部材について、それらの鍛小部
分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定したと
ころ、光受容層の表面は支持体表面に対して非平行とな
っており、また光受容層のシリンダー中央と両端の乎均
層厚の差は２．３μｍであった。 さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用柱の良好な電子写貞特性を
示すものが得られた◎ 実施例３ 実施例１と同様にして、第２４（Ｏ〜（ＩＪ）図に示す
断面形状を有するＡＩ支持体（シリンダーＡ３０１〜３
０３）を得た。 該Ａ／支持体（シリンダー４３０１〜３０３）上に、第
３表に示す層形成条件に従って、光受容層を形成した０
なお、感光層形成時のＢ２Ｈｎ／Ｈ２ガス及びＨ２ガス
の流量の変化および表面層形成時のＮＯガス、Ｈ２ガス
及び８１Ｆ４ガスの流量の変化は各々第２８図および第
２９図に示す流量変化曲線に従って、マイクロフンビュ
ーター制御により、自動的に調整した・また、感光層中
に含有せしめる硼素原子は実施例２と同じ条件で導入し
た。 こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の１厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっていた。 また、光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。 これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得らオｔた画像において、
干渉縞の発生番ま観察され１′、実用性の良好な電子写
真特性を示すもの力譬得られた０ ８４一 実施例４〜１０ 第４〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例３と同様にして、Ａ／支持体（
シリンダーＡ３０１〜３０３）上に光受容ｗＩを形成し
た。なお、各実施例において、感光層形成時、および表
面［Ｊ成時における使用ガスのガス流量は、第１１表に
示すように、各々第３０〜３９図に示す流量変化曲線に
従って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に
調整し、＝ｉ″た、各実施例において感光層中に含有せ
しめる硼素原子は、実施例２と同じ条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 第１１表 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に最波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのＹツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、射光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高（
、ｔｓ−７）−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構造を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明における干渉縞の
発生の防止の原理を説明するための部分拡大図であり、
第２図は、自由表面と、感光層と表面層の界面とが非平
行な場合に干渉縞の発生が防止しうることを示す図、第
３図は、支持体上に設けられる構成層各層の界面が平行
である場合と非平行である場合の反射光強度を比較する
図、第４図は、感光層を構成する層が二以上の多層であ
る場合における干渉縞の発生の防止を説明する図である
。第５図は、本発明の光受容部材の支持体の表面形状の
典型例を示す図である。第６乃至１０図は、従来の光受
容部材における干渉縞の発生を説明する図であって、第
６図は光受容層における干渉縞の発生、第７図は、多層
構成の光受容層における干渉縞の発生、筒８図は、散乱
光による干渉縞の発生、第９図は、多層構成の光受容層
における散乱光による干渉縞の発生、第１０図は、光受
容層の構成層各層の界面が平行である場合の干渉縞の発
生を各々示している。第１１〜１９図は、不発すＩの感
光層における酸素原子、炭素原子および音素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種、および第璽族原子又は第■
族原子の層厚方向の分布状態を表わす図、第２０〜２２
図は、不発［ガの表面層における酸素原子、炭素原子お
よび窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種の層厚方
向の分布状態を表わす図であり、各図において、縦軸は
光受容層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わ
している。第２３図は、本発明の光受容部材の光受＠層
な製造するための装置の一例で、グキー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第２４囚図は、旋盤によ
る機械的加工により形成された、本発明の光受容部材の
支持体の全体図であり、第２４０３）〜Ｃ１図は、該支
持体の表面の一部分の断面形状を示す図である。 第２５図は、レーザー光による画像露光装置を示す図で
ある。第２６乃至３９図は、本発明の光受容層形成にお
けるガス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は光受
容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流り比を表わしてい
る。 第１乃至４図について、 １０１　、、２０１．３０１・・・支持体、１０２．２
０２．３０２．４０２、・・・感光層、４０２’、４０
２′・・・感光層を構成する層、１０３．２０３．３０
３．４０３・・・表面層、１０４．２０４．３０４・・
・自由表面、２０５．３０５・・・感光層と表面層との
界面、 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７０３・・・光受容層、８０１
・・・支持体、８０２・・・光受容％、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９０３・・・第２１１１７
．１００１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１
００３・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面
、第２３図について、 ２３０１・・・反応室、２３０２〜２３０６・・・ガス
ボンベ、２３０７〜２３１１・−マス７０コントローラ
、２３１２〜２３１６・・・流入バルブ、２３１７〜２
３２１・・・流出バルブ、２３２２〜２３２６・・・バ
ルブ、２３２７〜２３３１・・・圧力調整ｊｊ　、　２
３３２．２３３３・・・補助バルブ、２３３４・・・メ
インバルブ、２３８５・・・リークバルブ、２３３６・
・・真空計、２３３７・・・基体シリンダー、’２３３
Ｂ・・・加熱ヒーター、２３３９・・・モーター、２３
４０１・・高周波電源、蛸２５図について、 ２５０１・・・光受容部材、２５０２・・・牛導体レー
ザー、２５０３・・・ｆθシリンダ２５０４・・・ポリ
ゴンミラー。 ＜　　　　　　　　　　　＃ 目（イ）や Ｑ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ロ第３図 （Ａ）　　　　　（Ｂ） （Ｃ） ■り 第４図 位置 第８図 第９図 位置 第１５図 第１６図 □Ｃ 第１７図 □Ｃ □Ｃ 区 寸 派 ξ　Ｎ　　　　′　　　　−’　　　　　０乙 手　続　補　正　書（方式） 昭和６１年２１］２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２５３７５３号 ２　発明の名称 光　受゛容　部　材 ３　補正をする者 事件との関係　　　　！侍許出願人 住　所　　東京都大［Ｈ区下丸子３丁目３０番２−弓名
称　（１００）ギヤノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代１１１区麹町３丁目１２番地６麹
町グリーンビル ５、補正命令の日付 昭和６１年１月８日 （発送日：昭和６１年１月２８０） ６　補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸素原子、
   炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種
   とを含有する非晶質材料で構成された表面層とを有する
   光受容層を備えた光受容部材であつて、前記感光層と前
   記表面層との界面において光学的バンドギャップが整合
   しており、前記支持体の表面が、主ピークに副ピークが
   重畳して複数の微小な凹凸形状を成している断面形状の
   ものであり、且つ、該支持体表面上の前記光受容層が、
   ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し
   、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一
   方向に多数配列しているものであることを特徴とする光
   受容部材。
2. （２）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。
5. （５）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の一つとして有する特許請求の範囲
   第（４）項に記載の光受容部材。
6. （６）感光層が、構成層の一つとして障壁層を有する特
   許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
7. （７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
11. （１１）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺
    旋構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範
    囲第（１０）項に記載の光受容部材。
12. （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
    ている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材
    。
14. （１４）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
    軸に沿つている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光
    受容部材。
15. （１５）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
    する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
16. （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１５）項に記載の光受容部材。
17. （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
    が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
    受容部材。