JPS63151960A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイドから
成る電子写真感光体に関し、詳細には感光体表面を研摩
剤などで研摩再生して繰り返し使用が可能となった電子
写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
から成る電子写真感光体には第２図に示す通りの積層型
感光体が提案されている。

即ち、第２図によれば、アルミニウム等の導電性基板（
１）上にａ−５ｉキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３
ｉキャリア発生層（３）及び表面保３ｉ層（４）を順次
積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（
１）からのキャリアの注入を阻止して表面電位を高める
ために形成されている。

上記表面保護層（４）には高硬度な材料を用いており、
これによって感光体の耐久性を高めているが、それ以外
に電荷保持能力を高める作用がある。

即ち、光導電性ａ−Ｓｉ層から成る電子写真感光体によ
れば、それに何ら不純物元素をドーピングしないと約１
０９Ω・Ｃｌｌ１の暗抵抗率しか得られず、そのために
酸素や窒素又はホウ素などを添加して暗抵抗率を増大さ
せたり、或いは上述したような積層型感光体にしており
、これにより、感光体の電荷保持能が高められる。

この要望に叶う表面保護層用材料には著しく大きな抵抗
率があれば種々の材料が選ばれるが、例えばシリコンの
酸化物、窒化物又は炭化物などが提案されている。そし
て、これらのシリコン化合物は高硬度化及び高砥抗化さ
せるためにアモルファス化しているが、化学量論組成比
に近い組成のＳｉＯ２，Ｓｉ、Ｎ、又はＳｉＣとなり、
そのためにこれらのシリコン化合物はいずれも非光導電
性である。

しかしながら、かかる表面保護層をもつ積層型感光体が
帯電−露光一転写一定着という一連のプロセスから成る
電子写真法に用いられた場合、この感光体表面が酸化さ
れたり、或いは現像剤の成分として用いられる高分子材
料等が感光体表面に付着する現象（この現象はフィルミ
ングと呼ばれる）が生じ、その結果、感光体の初期の電
子写真特性がその表面劣化に伴って経時的に劣化し、初
期の画像が長期に亘って安定して得られないという問題
がある。

〔発明の目的〕

従って本発明は叙上に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は感光体表面の経時的な劣化を解決し、これによ
って初期の画像が長期間に亘って得られる高性能且つ高
信頬性の電子写真感光体を提供することにある。

また本発明の他の目的は受光量を増大させて光感度等の
電子写真特性を高めた電子写真感光体を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、表面が光導電性アモルファスシリコン
カーバイド（以下、アモルファスシリコンカーバイドを
ａ−５ｉＣと略す）から成るＮ領域を具備した電子写真
感光体であって、該層領域が表面から層厚方向に亘って
少なくとも第１の層領域及び第２の層領域から成り、第
１のＮＳＭ域のカーボンとシリコンの原子組成比をｌ：
９乃至９：１の範囲内に設定し且つ第１の層領域のカー
ボン含有量が第２の層領域のカーボン含有量よりも多い
ことを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の電子写真感光体の基本的層構成は第１図に示す
通りであり、この感光体は導電性基板（１）上に光導電
性ａ−５ｉＣ層（５）が形成された構造であり、この層
（５）は自由表面（６）を有している。

本発明によれば、このａ−５ｉＣ［（５）には自由表面
（６）から導電性基Ｆｉ、（１）へ向けてその層厚方向
に亘って第１の層領域（７）及び第２の層領域（８）が
形成されており、第１の層領域（７）のカーボン元素（
Ｃ）とシリコン元素（Ｓｉ）の原子組成比を所定の範囲
内に設定すれば、ａ−３ｉＣから成る非光導電性表面保
護層（４）に比べて硬度が小さくなって所望な表面研摩
性が得られ、これによってその表面（６）に対して研摩
剤などで研摩再生を繰り返し行ってもその研Ｆｊｆｆｉ
において制限を受けないで初期の電子写真特性を維持す
ることができるという点が特徴であり、それに加えて更
に第１の層領域（７）のカーボン（Ｃ）含有量を第２の
層領域（８）のカーボン（Ｃ）含有量よりも多くしてお
り、これにより、第１の層領域（７）のバンドギャップ
が比較的大きくなって第２の層領域（８）に到達する入
射光量が増大し、その結果、光感度を高めることができ
るという点が特徴である。

先ず、ａ−５ｉＣ層（５）が光導電性を有するようにな
ったのはアモルファス化したＳｉ元素とＣ元素のそれぞ
れのダングリングボンドが一価元素によって終端される
ためであり、この−価元素には水素元素（１１）やハロ
ゲン元素があり、この−価元素は５乃至５０原子％、好
適には５乃至４０原子％、最適には１０乃至３０原子％
含有されるのがよく、通常、１１元素が用いられる。こ
の１１元素は上記終端部に取り込まれ易いのでバンドギ
ャップ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優
れた半４体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
く、これによって局在準位密度を下げて光導電性及び耐
熱性（温度特性）を高めることができ、その置換比率は
ダングリングボンド終端用全元素中０．０１乃至５０原
子％、好適には１乃至３０原子％がよい。また、このハ
ロゲン元素にはＦ、ＣＩ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ等があるが、
就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度によって原子
間の結合が大きくなり、これによって熱的安定性に優れ
るという点で望ましい。

更にこの光導電性ａ−５ｉＣ層（５）によれば、Ｃ元素
とＳｉ元素の原子組成比を１　：　ｔｏｏ乃至９：１の
範囲に、好適には１：５０乃至５：１の範囲内に設定す
るとよく、この範囲内であれば暗導電率を十分に小さく
して帯電能を高めることができる。

このようなａ−３ｉＣＮ（５）のなかで自由表面（６）
を有する第１の層領域（７）に対してＣ（！：Ｓｉの原
子組成比を下記の通りに所定の範囲内に設定すると光導
電性を維持しつつ適度な表面研摩性が得られることを見
い出した。

即ち、本発明の電子写真感光体によれば、第１の層領域
（７）のＣとＳｉの原子組成比を所定の範囲内に設定し
た場合、非光導電性ａ−ＳｉＣ層に比較して硬度が小さ
くなり、このような光４電性ａ−５ｉＣ層であれば適当
な研摩手段によってその自由表面を研摩再生し、光導電
性を維持しながらも′４１１続的に使用が可能となるこ
とが挺い出された。この知見によれば、ａ−３ｉＣ感光
体をｗ！、続的に使用した場合に生じる感光体表面の劣
化現象又はフィルミング現象に対して適当な表面研摩手
段を用いて表面を研摩再生すれば、自由表面が感光体初
期と何ら変わらない状態となり、これにより、表面電位
、光減衰及び暗減衰等の電子写真特性がその初期の特性
レベルに維持され、その結果、長期間に亘っ比を１＝９
乃至９：１の範囲内に、好適には１　：３乃至５　：１
の範囲内に設定すると表面研摩性が顕著に優れることが
判明した。この原子組成比がｌ：９＝から外れた場合、
第１の層領域（７）の硬度が著しく小さくなって耐久性
に劣り、特別な研摩手段を設けなくても通常の電子写真
プロセスによって表面研摩が進行し、更に耐湿性に劣る
ために画像流れが生じ易い。また、上記原子組成比が９
：１の範囲から外れた場合には第１の層領域（７）自体
に光導電性がなくなり、これにより、残留電位が大きく
なって画像にカプリが生じ易くなる。

上記の研摩手段としては定期的なメンテナンスの時に感
光体ドラムを複写機から取り出し、このドラムの表面を
研摩剤で研摩すればよく、この研摩剤として、例えばシ
リカ、アルミナ、マグネシア、セリア、クロミア等の酸
化物、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アルミニウ
ム、珪酸マグネシウム等の珪酸化物、ＳｉＣ，５ｉＪ４
＋ＢＮ等々がある。

その他の研摩手段として特開昭４８−４７３４５号公報
又は特開昭６１−１５１５４号公報に提案されているよ
うに複写機の内部に研摩手段を設定してもよい。即ち、
研摩剤を潤滑剤と共に現像剤に添加し、現像時或いはク
リーニング時の摺擦によって感光体表面を研摩してもよ
い。

更に他の研摩手段として特開昭５６−２２４６６号公報
に提案されているように、複写機内部のドラム周囲に研
摩剤を混合分散してウェブ状にしたものを研摩装置とし
て設置し、感光体表面にウェブを圧接して強制的に研摩
してもよい。

また本発明によれば、光導電性ａ−５ｉＣ（５）のなか
で層厚方向に亘ってカーボン含有量を変化させて光感度
を高めることも特徴である。

即ち、自由表面（６）を有する第１のＨｒＪ域（７）の
カーボン含有量が第２の層領域（８）よりも多（なった
場合、第１の層領域（７）のハンドギャップが相対的に
大きくなって受光感度の波長領域が広くなり且つ第２の
層領域（８）に到達する入射光量が増大し、これにより
、受光量の増大に伴って光感度を高めることができる。

更に本発明によれば、上記の光導電性ａ−５ｉＣ＠（５
）に周期律表第１［［ａ族元素（以下、ｎｌａ族元素と
略す）又は周期律表第Ｖａ族元素を（以下、Ｖａ族元素
と略す）を所定の範囲内で含有させるとそれぞれ正極性
又は負極性に有利に帯電能を高めることかできる。

即ち、ｍａ族元素を１０−ｈ乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの
範囲内で、好適には０．１乃至１　、０００ｐｐｍの範
囲内で含有させると正電荷を保持するのに十分に高い抵
抗率をもち且つ基板からの負電荷の注入を防ぐ効果にも
優れ、更に正電荷の電荷移動度が大きく、その結果、正
極性用感光体として提供できる。

このＩ［Ｉａ元素としてＢ＋ＡＩ、Ｇａ＋　Ｉｎ等があ
るが、就中、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感
に変え得る点で、更に優れた帯電能及び感度を有すると
いう点で望ましい。

一方、Ｖａ族元素をＯ乃至１０，０００ｐｐｍの範囲内
で、好適には０．１乃至１　、　ＯＯＯｐｐｍの範囲内
で含有させると負電荷を保持するのに十分に高い抵抗率
をもち且つ基板からの正電荷の注入を防ぐ効果にも優れ
、更に負電荷の電荷移動度が大きく、その結果、負極性
用感光体として提供できる。

このＶａ族元素としてＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂ
ｉがあるが、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性
を敏感に変え得る点で望ましく、或いはノンドープにし
ても膜中の構成元素が少なくなるので安定した特性が得
られ、その上、優れた帯電能及び感度を有するという点
で望ましい。

また、このようにｍａ族元素又はＶａ族元素を上述した
通りの所定の範囲内に含有させた場合、６５０ｎｍ以上
の波長領域ではａ−５ｉ層に比べて顕著に光感度を高め
ることができる。

即ち、ａ−Ｓｉ層の分光感度が６５０ｎｍ以上の波長領
域で急激に低下するのに対して、この層にカーボンを添
加し且つ０．１乃至１０，０００ｐｐｍのｌ１ｌａ族元
素又はＶａ族元素を含有させると短波長領域ではｆｌ−
Ｓｉ層に比べて光感度が劣るが、その反面、長波長領域
では光感度の回復が顕著となり、特に６５０ｎｍ以上の
波長領域ではａ−Ｓｉ層に比べて著しく光感度を高める
ことができる。従って６５０ｎｍ以上の波長領域の半導
体レーザービームに好適な電子写真感光体と成り得る。

上記ａ−ＳｉＣ層（５）の厚みは１乃至５０μｍ、好適
には３乃至３０μｍの範囲内で適宜決められるが、この
範囲内であれば入射光に対する吸収量が太きくなるため
に高光感度及び大きな表面電位が得られる。

また、第１のＷＪ領領域７）の厚みは主として表面研摩
性が有利となるように適宜決められ、その範囲は０．１
乃至１０μｍ、好適には１乃至５μｍの範囲内に設定す
るのが望ましく、０．１　μｍ未満の場合、層厚が小さ
過ぎるために研摩鼠に制約を受け、研摩再生を継続的に
繰り返し行うことができなくなり、１０μｍを超えると
入射光が第２のＮ？ＩＪｉ域（８）に到達し難くなるた
めに光感度が低下傾向となり、これによって画像にカブ
リが生じ易くなる。

更に本発明によれば、基板（１）とａ−ＳｉＣ層（５）
の間に他の層を介在させて電子写真特性を一段と向上さ
せることができる。

この層として、例えば、第３図に示すようなキャリア注
入阻止層（９）を形成した場合、ａ−ＳｉＣ層（５）か
らのキャリアを基板（１）に効率的に注入させると共に
基板（１）からのキャリアの注入を阻止し、これによっ
て表面電位を一段と高めることができる。この層（９）
はポリイミド樹脂などの有機材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，
ＡＩ。０：＋、ＳｉＣ，Ｓ＋３Ｎ４、アモルファスカー
ボン、ａ−３ｉＣ，ａ−Ｓｉなどの無機材料によって形
成される。

また、このキャリア注入阻止Ｎ（９）を半導体材料によ
り形成するに当たって、感光体を正極性に帯電させる場
合にはその伝導型をＰ型に制御し、負極性に帯電させる
場合にはＮ型に制御するのがよく、これによってキャリ
アの注入阻止作用が一段と向上する。例えば、このＰ型
半導体材料にはＢ等のｍａ族元素を、Ｎ型半導体材料に
はＰ等のＶａ族元素をそれぞれ５０乃至１１００００ｐ
ｐの範囲内で含有させたａ−３ｉ又はａ−３ｉＣがある
。

また、他の層としてａ−５ｉ、ａ−・ＳｉＧ、ａ−５ｉ
Ｎ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無機材料から成って電荷保持及
び光励起キャリア輸送の機能を有する層、或いはａ−Ｓ
ｉＣ層（５）を透過したコヒーレント光が基板（１）に
よって反射し、その反射光と入射光が干渉して画像に干
渉縞が生じないようにするためのコヒーレント光吸収層
、更にまた感光体層の基板（１＞に対する密着力を高め
ることができる密着層などを形成してもよい。

更に本発明によれば、光導電性ａ−３ｉＣ層（５）のカ
ーボン含有量については種々の態様があり、これによっ
ても本発明の目的を達成することができる。

即ち、第４図乃至第９図によれば、カーボン含有量の層
厚方向に亘る含有分布を表わしている。

これらの図において、横軸に付された７及び８はそれぞ
れ第１の層領域（７）及び第２の層領域（８）に対応し
た領域である。

これらの図のなかで第５図乃至第９図によれば、カーボ
ン含有量が層厚方向に亘って連続的に又は段階的に変化
しており、これにより、層領域間の界面又は層領域内部
で励起キャリアがトラップされなくなり、その結果、残
留電位の低減化に顕著な効果がある。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−５ｉＣ層（５）はグロー放電分解法、イオンブレー
ティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、熱
ＣＶＤ法等の薄膜形成手段を用いることができ、また、
これに用いられる原料には固体、液体、気体のいずれで
もよい。

また、ａ−３ｉＣ層（５）以外の層を形成するに際して
、これらの層をａ−３ｉ又はａ−５ｉＣにより形成する
のであれば、同様な薄膜形成手段を用いることができる
という点で望ましく、更に同一の成膜装置を用いた場合
、共通した薄膜形成手段によって連続的に積層すること
ができるという利点がある。

例えば、グロー放電分解装置を用いてａ−３ｉ層又はａ
−５ｉＣ層から成る感光体を製作する場合、その気体原
料として５ｉｌｌ□５ｉＪａ、５ｉ３１１ａなどのＳｉ
系ガス、Ｃｌ１４．ＣｚＨｚ、Ｃｚｌｌａ、ＣｚＨａ、
Ｃ３Ｈ１ｌなどのＣ系ガスがあり、そして、１１２．Ｈ
ｅ、Ａｒガスなどをキャリアガスとして用いればよい。

このグロー放電分解法によれば、Ｓｉ系ガスに対してア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを添加した混合ガスよりａ−
３ｉＣ層を形成した場合、著しく大きな高速成膜性が達
成できるという点で望ましい。

次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いて形成する場合、その製法を第１０
図の容量結合型グロー放電分解装置により説明する。

図中、タンク（１０）　（１１）　（１２）　（１３）
　（１４）にはそれぞれＳｉＨ４，Ｃｚ）ｌｘ、ＢＪ、
（Ｈｚガス希釈で２０　ｐｐｍ含有）、Ｈ２、ＮＯガス
が密封されており、これらのガスは対応する調整弁（１
５）　（１６）　（１７）　（１Ｂ）　（１９）を開放
することによって放出され、その流量がマスフローコン
トローラ（２０）　（２１）　（２２）　（２３）　（
２４）により制御され、タンク（１０）　（１１）　（
１２）　（１３）からのガスは主管（２５）へ、タンク
（１４）からのＮＯガスは主管（２６）へ送られる。

尚、（２７）　（２８）は止め弁である。主管（２５）
　（２６）を通じて流れるガスは反応管（２９）へと送
り込まれるが、この反応管（２９）の内部には容量結合
型放電用電極（３０）が設置されており、それに印加さ
れる高周波電力は５０Ｗ乃至３に−が、また周波数Ｉ　
Ｍ！Ｉｚ乃至５０ＭＨｚが適当である。反応管（２９）
の内部にはアルミニウムから成る筒状の成膜用基板（３
１）が試料保持台（３２）上に載置されており、この保
持台（３２）はモーター（３３）により回転駆動される
ようになっており、そして、基板（３１）は適当な加熱
手段により約２００乃至４００℃、好ましくは約２００
乃至３５０°Ｃの温度に均一に加熱される。更に反応管
（２９）の内部にはａ−５ｉＣ膜形成時に高度の真空状
態（放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必
要とすることにより回転ポンプ（３４）と拡散ポンプ（
３５）に連結されている。

以上のように構成されたグロー鵠電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＣ膜を基板（３１）に形成する場合に
は調整弁（１５）　（１６）　（１８）を開いてそれぞ
れよりＳｉＨ４，Ｃｚｔｌ□、１１□ガスを放出する。

これらの放出量はマスフローコントローラ（２０）　（
２１）　（２３）によりコントロールされ、これらの混
合ガスは主管（２８）を介して反応管（２９）へと流し
込まれる。そして、反応管（２９）の内部が０．１乃至
２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が２００乃至
４００℃、容量結合型放電用電極（３０）の高周波電力
が５０讐乃至３　ＫＷ、周波数が１乃至５０ＭＨｚに設
定されていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガス
が分解してａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第１０図に示したグロー放電分解装置を用いて第１表に
示した製作条件によって基板（３１）上に第２の層領域
（８）及び第１の層領域（７）を順次形成し、電子写真
感光体を製作した。

〔以下余白〕

これらの各層領域のＣとＳｔの原子組成比及びホウ素元
素（Ｂ）含有量をそれぞれＸ線マイクロアナライザー及
び二次イオン質量分析計により測定したところ、第２表
に示す通りの結果が得られた。

第２表 また、この電子写真感光体の特性を測定したところ、下
記の通りの結果が得られた。尚、測定用光源に波長７７
０ｎｍの単色光を用いており、以下、同様である。

表面電位・・・８００Ｖ 光感度（半減露光量）・・・１．２μＪ／ｃｍ”残留電
位・・・４０Ｖ この感光体ドラムを半導体レーザービームプリンター（
波長７７０ｎｍ　、印字速度２０枚／分）に実装して印
字したところ、画像濃度が高く、高コントラストでゴー
スト現象が全く生じない良質な画像が得られた。

（例２） 本例においては、第３表に示す通りの製作条件二よって
電子写真感光体を製作した。また、この】光体の成分は
第４表に示す通りである。尚、キャリア注入阻止層の形
成に当たってＮＯガスを用いて基板に対する密着力を高
めている。

〔以下余白〕

第　　４　　表 また、これによって得られた感光体の電子写真特性は下
記の通りの結果であった。

表面電位・・・８５０ｖ 光感度（半減露光計）・・・１．４μＪ／ｃｍ２残留電
位・・・４５Ｖ （例３） 本例においては（例２）により製作した感光体に対して
、研磨再生の評価実験を行った。

即ち、この感光体ドラムの表面をダイヤモンドパウダー
で強制的に研磨し、その表面より約０．３ｐｍ、約０．
７　μｍ　、約１．２　ｔｔｍ及び約２．０　μｍの厚
みに亘って研磨除去し、然る後、その感光体を＋５．６
ＫＶのコロナ放電で正帯電し、次いで単色光（７７０ｎ
ｍ）を照射し、これによって飽和表面電位と光感度を測
定し、更にその感光体を用いて一成分系現象剤にて現像
を行い、画像濃度及びカプリ濃度を画像濃度計を用いて
測定したところ、第５表に示す通りの結果が得られた。

更に比較例として第６表に示す条件で第２図に示すよう
なａ−３ｉ悪感光を製作し、次いでこの感光体に対して
研磨再生の評価を行ったところ、第５表に示す通りの結
果が得られた。

〔以下余白〕

第５表から明らかなように、本発明の感光体は表面から
約２．０μｍ研摩後も表面電位及び光感度は初期特性と
大きく変化せず、画像特性においても初期の良好な画像
を維持することができた。

然るに比較例によれば、表面保護層が存在するまでは（
０，３μｍ研摩）、初期特性を維持することができたが
、０．７μｍを超えた時点から極端に画像が低下し、２
．０μｍ研Ｎ後は表面・電位が著しく低下した。

このように本発明の感光体ドラムによれば、前述した研
摩手段を用いて研摩再生を行った場合、少なくとも研摩
量２．０μｍまでは初期特性を維持することが確認でき
た。

（例４） 本例においては（例２）にて製作した電子写真感光体の
うち第１のＰｉ　ｐＨ域（７）及び第２の層領域（８）
を形成するに当たって、ＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ２ガスの
流量を変えてその領域のＣとＳｉの原子組成比を決め、
これによって感光体Ａ乃至Ｈを製作し、その原子組成比
に対する研摩再生評価実験を行ったところ、第７表に示
す通りの結果が得られた。Ｖこれらの結果はいずれも研
摩量２．０μｍの場合σ特性値である。

〔以下余白〕

第７表より明らかな通り、本発明の感光体Ａ乃至Ｅによ
れば、表面電位、半減露光量、画像濃度及びカプリ濃度
のいずれの特性も充分実用性のある値を示しており、殊
に感光体Ｃ，Ｄは電子写真特性全般に亘って最も優れて
いる。

然るに感光体Ｆは第１の層領域（７）のＣとＳｉの原子
組成比が本発明の範囲外であるために、また感光体Ｇは
第１の層領域（７）と第２の層領域（８）のＣとＳｉの
原子組成比が同じであるために表面電位と画像濃度が著
しく小さくなっており、そして、感光体Ｇを感光体Ｂと
比較した場合、光感度が低下していることが判る。

また感光体１１については第１の層領域（７）のＣとＳ
ｉの原子組成比が本発明の範囲外であるために光感度が
低下してカプリ濃度が顕著に大きくなっていることが判
る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、怒光体
表面を研磨再生して繰り返し使用ができるようになり、
これによってその表面劣化した層を研磨除去したり、フ
ィルミング現象を阻止することができ、その結果、電子
写真初期特性を長期間に亘って得られるようになった高
性能且つ高信頼性の電子写真感光体が提供される。

また、本発明の電子写真感光体によれば、第１の層領域
のカーボン含有量を第２の層領域のカーボン含有量より
も多くしたことによって受光量が増大し、その結果、光
感度、表面電位、画像濃度等々の電子写真特性が全般的
に向上した電子写真感光体が提供される。

更に、本発明の電子写真感光体によれば、Ｉａ族元素又
はＶａ族元素を所定の範囲内で含有させた場合、近赤外
領域の光感度に優れており、これによって半導体レーザ
ービームプリンター用感光体にも適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の基本的層構成を示し
た断面図、第２図は従来周知の電子写真感光体の層構成
を示した断面図、第３図は本発明の電子写真感光体の層
構成を示した断面図、第４図、第５図、第６図、第７図
、第８図及び第９図は光導電性アモルファスシリコンカ
ーバイド層の層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線
図、第１Ｏ図は本発明の実施例に用いるグロー放電分解
装置の説明図である。 ｌ・・・導電性基板 ５・・・光’Ｌ　電性アモルファスシリコンカーバイド
層 ６・・・自由表面 ７・・・第１の層領域 ８・・・第２の層領域 ９・・・キャリア注入阻止層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 同　　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 表面が光導電性アモルファスシリコンカーバイドから成
   る層領域を具備した電子写真感光体であって、該層領域
   が表面から層厚方向に亘って少なくとも第１の層領域及
   び第２の層領域から成り、第１の層領域のカーボンとシ
   リコンの原子組成比を１：９乃至９：１の範囲内に設定
   し且つ第１の層領域のカーボン含有量が第２の層領域の
   カーボン含有量よりも多いことを特徴とする電子写真感
   光体。