JPS63135949A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は残留電位を小さくして画像にカブリが生じない
ようにし且つ半導体レーザービームプリンターに適した
高速複写が可能な電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
される。この要求に対して水素化アモルファスシリコン
が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に優
れているという理由から注目されている。

また、高速印字ができるレーザービームプリンターの開
発に伴ってそのレーザー光源に小型且つ高信鯨性の半導
体レーザーが用いられるようになってきたが、このプリ
ンターにアモルファスシリコン（以下、ａ−５ｉと略す
）感光体を搭載した場合、このレーザー光の発振波長が
近赤外付近にあるためその受光側にあるａ−Ｓｉ怒先光
体光感度特性が劣るという問題がある。この問題を解決
するために感光体のａ−Ｓｉ光導電層にゲルマニウム元
素（Ｇｅ）を適当量ドーピングしてこの層の光感度領域
を長波長側へ移行させることが提案されているが、これ
に伴って表面電位が小さくなるという問題がおきていた
。

このような問題を解決するために第２図に示すような機
能分離型感光体が特開昭５８−１９２０４４号公報に提
案さている。

即ち、第２図によれば、導電性基板（１）の上にアモル
ファスシリコンカーバイドから成るキャリアＭ送層（２
）　、アモルファスシリコンゲルマニウム（以下、ａ−
ＳｉＧｅと略す）から成るキャリア発生層（３）及び表
面保護層（４）が順次形成された積層体が提案されてお
り、そして、このキャリア輸送層（２）は暗抵抗率及び
キャリア移動度の大きい材料と成り得るアモルファスシ
リコンカーバイド（以下、ａ−５ｉＣと略す）により形
成されており、これによって表面電位及び光感度に優れ
且つ残留電位が小さくなることをねらっている。

しかしながら、この公報に示されたアモルファスシリコ
ンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略す）から成るキャ
リア輸送層を形成するに当たってシリコン元素（Ｓｔ）
とカーボン元素（Ｃ）の原子組成比を１：９乃至９：１
の範囲内に設定した場合、キャリア移動度が低下傾向に
あり、これにより、キャリアがａ−５ｉＣキャリア輸送
層でトラツブされ易くなって高光感度特性且つ残留電位
の一層の低減化が難しくなり、その結果、画像にカブリ
が生じ易くなる。

更に半導体レーザービームプリンターにおいては、その
光源がコヒーレント光であるために画像に干渉縞模様が
発生し易いという問題がある。この干渉縞模様が発生す
る原因は、コヒーレント光が基板へ到達し、その基板で
の反射光と入射光が干渉するためであり、この問題を解
決するために基板表面を処理して所要の表面粗さに設定
し、これによって基板へ到達した光を乱反射させること
が提案されている。しかし乍ら、この粗面化処理によっ
て製造コストが大きくなることが避けられず、その処理
を不要にした解決策が望まれる。

〔発明の目的〕

従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり
、その目的はａ−ＳｉＣキャリア輸送層のキャリア移動
度を一段と向上させ、これにより、残留電位を小さくし
て画像にカブリが生じないようにした電子写真感光体を
提供することにある。

本発明の他の目的は高速複写及び高速印字ができる半導
体レーザービームプリンター用の電子写真感光体を提供
することにある。

本発明の更に他の目的は画像に干渉縞模様が全く生じな
いようにし且つ低コスト化を達成した電子写真感光体を
提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に少なくともキャリア輸送層及
びキャリア発生層を形成した電子写真感光体において、
前記キャリア輸送層がａ−ＳｉＣから成ると共にＣとＳ
ｉの原子組成比を１：１００乃至１：９の範囲内に設定
し、前記キャリア発生層がａ−ＳｉＧｅＣから成ると共
にＳｔとＧｅの原子組成比を２：１乃至１００：　１の
範囲内に且つＳｔとＣの原子組成比を１：１乃至ｔｏｏ
：ｉの範囲内に設定したことを特徴とする電子写真感光
体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の電子写真感光体の典型的な層構成を示
しており、この図によれば、導電性基板（１）上にキャ
リア注入阻止層（５）、キャリア輸送層（６）、キャリ
ア発生層（７）及び表面保護層（８）が順次形成された
積層型感光体を示しており、そして、この感光体に対し
てキャリア輸送層（６）とキャリア発生層（７）の積層
順序を変えた積層型感光体であってもよく、或いはこれ
らの積層型感光体からキャリア注入阻止層（５）を除い
てもよい。

本発明によれば、上記キャリア輸送層（６）をａ−５ｉ
Ｃにより形成するに当たってＣ元素とＳｔ元素の原子組
成比を１：１００乃至ｌ：９の範囲内に、好適には１　
：５０乃至１　：９の範囲内に設定し、これにより、こ
のキャリア輸送層（６）のキャリア移動度を向上させ、
更に上記キャリア発生層（７）をａ−ＳｔＧｅＣにより
形成すると共にその原子組成比を所定の範囲内に設定し
、これによって長波長光に対する光感度を高めることを
特徴とする。

先ず、キャリア輸送層（６）を上記の通りの原子組成比
に決めた理由は、Ｃ元素とＳｉ元素の原子組成比が１：
ｌＯＯから外れた場合、キャリア輸送層の暗抵抗率を大
きくして表面電位を高くするという効果が顕著でなくな
り、この原子組成比が１：９から外れた場合、キャリア
輸送層の暗抵抗率が大きくなって表面電位が高くなるが
、その反面、キャリア移動度が低下傾向にあり、これに
よって残留電位が増加して画像にカプリが生じ易くなる
ためである。

上記キャリア輸送層（６）の厚みは１乃至５０μ請い好
適には５乃至３０μｍの範囲内に設定するのがよく、１
μｍ未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象が
顕著になり、５０μＩを超えると画像の分解能が劣化す
ると共に残留電位が大きくなる。

このキャリア輸送層（６）には周期律表第Ｖａ族元素（
以下、Ｖａ族元素と略す）又は周期律表第ｍａ族元素（
以下、ｍａ族元素と略す）を所要の範囲内で含有させて
もよい。

即ち、Ｖａ族元素を含有させる場合、その含有量を０乃
至１０．ＯＯＯｐｐｍ　、好適にはｏ、ｉ乃至１１００
０ｐｐの範囲内で含有させると負帯電に有利な感光体と
なり、このＶａ族元素としてはＰ、Ｎ＋Ａｓ、Ｓｂ等が
あり、就中、Ｐが望ましい。

また、ｍａ族元素を含有させる場合にはその含有量を０
．１乃至１０，０ＯＯｐｐｏ＋　、好適には０，５乃至
１１０００ｐｐの範囲内で含有させると正帯電に有利な
感光体となり、このｍａ族元素としてはＢ、ＡＩ、Ｇａ
＋Ｉｎ等があり、就中、Ｂが望ましい。

上述したような不純物元素をドーピングして所要の通り
に帯電させるという場合、それに加えて暗抵抗率を更に
一層太き（して表面電位を高めるという目的のためには
ｍａ族元素を添加すると有利である。

前記キャリア発生層（７）はａ−５ｉＧｅＣ層から成り
、この層の分光感度特性を測定したところ、特に６５０
乃至８５０ｎｍの波長領域で光感度を高くすることがで
き、これにより、半導体レーザービームプリンター用感
光体に好適となる。

また、このａ−ＳｉＧｅＣキャリア発生層（７）とａ−
５ｔＣキャリア輸送層（６）を第１図に示す積層順序で
組合せた場合、キャリア輸送層（６）はキャリア発生層
（７）で発生したキャリアを輸送すると共に電位保持の
働きがあり、そして、基板（１）からキャリアが注入さ
れるのを狙止する働きを具備し得る。

このようにキャリア発生層と基板の間に前記キャリア輸
送層（６）を介在させた場合、この層自体キャリアの移
動度が比較的高く、これにより、キャリアがこの層の内
部でトラップされることが格段に小さくなり、その結果
、高光感度特性及び残留電位の低減化を達成することが
できる。

本発明によれば、上記の通りにキャリア輸送層（６）を
形成した場合、カーボン量が比較的少ないために帯電能
を十分に高めることが困難となるが、その欠点をａ−Ｓ
ｉＧｅＣキャリア発生層（７）で補完している。

即ち、キャリア輸送層（６）はカーボン含有量が少ない
ので暗抵抗率を十分に大きな値に設定することができな
いが、それに代わってａ−ＳｉＧｅＣキャリア発生層（
７）にはカーボンを含有させており、これによって感光
体の帯電能を十分に大きくすることができる。

更に本発明によれば、第１図に示した積層順序によって
ａ−ＳｉＧｅＣキャリア発生層（７）で実質上光キャリ
アを発生させており、これにより、基板（１）まで入射
光が到達せず、その結果、画像の干渉縞発生の問題が解
消される。

このキャリア発生層（７）については、Ｓｉ元素とＧｅ
元素の含有比率を２：１乃至１００：１の範囲内に、好
適には３：１乃至３０：１の範囲内に設定すればよく、
この範囲内であれば長波長光に対して光の吸収率が大き
くなり、これによって光感度を高めると共にレーザー光
による干渉縞の発生を防止することができる。

また、Ｓｉ元素とＣ元素の含有比率は１：１乃至１００
：１の範囲内に、好適には３：１乃至１００：１の範囲
内に設定するとよく、この範囲内であれば暗導電率を十
分に小さくして帯電能を向上させることができる。

更にキャリア発生層（７）の厚みは、この層が実質上光
キャリアの発生層と成り得るように適宜決められるが、
本発明者等がその厚みを幾通りにも変えて実験を行った
結果、このキャリア発生Ｎ（７）の入射光に対する透過
率が３０Ｘ以下に、望ましくは２０％以下になるように
その厚みを設定すれば基板（１）へ光が全く到達しなく
なる。この層（７）はその厚みを大きくするのに伴って
透過率を小さくすることができるが、その反面、この感
光体の残留電位が増加傾向となる。従って、キャリア発
生層（７）の厚みはその透過率及び残留電位によって決
められることになり、本発明者等が繰り返し行った実験
によれば、１乃至１００μｍ、好適には１乃至３０μｍ
、最適には１乃至５μｍの範囲内に設定すればよいこと
を見い出した。

上述したキャリア輸送層（６）及びキャリア発生ｉ　（
７）はそれぞれａ−３ｉＣ及びａ−３ｉＧｅＣから実質
上構成されるが、そのアモルファス状態のダングリング
ボンドを終端させるために水素元素（Ｈ）やハロゲン元
素を含有させる必要があり、これらの元素の含有量は５
乃至５０原子％、好適には５乃至４０原子％、最適には
１０乃至３０原子％がよく、通常、Ｈ元素が用いられる
。このＨ元素は上記終端部に取り込まれ易いのでバンド
ギャップ中の局在準位密度を低減させ、これにより、優
れた半導体特性が得られる。

また、このＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよ
く、これにより、この層の局在準位密度を下げて光導電
性及び耐熱性（温度特性）を高めることができ、その置
換比率はダングリングボンド終端用全元素中０．０１乃
至５０原子％、好適には１乃至３０原子％がよい。この
ハロゲン元素にはＦ、Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ等があるが
、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度によって原
子間の結合が大きくなり、これによって熱的安定性に優
れるという点で望ましい。

前記キャリア注入阻止層（５）はキャリア輸送層（６）
へのキャリアの注入を阻止するために形成されており、
例えばポリイミド樹脂などの有機材料、５ｉＯｚ＋Ｓｉ
Ｏ，Ａ１２０ｔ、ＳｉＣ＋５ｉ３Ｎｎ、ａ−３ｔ、ａ−
３ｉＣなどの無機材料を用いて形成される。

また、このキャリア注入阻止層（５）を半導体材料によ
り形成するに当たって、感光体を正極性に帯電させる場
合にはその伝導型をＰ型に制御し、負極性に帯電させる
場合にはＮ型に制御するのがよく、これによってキャリ
アの注入阻止作用が一段と向上する。例えばこのＰ型半
導体材料にはＢ等のｍａ族元素を、Ｎ型半導体材料には
Ｐ等のＶａ族元素をそれぞれ５０乃至１００００ｐｐｒ
ａの範囲内で含有させたａ−Ｓｉ又はａ−ＳｉＣがある
。

更に本発明者等が繰り返し行った実験によれば、キャリ
ア輸送層（６）の暗抵抗率が１０′３Ω・Ｃｆｆ１以上
であればキャリア注入阻止層（５）を形成しな（でも電
子写真感光体として十分に実用に供することができるこ
とを見い出した。

前記表面像８！層（８）にはそれ自体高絶縁性、高耐食
性及び高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用
いることができる。例えば、ポリイミド樹脂などの有機
材料、Ｓ　ｉＯｔ　＋　Ｓ　ｉＯ＋　Ａ　１　ｔ　Ｏ：
ｌ　ｌ　Ｓ　ｉＣ＋　Ｓ　ｉ　ｘＮ４．ａ−Ｓｔ、ａ−
ＳｉＣなどの無機材料を用いて形成され、これにより、
感光体の耐久性及び耐環境性を高めることができる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−ＳｉＣキャリア輸送層（６）及びａ−ＳｉＧｅＣキ
ャリア発生層（７）はグロー放電分解法、イオンブレー
ティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、熱
ＣＶＤ法等の薄膜形成手段によって形成することができ
る。また、これに用いられる原料には固体、液体、気体
のいずれでもよい。

例えばグロー放電分解法に用いられる気体原料としては
５ｉｔ（ｚ＋５１ｔＨｉ＋５１ｓＨ１＋５ＩＦｎなどの
Ｓｔ系ガス、ＣＨ＊、ＣｔＨ４，ＣＪｚ、ＣＪｈ、ＣＪ
ａなどのＣ系ガス、ＧｅＨ，、、Ｇｅ、Ｈ，などのＧｅ
系ガスを用いればよく、更にＨ２、Ｈｅ、　Ｎｅ＋　Ａ
ｒなどがキャリアーガスとして用いられる。

また、キャリア輸送層（６）及びキャリア発生層（７）
以外の層を形成するに当たって、その層をａ−Ｓｔ又は
ａ−ＳｉＣにより形成するのであれば、同様な薄膜形成
手段を用いることができるという点で望ましく、更に同
一の成膜装置を用いた場合、共通した薄膜形成手段によ
って連続的に積層することができるという利点がある。

次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体をグロ
ー放電分解法を用いてａ−ＳｉＣ又はａ−ＳｉＧｅＣに
より形成する場合、その製作法を第３図の容量結合型グ
ロー放電分解装置により説明する。

図中、タンク（９）　（１０）　（１１）　（１２）　
（１３）　（１４）にはそれぞれ５ｉｌｌｔ＋ＣＪｚ＋
ＧｅＨ＊＋ＢＪｈ（Ｈｚガス希釈で０．２χ含有）、Ｈ
，、ＮＯガスが密封されており、Ｈ２はキャリアガスと
しても用いられる。これらのガスは対応する調整弁（１
５）　（１６）　（１７）　（１８）　（１９）　（２
０）を開放することによって放出され、その流量がマス
フローコントローラ（２１）　（２２）　（２３）　（
２４）　（２５）　（２６）により制御され、タンク（
９）　（１０）　（１１）　（１２）　（１３）からの
ガスは主管（２７）へ、タンク（１４）からのＮＯガス
は主管（２８）へ送られる。尚、（２９）　（３０）は
止め弁である。主管（２７）　（２８）を通じて流れる
ガスは反応管（３１）へと送り込まれるが、この反応管
（３１）の内部には容量結合型放電用電極（３２）が設
置されており、それに印加される高周波電力は５０讐乃
至３に−が、また周波数はＩＭＨｚ乃至５０ＭＨｚが適
当である０反応管（３１）の内部にはアルミニウムから
成る筒状の成膜用基板（３３）が試料保持台（３４）の
上に載置されており、この保持台（３４）はモーター（
３５）により回転駆動されるようになっており、そして
、基板（３３）は適当な加熱手段により、約２００乃至
４００度、好ましくは約２００乃至３５０℃の温度に均
一に加熱される。

更に反応管（３１）の内部にはａ−ＳｉＣ膜形成時に高
度の真空状態（放電時のガス圧０．１乃至２，０Ｔｏｒ
ｒ　）を必要とすることにより回転ポンプ（３６）と拡
散ポンプ（３７）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えばａ−ＳｉＧｅＣ膜を基板（３４）に形成する場合
には、調整弁（１５）　（１６）　（１７）　（１９）
を開いてそれぞれＳ　ｉ　Ｈａ　＋　Ｃｔ　Ｈｚ　＋　
Ｇ　ｅ　Ｈ＃　Ｉ　Ｈｚガスを放出する。放出量はマス
フローコントローラ（２１）　（２２）　（２３）　（
２５）により制御され、これらの混合ガスは主管（２７
）を介して反応管（３１）へと流し込まれる。そして、
反応管（３１）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度
の真空状態、基板温度が２００乃至４００℃、容量結合
型放電用電極（３２）の高周波電力が５〇−乃至３ＫＷ
　、周波数が１乃至５０ＭＨｚに設定されていることに
相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してａ−３ｉ
ＧｅＣ膜が基板上に高速に形成される。尚、上記したａ
−３ｉＧｅＣキャリア発生層（７）の形成例にはＨ２ガ
スを用いているが、このガスは不可欠ではなり、Ｈ２ガ
スを用いなくても形成することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 本例においては層厚方向に亘って単一組成のａ−ＳｉＧ
ｅＣ膜を形成して分光感度特性を測定した。

即ち、３×３ＣＩＩ＋の角形のアルミニウム製平板を用
意し、第３図に示したアルミニウム製筒状基板（３３）
の周面を一部切り欠いてこの切り欠き部にこの平板を設
置し、タンク（９）より５ｉＨａガス、タンク（１１）
よりＧｅＨ４ガスを、タンク（１０）よりＣ，Ｈ，ガス
を、タンク（１３）よりＨｔガスを第１表に示すガス流
量で放出し、更に製造条件も所定の通りに設定し、グロ
ー放電分解法により上記平板上に５μｍの厚みのａ−Ｓ
ｉＣ膜又はａ−ＳｉＧｅＣ膜を形成した。

（以下余白） かくして得られた試料Ａ（ａ−ＳｉＣ膜）及び試料Ｂ（
ａ−ＳｉＧｅＣ膜）についてそれぞれ分光感度特性を測
定した結果、第４図に示す通りとなった。図中Ｏ印、［
株］印及び・印はそれぞれ試料Ａ、　Ｂ、　Ｃの分光感
度のプロットであり、Ｘ、）１．２はそれぞれの分光感
度曲線である。尚、この分光感度の測定値は櫛型電極法
により各波長において等エネルギー光を照射した時の光
導電率を示す。

この結果から明らかな通り、Ｇｅ含有量が多くなるのに
伴って分光感度ピークが長波長側ヘシフトし、半導体レ
ーザービームプリンターに好適な電子写真感光体に成る
ことが判る。

（例２） 第３図に示したグロー放電分解装置を用いて第２表に示
した製作条件によって基板（３３）上にキャリア輸送層
（６）、キャリア発生層（７）及び表面保護層（８）を
順次形成し、電子写真感光体ドラムを製作した。

〔以下余白〕

このようにして得られた感光体に対して＋５．６ＫＶの
コロナ帯電を行ったところ、表面電位が約８００Ｖにな
り、また、この感光体に波長７８０ｎｍの単色光（露光
量０．３μ−／ｃｍ”　）を照射した結果、光感度が０
．２０ｃｍ”ｅｒｇ−’になり、残留電位は約２０Ｖ　
ニまで著しく低減化した。そして、この感光体ドラムを
半導体レーザービームプリンター（複写速度４０枚／分
）に装着して画像を出したところ、画像に干渉縞が生じ
なく、そして、カブリがなくて高濃度且つ高鮮明な画像
が得られた。

尚、上記成膜用基板（３３）の一部を切り欠いて、その
切り欠き部に３ｘ３ｃｍの矩形のアルミニウム製平板を
装着し、この平板上に上記キャリア輸送層を第１表に示
した条件で成膜し、その膜のＣとＳｉの含有比率をオー
ジェ電子分光法により分析したところ、１：３０であっ
た。

（例３） 本例においては、（例２）中のキャリア輸送層（６）の
形成に当たって５ｔ）１．ガス及びＣ！Ｈ２ガスの流量
比を変え、そして、キャリア発生層（７）の形成に当た
って５ｉｌ（ａガス、ＣＪｚガス及びＧｅＨｓガスの流
量比を変え、これにより、それぞれ種々の原子組成比を
有するキャリア輸送層（６）及びキャリア発生層（７）
を形成し、そして、表面保１ｉＪｉ（８）は（例１）と
同じ条件で形成し、これにより、１０種類の感光体を製
作した。

これらの感光体を、最もカブリが生じ易くなる苛酷な条
件を備えた半導体レーザービームプリンター（複写速度
４０枚／分）に装着して画像を出し、これらの画像の濃
度、或いはカブリが生じた場合のそのカブリ濃度を画像
濃度計によって測定したところ、第３表に示す通りの結
果が得られた。

また、表中の画質評価は◎印、○印及びΔ印の三通りに
区分し、■印は画像濃度が高くてカブリが全（生じなか
った場合を表わし、Ｏ印は画像濃度が高く、カブリがほ
とんど見られなく、実質上何ら支障がない程度の場合を
表わし、そして、Δ印は画像濃度が若干低いか或いはカ
ブリが幾らか見られた場合を表わす。

（以下余白） 第３表より明らかな通り、本発明の範囲内である感光体
り、Ｅ、Ｆ及びＧは優れた画質が得られており、特に感
光体Ｆはカブリが全く生しなかった。然るに感光体Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｈ，Ｉ及びＪはキャリア輸送層又はキャリア発
生層の原子組成比が本発明の範囲外であるために画像濃
度が若干低くなり、カブリが幾らか見られた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−５
ｉＣキャリア輸送層から成る機能分離型感光体を製作す
るに際してＣとＳｉの原子組成比を所定の範囲内に設定
することによって残留電位を小さくして画像にカブリが
生じなくなった。そして、この感光体によれば、カブリ
が最も生じ易い高速複写機に装着された場合、その効果
が顕著であり、これによって本発明の電子写真感光体は
高速複写機に好適な感光体として提供できる。

また、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３ｉＧｅ
Ｃ層を長波長光に対するキャリア発生層とすることがで
き、これにより、半導体レーザービームプリンターに好
適な感光体と成り得た。更にこの感光体によれば、入射
光が基板へ到達しないために画像に干渉縞模様が発生し
なくなり、尚且つ基板表面を粗面化してその表面粗さを
大きくすることが不要となり、これによって低コストな
電子写真感光体が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に示した電子写真感光体の層構
成を表わす断面図、第２図は従来の機能分離型感光体を
説明する層構成の断面図、第３図は容量結合型グロー放
電分解装置の概略図、第４図はアモルファスシリコンゲ
ルマニウムカーバイド層の分光感度曲線を表わす図であ
る。 １　・・導電性基板　５・・キャリア注入阻止層２．７
　　・・キャリア輸送Ｎ　３，８　・・キャリア発生層
４．９　　・・表面保護層 第１図 第２図 □ ［株］発　明　者　石　櫃　　　鴻　吉　滋賀県へ社滋
賀へ ヨ市市蛇溝町長谷野１１６幡地の６　京セラ株式会ヨ市
工場内 ヨ市市蛇溝町長谷野１１６幡地の６　京セラ株式会ヨ市
工場内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に少なくともキャリア輸送層及びキャリア発生層
   を形成した電子写真感光体において、前記キャリア輸送
   層がアモルファスシリコンカーバイドから成ると共にカ
   ーボンとシリコンの原子組成比を１：１００乃至１：９
   の範囲内に設定し、前記キャリア発生層をアモルファス
   シリコンゲルマニウムカーバイドから成ると共にシリコ
   ンとゲルマニウムの原子組成比を２：１乃至１００：１
   の範囲内に且つシリコンとカーボンの原子組成比を１：
   １乃至１００：１の範囲内に設定したことを特徴とする
   電子写真感光体。