JPS60249154A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS60249154A JPS60249154A JP10466684A JP10466684A JPS60249154A JP S60249154 A JPS60249154 A JP S60249154A JP 10466684 A JP10466684 A JP 10466684A JP 10466684 A JP10466684 A JP 10466684A JP S60249154 A JPS60249154 A JP S60249154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- photoconductive
- amorphous
- photoconductive member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は電子写真特性が優れた光導電部材に関し、更に
詳しくは、残留電位が低くなり繰返し露光を行なっても
その特性劣化を起さない光導電部材に関する。
詳しくは、残留電位が低くなり繰返し露光を行なっても
その特性劣化を起さない光導電部材に関する。
［発明の技術的背景とその問題点〕
Ａｎのような導電材料で構成された導電性支持体の上に
各種の光導電物質の層を形成してなる光導電部材は、電
子写真感光体として汎用されている“。
各種の光導電物質の層を形成してなる光導電部材は、電
子写真感光体として汎用されている“。
光導電層を構成する物質としては、非晶質シリコン（ａ
−９ｉと記す）、非晶質セレン若しくはセレン−テルル
系の合金、硫酸カドミウム、若しくは酸化亜鉛、又はポ
リビニルカルバゾール、トリニトロフロオレンのような
有機感光体が知られているが、これらの物質のうち、ａ
−９ｉは、他の物質に比べて、■光感度に優れる、■耐
湿、耐熱性に債れ耐環境性が良好である、■耐摩耗性が
良好である、■製造時若しくは使用時における公害問題
発゛生の虞れがない、などの理由により賞月されている
。
−９ｉと記す）、非晶質セレン若しくはセレン−テルル
系の合金、硫酸カドミウム、若しくは酸化亜鉛、又はポ
リビニルカルバゾール、トリニトロフロオレンのような
有機感光体が知られているが、これらの物質のうち、ａ
−９ｉは、他の物質に比べて、■光感度に優れる、■耐
湿、耐熱性に債れ耐環境性が良好である、■耐摩耗性が
良好である、■製造時若しくは使用時における公害問題
発゛生の虞れがない、などの理由により賞月されている
。
しかしながら、このａ−９ｉｌ！％を備えた光導電部材
にも次のような問題がある。
にも次のような問題がある。
すなわち、導電性支持体の上に直接このａ−Ｓｉ膜を光
導電層として形成した光導電部材を電子写真感光体−と
じて用いた場合、この光導電層の暗減衰が速く、例えば
通常汎用されているカールソン方式の電子写真法では良
質の画像形成ができないという問題である。
導電層として形成した光導電部材を電子写真感光体−と
じて用いた場合、この光導電層の暗減衰が速く、例えば
通常汎用されているカールソン方式の電子写真法では良
質の画像形成ができないという問題である。
したがって、このａ−３ｉ層の暗減衰を小さくすること
、換言すれば、ａ−Ｓｉ層の電荷保持率を高めることが
必要である。ところで、この暗減衰は、ａ−９ｉ層を支
持する導電性支持体の側から該ａ−３ｉ層に電荷が注入
されることによって発生する現象であるから、この暗減
衰の減少のためには、とりもなおさず導電性支持体から
の電荷注入を阻止することが不可欠になる。
、換言すれば、ａ−Ｓｉ層の電荷保持率を高めることが
必要である。ところで、この暗減衰は、ａ−９ｉ層を支
持する導電性支持体の側から該ａ−３ｉ層に電荷が注入
されることによって発生する現象であるから、この暗減
衰の減少のためには、とりもなおさず導電性支持体から
の電荷注入を阻止することが不可欠になる。
このようなことから、導電性支持体と光導電層との間に
、注入されてくる電荷をブロックするためのソロッキン
グ層（障壁層）を設けることが提案されている（応用物
理学会・報告、アブストラクト Ｎｏ ２ａ−Ｒ−１，
１１１７１３年１０月 ２日）。
、注入されてくる電荷をブロックするためのソロッキン
グ層（障壁層）を設けることが提案されている（応用物
理学会・報告、アブストラクト Ｎｏ ２ａ−Ｒ−１，
１１１７１３年１０月 ２日）。
ここで提案されている障壁層は、ａ−９ｉに種々の元素
をドーピングして構成した層である。すなわち、ホウ素
（Ｂ）をドーピングしたａ−９ｉはｐ型半導体となるの
で、それは導電性支持体からの電子に対しブロクキング
効果を有し、またリン（Ｐ）をドーピングしたａ−８ｉ
はｎ型半導体なので正孔の柱入に対しブロッキング効果
を有している。
をドーピングして構成した層である。すなわち、ホウ素
（Ｂ）をドーピングしたａ−９ｉはｐ型半導体となるの
で、それは導電性支持体からの電子に対しブロクキング
効果を有し、またリン（Ｐ）をドーピングしたａ−８ｉ
はｎ型半導体なので正孔の柱入に対しブロッキング効果
を有している。
しかしながら、例えばＢをドーピングしたａ−Ｓｉは、
そのフェルミ準位がいまだａ−３ｉの価電子帯よりも約
９．４ｅＶ程高い。
そのフェルミ準位がいまだａ−３ｉの価電子帯よりも約
９．４ｅＶ程高い。
したがって、このフェルミ準位を更に価電子帯の電位の
側に近づければ、つまりそのバンドギャップを一層小さ
くすることができれば、この障壁層の上にある光導電層
の残留電位を一層小さくすることが可能になり、暗減衰
を小たらしめて電子写真特性の向上を進めることが期待
できる。
側に近づければ、つまりそのバンドギャップを一層小さ
くすることができれば、この障壁層の上にある光導電層
の残留電位を一層小さくすることが可能になり、暗減衰
を小たらしめて電子写真特性の向上を進めることが期待
できる。
［発明の目的］
本発明は光導電層の残留電位が一層小さく、したがって
電子写真特性が従来にまして更に向上した光導電部材の
提供を目的とする。
電子写真特性が従来にまして更に向上した光導電部材の
提供を目的とする。
［発明の概要１
本発明者は上記した知見を基礎にして、光導電層の残留
電位の低下に資する障壁層の物質に関し種々、の検討を
加えた結果、後述する物質はその効果大であるとの事実
を見出し、本発明の光導電部材を開発するに到った。
電位の低下に資する障壁層の物質に関し種々、の検討を
加えた結果、後述する物質はその効果大であるとの事実
を見出し、本発明の光導電部材を開発するに到った。
すなわち、本発明の光導電部材は、導電性支持体と光導
電層の間に障壁層を有する光導電部材であって、該障壁
層が、シリコン、ゲルマニウム。
電層の間に障壁層を有する光導電部材であって、該障壁
層が、シリコン、ゲルマニウム。
周期律表ｍｂ族元素及び水素を必須成分とする非晶質又
は微結晶質物質の層であることを特徴とする。 ′ まず、導電性支持体としては、この技術分野で通常支持
体として使用されるものであれば何であってもよく格別
限定されるものではない。また、光導電層としては、
ａ−３ｉ層、ａ−９ｉ−ＧｅＪｌやこれらが炭素、窒素
、酸素のいずれか一つ以上の元素で化学修飾された材料
などをあげることができるが、これらのうち、ａ−３ｉ
層、ａ−８ｉ−Ｇｅ層などは好適なものである。
は微結晶質物質の層であることを特徴とする。 ′ まず、導電性支持体としては、この技術分野で通常支持
体として使用されるものであれば何であってもよく格別
限定されるものではない。また、光導電層としては、
ａ−３ｉ層、ａ−９ｉ−ＧｅＪｌやこれらが炭素、窒素
、酸素のいずれか一つ以上の元素で化学修飾された材料
などをあげることができるが、これらのうち、ａ−３ｉ
層、ａ−８ｉ−Ｇｅ層などは好適なものである。
本発明にかかる障壁層は、上記した導電性支持体の上に
膜状に形成された層であって、シリコン（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ） 、周期律表ｍｂ族元素及び水素（）
ｌ）を必須成分とし、全体が非晶質又は微結晶質組織か
ら成っている。具体的には、次式： ａ−９ｉｔ、Ｇｅ
、Ｈｙ（” ｂ）２（ｍ ｂは周期律表■ｂ族元素を表
すし、 ”＋ｙ、２はいずれも各元素の原子％を表わす
）で示される組成のものである。
膜状に形成された層であって、シリコン（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ） 、周期律表ｍｂ族元素及び水素（）
ｌ）を必須成分とし、全体が非晶質又は微結晶質組織か
ら成っている。具体的には、次式： ａ−９ｉｔ、Ｇｅ
、Ｈｙ（” ｂ）２（ｍ ｂは周期律表■ｂ族元素を表
すし、 ”＋ｙ、２はいずれも各元素の原子％を表わす
）で示される組成のものである。
ここで、Ｇｅは障壁層のバンドギャップ（Ｅｇ）の大小
に影響を与えその制御を可能にする成分である。その存
在割合は、原子％Ｘで表わして０．０５≦Ｘ≦０．５の
範囲内にあることが好ましい。
に影響を与えその制御を可能にする成分である。その存
在割合は、原子％Ｘで表わして０．０５≦Ｘ≦０．５の
範囲内にあることが好ましい。
Ｘが０．５を超えると、膜特性いわゆる電荷が膜中を走
行する特性が悪化し感光特性が劣化するような問題が生
じ、また、Ｘが０．０５より小さい場合にはＥｇ制御の
困難性が増す。
行する特性が悪化し感光特性が劣化するような問題が生
じ、また、Ｘが０．０５より小さい場合にはＥｇ制御の
困難性が増す。
■は後述する製造方法の結果障壁層に混在する成分であ
って、その存在割合は、原子％ｙで表わして５≦ｙ≦３
０の範囲内にあることが好ましい。
って、その存在割合は、原子％ｙで表わして５≦ｙ≦３
０の範囲内にあることが好ましい。
ｙがこの範囲を外れるということは、他の必須成分が好
ましい存在割合でこの障壁層に存在していないというこ
とを表わす。
ましい存在割合でこの障壁層に存在していないというこ
とを表わす。
ｍｂ族元素は、Ｇｅの作用と一体となってＥｇの低下に
資する成分である。これら元素のうち、とくにＢは有効
である。ｍｂ族元素の存在割合は、原・子％２で表わし
て０．０１≦２≦０．１の範囲内にあることが好ましい
。２が０．１を超えると、膜質が悪くなりドラムへの付
着性が悪化するような問題が生じ、また、２が０．Ｏｌ
より小さい場合にはＥｇ低下に資することがない。
資する成分である。これら元素のうち、とくにＢは有効
である。ｍｂ族元素の存在割合は、原・子％２で表わし
て０．０１≦２≦０．１の範囲内にあることが好ましい
。２が０．１を超えると、膜質が悪くなりドラムへの付
着性が悪化するような問題が生じ、また、２が０．Ｏｌ
より小さい場合にはＥｇ低下に資することがない。
他の必須成分はａ−９ｉである。その存在割合は、Ｇｅ
の存在割合Ｘにだいし、１−ｘ原子％量であることが好
ましい。
の存在割合Ｘにだいし、１−ｘ原子％量であることが好
ましい。
本発明にかかる障壁層は以上の４成分を必須とするが、
更に、ここに、化学修飾物質として、炭素（Ｃ）、窒素
（Ｎ）、酸素（０）のいずれか１つ又は２種以上を含ん
でいてもよい。このような化学修飾物質は、製造の過程
（後述）で用いる原料ガスから導入されるものである。
更に、ここに、化学修飾物質として、炭素（Ｃ）、窒素
（Ｎ）、酸素（０）のいずれか１つ又は２種以上を含ん
でいてもよい。このような化学修飾物質は、製造の過程
（後述）で用いる原料ガスから導入されるものである。
このような物質が存在しても障壁層全体の機能には支障
をきたさないだけでなく、むしろ、導電性支持体との接
合性が良好になるという思わぬ効果が得られる。また、
原料ガスとの関係からして、この障壁層にはフッ素。
をきたさないだけでなく、むしろ、導電性支持体との接
合性が良好になるという思わぬ効果が得られる。また、
原料ガスとの関係からして、この障壁層にはフッ素。
塩素のようなハロゲン原子が存在していてもよい。
このような障壁層はいずれも後述する方法で形成された
非晶質（アモルファス）又は微結晶質（マイクロクリス
タリン）である。
非晶質（アモルファス）又は微結晶質（マイクロクリス
タリン）である。
本発明の光導電部材は、導電性支持体にたいし従来から
行なわれている化学蒸着法（ＣＶＤ法）を適用して順次
各層を形成することによって製造することができる。
行なわれている化学蒸着法（ＣＶＤ法）を適用して順次
各層を形成することによって製造することができる。
例えば、導電性支持体をプラズマグロー放電装置の中に
セットし、該支持体を所定温度に維持しつつここに、上
記した各必須成分を含む各種の反応ガスを所定の割合、
圧で導入する。
セットし、該支持体を所定温度に維持しつつここに、上
記した各必須成分を含む各種の反応ガスを所定の割合、
圧で導入する。
例えば、Ｓｉ源用のガスとして５ＩＨ４，Ｇｅ−ＩＸ用
のガスとしてＧ ｅ Ｈ４、Ｂ源用のガスとしてＢ２Ｈ
６を用いた場合には、支持体表面に形成される層は、Ｓ
ｉ、Ｇｅ。
のガスとしてＧ ｅ Ｈ４、Ｂ源用のガスとしてＢ２Ｈ
６を用いた場合には、支持体表面に形成される層は、Ｓ
ｉ、Ｇｅ。
Ｂ、Ｈの４成分からなる非晶質又は微結晶質の物質にな
る。また、この層に前記したＣ、Ｎ、Ｏ，ハロゲン原子
などを含有せしめる場合には、ガス源として、例えばｃ
Ｈ４，ＮＨ３，０２，ＳｉＦ４などの所望元素を有する
化合物のガスを選択し、それらを所定量混入せしめれば
よい。
る。また、この層に前記したＣ、Ｎ、Ｏ，ハロゲン原子
などを含有せしめる場合には、ガス源として、例えばｃ
Ｈ４，ＮＨ３，０２，ＳｉＦ４などの所望元素を有する
化合物のガスを選択し、それらを所定量混入せしめれば
よい。
各必須成分用の原料ガスについていえば、ａ−Ｓｉにつ
いてはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ、、ＳｉＦ２；
ＧｅについてはＧｅＨ４，ＧｅＦａ； ＢについてはＢ
２Ｈ６，Ｂ（４３，ＢＦ３などである。これらの各原料
ガスの混合割合は、目的とする障壁層の組成から逆規定
されるので、一義的に定めることはできない。
いてはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，ＳｉＦ、、ＳｉＦ２；
ＧｅについてはＧｅＨ４，ＧｅＦａ； ＢについてはＢ
２Ｈ６，Ｂ（４３，ＢＦ３などである。これらの各原料
ガスの混合割合は、目的とする障壁層の組成から逆規定
されるので、一義的に定めることはできない。
また、支持体の温度をあまり高くすると、その表面に形
成された障壁層物質の結晶化が進行するので、その上限
は高くとも ３００℃以下に制限されることが好ましい
。
成された障壁層物質の結晶化が進行するので、その上限
は高くとも ３００℃以下に制限されることが好ましい
。
このようにして形成された障壁層の上に、ガス源を切換
えることにより所望の光導電層をＣＶＤ法で形成して本
発明の光導電部材が製造される。
えることにより所望の光導電層をＣＶＤ法で形成して本
発明の光導電部材が製造される。
例えば、光導電層をａ−３ｊのみで形成する場合には、
原料ガスはＳ ｒ Ｈａのみである。
原料ガスはＳ ｒ Ｈａのみである。
［発明の実施例］
１、正
アルミニウム酸のドラムをプラズマグロー放電反応装置
内にセットし、高周波電力３００Ｗでドラムを２８０℃
に高周波加熱した。
内にセットし、高周波電力３００Ｗでドラムを２８０℃
に高周波加熱した。
ついで、 Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ，の注入容積比ＬＸＩＱ−
２゜ＧｅＨ，／ＳｉＨ４注入容積比０．５ 、ＧＨ４／
５ｉＨ４（’）注入容積比ｌの条件で、各成分ガスを
装置内に導入し、反応圧を３ Ｔｏｒｒに維持して、１
０分間反応を継続せしめた（障壁層の形成、厚み約ＩＩ
Ｌｍ）。ついでこのまま１５分間放置してから、ここに
Ｂ ２Ｈｐ ／ Ｓ ＋ Ｈａの容積注入比ｌＸｌ０−
’の条件で２成分のガスを導入して６０分開成膜操作を
行なった（光導電層の形成）。
２゜ＧｅＨ，／ＳｉＨ４注入容積比０．５ 、ＧＨ４／
５ｉＨ４（’）注入容積比ｌの条件で、各成分ガスを
装置内に導入し、反応圧を３ Ｔｏｒｒに維持して、１
０分間反応を継続せしめた（障壁層の形成、厚み約ＩＩ
Ｌｍ）。ついでこのまま１５分間放置してから、ここに
Ｂ ２Ｈｐ ／ Ｓ ＋ Ｈａの容積注入比ｌＸｌ０−
’の条件で２成分のガスを導入して６０分開成膜操作を
行なった（光導電層の形成）。
最後に、Ｂ２Ｈ６のガス供給を絶ち、 ＣＨａ ／ Ｓ
＋ Ｈａの容積注入比０．３の条件で２成分のガスを
導入してａ−ＳｉとＣの混合薄層を形成した（表面保護
層の形成）。
＋ Ｈａの容積注入比０．３の条件で２成分のガスを
導入してａ−ＳｉとＣの混合薄層を形成した（表面保護
層の形成）。
得られたドラムを暗中に置き電圧１１１ｋＶでコロナ放
電試験を行なったところ、表面帯電量は４５０ｖであっ
た。暗減衰率は１５秒後で３０％であった。また、この
ドラムにｌＯ万回の露光現像処理を反復したところ、残
留電位の上昇は全く観察されず２ｖ以下の値を維持した
。
電試験を行なったところ、表面帯電量は４５０ｖであっ
た。暗減衰率は１５秒後で３０％であった。また、この
ドラムにｌＯ万回の露光現像処理を反復したところ、残
留電位の上昇は全く観察されず２ｖ以下の値を維持した
。
−２、正 の ゛
装置内に導入した反応ガスの容積注入比が、それぞれ、
Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４＝ Ｉ Ｘ １０−２． Ｇｅ）Ｉ
４／５ｉＨ４＝０．５ 、 （Ｊ ／ＳｉＨ＝０．７５
． ＳｉＦ ／５ｉＨ４＝０．３で４ ４ ４ あったこと、圧が２Ｔｏｒｒであったことを除いては、
実施例１と同様の方法で光導電部材を製造した。
Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４＝ Ｉ Ｘ １０−２． Ｇｅ）Ｉ
４／５ｉＨ４＝０．５ 、 （Ｊ ／ＳｉＨ＝０．７５
． ＳｉＦ ／５ｉＨ４＝０．３で４ ４ ４ あったこと、圧が２Ｔｏｒｒであったことを除いては、
実施例１と同様の方法で光導電部材を製造した。
このドラムの暗中、８ｋＶのコロナ放電試験時における
表面帯電量は４８０Ｖ 、暗減衰率は１５秒後で約２８
％。ｌＯ万枚のコピー現像後における残留電位の上昇は
なく２Ｖ以下に維持された。
表面帯電量は４８０Ｖ 、暗減衰率は１５秒後で約２８
％。ｌＯ万枚のコピー現像後における残留電位の上昇は
なく２Ｖ以下に維持された。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなように、本発明の光導電部材は光
導電層の残留電位が低く、繰返しの露光を行なっても特
性劣化を招くことがない。また、このような効果の達成
を可能にする障壁層の形成にあたっても、格別大がかり
な装置等を新設する必要もなく、従来の光導電部材の製
造に使用する装置をそのまま適用できる。
導電層の残留電位が低く、繰返しの露光を行なっても特
性劣化を招くことがない。また、このような効果の達成
を可能にする障壁層の形成にあたっても、格別大がかり
な装置等を新設する必要もなく、従来の光導電部材の製
造に使用する装置をそのまま適用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 導電性支持体と光導電層の間に障壁層を有する光
導電部材であって、該障壁層が、シリコーン、ゲルマニ
ウム、周期律表ｍｂ族元素及び水素を必須成分とする非
晶質又は微結晶質物質の層であることを特徴とする光導
電部材。 ２、該障壁層が、シリコン、ゲルマニウム、周期律表ｍ
ｂ族元素及び水素を必須成分とし、更に、炭素、窒素、
酸素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する
非晶質又は微結晶質物質の層である特許請求の範囲第１
項記載の光導電部材。 ３、該障壁層が、シリコン、ゲルマニウム、周期律表ｍ
ｂ族元素及び水素を必須成分とし、更に、炭素、窒素、
ｒ！＃素の群から選ばれる少なくとも１種の元素及び／
ヌはハロゲン原子を含有する非晶質又は微結晶質物質の
層である特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。 ４、該周期律表ｍｂ族元素がホウ素である特許請求の範
囲第１〜第３項のいずれかに記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466684A JPS60249154A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466684A JPS60249154A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249154A true JPS60249154A (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=14386785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10466684A Pending JPS60249154A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61254954A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-12 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 感光体 |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10466684A patent/JPS60249154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61254954A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-12 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 感光体 |
| JPH0370222B2 (ja) * | 1985-05-02 | 1991-11-06 | Enaajii Konbaajon Debaisesu Inc |
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