JPS5945446A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5945446A JPS5945446A JP15732382A JP15732382A JPS5945446A JP S5945446 A JPS5945446 A JP S5945446A JP 15732382 A JP15732382 A JP 15732382A JP 15732382 A JP15732382 A JP 15732382A JP S5945446 A JPS5945446 A JP S5945446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- photoreceptor
- layer
- electrophotographic
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電子子写真用感光体に関するものであり、特に
アモルファスシリコンの光導電特性を利用した感光体に
関するものである。
アモルファスシリコンの光導電特性を利用した感光体に
関するものである。
従来技術
水素及び／又はフッ素を用いて不飽和結合の安定化を図
ったアモルファスシリコンは、広い波長感度を有する、
硬度が非常に大きい、及び製造工程が無公害である等の
秀れた特性を備えることから理想的な電子写真用感光体
と考えられており、研究開発が活発に行われている。
ったアモルファスシリコンは、広い波長感度を有する、
硬度が非常に大きい、及び製造工程が無公害である等の
秀れた特性を備えることから理想的な電子写真用感光体
と考えられており、研究開発が活発に行われている。
この種のアモルファスシリコン感光体は、プラズマＣＶ
Ｄ法でＳｉＨ４ガスとＨ２との混合ガス又はＳｉＨ４を
プラズマ放電により分解して、導電性基板上に成膜する
ことが一般的である。
Ｄ法でＳｉＨ４ガスとＨ２との混合ガス又はＳｉＨ４を
プラズマ放電により分解して、導電性基板上に成膜する
ことが一般的である。
上記プロセスを経て作製されたアモルファスシリコン層
は、単独では電子写真に用いるに必要な高抵抗値を得る
ことができず、通常はボロン（Ｂ）元素を添加すること
により、成膜されたアモルファスシリコン層が有してい
るｎ型半導体的性質を補償し、かつ含まれている不飽和
結合を水素及び，又はフッ素元素で飽和させることによ
って安定化を図っている。しかし上記のようにボロン元
素の添加処理か施こされたとしても、抵抗値は１０ １
１Ωｃｍ以下程度であり、電子写真感光体として表面
電位を必要時間保持させるに要する少なくとも１０１２
Ωｃｍの抵抗値を得ることは容易ではない。
は、単独では電子写真に用いるに必要な高抵抗値を得る
ことができず、通常はボロン（Ｂ）元素を添加すること
により、成膜されたアモルファスシリコン層が有してい
るｎ型半導体的性質を補償し、かつ含まれている不飽和
結合を水素及び，又はフッ素元素で飽和させることによ
って安定化を図っている。しかし上記のようにボロン元
素の添加処理か施こされたとしても、抵抗値は１０ １
１Ωｃｍ以下程度であり、電子写真感光体として表面
電位を必要時間保持させるに要する少なくとも１０１２
Ωｃｍの抵抗値を得ることは容易ではない。
従って従来からアモルファスシリコン層を感光体として
用いる場合に、表面電位を保持させる方法として２つの
方法が提案されている。１つに上述のようにボロン元素
によって補償すると共にかつ水素化したアモルファスシ
リコンに極く微量の酸素を添加し、光殿感度を完全には
失わしめることなく、抵抗値を１０１３２Ωｃｍ以上に
して表面電位を保持させている。この場合酸素の添加量
が問題見い出されている。従つて数ｌ０ｐｐｍの酸素ガ
スを制御して導入しなければならず、作業が非常に難か
しくなるという欠点があり、また酸素の導入によって感
光体としての光伝導性の劣化は避けられないという問題
もあった。他の１つの方法は、アモルファスシリコン膜
の表面又は基板との界面に電気的ブロッキング層を設け
ている。この場合も光電感度を劣化させないためには，
、電気的ブロッキング層は１００Ａ程度の極く薄い絶縁
膜でなければならず、膜の製造が容易ではなく、また安
定して一定特性のブロッキング層を成膜させることは実
際問題として困難である。
用いる場合に、表面電位を保持させる方法として２つの
方法が提案されている。１つに上述のようにボロン元素
によって補償すると共にかつ水素化したアモルファスシ
リコンに極く微量の酸素を添加し、光殿感度を完全には
失わしめることなく、抵抗値を１０１３２Ωｃｍ以上に
して表面電位を保持させている。この場合酸素の添加量
が問題見い出されている。従つて数ｌ０ｐｐｍの酸素ガ
スを制御して導入しなければならず、作業が非常に難か
しくなるという欠点があり、また酸素の導入によって感
光体としての光伝導性の劣化は避けられないという問題
もあった。他の１つの方法は、アモルファスシリコン膜
の表面又は基板との界面に電気的ブロッキング層を設け
ている。この場合も光電感度を劣化させないためには，
、電気的ブロッキング層は１００Ａ程度の極く薄い絶縁
膜でなければならず、膜の製造が容易ではなく、また安
定して一定特性のブロッキング層を成膜させることは実
際問題として困難である。
目的
本発明は上記従来のアモルファスシリコン感光体かもつ
問題点に鑑みてなされたもので、光電感度を劣化させる
ことなく所望の高い抵抗値をもつアモルファスンリコン
感光体を提供するものである。次に実施例を挙げて本発
明を詳細に説明する。
問題点に鑑みてなされたもので、光電感度を劣化させる
ことなく所望の高い抵抗値をもつアモルファスンリコン
感光体を提供するものである。次に実施例を挙げて本発
明を詳細に説明する。
実施例
水素及び／又はフッ素で安定化されたアモルファスシリ
コン層に硫黄を不純物として添加することによって、高
抵抗化を図るものである。
コン層に硫黄を不純物として添加することによって、高
抵抗化を図るものである。
即ちアモルファスシリコン層の成膜は、従来のプロセス
と同様にプラズマＣＶＤ法によりＳｉｔ｛４ガス又はＳ
Ｈ ｖ ４ガス等から成膜するか、又シリコンのター
ゲットを用いたスパッタリング法を適用して作製される
。この際プラズマＣＶＤ反応槽又はスパッタリング装置
の真空槽内に、原料ガスとなるＳ ｉｌｌ４． １１２
１１６， Ｉ＋ ２ガスの他ＫＩｌ２８ガスを適量導
入して成膜工程を実行させ、硫黄元素が添加されたアモ
ルファスシリコン層を導電性基板上に成膜させる。上記
硫黄元素が添加されたアモルファスシリコン層は電子写
真感光体として必要な１０ ２０ ｃｍの抵抗を得るこ
とができる。また上記アモルファスシリコン層は従来の
酸素を添加したアモルファスシリコン感光体において生
じないような光感度の低下も認められず、電子写真感光
体として必要な電荷保持特性と高い光感度を併せもつた
感光体となる。
と同様にプラズマＣＶＤ法によりＳｉｔ｛４ガス又はＳ
Ｈ ｖ ４ガス等から成膜するか、又シリコンのター
ゲットを用いたスパッタリング法を適用して作製される
。この際プラズマＣＶＤ反応槽又はスパッタリング装置
の真空槽内に、原料ガスとなるＳ ｉｌｌ４． １１２
１１６， Ｉ＋ ２ガスの他ＫＩｌ２８ガスを適量導
入して成膜工程を実行させ、硫黄元素が添加されたアモ
ルファスシリコン層を導電性基板上に成膜させる。上記
硫黄元素が添加されたアモルファスシリコン層は電子写
真感光体として必要な１０ ２０ ｃｍの抵抗を得るこ
とができる。また上記アモルファスシリコン層は従来の
酸素を添加したアモルファスシリコン感光体において生
じないような光感度の低下も認められず、電子写真感光
体として必要な電荷保持特性と高い光感度を併せもつた
感光体となる。
ＰＦマグネトロンスパッタリング装置を用いたアモルフ
ァスシリコン感光体の具体的な成膜条件を次の第１表に
示す。
ァスシリコン感光体の具体的な成膜条件を次の第１表に
示す。
上記工程及び条件で作製したアモルファスシリコン感光
体と、Ｈ２Ｓガスの導入だけを除いて同一条件で作製し
たアモルファスシリコン感光体とを特性比較した結果を
第２表に示す。
体と、Ｈ２Ｓガスの導入だけを除いて同一条件で作製し
たアモルファスシリコン感光体とを特性比較した結果を
第２表に示す。
上記表から明らかなように硫黄を添加した感光体は容易
に高い固有抵抗を持つことができ、電子写真プロセス過
程で充分な電荷保持特性を得ることができる。即ち硫黄
を添加したアモルファスシリコン感光体は、−７ＫＶの
コロナ放電により帯電させた後、タングステランプによ
る４ｌｕｓの光で０．５ｓｅｃｃ間画像露光とこれに続
くトナー現像によって画像形成を行ったところ、良好な
画像が得られた。
に高い固有抵抗を持つことができ、電子写真プロセス過
程で充分な電荷保持特性を得ることができる。即ち硫黄
を添加したアモルファスシリコン感光体は、−７ＫＶの
コロナ放電により帯電させた後、タングステランプによ
る４ｌｕｓの光で０．５ｓｅｃｃ間画像露光とこれに続
くトナー現像によって画像形成を行ったところ、良好な
画像が得られた。
効果
以上本発明のように硫黄を添加したアモルファスシリコ
ン感光体によれば、光電感度をほとんど低下させること
なくアモルファスシリコンの特性に加えて高抵抗の感光
体を得ることかでき、アモルファスシリコン感光体の実
用化を著しく促進することができる。また感光体を作製
するための工程としても特別に複雑な処置を採る必要が
なく、量産の際にも何等障害になるものではない。
ン感光体によれば、光電感度をほとんど低下させること
なくアモルファスシリコンの特性に加えて高抵抗の感光
体を得ることかでき、アモルファスシリコン感光体の実
用化を著しく促進することができる。また感光体を作製
するための工程としても特別に複雑な処置を採る必要が
なく、量産の際にも何等障害になるものではない。
代理人弁理士福士愛彦（他２名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）アモルファスシリコンを主体とし、安定化のために
水素又はフッ素、あるいはそれらの両元素を含み、かつ
少なくとも言おう元素を添加したことを特徴とする電子
写真用感光体。 ２）前記言おう元素の添加料はドーピングされたアモル
ファスシリコン層の固有体積抵抗が１０１２ｃｍ以上を
もつ量に選ばれていることを特徴とする請求の範囲第１
項記載の電子写真用感光体。 ３）前記アモルファスシリコン中の水素含有量は３％以
上２０％以上であり、硫黄添加量は０．３％以下である
ことを特徴とする請求の範囲第１項記載の電子写真用感
光体。 ４）前記アモルファスシリコンは１００ｐｐｍ以下のホ
ウ素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の電
子写真用感光体。 ５）前記アモルファスシリコンは５０％以下のゲルマニ
ウム又は炭素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732382A JPS5945446A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732382A JPS5945446A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945446A true JPS5945446A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15647179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15732382A Pending JPS5945446A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945446A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179958A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-18 | Canon Inc | 画像形成装置 |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15732382A patent/JPS5945446A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179958A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-18 | Canon Inc | 画像形成装置 |
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