JPH0310091B2 - - Google Patents
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- JPH0310091B2 JPH0310091B2 JP57208199A JP20819982A JPH0310091B2 JP H0310091 B2 JPH0310091 B2 JP H0310091B2 JP 57208199 A JP57208199 A JP 57208199A JP 20819982 A JP20819982 A JP 20819982A JP H0310091 B2 JPH0310091 B2 JP H0310091B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- photoreceptor
- layer
- resistance layer
- hydrogen
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- Expired - Lifetime
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- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 32
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- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえば電子写真複写機に使用可
能な感光体の技術分野に属する。
能な感光体の技術分野に属する。
従来、電子写真複写機に使用されるアモルフア
スシリコン感光体は、感光体基層上に、水素含有
のアモルフアスシリコン層を高抵抗層で挾持して
なる三層を成層してなる。
スシリコン感光体は、感光体基層上に、水素含有
のアモルフアスシリコン層を高抵抗層で挾持して
なる三層を成層してなる。
しかしながら、前記高抵抗層は、たとえばシリ
コン原子含有の分子とCH4とを有する混合ガス中
で高い高周波電力のグロー放電を行なうことによ
り形成されるプラズマを用いて成層されるので、
アモルフアスシリコン中の炭素原子はシリコン原
子間に結合し、いわばシリコン原子の結合ネツト
ワークに完全に取り込まれた状態となつている。
そのため、従来のアモルフアスシリコン感光体
は、光照射によりアモルフアスシリコン層中で発
生したキヤリアが感光体基層あるいはアモルフア
ス感光体の表面に完全に移動することができない
ので、複雑な線描や文字を鮮明に複写することが
できない。つまり、従来のアモルフアスシリコン
感光体は表面電位保持率の経時的低下が大きく、
さらに疲労特性が悪い。
コン原子含有の分子とCH4とを有する混合ガス中
で高い高周波電力のグロー放電を行なうことによ
り形成されるプラズマを用いて成層されるので、
アモルフアスシリコン中の炭素原子はシリコン原
子間に結合し、いわばシリコン原子の結合ネツト
ワークに完全に取り込まれた状態となつている。
そのため、従来のアモルフアスシリコン感光体
は、光照射によりアモルフアスシリコン層中で発
生したキヤリアが感光体基層あるいはアモルフア
ス感光体の表面に完全に移動することができない
ので、複雑な線描や文字を鮮明に複写することが
できない。つまり、従来のアモルフアスシリコン
感光体は表面電位保持率の経時的低下が大きく、
さらに疲労特性が悪い。
この発明は、前記事情に鑑みてなされたもので
あり、複写画像にボケやニジミがなく、表面電位
保持率が高く、また、帯電露光のくり返しにかか
わらず疲労効果の少ないアモルフアスシリコン感
光体を提供することを目的とするものである。
あり、複写画像にボケやニジミがなく、表面電位
保持率が高く、また、帯電露光のくり返しにかか
わらず疲労効果の少ないアモルフアスシリコン感
光体を提供することを目的とするものである。
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、
少なくとも水素を含有するアモルフアスシリコン
層と高抵抗層とを有するアモルフアスシリコン感
光体において、アモルフアスシリコン層で発生し
たキヤリアが感光体表面に移動することができる
ように、炭素の１原子あたりシリコン１原子とを
有するアモルフアスシリコンで前記高抵抗層を形
成したことを特徴とするものである。
少なくとも水素を含有するアモルフアスシリコン
層と高抵抗層とを有するアモルフアスシリコン感
光体において、アモルフアスシリコン層で発生し
たキヤリアが感光体表面に移動することができる
ように、炭素の１原子あたりシリコン１原子とを
有するアモルフアスシリコンで前記高抵抗層を形
成したことを特徴とするものである。
この発明に係るアモルフアスシリコン感光体の
層構成は、第１図に示すように、感光体基層４上
に、少なくとも水素を含有するアモルフアスシリ
コン層２を、高抵抗層１および３で挟時してなる
三層を成層してなる。
層構成は、第１図に示すように、感光体基層４上
に、少なくとも水素を含有するアモルフアスシリ
コン層２を、高抵抗層１および３で挟時してなる
三層を成層してなる。
アモルフアスシリコン層２は、従来のアモルフ
アスシリコン感光体におけるのと同様である。
アスシリコン感光体におけるのと同様である。
高抵抗層１および３は、炭素１原子あたりシリ
コン１原子を結合する炭素と水素とを有するアモ
ルフアスシリコンで形成される。前記アモルフア
スシリコン中のシリコン原子は、たとえばCH3
基、CH3CH2基、CH3CH2CH2基等の低級アルキ
ル基を有し、好ましくはCH3基を有しており、Si
−CH2−Siのような結合様式を有する炭素の含有
量は無視可能の程度に少ないものである。また、
前記アモルフアスシリコンは、その赤外分光光度
計による赤外吸収スペクトルにより、Si−CH3、
Si−CH2CH3、Si−CH2、CH2CH3が同定可能で
ある。前記アモルフアスシリコンよりなる高抵抗
層１および３は、たとえばSiH4とCH4のような
低級アルカンとの混合ガス中で25W以下の高周波
電力のグロー放電を行ない、得られるプラズマを
感光体基層４の表面に接触させることにより、あ
るいは、感光体基層４上に高抵抗層１を介して形
成した、水素含有のアモルフアスシリコン層２の
表面に接触させることにより、成層することがで
きる。
コン１原子を結合する炭素と水素とを有するアモ
ルフアスシリコンで形成される。前記アモルフア
スシリコン中のシリコン原子は、たとえばCH3
基、CH3CH2基、CH3CH2CH2基等の低級アルキ
ル基を有し、好ましくはCH3基を有しており、Si
−CH2−Siのような結合様式を有する炭素の含有
量は無視可能の程度に少ないものである。また、
前記アモルフアスシリコンは、その赤外分光光度
計による赤外吸収スペクトルにより、Si−CH3、
Si−CH2CH3、Si−CH2、CH2CH3が同定可能で
ある。前記アモルフアスシリコンよりなる高抵抗
層１および３は、たとえばSiH4とCH4のような
低級アルカンとの混合ガス中で25W以下の高周波
電力のグロー放電を行ない、得られるプラズマを
感光体基層４の表面に接触させることにより、あ
るいは、感光体基層４上に高抵抗層１を介して形
成した、水素含有のアモルフアスシリコン層２の
表面に接触させることにより、成層することがで
きる。
次に、この発明の一実施例を具体的に説明す
る。
る。
実施例
SiH475SCCMとCH4／SiH4流量比が200％であ
るCH4ガスとの混合ガスに、0.4Torrの圧力下、
220℃に加熱しながら、25Wの高周波電力のグロ
ー放電をすることによつて、プラズマを形成し、
該プラズマを感光体基板の表面に10分間接触させ
ることによつて、感光体基板の表面に約300Åの
厚みの第１の高抵抗層を形成した。
るCH4ガスとの混合ガスに、0.4Torrの圧力下、
220℃に加熱しながら、25Wの高周波電力のグロ
ー放電をすることによつて、プラズマを形成し、
該プラズマを感光体基板の表面に10分間接触させ
ることによつて、感光体基板の表面に約300Åの
厚みの第１の高抵抗層を形成した。
次いで、SiH4180SCCMに、0.5Torrの圧力下、
220℃に加熱しながら、25Wの高周波電力のグロ
ー放電をすることによつて、プラズマを形成し、
該プラズマを前記第１の高抵抗層表面に５時間接
触させることによつて、前記第１の高抵抗層上に
水素含有のアモルフアスシリコン層を約15μｍの
厚みに形成した。
220℃に加熱しながら、25Wの高周波電力のグロ
ー放電をすることによつて、プラズマを形成し、
該プラズマを前記第１の高抵抗層表面に５時間接
触させることによつて、前記第１の高抵抗層上に
水素含有のアモルフアスシリコン層を約15μｍの
厚みに形成した。
その後、第１の高抵抗層を形成するのと同様の
条件下で、前記水素含有のアモルフアスシリコン
層上に、約300Åの厚みの第２の高抵抗層を形成
した。
条件下で、前記水素含有のアモルフアスシリコン
層上に、約300Åの厚みの第２の高抵抗層を形成
した。
以上のようにして感光体基板上に三層を形成し
てなるアモルフアスシリコン感光体を得た。
てなるアモルフアスシリコン感光体を得た。
前記第１および第２の高抵抗層の赤外吸収スペ
クトルを第２図に示す。第２図に示すように、Si
−CH2−Siの結合様式におけるＣ−Ｈ結合に基づ
く吸収ピークがなく、Si−CH3に基づく大きな吸
収ピークがある。このことは、高抵抗層における
アモルフアスシリコンは、そのシリコン原子の結
合ネツトワークに炭素原子を取り込んでいない
か、取り込んでいたとしてもその量は無視可能の
程度であることを示す。
クトルを第２図に示す。第２図に示すように、Si
−CH2−Siの結合様式におけるＣ−Ｈ結合に基づ
く吸収ピークがなく、Si−CH3に基づく大きな吸
収ピークがある。このことは、高抵抗層における
アモルフアスシリコンは、そのシリコン原子の結
合ネツトワークに炭素原子を取り込んでいない
か、取り込んでいたとしてもその量は無視可能の
程度であることを示す。
次に、以上のようにして得たアモルフアスシリ
コン感光体に負帯電を行なつたところ、第３図に
示すように−600Vの表面電位を得、しかも負帯
電後15秒が経過しても表面電位はもとの値の60％
以上を保持しており、表面電位保持率はきわめて
良好である。また、以上のようにして得たアモル
フアスシリコン感光体は、2luxのタングステン光
照射に対し、0.7lSの高い感度を示した。さらに、
以上のようにして得たアモルフアスシリコン感光
体は、第４図に示すように、帯電と露光とのくり
返えしにもかかわらず、つまり複写コピーを何枚
とつても、表面電位Ａの低下および残留電位Ｂの
上昇が認められなかつた。以上のようにして得た
アモルフアスシリコン感光体を装填した電子複写
機を用いて複雑な線描の原稿を複写したところ、
複写画像にボケやニジミが発生しなかつた。
コン感光体に負帯電を行なつたところ、第３図に
示すように−600Vの表面電位を得、しかも負帯
電後15秒が経過しても表面電位はもとの値の60％
以上を保持しており、表面電位保持率はきわめて
良好である。また、以上のようにして得たアモル
フアスシリコン感光体は、2luxのタングステン光
照射に対し、0.7lSの高い感度を示した。さらに、
以上のようにして得たアモルフアスシリコン感光
体は、第４図に示すように、帯電と露光とのくり
返えしにもかかわらず、つまり複写コピーを何枚
とつても、表面電位Ａの低下および残留電位Ｂの
上昇が認められなかつた。以上のようにして得た
アモルフアスシリコン感光体を装填した電子複写
機を用いて複雑な線描の原稿を複写したところ、
複写画像にボケやニジミが発生しなかつた。
この発明によると、複写画像にボケやニジミが
なく、かつ、表面電位保持率が高く、帯電露光の
くり返しにかかわらず疲労効果の殆んどない優れ
たアモルフアスシリコン感光体を提供することが
できる。
なく、かつ、表面電位保持率が高く、帯電露光の
くり返しにかかわらず疲労効果の殆んどない優れ
たアモルフアスシリコン感光体を提供することが
できる。
これは上述の如き組成の高抵抗層を表面層とし
たことにより、シリコン原子間に結合ネツトワー
クが存在せず、アモルフアスシリコン層で発生し
たキヤリアが容易に感光体表面に移動できるよう
になつたからである。
たことにより、シリコン原子間に結合ネツトワー
クが存在せず、アモルフアスシリコン層で発生し
たキヤリアが容易に感光体表面に移動できるよう
になつたからである。
第１図はこの発明の一実施例を示す部分断面
図、第２図はこの発明の一実施例における高抵抗
層であるアモルフアスシリコンの赤外吸収スペク
トルを示すスペクトルチヤート、第３図はこの発
明に係るアモルフアスシリコン感光体の表面電位
保持特性を示す特性図、および第４図はこの発明
に係るアモルフアスシリコン感光体の疲労特性を
示す特性図である。 １，３……高抵抗層、２……水素含有のアモル
フアスシリコン層、４……感光体基板。
図、第２図はこの発明の一実施例における高抵抗
層であるアモルフアスシリコンの赤外吸収スペク
トルを示すスペクトルチヤート、第３図はこの発
明に係るアモルフアスシリコン感光体の表面電位
保持特性を示す特性図、および第４図はこの発明
に係るアモルフアスシリコン感光体の疲労特性を
示す特性図である。 １，３……高抵抗層、２……水素含有のアモル
フアスシリコン層、４……感光体基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも水素を含有するアモルフアスシリ
コン層を高抵抗層で挾持してなるアモルフアスシ
リコン感光体において、炭素の１原子あたりシリ
コン１原子と水素３原子とからなる低級アルキル
基を有するアモルフアスシリコンで前記高抵抗層
を形成したことを特徴とするアモルフアスシリコ
ン感光体。 ２ 前記高抵抗層は、シリコン原子含有の分子と
炭素原子含有の分子とを含む混合ガスより現出し
た、CH3のラジカルの含有量がCHラジカルの含
有量よりも大きいプラズマ状態下で成層してなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルフアスシリコン感光体。 ３ 前記プラズマ状態は、前記混合ガスを25W以
下の放電により現出することを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項に記載のアモルフア
スシリコン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819982A JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819982A JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997149A JPS5997149A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0310091B2 true JPH0310091B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=16552298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20819982A Granted JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997149A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310075A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | 水素化アモルファスシリコン膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP20819982A patent/JPS5997149A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5997149A (ja) | 1984-06-04 |
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