JP2008124486A - 磁気抵抗多層膜製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 90
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 96
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 41
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 20
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 191
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 abstract description 35
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 60
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 排気系31を接続した真空容器3と、真空容器3内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板1を保持するための基板ホルダー32と、基板ホルダー32を回転させるための回転機構321と、真空容器3内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソード33と、真空容器3内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系37と、を有する磁気抵抗多層膜製造装置を使用し、該アルゴンより原子番号の大きな元素のガスの流量を10%以上として磁気抵抗多層膜を製造する。
【選択図】図7
Description
図11は、界面の平坦性の悪化に起因した層間結合の発生メカニズムについて示した図である。例えば磁化固定層24が表面に大きな凹凸を持ったものとして形成され、その結果、図11に示すように、非磁性スペーサ層25及び磁化自由層26も大きな凹凸を持ったものとして形成された場合を想定する。
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを10%以上の流量で使用するという構成を有する。
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを50%以上の流量で使用するという構成を有する。
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを100%の流量で使用するという構成を有する。
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系と、を有するという構成を有する。
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記基板ホルダーを回転させるための回転機構と、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系と、を有するという構成を有する。
図2に示す成膜チャンバー3は、内部を排気する排気系31と、成膜チャンバー3内の所定位置に基板1を配置するための基板ホルダー32と、スパッタ放電を生じさせるための複数のカソード33,34と、各カソード33,34に電圧を印加する不図示のスパッタ電源等を備えている。
21 シード層
22 下地層
23 半強磁性層
24 磁化固定層
25 非磁性スペーサ層
26 磁化自由層
3 成膜チャンバー
37 ガス導入系
Claims (11)
- 基板上に、反強磁性層と、磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化自由層とを順に積層することで磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを10%以上の流量で使用することを特徴とする磁気抵抗多層膜製造方法。 - 基板上に、反強磁性層と、磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化自由層とを順に積層することで磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを50%以上の流量で使用することを特徴とする磁気抵抗多層膜製造方法。 - 基板上に、反強磁性層と、磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化自由層とを順に積層することで磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを100%の流量で使用することを特徴とする磁気抵抗多層膜製造方法。 - 前記アルゴンより原子番号の大きな元素のガスは、クリプトンガス又はキセノンガスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の磁気抵抗多層膜製造方法。
- 前記磁化固定層は反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている層であり、前記磁化自由層は磁化の向きが自由である層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の磁気抵抗多層膜製造方法。
- 排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系と、を有することを特徴とする磁気抵抗多層膜製造装置。 - 排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記基板ホルダーを回転させるための回転機構と、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系と、を有することを特徴とする磁気抵抗多層膜製造装置。 - 前記アルゴンより原子番号の大きな元素のガスは、クリプトンガス又はキセノンガスであることを特徴とする、請求項6又は7記載の磁気抵抗多層膜製造装置。
- さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを10%以上に流量調整するための流量調整器を有することを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項記載の磁気抵抗多層膜製造装置。
- さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のガスを50%以上に流量調整するための流量調整器を有することを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項記載の磁気抵抗多層膜製造装置。
- 前記ガス導入系は、アルゴンより原子番号の大きな元素のガスが100%であることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項記載の磁気抵抗多層膜製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007322755A JP5038117B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | トンネル型磁気抵抗多層膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007322755A JP5038117B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | トンネル型磁気抵抗多層膜製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003357108A Division JP2005123412A (ja) | 2003-10-16 | 2003-10-16 | 磁気抵抗多層膜製造方法及び製造装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124486A true JP2008124486A (ja) | 2008-05-29 |
JP2008124486A5 JP2008124486A5 (ja) | 2009-10-01 |
JP5038117B2 JP5038117B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=39508836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007322755A Expired - Fee Related JP5038117B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | トンネル型磁気抵抗多層膜製造方法 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP5038117B2 (ja) |
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JP5038117B2 (ja) | 2012-10-03 |
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