JPH09129446A - 酸化物磁性体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物磁性体及びその製造方法Info
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- JPH09129446A JPH09129446A JP7278896A JP27889695A JPH09129446A JP H09129446 A JPH09129446 A JP H09129446A JP 7278896 A JP7278896 A JP 7278896A JP 27889695 A JP27889695 A JP 27889695A JP H09129446 A JPH09129446 A JP H09129446A
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗変化における外部飽和磁場（Ｈｓ）
を低減する。 【解決手段】 １）ペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系
酸化物磁性体膜の表面に反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体， ２）前記反強磁性体膜が同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁
性体膜である前記１記載の酸化物磁性体， ３）前記１記載のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸
化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体， ４） ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれの母相Ｍ
ｎ系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより
界面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する酸化
物磁性体の製造方法。
を低減する。 【解決手段】 １）ペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系
酸化物磁性体膜の表面に反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体， ２）前記反強磁性体膜が同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁
性体膜である前記１記載の酸化物磁性体， ３）前記１記載のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸
化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体， ４） ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれの母相Ｍ
ｎ系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより
界面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する酸化
物磁性体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は, Ｍｎ系酸化物磁性
体の磁気抵抗変化における外部飽和磁場（Ｈs ）を低減
させるためのＭｎ系酸化物磁性体およびその製造方法に
関する。
体の磁気抵抗変化における外部飽和磁場（Ｈs ）を低減
させるためのＭｎ系酸化物磁性体およびその製造方法に
関する。
【０００２】高密度磁気記録の読み出し用の磁気抵抗ヘ
ッド（ＭＲヘッド）としてスピンバルブ, 金属人工格
子, グラニュラー, Ｍｎ系酸化物磁性体などが有望視さ
れている。このなかでＭｎ系酸化物磁性体は他の物質と
比較してＭＲ比が室温で１０倍程にもなる。しかし, 磁
気抵抗変化に対し外部飽和磁場（Ｈｓ）が６Ｔ(Tesla)
程になり高磁場下での読み出しとなってしまう。よって
他の物質のように0.1 Ｔ程まで低減させる必要がある。
ッド（ＭＲヘッド）としてスピンバルブ, 金属人工格
子, グラニュラー, Ｍｎ系酸化物磁性体などが有望視さ
れている。このなかでＭｎ系酸化物磁性体は他の物質と
比較してＭＲ比が室温で１０倍程にもなる。しかし, 磁
気抵抗変化に対し外部飽和磁場（Ｈｓ）が６Ｔ(Tesla)
程になり高磁場下での読み出しとなってしまう。よって
他の物質のように0.1 Ｔ程まで低減させる必要がある。
【０００３】
【従来の技術】磁気抵抗変化を示す強磁性体のペロブス
カイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体の製造方法とし
ては, 薄膜の場合は, Ｍｎ系酸化物磁性体と格子定数が
類似のＭｇＯ，Ｓr Ｔi Ｏ3 など誘電単結晶基板上にス
パッタ, レーザ蒸着などの方法を用いて堆積させること
により作製する。
カイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体の製造方法とし
ては, 薄膜の場合は, Ｍｎ系酸化物磁性体と格子定数が
類似のＭｇＯ，Ｓr Ｔi Ｏ3 など誘電単結晶基板上にス
パッタ, レーザ蒸着などの方法を用いて堆積させること
により作製する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術のようにＭ
ｎ系酸化物磁性体の単膜では磁気抵抗変化に対し外部飽
和磁場（Ｈｓ）が６Ｔ程と大きく, 実用化には困難であ
る。
ｎ系酸化物磁性体の単膜では磁気抵抗変化に対し外部飽
和磁場（Ｈｓ）が６Ｔ程と大きく, 実用化には困難であ
る。
【０００５】本発明の目的は磁気抵抗変化における外部
飽和磁場（Ｈｓ）を低減できるＭｎ系酸化物磁性体およ
びその製造方法を提供することである。
飽和磁場（Ｈｓ）を低減できるＭｎ系酸化物磁性体およ
びその製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）ペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体膜
の表面に反強磁性体膜を形成してなる酸化物磁性体，あ
るいは ２）前記反強磁性体膜が同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁
性体膜である前記１記載の酸化物磁性体，あるいは ３）前記１記載のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸
化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体，あるいは ４） ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれの母相Ｍ
ｎ系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより
界面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する酸化
物磁性体の製造方法により達成される。
の表面に反強磁性体膜を形成してなる酸化物磁性体，あ
るいは ２）前記反強磁性体膜が同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁
性体膜である前記１記載の酸化物磁性体，あるいは ３）前記１記載のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸
化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形成してなる酸
化物磁性体，あるいは ４） ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれの母相Ｍ
ｎ系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより
界面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する酸化
物磁性体の製造方法により達成される。
【０００７】次に, ペロブスカイト型Ｍｎ系酸化物の一
般的な性質を説明する。ペロブスカイト型Ｍｎ系酸化物
ＬａＭｎＯ3 はキャリア電子がなく反強磁性体である。
この状態では，Ｍｎ原子は価数が３＋のＭｎ3+イオンと
なっており,Ｍｎ原子のｄ電子４つの内３つはエネルギ
ーの低い準位（局在スピン準位）に入り，束縛状態のス
ピンであるため局在スピンと呼ばれている。残りの１つ
の電子はエネルギーが高い準位（伝導電子準位）に入り
伝導電子となり得るが，各Ｍｎ原子に１個存在するの
で，スピンが互いに逆向きの反強磁性状態となり，伝導
が不可能となる。また，各Ｍｎ原子の局在スピンと伝導
電子はフント結合と呼ばれる交換結合が働いており，局
在スピンのスピン方向と伝導電子のスピン方向は同じと
なる。
般的な性質を説明する。ペロブスカイト型Ｍｎ系酸化物
ＬａＭｎＯ3 はキャリア電子がなく反強磁性体である。
この状態では，Ｍｎ原子は価数が３＋のＭｎ3+イオンと
なっており,Ｍｎ原子のｄ電子４つの内３つはエネルギ
ーの低い準位（局在スピン準位）に入り，束縛状態のス
ピンであるため局在スピンと呼ばれている。残りの１つ
の電子はエネルギーが高い準位（伝導電子準位）に入り
伝導電子となり得るが，各Ｍｎ原子に１個存在するの
で，スピンが互いに逆向きの反強磁性状態となり，伝導
が不可能となる。また，各Ｍｎ原子の局在スピンと伝導
電子はフント結合と呼ばれる交換結合が働いており，局
在スピンのスピン方向と伝導電子のスピン方向は同じと
なる。
【０００８】このＬａＭｎＯ3 を母相としてＬａにＳｒ
をドープ（固溶）していくとキャリア電子が出現し，強
磁性体となる。Ｌａ3+に対してＳｒ2+と価数が１つ少な
いため，Ｓｒのドープ量に比例してＭｎ原子の価数が４
＋のＭｎ4+イオンが出現してくる。Ｍｎ4+イオンはＭｎ
3+イオンに対して伝導電子が１個少なくなった局在スピ
ンのみの状態である。このとき，Ｍｎ原子は，価数が３
＋のＭｎ3+イオンと価数が４＋のＭｎ4+イオンが混在し
ており，混合原子価と呼ばれている。
をドープ（固溶）していくとキャリア電子が出現し，強
磁性体となる。Ｌａ3+に対してＳｒ2+と価数が１つ少な
いため，Ｓｒのドープ量に比例してＭｎ原子の価数が４
＋のＭｎ4+イオンが出現してくる。Ｍｎ4+イオンはＭｎ
3+イオンに対して伝導電子が１個少なくなった局在スピ
ンのみの状態である。このとき，Ｍｎ原子は，価数が３
＋のＭｎ3+イオンと価数が４＋のＭｎ4+イオンが混在し
ており，混合原子価と呼ばれている。
【０００９】他方，Ｓｒを全ドープしたＳｒＭｎＯ3 も
キャリア電子がなく反強磁性体である。これを他方の母
相と考えてＬａをドープしてキャリア電子を出現させて
強磁性体を得ることができる。
キャリア電子がなく反強磁性体である。これを他方の母
相と考えてＬａをドープしてキャリア電子を出現させて
強磁性体を得ることができる。
【００１０】Ｍｎ系酸化物磁性体上に反強磁性体を形成
することにより，Ｍｎ系酸化物磁性体は界面から数原子
層（単位格子の大きさは3.87Å) がピン層となり，残り
のピンされていない層がフリー層となる。
することにより，Ｍｎ系酸化物磁性体は界面から数原子
層（単位格子の大きさは3.87Å) がピン層となり，残り
のピンされていない層がフリー層となる。
【００１１】ペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物
磁性体の磁気抵抗変化出現の起源はある角度をなすＭｎ
3+イオンの局在スピンとＭｎ4+イオン局在スピンが磁場
の印加により平行となり, Ｍｎ3+イオンの３ｄ電子が移
動しやすくなることにより抵抗が小さくなることによる
ものである。
磁性体の磁気抵抗変化出現の起源はある角度をなすＭｎ
3+イオンの局在スピンとＭｎ4+イオン局在スピンが磁場
の印加により平行となり, Ｍｎ3+イオンの３ｄ電子が移
動しやすくなることにより抵抗が小さくなることによる
ものである。
【００１２】単膜では局在スピン同士が平行になるのが
困難であるため外部飽和磁場が６Ｔ程を必要とする。従
って, スピンバルブのようにあらかじめ数原子層にわた
って磁場印加方向に局在スピンをピンさせておき, 残り
のピンされていないフリー層を磁場の印加により磁場印
加方向へ向けさせることで局在スピン同士が平行になる
ことを容易にし, 外部飽和磁場（Ｈｓ）を低減させるこ
とが可能となる。
困難であるため外部飽和磁場が６Ｔ程を必要とする。従
って, スピンバルブのようにあらかじめ数原子層にわた
って磁場印加方向に局在スピンをピンさせておき, 残り
のピンされていないフリー層を磁場の印加により磁場印
加方向へ向けさせることで局在スピン同士が平行になる
ことを容易にし, 外部飽和磁場（Ｈｓ）を低減させるこ
とが可能となる。
【００１３】上記の方法において, 局在スピンをピンさ
せる方法は, Ｍｎ系酸化物磁性体の表面層として反強磁
性体を積層することにより得ることができる。また, 反
強磁性体として, 同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性体を
用いることにより, 良質な積層が可能となる。
せる方法は, Ｍｎ系酸化物磁性体の表面層として反強磁
性体を積層することにより得ることができる。また, 反
強磁性体として, 同型の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性体を
用いることにより, 良質な積層が可能となる。
【００１４】さらにＭｎ系酸化物磁性体の下側の層に反
強磁性体を形成することによりピンさせる効果を高める
ことができる。一方, 混合原子価のそれぞれの母相Ｍｎ
系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより界
面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する製造方
法により，堆積回数を減少することができる。
強磁性体を形成することによりピンさせる効果を高める
ことができる。一方, 混合原子価のそれぞれの母相Ｍｎ
系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより界
面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成する製造方
法により，堆積回数を減少することができる。
【００１５】上記のように，本発明によれば, 強磁性体
であるペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体
の表面層として反強磁性体を積層し, 磁場印加方向に局
在スピンをピンさせることにより局在スピン同士が平行
になることを容易し, 低Ｈｓ化が可能となる。
であるペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体
の表面層として反強磁性体を積層し, 磁場印加方向に局
在スピンをピンさせることにより局在スピン同士が平行
になることを容易し, 低Ｈｓ化が可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下, 本発明の実施の形態を図１
を参照して説明する。図１のように単結晶ＭｇＯ基板１
上に強磁性体のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化
物磁性薄膜２としてＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜が堆積
され, さらにその表面層として同型の母相Ｍｎ系酸化物
反強磁性薄膜３としてＬａＭｎＯ3 膜を有する作製をし
ている。
を参照して説明する。図１のように単結晶ＭｇＯ基板１
上に強磁性体のペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化
物磁性薄膜２としてＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜が堆積
され, さらにその表面層として同型の母相Ｍｎ系酸化物
反強磁性薄膜３としてＬａＭｎＯ3 膜を有する作製をし
ている。
【００１７】次にこの積層膜の作製方法について説明す
る。 （ａ）マルチターゲットが可能なイオンビームスパッ夕
装置において，Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 のターゲット
及びＬａＭｎＯ3 のターゲットを設置する。
る。 （ａ）マルチターゲットが可能なイオンビームスパッ夕
装置において，Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 のターゲット
及びＬａＭｎＯ3 のターゲットを設置する。
【００１８】Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 のターゲット
は，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｒ（ＣＯ)3 ,ＭｎＯ2 の，ＬａＭｎ
Ｏ3 のターゲットはＬａ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 の粉末を用い
て化学量論的組成に混合し，焼成することにより作製し
た上記Ｍｎ系酸化物を直径4 〜5 インチ, 厚さ 2〜5 mm
の円板上に加圧整形し，1400℃で酸素中で12時間の熱処
理をして焼結したものを使用する。
は，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｒ（ＣＯ)3 ,ＭｎＯ2 の，ＬａＭｎ
Ｏ3 のターゲットはＬａ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 の粉末を用い
て化学量論的組成に混合し，焼成することにより作製し
た上記Ｍｎ系酸化物を直径4 〜5 インチ, 厚さ 2〜5 mm
の円板上に加圧整形し，1400℃で酸素中で12時間の熱処
理をして焼結したものを使用する。
【００１９】（ｂ）単結晶ＭｇＯ基板１上にスパッタ法
によりＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 からなる強磁性体のペ
ロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性薄膜２を堆
積する。
によりＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 からなる強磁性体のペ
ロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性薄膜２を堆
積する。
【００２０】（ｃ）ターゲットをＬａＭｎＯ3 に変え,
同様にＬａＭｎＯ3 からなる同型の母相Ｍｎ系酸化物反
強磁性薄膜３をＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜上に堆積す
る。スパッタ条件は以下のようである。
同様にＬａＭｎＯ3 からなる同型の母相Ｍｎ系酸化物反
強磁性薄膜３をＬａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜上に堆積す
る。スパッタ条件は以下のようである。
【００２１】 装置： イオンビームスパッタ(500 V, 50 mA) スパッタガス： Ａｒ：Ｏ2 ＝１：１ ガス圧力： 2×10-4 Torr 基板温度： Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 の場合は 700℃ ＬａＭｎＯ3 の場合は 650℃ 成長速度： 0.6 Å／ｓ 膜厚： 1000Å また, （ｂ）の時, 最初に母相Ｍｎ系酸化物反強磁性薄
膜としてＬａＭｎＯ3膜を堆積し, 次いでＬａ0.7 Ｓｒ
0.3 ＭｎＯ3 からなる強磁性体のペロブスカイト型Ｍｎ
系酸化物磁性薄膜 2を堆積し，更にＬａＭｎＯ3 からな
るＭｎ系酸化物反強磁性薄膜 3を堆積した場合は請求項
３の実施の形態となる。
膜としてＬａＭｎＯ3膜を堆積し, 次いでＬａ0.7 Ｓｒ
0.3 ＭｎＯ3 からなる強磁性体のペロブスカイト型Ｍｎ
系酸化物磁性薄膜 2を堆積し，更にＬａＭｎＯ3 からな
るＭｎ系酸化物反強磁性薄膜 3を堆積した場合は請求項
３の実施の形態となる。
【００２２】実施の形態４としては, 図３において，一
方の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜ＬａＭｎＯ3 を堆積
し, 他方の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜ＳｒＭｎＯ3
を積層した後, 熱処理することにより，その界面にペロ
ブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性薄膜としてＬ
ａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜を製造する。
方の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜ＬａＭｎＯ3 を堆積
し, 他方の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜ＳｒＭｎＯ3
を積層した後, 熱処理することにより，その界面にペロ
ブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性薄膜としてＬ
ａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 膜を製造する。
【００２３】この場合, 600℃, 30分の熱処理により,
界面に混合原子価Ｍｎ系酸化物が形成される。ＬａＭｎ
Ｏ3 とＳｒＭｎＯ3 の膜厚が同一の場合は等拡散度によ
りＬａ0.5 Ｓｒ0.5 ＭｎＯ3 が形成されるが，膜厚を ＬａＭｎＯ3 ：ＳｒＭｎＯ3 ＝１：1.8475 とすると，Ｌａの方が拡散度がＳｒの0.7/0.3 倍とな
り, Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 が選択的に形成される。
界面に混合原子価Ｍｎ系酸化物が形成される。ＬａＭｎ
Ｏ3 とＳｒＭｎＯ3 の膜厚が同一の場合は等拡散度によ
りＬａ0.5 Ｓｒ0.5 ＭｎＯ3 が形成されるが，膜厚を ＬａＭｎＯ3 ：ＳｒＭｎＯ3 ＝１：1.8475 とすると，Ｌａの方が拡散度がＳｒの0.7/0.3 倍とな
り, Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ3 が選択的に形成される。
【００２４】製造した積層膜の磁気抵抗変化について図
２を参照して説明する。Ｍｎ系酸化物磁性体の結晶構造
は，磁性に寄与するＭｎと酸素からなる磁性層Ｍｎ−層
と，磁性に寄与しないでキャリアの調整に寄与する非磁
性層Ｌａ−Ｏ層またはＳｒ−Ｏ層の積層構造と見ること
ができる。ＭｎはＭｎ4+通常であり，Ｓｒがドープされ
た部分がＭｎ3+である。
２を参照して説明する。Ｍｎ系酸化物磁性体の結晶構造
は，磁性に寄与するＭｎと酸素からなる磁性層Ｍｎ−層
と，磁性に寄与しないでキャリアの調整に寄与する非磁
性層Ｌａ−Ｏ層またはＳｒ−Ｏ層の積層構造と見ること
ができる。ＭｎはＭｎ4+通常であり，Ｓｒがドープされ
た部分がＭｎ3+である。
【００２５】製造した積層膜に対して後に印加する磁場
と同方向に飽和磁場まで印加し, Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 Ｍｎ
Ｏ3 の強磁性体のすべてのＭｎイオン局在スピンを磁場
方向に向けさせる。その後, 磁場をゼロにすると図２
（ａ）のようにＭｎ系酸化物強磁性薄膜２は金属人工格
子のように磁性層のＭｎ−Ｏ層４と非磁性層のＬａ（Ｓ
ｒ）−Ｏ層５が交互に積層した構造を原子オーダで有す
るため, 反強磁性層／強磁性層の界面において交換結合
が働き, 反強磁性層近傍の数原子層にわたってＭｎイオ
ン局在スピンは全磁場方向にピンされた状態となる。
と同方向に飽和磁場まで印加し, Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 Ｍｎ
Ｏ3 の強磁性体のすべてのＭｎイオン局在スピンを磁場
方向に向けさせる。その後, 磁場をゼロにすると図２
（ａ）のようにＭｎ系酸化物強磁性薄膜２は金属人工格
子のように磁性層のＭｎ−Ｏ層４と非磁性層のＬａ（Ｓ
ｒ）−Ｏ層５が交互に積層した構造を原子オーダで有す
るため, 反強磁性層／強磁性層の界面において交換結合
が働き, 反強磁性層近傍の数原子層にわたってＭｎイオ
ン局在スピンは全磁場方向にピンされた状態となる。
【００２６】基板付近の層は交換結合力薄寿くなり局在
スピンがある程度傾いた状態（スピン同士が非平行）と
なる。この状態ではＭｎイオンの３ｄ電子が移動しにく
く抵抗が大きい。
スピンがある程度傾いた状態（スピン同士が非平行）と
なる。この状態ではＭｎイオンの３ｄ電子が移動しにく
く抵抗が大きい。
【００２７】ここで，磁場を印加させると図２（ｂ）の
ように傾いていた局在スピンが印加磁場方向に磁化さ
れ, ３ｄ電子が移動し易くなり抵抗が小さくなる。反強
磁性薄膜がない状態ではスピンの熱的揺らぎなどによ
り, 印加磁場方向へ磁化する応答が緩やかとなる。そこ
で予め局在スピンをピンさせておくことにより, 反強磁
性薄膜がない場合においてある程度磁場が印加された状
態からの出発となり低Ｈｓ化が可能となる。
ように傾いていた局在スピンが印加磁場方向に磁化さ
れ, ３ｄ電子が移動し易くなり抵抗が小さくなる。反強
磁性薄膜がない状態ではスピンの熱的揺らぎなどによ
り, 印加磁場方向へ磁化する応答が緩やかとなる。そこ
で予め局在スピンをピンさせておくことにより, 反強磁
性薄膜がない場合においてある程度磁場が印加された状
態からの出発となり低Ｈｓ化が可能となる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば, 強
磁性体であるペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物
磁性体の表面層としてに反強磁性体を積層し, 低Ｈｓ化
が可能となることによって, 磁気抵抗ヘッドに応用して
その高感度化に寄与するところが大きい。
磁性体であるペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化物
磁性体の表面層としてに反強磁性体を積層し, 低Ｈｓ化
が可能となることによって, 磁気抵抗ヘッドに応用して
その高感度化に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明のＭｎ系酸化物磁性体の断面説明図
【図２】 本発明のＭｎ系酸化物磁性体の磁気抵抗変化
に関する説明図
に関する説明図
【図３】 本発明の実施の形態４の説明図
１ 単結晶ＭｇＯ基板 ２ Ｍｎ系酸化物強磁性薄膜（Ｌａ0.7 Ｓｒ0.3 ＭｎＯ
3 ） ３ Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜（ＬａＭｎＯ3 ） ４ 磁性Ｍｎ−Ｏ層 ５ 非磁性Ｌａ（Ｓｒ）−Ｏ層
3 ） ３ Ｍｎ系酸化物反強磁性薄膜（ＬａＭｎＯ3 ） ４ 磁性Ｍｎ−Ｏ層 ５ 非磁性Ｌａ（Ｓｒ）−Ｏ層
Claims (4)
- 【請求項１】 ペロブスカイト型混合原子価Ｍｎ系酸化
物磁性体膜の表面に反強磁性体膜を形成してなることを
特徴とする酸化物磁性体。 - 【請求項２】 前記反強磁性体膜が同型の母相Ｍｎ系酸
化物反強磁性体膜であることを特徴とする請求項１記載
の酸化物磁性体。 - 【請求項３】 請求項１記載のペロブスカイト型混合原
子価Ｍｎ系酸化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形
成してなることを特徴とする酸化物磁性体。 - 【請求項４】 ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれ
の母相Ｍｎ系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理するこ
とにより界面層に混合原子価Ｍｎ系酸化物磁性体を形成
することを特徴とする酸化物磁性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1995
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