JPS6194053A - 光導電部材及びその製造方法 - Google Patents
光導電部材及びその製造方法Info
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- JPS6194053A JPS6194053A JP59215706A JP21570684A JPS6194053A JP S6194053 A JPS6194053 A JP S6194053A JP 59215706 A JP59215706 A JP 59215706A JP 21570684 A JP21570684 A JP 21570684A JP S6194053 A JPS6194053 A JP S6194053A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば電子写Ｃ口４」感光体等に用いられる
光導電性部材及びその製造方法に関する。
光導電性部材及びその製造方法に関する。
一般に、この種の電子フｉ頁用感光体としては、主にＳ
ｅ （５ｅ−１，”ｅ 、 Ｓ ｅ −Ａ ｓ 、 Ａ
、ｓ、 Ｓ ｅ３など）またはＣｄ８ あるいはＺｎ
Ｏなどの無機光導電性材料やポリビニルカルバゾール（
ＰＶＣＴ、）するいはトリニトロフルオレノン（Ｔ Ｎ
Ｆ ’）などの有機光導電性材料が用いられている。
ｅ （５ｅ−１，”ｅ 、 Ｓ ｅ −Ａ ｓ 、 Ａ
、ｓ、 Ｓ ｅ３など）またはＣｄ８ あるいはＺｎ
Ｏなどの無機光導電性材料やポリビニルカルバゾール（
ＰＶＣＴ、）するいはトリニトロフルオレノン（Ｔ Ｎ
Ｆ ’）などの有機光導電性材料が用いられている。
しかしながら、これらの光導電性材料はいずれも電気的
、光学的１機械的特性といったすべての面で、電子写真
用感光体として必ずしも適しているとは限らず、例えば
Ｓｅ系においては、Ｔｅの添加による分光増感、Ａｓの
添加による耐熱性の向上、ＺｎＯの添加による色素増感
など、それらの特性面での欠点を補うべく種々の工夫が
施されているものであるが、これによって電子写真的特
性をすべて満足しているとは云い難く、その用途に応じ
て各々の特性上の欠点を補いながら適当に選択使用して
いるのが現状である。
、光学的１機械的特性といったすべての面で、電子写真
用感光体として必ずしも適しているとは限らず、例えば
Ｓｅ系においては、Ｔｅの添加による分光増感、Ａｓの
添加による耐熱性の向上、ＺｎＯの添加による色素増感
など、それらの特性面での欠点を補うべく種々の工夫が
施されているものであるが、これによって電子写真的特
性をすべて満足しているとは云い難く、その用途に応じ
て各々の特性上の欠点を補いながら適当に選択使用して
いるのが現状である。
そこで、最近では光導電性材料として非晶質シリコン（
以下、これをａ−８ｉと略記する）が注目されている。
以下、これをａ−８ｉと略記する）が注目されている。
このａ−８ｉは、上記した従来の光導電性材料と比較し
て高い光電感度と、耐熱性、耐摩耗性及び耐湿性などの
物理特性が良好で、非晶質材料として初めてＰ−ｎ制御
が可能となって以来、主に太陽電池用材料として開発が
外されている。
て高い光電感度と、耐熱性、耐摩耗性及び耐湿性などの
物理特性が良好で、非晶質材料として初めてＰ−ｎ制御
が可能となって以来、主に太陽電池用材料として開発が
外されている。
ところで、上記したａ−８ｔの成膜方法としては、通常
プラズマ気相成長法（以下、これをＰ−ＣＶＤ法と略記
する）、気相成長法（以ド、これをＣＶＤ 法と略記す
る）、反応性スパッタ法・イオンブレーティング法ある
いは蒸着法などが試みられているが、その膜の特性は各
々の成膜方法によって大きく異なっており、現在ではａ
−８１膜の成膜方法としてＰ−ＣＶＤ法が一般的で、そ
の製造手段の概要は第４図に示す通りである。
プラズマ気相成長法（以下、これをＰ−ＣＶＤ法と略記
する）、気相成長法（以ド、これをＣＶＤ 法と略記す
る）、反応性スパッタ法・イオンブレーティング法ある
いは蒸着法などが試みられているが、その膜の特性は各
々の成膜方法によって大きく異なっており、現在ではａ
−８１膜の成膜方法としてＰ−ＣＶＤ法が一般的で、そ
の製造手段の概要は第４図に示す通りである。
第４図は一般的に用いられるａ−８＋膜成形用のＰ−Ｃ
ＶＤ装置を概略的に示すもので、図中１は反応槽、２は
導電性基体、３．４は放電用電極、５はヒータ、６は高
周波電源、７はメインバルブ％ ８は排気袋ｆ＆、９は
補助バルブ、１０゜ＩＩ、１２はニードルバルブ、１３
，１４．１５はフローメータ、１６，１７．１８は流量
調節バルブ、Ｉ９はａ−８ｉ膜を形成するための原料ガ
スである８１Ｈ，ガスを収容したガスボンベ、２０はＡ
、ｒ ガスを収容したガスボンベ、２Ｉはａ−８ｔ膜中
に不純物をドープするだめのＰＨ３またはＢ２Ｈ，等の
ドーピングガスな収容したガスボンベをそれぞれ示ｉ−
ている。
ＶＤ装置を概略的に示すもので、図中１は反応槽、２は
導電性基体、３．４は放電用電極、５はヒータ、６は高
周波電源、７はメインバルブ％ ８は排気袋ｆ＆、９は
補助バルブ、１０゜ＩＩ、１２はニードルバルブ、１３
，１４．１５はフローメータ、１６，１７．１８は流量
調節バルブ、Ｉ９はａ−８ｉ膜を形成するための原料ガ
スである８１Ｈ，ガスを収容したガスボンベ、２０はＡ
、ｒ ガスを収容したガスボンベ、２Ｉはａ−８ｔ膜中
に不純物をドープするだめのＰＨ３またはＢ２Ｈ，等の
ドーピングガスな収容したガスボンベをそれぞれ示ｉ−
ている。
すなわち、上記Ｐ−ＣＶＤ装置を用いてａ−８１膜を成
膜するには、まず反応槽Ｉ内をメインバルブ７に接続さ
れた排気装置８により排気し、次にヒータ５を通電して
反応槽Ｉ内に配置した導電性基体２を１５０〜３５０℃
に加熱する。この状態で、補助バルブ９．ニードルバル
ブ１０゜ＩＩ、１２を開弁［７、フローメータＺ 、９
、 ？ ４ 、１５を見ながら流量調節バルブ１６，
１７．１８を開弁調整して反応槽！内に８１Ｈ４ガス、
Ａｒガス。
膜するには、まず反応槽Ｉ内をメインバルブ７に接続さ
れた排気装置８により排気し、次にヒータ５を通電して
反応槽Ｉ内に配置した導電性基体２を１５０〜３５０℃
に加熱する。この状態で、補助バルブ９．ニードルバル
ブ１０゜ＩＩ、１２を開弁［７、フローメータＺ 、９
、 ？ ４ 、１５を見ながら流量調節バルブ１６，
１７．１８を開弁調整して反応槽！内に８１Ｈ４ガス、
Ａｒガス。
８２Ｈ，またはＰＨ，の混合ガスを各々のガスボンベ１
９，２０．２１から導入し、反応槽Ｉ内の圧力が０．１
〜１．０ Ｔｏｒｒ になるように調節し、定常状態
になったとき、高周波電源６より高周波放電を起し、反
応槽Ｉ内にプラズマを生起させることにより、導電性基
体２上にａ−８＋膜を堆積させてなる構成を有し、この
Ｐ−ＣＶＤ法による利点は、原料ガスの混合比を変える
ことにより、Ｐ型、ｎ型の制御が自由にでき、また不純
物を変化させることにより、充分な電子写真特性を持つ
ような膜質に形成することができる点にあるが、その反
面において成膜速度が遅いといった欠点がある。
９，２０．２１から導入し、反応槽Ｉ内の圧力が０．１
〜１．０ Ｔｏｒｒ になるように調節し、定常状態
になったとき、高周波電源６より高周波放電を起し、反
応槽Ｉ内にプラズマを生起させることにより、導電性基
体２上にａ−８＋膜を堆積させてなる構成を有し、この
Ｐ−ＣＶＤ法による利点は、原料ガスの混合比を変える
ことにより、Ｐ型、ｎ型の制御が自由にでき、また不純
物を変化させることにより、充分な電子写真特性を持つ
ような膜質に形成することができる点にあるが、その反
面において成膜速度が遅いといった欠点がある。
一方、他の成膜手段としては、シラン（ＳｅｎＨ，ｎ＋
２）ガスを熱分解させることによりａ−８＋膜を形成す
ることもでき、この方法は、所謂熱ＣＶＤ法と称され、
その一般的な装置を第５図に示す。
２）ガスを熱分解させることによりａ−８＋膜を形成す
ることもでき、この方法は、所謂熱ＣＶＤ法と称され、
その一般的な装置を第５図に示す。
第５図は熱ＣＶＤ 装置を概略的に示１〜だもので、図
中２２は反応槽、２３は電気炉、２４はメインバルブ、
２５は排気袋＃、２６は補助バルブ、２７．２Ｂ、２９
．．９０ はニードルバルブ１、？ Ｉ 、 ３２．
３．９ 、．９４ はフローメータ％ ３５．３６゜
３７．３８は流量調節バルブ、３９はａｓｉ膜の原料と
なるＳ ｉ ＩＩ、ガスを収容したガスボンベ、４０は
キャリアガスであるＮ２ ガスを収容したガスボンベ、
４１はａ−８ｉ膜中に不純物をドープするだめのＰＨ３
ガスを収容したガスボンベ、４２は同様の目的で用いる
Ｂ、ＩＴ、ガスを収容したガスボンベをそれぞれ示して
いる。
中２２は反応槽、２３は電気炉、２４はメインバルブ、
２５は排気袋＃、２６は補助バルブ、２７．２Ｂ、２９
．．９０ はニードルバルブ１、？ Ｉ 、 ３２．
３．９ 、．９４ はフローメータ％ ３５．３６゜
３７．３８は流量調節バルブ、３９はａｓｉ膜の原料と
なるＳ ｉ ＩＩ、ガスを収容したガスボンベ、４０は
キャリアガスであるＮ２ ガスを収容したガスボンベ、
４１はａ−８ｉ膜中に不純物をドープするだめのＰＨ３
ガスを収容したガスボンベ、４２は同様の目的で用いる
Ｂ、ＩＴ、ガスを収容したガスボンベをそれぞれ示して
いる。
す々わち、上記した熱ＣＶＤ 装置を用いてａ−８ｉ
膜を成形するには、Ｐ−ＣＶＤ装置と同様にまず反応
槽２２内をメインバルブ２４に接続された排気装置２５
により圧力がＩ Ｘ １０’−３Ｔｏｒｒ前後になる程
度まで排気した後、電気炉２３を通電して反応槽２２内
が４００〜８００℃の温度範囲を保つよう釦加熱する。
膜を成形するには、Ｐ−ＣＶＤ装置と同様にまず反応
槽２２内をメインバルブ２４に接続された排気装置２５
により圧力がＩ Ｘ １０’−３Ｔｏｒｒ前後になる程
度まで排気した後、電気炉２３を通電して反応槽２２内
が４００〜８００℃の温度範囲を保つよう釦加熱する。
次に１補助バルブ２６及びニードルバルブ２７．；＃、
２９．３０ を開弁し、フローメータ、？ １ 、
Ｊ ２ 、３３ 、．９４ を見ながら流量調節バル
ブ、９５ 、３６ 、 、？ ７ 、３８ を開弁調
整して反応槽２２内に各々のガスボンベ３９．４０，４
１．４２ からＳｉＨ宜ガス、Ｎ２ ガス、ＰＨ３ま
たはＢ、Ｈ，の混合ガスを導入［２、反応槽２２内でＳ
ｉＮ、ガスを熱分解させることにより、導電性基体２上
にａ−８Ｌ膜を堆積させるようになっている。
２９．３０ を開弁し、フローメータ、？ １ 、
Ｊ ２ 、３３ 、．９４ を見ながら流量調節バル
ブ、９５ 、３６ 、 、？ ７ 、３８ を開弁調
整して反応槽２２内に各々のガスボンベ３９．４０，４
１．４２ からＳｉＨ宜ガス、Ｎ２ ガス、ＰＨ３ま
たはＢ、Ｈ，の混合ガスを導入［２、反応槽２２内でＳ
ｉＮ、ガスを熱分解させることにより、導電性基体２上
にａ−８Ｌ膜を堆積させるようになっている。
ところが、上記した熱ＣＶＤ 法では、ａ−８ｉ膜が高
移動朋で、高温での安定性が良く、長波長域に吸収を持
つなどの利点を有する反面、高温雰囲気で成膜するため
膜中への水素の取込みが難Ｌ ＜、膜中の欠陥密度が高
いといった欠点があり、このため、成膜後での後処理に
より膜中への水素の取込みを行なっているが、未だ特性
的に満足すべき結果が得られてい々い。
移動朋で、高温での安定性が良く、長波長域に吸収を持
つなどの利点を有する反面、高温雰囲気で成膜するため
膜中への水素の取込みが難Ｌ ＜、膜中の欠陥密度が高
いといった欠点があり、このため、成膜後での後処理に
より膜中への水素の取込みを行なっているが、未だ特性
的に満足すべき結果が得られてい々い。
本発明は、上記の事情のもとに々されたもので、Ｐ−Ｃ
ＶＤ法及び熱ＣＶＤ 法が持つ双方の利点を併用して緒
特性の向上を図るようにした光導電部材及びその製造方
法を提供することを目的とするものである。
ＶＤ法及び熱ＣＶＤ 法が持つ双方の利点を併用して緒
特性の向上を図るようにした光導電部材及びその製造方
法を提供することを目的とするものである。
上記（−１た目的を達成させるために１本発明は、導電
性基体上に、熱ツび高周波放電によるＳム原子を含む原
料ガスを分解させて非晶質シリコン（ａ−８ｉ）からな
る光導電性層を堆積形成し得るように１−７たことを特
徴とするものである。
性基体上に、熱ツび高周波放電によるＳム原子を含む原
料ガスを分解させて非晶質シリコン（ａ−８ｉ）からな
る光導電性層を堆積形成し得るように１−７たことを特
徴とするものである。
〔発明の実施例）
以ド、本発明を第１図及び第２図に示す一実施例を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図は、本発明に係るａ−８ｔ膜の成膜装置を概略的
に示すもので、図中４３は反応槽、４４は導電性基体、
４′５ 、４６は放電用電極、４７はＮ、ガスまたは液
体等の冷媒を流す冷却パイプ、４８は反応槽４３の周り
に設けた電気炉、４９は高周波電源、５０はメインバル
ブ。
に示すもので、図中４３は反応槽、４４は導電性基体、
４′５ 、４６は放電用電極、４７はＮ、ガスまたは液
体等の冷媒を流す冷却パイプ、４８は反応槽４３の周り
に設けた電気炉、４９は高周波電源、５０はメインバル
ブ。
５１は排気装置、５２は補助バルブ％ 、５３ 、５４
５５．５６はニードルバルブ、５７．５Ｂ、５９．６０
はフローメータ、６１，６２．６３．６４ は流量調
節バルブ、６５はａ−８＋膜を形成するための原料ガス
であるＳ ＋ Ｈ４ガスを収容したガスボンベ、６６は
ギヤリアガスであるＡｒガスを収容したガスボンベ、６
２はａ−８ｉ膜中に不純物をドープするためのＰＨ３ま
たはＢ、Ｈ，ガスを収容ｉ〜だガスボンベ、６８けＯ，
、Ｎ、等のドーピングガスな収容したガスボンベである
。
５５．５６はニードルバルブ、５７．５Ｂ、５９．６０
はフローメータ、６１，６２．６３．６４ は流量調
節バルブ、６５はａ−８＋膜を形成するための原料ガス
であるＳ ＋ Ｈ４ガスを収容したガスボンベ、６６は
ギヤリアガスであるＡｒガスを収容したガスボンベ、６
２はａ−８ｉ膜中に不純物をドープするためのＰＨ３ま
たはＢ、Ｈ，ガスを収容ｉ〜だガスボンベ、６８けＯ，
、Ｎ、等のドーピングガスな収容したガスボンベである
。
すなわち、上記した本発明に係る成膜装置を用いて導電
性基体４４上にａ−８ｉ膜（光導電性層）を成膜するに
は、まず、反応槽４３内をツインバルブ５０に接続され
た排気装置５Ｉにより排気してＩ Ｘ Ｈｌ−”’ Ｔ
ｏｒｒ の圧力になるまで減圧する。次に、電気炉４８
を通電１−て反応槽４３全体を３００〜８００°Ｃの温
度範囲に加熱１゜た後、冷却パイプ４７に冷媒を流Ｅ７
て導電性基体上 ように冷却維持する。この状態で、補助バルブ５２とニ
ードルバルブ５３，５４，５５．５６ を開弁し、ブ
ローメータ５７．５Ｂ、６９．６０ を見ながら流量
調節バルブ６１，６２，６３．６４ をそれぞれ開弁
調整Ｌ７て各々のガスボンベ６５．６６゜６７．６８か
ら反応槽４３内に８ ＋ Ｈ４、Ａ ｒ 。
性基体４４上にａ−８ｉ膜（光導電性層）を成膜するに
は、まず、反応槽４３内をツインバルブ５０に接続され
た排気装置５Ｉにより排気してＩ Ｘ Ｈｌ−”’ Ｔ
ｏｒｒ の圧力になるまで減圧する。次に、電気炉４８
を通電１−て反応槽４３全体を３００〜８００°Ｃの温
度範囲に加熱１゜た後、冷却パイプ４７に冷媒を流Ｅ７
て導電性基体上 ように冷却維持する。この状態で、補助バルブ５２とニ
ードルバルブ５３，５４，５５．５６ を開弁し、ブ
ローメータ５７．５Ｂ、６９．６０ を見ながら流量
調節バルブ６１，６２，６３．６４ をそれぞれ開弁
調整Ｌ７て各々のガスボンベ６５．６６゜６７．６８か
ら反応槽４３内に８ ＋ Ｈ４、Ａ ｒ 。
Ｂ、ＩＩ６まだはＰＨ，、Ｎ２または０７等の混合ガス
を導入１，１ さらにメインバルブ５０を調節して反応
槽４３内の圧力が０．１〜１．０ Ｔｏｒｒになるよう
に調節する。そして反応槽４３内が定常状態に在ったと
き、高周波電源４９より高周波放電を起１７１反応槽４
３内にプラズマを生起させることにより、第２図に示す
ような導電性基体４４上にａ−８＋膜層６９を堆積形成
１−だ光導電部材７０を得るものである。
を導入１，１ さらにメインバルブ５０を調節して反応
槽４３内の圧力が０．１〜１．０ Ｔｏｒｒになるよう
に調節する。そして反応槽４３内が定常状態に在ったと
き、高周波電源４９より高周波放電を起１７１反応槽４
３内にプラズマを生起させることにより、第２図に示す
ような導電性基体４４上にａ−８＋膜層６９を堆積形成
１−だ光導電部材７０を得るものである。
１、たがって、上記１．た特進手段によれば、成膜時、
晶周波放ｔｌｌＫよるＳ ｉ Ｈ，ガスの分解と。
晶周波放ｔｌｌＫよるＳ ｉ Ｈ，ガスの分解と。
反応槽４３を高温加熱することによる８１Ｈ，ガスの熱
分解との双方の作用により、ａ−８＋膜層６９が導電性
基体４４上に堆積される一方、冷媒によって導電性基体
４４のｌ晶度を下げることにより通常の熱ＣＶＤ法で欠
点とされていた膜中への水素の収込みを可能にし、これ
によって通常のＰ −ＣＶ Ｉ）法におけるａ−８Ｌの
Ｐ −ｎ制御をも可能に１．でなるとともに、これら１
） −ＣＶＤ法及び熱ＣＶ Ｉ）法の併用でＰ −ＣＶ
Ｄ法の欠点である成膜速度を高めることが期待できる
ものである。
分解との双方の作用により、ａ−８＋膜層６９が導電性
基体４４上に堆積される一方、冷媒によって導電性基体
４４のｌ晶度を下げることにより通常の熱ＣＶＤ法で欠
点とされていた膜中への水素の収込みを可能にし、これ
によって通常のＰ −ＣＶ Ｉ）法におけるａ−８Ｌの
Ｐ −ｎ制御をも可能に１．でなるとともに、これら１
） −ＣＶＤ法及び熱ＣＶ Ｉ）法の併用でＰ −ＣＶ
Ｄ法の欠点である成膜速度を高めることが期待できる
ものである。
なお、本発明は上記Ｅまた実施例に限定されるものでは
なく、第３図に示すように、光導市；性層を単層構造の
ものから複数の層構造、例えば表面層７１、中間層７２
、パンクアップ層７３といった３層構造にすることも可
能であり、この場合、表面層７１は表面保護、中曲層７
２は光キャリアの発生及び輸送、バックアツプ層７３は
導電性基体４４から注入されるキャリアの障壁として機
能させることにより、電子写真用感光体として用いた場
合に、高い電荷保持能と高感度を持ち、通常の感光体と
して充分通用させることができる。また、上記実施例で
は、導電性基体が平板状であるが、円筒状のものでも良
いことは勿論である。
なく、第３図に示すように、光導市；性層を単層構造の
ものから複数の層構造、例えば表面層７１、中間層７２
、パンクアップ層７３といった３層構造にすることも可
能であり、この場合、表面層７１は表面保護、中曲層７
２は光キャリアの発生及び輸送、バックアツプ層７３は
導電性基体４４から注入されるキャリアの障壁として機
能させることにより、電子写真用感光体として用いた場
合に、高い電荷保持能と高感度を持ち、通常の感光体と
して充分通用させることができる。また、上記実施例で
は、導電性基体が平板状であるが、円筒状のものでも良
いことは勿論である。
具体例Ａ
反応槽４３内にアルミニウム基板（１００×１００
）を設置してＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒまで減圧し７
％次に反応槽内を５００℃に保って基板の温度を２５０
℃に維持するとともに、反応槽４３内にＳｉＨ４ガスが
流！ｔ２００ｓｃｃＭ、Ｎ２Ｈスが流１ｆ６０ＳＣｃＭ
になるように導入ＩＡＩ節し、さらに反応槽内の圧力が
０．８ Ｔａｒｒ になるように調節した後、高周波
電力１００Ｗを加えて２時間成膜１１、成膜後の試料を
室温になるまで冷却１−７て大気圧に戻１．て外部に取
出した。そして、この試料に０６ ＫＶの印加電圧によ
りコロナ帯電をしたところ、その飽和表面電位は４５０
■であった。
）を設置してＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒまで減圧し７
％次に反応槽内を５００℃に保って基板の温度を２５０
℃に維持するとともに、反応槽４３内にＳｉＨ４ガスが
流！ｔ２００ｓｃｃＭ、Ｎ２Ｈスが流１ｆ６０ＳＣｃＭ
になるように導入ＩＡＩ節し、さらに反応槽内の圧力が
０．８ Ｔａｒｒ になるように調節した後、高周波
電力１００Ｗを加えて２時間成膜１１、成膜後の試料を
室温になるまで冷却１−７て大気圧に戻１．て外部に取
出した。そして、この試料に０６ ＫＶの印加電圧によ
りコロナ帯電をしたところ、その飽和表面電位は４５０
■であった。
さらに、該試料にタングステン光を照射１．たところ、
半減露光感度は１．３ Ｌｕｘ −ｓｅｃを示した。ま
た同様に■６ ＫＶの印加電圧でコロナ帯電をしたとこ
ろ、飽和表面４位はθ３２０ Ｖ、半減露光感度は１．
２Ｌｕｘ−ｓｅｅを示Ｉ、た。
半減露光感度は１．３ Ｌｕｘ −ｓｅｃを示した。ま
た同様に■６ ＫＶの印加電圧でコロナ帯電をしたとこ
ろ、飽和表面４位はθ３２０ Ｖ、半減露光感度は１．
２Ｌｕｘ−ｓｅｅを示Ｉ、た。
具体例Ｂ
反応槽内にアルミニウム基板（１００，ｘ；１・００）
を設置してＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ まで減圧［
２１次に反応槽内を６００℃に保って基板の温度を２０
０ ’Ｃに維持するとともに、反応槽内にＳｉＨ，ガス
が流量７ Ｑ ＳＣＣＭ 、 ＡｒベースＢ、Ｈ６１％
ガスが流量３ＳＣＣＭになるように導入調節し、さらに
反応槽内の圧力が９８Ｔｏｒｒになるように調節１．た
後、高周波電力１００Ｗを加えて放電を生起させ％３分
間の成膜を行なった。同様の方法で、ＳｉＨ。
を設置してＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ まで減圧［
２１次に反応槽内を６００℃に保って基板の温度を２０
０ ’Ｃに維持するとともに、反応槽内にＳｉＨ，ガス
が流量７ Ｑ ＳＣＣＭ 、 ＡｒベースＢ、Ｈ６１％
ガスが流量３ＳＣＣＭになるように導入調節し、さらに
反応槽内の圧力が９８Ｔｏｒｒになるように調節１．た
後、高周波電力１００Ｗを加えて放電を生起させ％３分
間の成膜を行なった。同様の方法で、ＳｉＨ。
ガスが流ｉｉ １４０ ＳＣＣＭ 、 Ｑ、８Ｔｏｒｒ
（Ｄ圧力の下で２００Ｗの高周波電力を加えて２時間
の成膜を行ない、さらにＳｉＨ，ガスが流量７０８ＣＣ
Ｍ 、 Ｎ ｔガスが流量２０ ＳＣＣＭ 、 ０．６
Ｔｏｒｒ の圧力の下で１００Ｗの高周波電力を加
えて３公開の成膜を行ない、成膜後の試料を室温まで戻
し、て大気中に試料Ａとして取出した。
（Ｄ圧力の下で２００Ｗの高周波電力を加えて２時間
の成膜を行ない、さらにＳｉＨ，ガスが流量７０８ＣＣ
Ｍ 、 Ｎ ｔガスが流量２０ ＳＣＣＭ 、 ０．６
Ｔｏｒｒ の圧力の下で１００Ｗの高周波電力を加
えて３公開の成膜を行ない、成膜後の試料を室温まで戻
し、て大気中に試料Ａとして取出した。
次に、反応槽を加熱せずに通常のＣＶＤ法妬て基板温度
を２００℃に保ち、他のガスの流量、印加電力、成膜時
間を試料への条件、と、同じにｉ−て試料Ｂを取出［ま
た。
を２００℃に保ち、他のガスの流量、印加電力、成膜時
間を試料への条件、と、同じにｉ−て試料Ｂを取出［ま
た。
そして、これら両試料Ａ−ＢＫＯ−６に■の印加電圧に
よりコロナ帯電をｊ７たと、ころ１両試料共に飽和表面
電位は４３０■を示１７．また両試料に初期電位を４０
０■として７９０１Ｉｉのレーザ光（１０ｍＷ）を照射
１−たところ、半減露光部■は試料Ａで９．５２ ｒｆ
ｌ／ｃｄ 、 試料ＢでＩＦ４ｅｒｌｌ／ｃｄ とな
り、この結果、Ｐ−ＣＶＤ 法のみの成膜（試料Ｂ）に
比較してＰ−ＣＶＤ法と熱ＣＶＤ法を併用した成膜（試
料Ａ）の方が長波長域に感度な持つ膜が形成されること
が確認された。
よりコロナ帯電をｊ７たと、ころ１両試料共に飽和表面
電位は４３０■を示１７．また両試料に初期電位を４０
０■として７９０１Ｉｉのレーザ光（１０ｍＷ）を照射
１−たところ、半減露光部■は試料Ａで９．５２ ｒｆ
ｌ／ｃｄ 、 試料ＢでＩＦ４ｅｒｌｌ／ｃｄ とな
り、この結果、Ｐ−ＣＶＤ 法のみの成膜（試料Ｂ）に
比較してＰ−ＣＶＤ法と熱ＣＶＤ法を併用した成膜（試
料Ａ）の方が長波長域に感度な持つ膜が形成されること
が確認された。
以上説明１〜だように、本発明によれば、導電性基体上
に非晶質シリコンからなる光導電性層を堆積形成するに
おいて、Ｐ−ＣＶＤ法と熱ＣＶＤ法とを併用してなるこ
とから、Ｐ−ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法の双方の長所を持
つ感光体が得られ、Ｐ −ｎ制御及び成膜速度の迅速化
を可能にし、高い電荷保持能と感度を有する光導電部材
を得ることができるといったすぐれた効果を奏する。
に非晶質シリコンからなる光導電性層を堆積形成するに
おいて、Ｐ−ＣＶＤ法と熱ＣＶＤ法とを併用してなるこ
とから、Ｐ−ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法の双方の長所を持
つ感光体が得られ、Ｐ −ｎ制御及び成膜速度の迅速化
を可能にし、高い電荷保持能と感度を有する光導電部材
を得ることができるといったすぐれた効果を奏する。
第１図は本発明に係る光導電部材の製造装置の一実拘例
を示す概略的説明図、第２図は光導電部材の要部説明図
、第３図は本発明に一係る光導電部材の他の実姉例を示
す要部説明図、第４図は従来のＰ−ＣＶＤ法による製造
装置を示す概略的説明図、納５図は従来の熱ＣＶＤ法に
よる製造袋）Ｒを示す概略的説明図である。
を示す概略的説明図、第２図は光導電部材の要部説明図
、第３図は本発明に一係る光導電部材の他の実姉例を示
す要部説明図、第４図は従来のＰ−ＣＶＤ法による製造
装置を示す概略的説明図、納５図は従来の熱ＣＶＤ法に
よる製造袋）Ｒを示す概略的説明図である。
Claims (3)
- （１）導電性基体上に、熱及び高周波放電によりＳｉ原
子を含む原料ガスを分解させて非晶質シリコンからなる
光導電性層を堆積形成した光導電部材。 - （２）減圧雰囲気下にある反応槽内に導電性基体を配置
し、かつ前記反応槽全体を３００℃以上で８００℃以下
に加熱維持した後、前記反応槽内にＳｉ原子を含む原料
ガスを導入するとともに、高周波放電により分解させて
前記導電性基体上に非晶質シリコン層を成膜させてなる
光導電部材の製造方法。 - （３）導電性基体は、成膜時に冷媒により冷却されて１
００℃以上で５００℃以下の温度に保ってなることを特
徴とする特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215706A JPS6194053A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215706A JPS6194053A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194053A true JPS6194053A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16676810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215706A Pending JPS6194053A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038711A (en) * | 1987-03-10 | 1991-08-13 | Sitesa S.A. | Epitaxial facility |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215706A patent/JPS6194053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038711A (en) * | 1987-03-10 | 1991-08-13 | Sitesa S.A. | Epitaxial facility |
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