JPS625248A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS625248A JPS625248A JP14323885A JP14323885A JPS625248A JP S625248 A JPS625248 A JP S625248A JP 14323885 A JP14323885 A JP 14323885A JP 14323885 A JP14323885 A JP 14323885A JP S625248 A JPS625248 A JP S625248A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous silicon
- electrophotographic photoreceptor
- charge generation
- silicon
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はマイクロクリスタリンシリコンとアモルファス
シリコンを使用した電子写真感光体に関する。
シリコンを使用した電子写真感光体に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来から電子写真感光体の光導電層を構成する材料とし
て、ＣｄＳ、ＺｎＯ，５ｅ１Ｓｅ−Ｔｅ。
て、ＣｄＳ、ＺｎＯ，５ｅ１Ｓｅ−Ｔｅ。
アモルファスシリコン（ａ−８ｉ ）等の無機材料や、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール トリニトロフルオレン（ＴＮＦ）等の有機材料が主に知
られている。
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール トリニトロフルオレン（ＴＮＦ）等の有機材料が主に知
られている。
しかしながら、これら公知の材料は、光導電材料として
使用する場合種々問題があり、システムの特性をある程
度犠牲にして、情況に応じて使いわけされているのが現
状である。
使用する場合種々問題があり、システムの特性をある程
度犠牲にして、情況に応じて使いわけされているのが現
状である。
たとえばＳｅ．ＣｄＳは本質的に人体に対して有害な材
料であり、これらを製造するにあたっては安全対策上、
特別の配慮を必要とし、このため製造装置が複雑となっ
たり、その製作に余分な費用を必要とし、特にＳｅの場
合には回収の必要もあるため、その回収費用も材料コス
トにはねかえってくるという問題があった。また特性面
から見ると、たとえばＳｅやＳｅ−Ｔｅでは、結晶化温
度が６５℃と低いため複写を繰り返し行なっている間に
結晶化が起こり、残霜、その他の点で実用上問題が生じ
やすく、結局寿命が短いという欠点があった。またＺｎ
Ｏについては、材料の物性上、酸化や還元が起こりやす
く、環境雰囲気の影響を著しく受は易いために信頼性に
乏しいという問題があった。
料であり、これらを製造するにあたっては安全対策上、
特別の配慮を必要とし、このため製造装置が複雑となっ
たり、その製作に余分な費用を必要とし、特にＳｅの場
合には回収の必要もあるため、その回収費用も材料コス
トにはねかえってくるという問題があった。また特性面
から見ると、たとえばＳｅやＳｅ−Ｔｅでは、結晶化温
度が６５℃と低いため複写を繰り返し行なっている間に
結晶化が起こり、残霜、その他の点で実用上問題が生じ
やすく、結局寿命が短いという欠点があった。またＺｎ
Ｏについては、材料の物性上、酸化や還元が起こりやす
く、環境雰囲気の影響を著しく受は易いために信頼性に
乏しいという問題があった。
さらに有機光導電材料については、ＰＶＣｚやＴＮＦ等
は、有機材料であるために、熱安定性、耐摩耗性に乏し
く、製品ライフが短いという欠点があった。
は、有機材料であるために、熱安定性、耐摩耗性に乏し
く、製品ライフが短いという欠点があった。
一方アモルファスシリコンは、近年光電変換材料として
注目されており、太陽電池、ＷＩｌ！トランジスタ、イ
メージセンサ−への応用が盛んに行なわれているほか、
電子写真感光体の光導電材料としても検討がなされてい
る。
注目されており、太陽電池、ＷＩｌ！トランジスタ、イ
メージセンサ−への応用が盛んに行なわれているほか、
電子写真感光体の光導電材料としても検討がなされてい
る。
このアモルファスシリコンは、電子写真用感光体として
用いた場合、前述の他の材料にはない以下のような長所
を備え、電子写真感光体材料として期待されており、す
でにカールソン方式に基づいて感光体としての検討が進
められている。
用いた場合、前述の他の材料にはない以下のような長所
を備え、電子写真感光体材料として期待されており、す
でにカールソン方式に基づいて感光体としての検討が進
められている。
■ 無公害の材料であり、回収、処理の必要がない。
■ 他の電子写真感光体より、可視光領域で高い分光感
度を・有している。
度を・有している。
■ 表面硬度が高く、耐摩耗性、対衝撃性に優れている
。
。
このようにアモルファスシリコンは、電子写真感光体と
して優れた特性を有するが、電子写真感光体として必要
な高抵抗かつ光感度が高いという両方の特性を軍属の感
光体で満足させることは困難であった。
して優れた特性を有するが、電子写真感光体として必要
な高抵抗かつ光感度が高いという両方の特性を軍属の感
光体で満足させることは困難であった。
［発明の目的］
本発明は、このような従来の問題を解決すべくなされた
もので、帯電能に優れ、残留電位が低く、かつ広い波長
領域にわたって高感度であり、耐環境性に優れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。
もので、帯電能に優れ、残留電位が低く、かつ広い波長
領域にわたって高感度であり、耐環境性に優れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち本発明は、導電性支持体上に、周期律表第■族
または第Ｖ族の元素と炭素、酸素、窒素のうち少なくと
も１種以上の元素とを含むアモルファスシリコンからな
る層厚１００Å〜１０μｌのブロッキング層と、炭素、
酸素、窒素のうち少なくとも１種以上の元素を含むアモ
ルファスシリコンからなる層厚３〜８０μｌの電荷輸送
層と、主としてマイクロクリスタリンシリコンからなる
層厚０、１〜１０μｍの電荷発生層とが順に形成された
電子写真感光体であって、前記周期律表第■族または第
Ｖ族の元素の濃度が膜厚方向に変化して前記導電性支持
体側近傍にその最大濃度を有するように構成することに
より、帯電能に優れ、残留電位が低く、かつ広い波長領
域にわたって高感度であり、耐環境性に優れた電子写真
感光体を提供するものである。
または第Ｖ族の元素と炭素、酸素、窒素のうち少なくと
も１種以上の元素とを含むアモルファスシリコンからな
る層厚１００Å〜１０μｌのブロッキング層と、炭素、
酸素、窒素のうち少なくとも１種以上の元素を含むアモ
ルファスシリコンからなる層厚３〜８０μｌの電荷輸送
層と、主としてマイクロクリスタリンシリコンからなる
層厚０、１〜１０μｍの電荷発生層とが順に形成された
電子写真感光体であって、前記周期律表第■族または第
Ｖ族の元素の濃度が膜厚方向に変化して前記導電性支持
体側近傍にその最大濃度を有するように構成することに
より、帯電能に優れ、残留電位が低く、かつ広い波長領
域にわたって高感度であり、耐環境性に優れた電子写真
感光体を提供するものである。
本発明の電子写真感光体は、第１図に示すように、ＡＪ
２等からなる導電性支持体１上に、アモルファスシリコ
ンからなる層厚１００Å〜１０μｍのブロッキング層２
と、アモルファスシリコンからなる層厚３〜８０μｍの
電荷輸送層３と、主としてマイクロクリスタリンシリコ
ンからなる層厚０，１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μ
箇の電荷発生層４とが順に形成されている。
２等からなる導電性支持体１上に、アモルファスシリコ
ンからなる層厚１００Å〜１０μｍのブロッキング層２
と、アモルファスシリコンからなる層厚３〜８０μｍの
電荷輸送層３と、主としてマイクロクリスタリンシリコ
ンからなる層厚０，１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μ
箇の電荷発生層４とが順に形成されている。
また、電荷発生層４上には、必要に応じて表面の保護ま
たは反射を防止するため表面層が形成される。
たは反射を防止するため表面層が形成される。
本発明の電子写真感光体におけるブロッキング層２は導
電性支持体１からの電荷の注入を阻止するためのもので
、カールソンプロセスにおいて、たとえば感光体表面に
正帯電を行なわせるときには支持体側から電子の注入を
阻止するためにＰ型層とし、また感光体表面を負帯電で
用いるときには支持体側から正孔の注入を阻止するため
にＮ型層とする。ブロッキング層２をＰ型にするために
は周期律表第■族の元素、たとえばＢ、Ａβ、Ｇａ１
Ｉｎ、ＴＩ２等をドーピングし、Ｎ型にするためには周
期律表第Ｖ族の元素、たとえばＮ、Ｐ。
電性支持体１からの電荷の注入を阻止するためのもので
、カールソンプロセスにおいて、たとえば感光体表面に
正帯電を行なわせるときには支持体側から電子の注入を
阻止するためにＰ型層とし、また感光体表面を負帯電で
用いるときには支持体側から正孔の注入を阻止するため
にＮ型層とする。ブロッキング層２をＰ型にするために
は周期律表第■族の元素、たとえばＢ、Ａβ、Ｇａ１
Ｉｎ、ＴＩ２等をドーピングし、Ｎ型にするためには周
期律表第Ｖ族の元素、たとえばＮ、Ｐ。
Ａｓ、３ｂ、［３ｉ等をドーピングするすることが望ま
しい。これらのＰ型不純物、Ｎ型不純物のドーピングに
より、支持０体側から電荷が光導電層へ注入してくるこ
とが防止され、光感度特性が向上し、かつｉ型となって
高抵抗化する。このブロッキング層２の厚さは１００Å
〜１０μが好ましく、この範囲をはずれると本発明の効
果を充分に発揮できなくなる。
しい。これらのＰ型不純物、Ｎ型不純物のドーピングに
より、支持０体側から電荷が光導電層へ注入してくるこ
とが防止され、光感度特性が向上し、かつｉ型となって
高抵抗化する。このブロッキング層２の厚さは１００Å
〜１０μが好ましく、この範囲をはずれると本発明の効
果を充分に発揮できなくなる。
また暗抵抗を大きくして光導電特性を高めるために炭素
、酸素、窒素のうち少なくとも１種以上の元素をドーピ
ングすることが望ましい。
、酸素、窒素のうち少なくとも１種以上の元素をドーピ
ングすることが望ましい。
本発明においてアモルファスシリコンからなる電荷輸送
層３は、電荷発生層４で発生したキャリアを効率よく導
電性支持体１側へ到達させるためのもので、電荷輸送１
１３内には炭素、酸素、窒素のうち少なくとも１種以上
の元素がドーピングされている。これらの元素ドーピン
グは帯電能を向上させ、電荷輸送と電位保持の両機能を
持たせるためのものである。なお、さらに暗抵抗を大き
くして帯電能を向上させるため周期律表第■族または第
Ｖ族の元素をドーピングすることが好ましい。
層３は、電荷発生層４で発生したキャリアを効率よく導
電性支持体１側へ到達させるためのもので、電荷輸送１
１３内には炭素、酸素、窒素のうち少なくとも１種以上
の元素がドーピングされている。これらの元素ドーピン
グは帯電能を向上させ、電荷輸送と電位保持の両機能を
持たせるためのものである。なお、さらに暗抵抗を大き
くして帯電能を向上させるため周期律表第■族または第
Ｖ族の元素をドーピングすることが好ましい。
電荷輸送１１３の膜厚は３〜８０μｍが適当であり、こ
れより簿すぎても厚すぎてもその機能を充分に果すこと
ができな（なる。
れより簿すぎても厚すぎてもその機能を充分に果すこと
ができな（なる。
本発明においては、電荷発生１１Ｊ３は主にマイクロク
リスタリンシリコンで構成されている。この電荷発生層
３は、層の全部がマイクロクリスタリンシリコンであっ
てもよいが、アモルファスシリコンが混合あるいは積層
されていてもよい。
リスタリンシリコンで構成されている。この電荷発生層
３は、層の全部がマイクロクリスタリンシリコンであっ
てもよいが、アモルファスシリコンが混合あるいは積層
されていてもよい。
電荷発生層３の層厚は薄くてもよいが、０．１〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍが適しており、この範囲をは
ずれると機能を充分に果すことができなくなる。
ｍ、好ましくは１〜５μｍが適しており、この範囲をは
ずれると機能を充分に果すことができなくなる。
本発明の電荷発生１１３に用いられるマイクロクリスタ
リンシリコンは次のような物性上の特徴を有する微結晶
シリコンであって、アモルファスシリコン、ポリクリス
タリンシリコン（多結晶シリコン）から明確に区別され
る。
リンシリコンは次のような物性上の特徴を有する微結晶
シリコンであって、アモルファスシリコン、ポリクリス
タリンシリコン（多結晶シリコン）から明確に区別され
る。
すなわちＸ線回折測定を行なうと、アモルファスシリコ
ンは無定形であるためハローが現れるのみで、回折パタ
ーンを認めることはできないが、マイクロクリスタリン
シリコンは２θが２７〜２８．５’付近に結晶回折パタ
ーンを示し、またポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・１以下であるのに対しマイクロクリスタリン
シリコンは１０Ω・１以上である。そしてこのようなマ
イクロクリスタリンシリコンは、約数子Å以上の粒径の
微結晶が集合して形成されていると考えられる。
ンは無定形であるためハローが現れるのみで、回折パタ
ーンを認めることはできないが、マイクロクリスタリン
シリコンは２θが２７〜２８．５’付近に結晶回折パタ
ーンを示し、またポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が
１０６Ω・１以下であるのに対しマイクロクリスタリン
シリコンは１０Ω・１以上である。そしてこのようなマ
イクロクリスタリンシリコンは、約数子Å以上の粒径の
微結晶が集合して形成されていると考えられる。
この電荷発生層４には他の層と同様に暗抵抗を大きくし
て帯電能を向上させるため周期律表第■族または第Ｖ族
の元素をドーピングすることが好ましく、さらに水素を
０．１〜３０原子％程度ドーピングすることにより特性
を一層向上させることができる。
て帯電能を向上させるため周期律表第■族または第Ｖ族
の元素をドーピングすることが好ましく、さらに水素を
０．１〜３０原子％程度ドーピングすることにより特性
を一層向上させることができる。
これらの層に、ドーピングされる周期律表第■族または
第Ｖ族の元素の濃度は、支持体１側から表面側に向かっ
て連続的に減少するようにドーピングされている。この
第■族または第Ｖ族の元素濃度の減少は、膜厚方向に同
じ割合で減少しても、曲線的に減少してもよく、場合に
よっては階段状に減少していてもよい。第２図（ａ）〜
（β）は、これらの元素の膜厚方向の濃度分布の減少パ
ターンを数例示したもので、本発明におけるの濃度減少
のパターンはこれらのいずれのパターンであってもよい
。なお、導電性支持体１に平行な面におけるこれらの元
素の濃度分布は均一であることが望ましい。さらにこれ
らの元素の最大濃度の部分は、膜中で薄い層をなしてい
ても、ある程度の厚さを有していてもよい。またこの周
期律表第■族または第Ｖ族の元素の濃度分布はブロッキ
ング層から電荷輸送層および／または電荷発生層にわた
っていてもよい。
第Ｖ族の元素の濃度は、支持体１側から表面側に向かっ
て連続的に減少するようにドーピングされている。この
第■族または第Ｖ族の元素濃度の減少は、膜厚方向に同
じ割合で減少しても、曲線的に減少してもよく、場合に
よっては階段状に減少していてもよい。第２図（ａ）〜
（β）は、これらの元素の膜厚方向の濃度分布の減少パ
ターンを数例示したもので、本発明におけるの濃度減少
のパターンはこれらのいずれのパターンであってもよい
。なお、導電性支持体１に平行な面におけるこれらの元
素の濃度分布は均一であることが望ましい。さらにこれ
らの元素の最大濃度の部分は、膜中で薄い層をなしてい
ても、ある程度の厚さを有していてもよい。またこの周
期律表第■族または第Ｖ族の元素の濃度分布はブロッキ
ング層から電荷輸送層および／または電荷発生層にわた
っていてもよい。
本発明の電子写真感光体を製造するには、シランガスを
原料として用い、高周波グロー放電分解法により、支持
体上にまずアモルファスシリコンの層を堆積させ、次い
でマイクロクリスタリンシリコンの層を堆積させる。こ
のときマイクロクリスタリンシリコン層は、アモルファ
スシリコン層を堆積させる場合よりも導電性支持体の温
度を高めに設定し、高周波電力もより大きくすると形成
され易くなる。このように導電性支持体温度を高め、高
周波電力を大きくすることにより、原料ガス（シラン等
）の流ＩＩ−を増大させることも可能となり、その結果
成膜速度を増大させることができる。また、原料ガスの
５ｆＨ４やＳ！ｚＨｓ等の高次シランガスも含めて、水
素で希釈したガスの場合には、特にマイクロクリスリン
シリコンが効果的に形成され易くなる。
原料として用い、高周波グロー放電分解法により、支持
体上にまずアモルファスシリコンの層を堆積させ、次い
でマイクロクリスタリンシリコンの層を堆積させる。こ
のときマイクロクリスタリンシリコン層は、アモルファ
スシリコン層を堆積させる場合よりも導電性支持体の温
度を高めに設定し、高周波電力もより大きくすると形成
され易くなる。このように導電性支持体温度を高め、高
周波電力を大きくすることにより、原料ガス（シラン等
）の流ＩＩ−を増大させることも可能となり、その結果
成膜速度を増大させることができる。また、原料ガスの
５ｆＨ４やＳ！ｚＨｓ等の高次シランガスも含めて、水
素で希釈したガスの場合には、特にマイクロクリスリン
シリコンが効果的に形成され易くなる。
第３図はこのようなアモルファスシリコン層およびマイ
クロクリスタリンシリコン層を成膜するための装置の一
例を概略的に示す図である。
クロクリスタリンシリコン層を成膜するための装置の一
例を概略的に示す図である。
第３図において、５．６．７および８は反応ガスのボン
ベで、たとえば５ＩＨ４、Ｂ２Ｈ６、Ｈ２、ＣＨ４等の
原料ガスが収容されている。これらの反応ガスのボンベ
５〜８は圧力調整器Ｒ１〜Ｒ４および流量調整パルプｖ
１〜ｖ４を介し配管Ｐ１〜Ｐ４によりガス混合器９に接
続されている。そしてこのガス混合器９は流量調整パル
プＶ５を有する配管Ｐ５により反応容器１０に接続され
ている。反応容器１０内には、円筒状電極１１および支
持台１２に載置されたドラム基体１３が同心的に配置さ
れ、円筒状電１ｆ１１１および支持台１２には、高周波
電？ｌ！１４が接続されている。
ベで、たとえば５ＩＨ４、Ｂ２Ｈ６、Ｈ２、ＣＨ４等の
原料ガスが収容されている。これらの反応ガスのボンベ
５〜８は圧力調整器Ｒ１〜Ｒ４および流量調整パルプｖ
１〜ｖ４を介し配管Ｐ１〜Ｐ４によりガス混合器９に接
続されている。そしてこのガス混合器９は流量調整パル
プＶ５を有する配管Ｐ５により反応容器１０に接続され
ている。反応容器１０内には、円筒状電極１１および支
持台１２に載置されたドラム基体１３が同心的に配置さ
れ、円筒状電１ｆ１１１および支持台１２には、高周波
電？ｌ！１４が接続されている。
１５はドラム基体１３内に配置された基体加熱用のヒー
タ、１６は駆動モータ１７により回転されるドラム基体
１３の回転軸、１８はグロー放電をさせるのに必要な真
空を得るための排気系へ接続された接続ゲートバルブで
ある。
タ、１６は駆動モータ１７により回転されるドラム基体
１３の回転軸、１８はグロー放電をさせるのに必要な真
空を得るための排気系へ接続された接続ゲートバルブで
ある。
このような装置を使用してドラム基体１３の表面にアモ
ルファスシリコンおよびマイクロクリスタリンシリコン
の層を形成させるには、まず反応容器１０内にドラム基
体１３を設置した後、排気系を作動させて約０．ＩＴｏ
ｒｒ以下に排気した後、ボンベ５〜８から反応ガスを供
給し、ガス混合器９で所定の割合に混合して反応容器１
０内へ導入し圧力を０．１〜Ｉ Ｔｏ ｒ ｒ程度に設
定する。
ルファスシリコンおよびマイクロクリスタリンシリコン
の層を形成させるには、まず反応容器１０内にドラム基
体１３を設置した後、排気系を作動させて約０．ＩＴｏ
ｒｒ以下に排気した後、ボンベ５〜８から反応ガスを供
給し、ガス混合器９で所定の割合に混合して反応容器１
０内へ導入し圧力を０．１〜Ｉ Ｔｏ ｒ ｒ程度に設
定する。
次に駆動モータ１７によりドラム基体１３を回転させな
がら、高周波電源１４で電力を供給してグロー放電を行
なわせ、ドラム基体１３上にアモルファスシリコンおよ
びマイクロクリスタリンシリコンを堆積させる。この場
合、ドラム基体１３はあらかじめ、加熱用ヒータ１５に
より所望の温度まで加熱され、成膜中も一定温度に保た
れる。またボンベ５〜８に酸素や炭素や窒素の供給源と
なる原料ガスたとえばＮ２ｏ１ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２
、ＣＨ４，０２ガス等を用いることによってこれらの元
素をアモルファスシリコンおよびマイクロクリスタリン
シリコン中に含有させることもできる。
がら、高周波電源１４で電力を供給してグロー放電を行
なわせ、ドラム基体１３上にアモルファスシリコンおよ
びマイクロクリスタリンシリコンを堆積させる。この場
合、ドラム基体１３はあらかじめ、加熱用ヒータ１５に
より所望の温度まで加熱され、成膜中も一定温度に保た
れる。またボンベ５〜８に酸素や炭素や窒素の供給源と
なる原料ガスたとえばＮ２ｏ１ＮＨ３、ＮＯ２、Ｎ２
、ＣＨ４，０２ガス等を用いることによってこれらの元
素をアモルファスシリコンおよびマイクロクリスタリン
シリコン中に含有させることもできる。
なおマイクロクリスタリンシリコン層への水素のドーピ
ングは、たとえばグロー放電分解法で行なう場合には、
原料としてＳ ｉ Ｈ４や５ｉｚＨｓ等のシラン類とキ
ャリアガスとしての水素等を反応室に導入してグロー放
電を行なうようにすればよい。またＳ ｆ Ｆ ４や３
ｉＣＪ＋等のハロゲン化ケイ素と水素の混合ガスを原料
としたり、シラン類とハロゲン化ケイ素の混合ガス系で
反応を行なわせたり、スパッタリング等の物理的な方法
によっても同様に水素を含有するマイクロクリスタリン
シリコンを得ることができる。
ングは、たとえばグロー放電分解法で行なう場合には、
原料としてＳ ｉ Ｈ４や５ｉｚＨｓ等のシラン類とキ
ャリアガスとしての水素等を反応室に導入してグロー放
電を行なうようにすればよい。またＳ ｆ Ｆ ４や３
ｉＣＪ＋等のハロゲン化ケイ素と水素の混合ガスを原料
としたり、シラン類とハロゲン化ケイ素の混合ガス系で
反応を行なわせたり、スパッタリング等の物理的な方法
によっても同様に水素を含有するマイクロクリスタリン
シリコンを得ることができる。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例について説明する。
実施例
第３図に示した電子写真感光体製造装置を用いて、以下
述べるグロー放電分解法によりＡＪ支持体上にアモルフ
ァスシリコンおよびマイクロクリスタリンシリコンを成
膜して電子写真感光体を製造した。
述べるグロー放電分解法によりＡＪ支持体上にアモルフ
ァスシリコンおよびマイクロクリスタリンシリコンを成
膜して電子写真感光体を製造した。
すなわち、まずＳｔＨ＋流量を１００８ ＣＣＭとし、
ＳｔＨ＊に対して５０％の流量のＣＨ４と８２ Ｈｓと
を混合して基体温度２５０℃、印加電力２００Ｗ、反応
圧０．７Ｔ Ｏｒ ｒの条件でドラム基体上に厚さ１μ
ｌのＰ型アモルファス炭化シ゛リコン膜からなるブロッ
キング層を形成した。
ＳｔＨ＊に対して５０％の流量のＣＨ４と８２ Ｈｓと
を混合して基体温度２５０℃、印加電力２００Ｗ、反応
圧０．７Ｔ Ｏｒ ｒの条件でドラム基体上に厚さ１μ
ｌのＰ型アモルファス炭化シ゛リコン膜からなるブロッ
キング層を形成した。
なお８２ Ｈｓの濃度は、成膜開始時にＳｆＨ＊流量に
対し、Ｂ ２ Ｈｓ ／ Ｓ ｉ Ｈ４１０−２とし、
その後成膜の時間の経過と共に徐々に８２ Ｈ６／Ｓｔ
Ｈ＊ １０−’まで減少させて支持体側から膜厚方向
に８２ Ｈ６８度を減少させた。
対し、Ｂ ２ Ｈｓ ／ Ｓ ｉ Ｈ４１０−２とし、
その後成膜の時間の経過と共に徐々に８２ Ｈ６／Ｓｔ
Ｈ＊ １０−’まで減少させて支持体側から膜厚方向
に８２ Ｈ６８度を減少させた。
次に、５ｆＨｓ流】を５０８０ ＣＭとし、Ｓ ｉ Ｈ
。
。
に対して１０％のＣＨ４を混合して、基板温度、印加電
力、反応圧を一定に保ったまま膜厚３０μｍのアモルフ
ァスシリコンを成膜して電荷輸送層を形成した。
力、反応圧を一定に保ったまま膜厚３０μｍのアモルフ
ァスシリコンを成膜して電荷輸送層を形成した。
さらに基板温度３７０℃、印加電力１ｋＷ、反応圧０．
７Ｔ ＯＲＲに設定し、Ｓ！Ｈ＋の流量を６０８０ＣＭ
とし、Ｈ２の流量を６００８０ ＣＭとして膜厚５μ璽
のマイクロクリスタリンシリコン層を成膜して電荷発生
層とした。
７Ｔ ＯＲＲに設定し、Ｓ！Ｈ＋の流量を６０８０ＣＭ
とし、Ｈ２の流量を６００８０ ＣＭとして膜厚５μ璽
のマイクロクリスタリンシリコン層を成膜して電荷発生
層とした。
このようにして作成した電子写真感光体は、暗抵抗が高
く、優れた帯電能を有し、良好な光導電特性を有し、可
視光はもちろん、長波長側にも充分な感度を有し、かつ
、周期律表第■族または第Ｖ族の元素の膜厚方向濃度勾
配により密着性が良く、繰り返し特性に優れたものであ
った。
く、優れた帯電能を有し、良好な光導電特性を有し、可
視光はもちろん、長波長側にも充分な感度を有し、かつ
、周期律表第■族または第Ｖ族の元素の膜厚方向濃度勾
配により密着性が良く、繰り返し特性に優れたものであ
った。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の電子写真感光体は、高抵
抗で帯電特性に優れ、また可視光および近赤外光領域に
高い光感度特性を有し、しかも製品は人体に無害で、耐
熱性、耐湿性・耐摩耗性に優れているため、長期にわた
って繰返し使用しても劣化せず寿命が長いという長所を
備えている。
抗で帯電特性に優れ、また可視光および近赤外光領域に
高い光感度特性を有し、しかも製品は人体に無害で、耐
熱性、耐湿性・耐摩耗性に優れているため、長期にわた
って繰返し使用しても劣化せず寿命が長いという長所を
備えている。
また製造は安全かつ容易であり、Ｇ ｅ Ｈ４等の長波
長増感を行なうためのガスを必要としないため、余分な
廃ガス処理設備が不要であり、工業的生産性が著く高い
。
長増感を行なうためのガスを必要としないため、余分な
廃ガス処理設備が不要であり、工業的生産性が著く高い
。
第１図は本発明の感光体を概略的に示す断面図、第２図
は（ａ）〜（ｉ）は周期律表第■族または第Ｖ族の元素
の膜厚方向の濃度分布を示すグラフ、第３図は製造装置
を概略的に示す図である。 １・・・・・・・・・導電性支持体 ２・・・・・・・・・ブロッキング層 ３・・・・・・・・・電荷輸送層 ４・・・・・・・・・電荷発生層 ５〜８・・・反応ガスのボンベ ９・・・・・・・・・ガス混合器 １０・・・・・・・・・反応容器 １１・・・・・・・・・円筒状電極 １２・・・・・・・・・支持台 １３・・・・・・・・・ドラム基体 １４・・・・・・・・・高周波電極 １５・・・・・・・・・ヒータ １６・・・・・・・・・ドラム基体の回転軸１７・・・
・・・・・・駆動モータ １８・・・・・・・・・接続ゲートバルブＰ１〜Ｐ５・
・・・・・配管 Ｒ１−Ｒ４・・・・・・圧力調整器 ■１〜Ｖ５・・・バルブ 出願人 株式会社 東芝 出願人 東芝自ｉｌ１機器エンジニアリング株
式会社
は（ａ）〜（ｉ）は周期律表第■族または第Ｖ族の元素
の膜厚方向の濃度分布を示すグラフ、第３図は製造装置
を概略的に示す図である。 １・・・・・・・・・導電性支持体 ２・・・・・・・・・ブロッキング層 ３・・・・・・・・・電荷輸送層 ４・・・・・・・・・電荷発生層 ５〜８・・・反応ガスのボンベ ９・・・・・・・・・ガス混合器 １０・・・・・・・・・反応容器 １１・・・・・・・・・円筒状電極 １２・・・・・・・・・支持台 １３・・・・・・・・・ドラム基体 １４・・・・・・・・・高周波電極 １５・・・・・・・・・ヒータ １６・・・・・・・・・ドラム基体の回転軸１７・・・
・・・・・・駆動モータ １８・・・・・・・・・接続ゲートバルブＰ１〜Ｐ５・
・・・・・配管 Ｒ１−Ｒ４・・・・・・圧力調整器 ■１〜Ｖ５・・・バルブ 出願人 株式会社 東芝 出願人 東芝自ｉｌ１機器エンジニアリング株
式会社
Claims (8)
- （１）導電性支持体上に、周期律表第III族または第Ｖ
族の元素と炭素、酸素、窒素のうち少なくとも１種以上
の元素とを含むアモルファスシリコンからなる層厚１０
０Å〜１０μｍのブロッキング層と、炭素、酸素、窒素
のうち少なくとも１種以上の元素を含むアモルファスシ
リコンからなる層厚３〜８０μｍの電荷輸送層と、主と
してマイクロクリスタリンシリコンからなる層厚０．１
〜１０μｍの電荷発生層とが順に形成された電子写真感
光体であつて、前記周期律表第III族または第Ｖ族の元
素の濃度が膜厚方向に変化して前記導電性支持体近傍に
その最大濃度を有することを特徴とする電子写真感光体
。 - （２）電荷発生層が、マイクロクリスタリンシリコンと
アモルファスシリコンとの混合体からなる特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）電荷発生層が、マイクロクリスタリンシリコンと
アモルファスシリコンとの積層体である特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 - （４）マイクロクリスタリンシリコンおよびアモルファ
スシリコンが、水素原子を含有するものである特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項記載の電子写
真感光体。 - （５）電荷輸送層および／または電荷発生層が周期律表
第III族または第Ｖ族の元素を含有するものである特許
請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記載の電
子写真感光体。 - （６）電荷輸送層および／または電荷発生層中の周期律
表第III族または第Ｖ族の元素の濃度が膜厚方向にブロ
ッキング層から連続して変化する特許請求の範囲第５項
記載の電子写真感光体。 - （７）電荷発生層の層厚が１〜５μｍである特許請求の
範囲第１項ないし第６項のいずれか１項記載の電子写真
感光体。 - （８）最上層に電荷発生層とは異なる表面層を有する特
許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１項記載の
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14323885A JPS625248A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14323885A JPS625248A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625248A true JPS625248A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15334108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14323885A Pending JPS625248A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625248A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195658A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63198069A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63200157A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63201663A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| US4864088A (en) * | 1987-07-03 | 1989-09-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electronically controlled cooking apparatus for controlling heating of food using a humidity sensor |
| JPH0525916A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-02 | Misawa Homes Co Ltd | フロアリング床の接合構造 |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP14323885A patent/JPS625248A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195658A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63198069A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63200157A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| JPS63201663A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| US4864088A (en) * | 1987-07-03 | 1989-09-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electronically controlled cooking apparatus for controlling heating of food using a humidity sensor |
| JPH0525916A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-02 | Misawa Homes Co Ltd | フロアリング床の接合構造 |
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