JPS6050169A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6050169A JPS6050169A JP15475283A JP15475283A JPS6050169A JP S6050169 A JPS6050169 A JP S6050169A JP 15475283 A JP15475283 A JP 15475283A JP 15475283 A JP15475283 A JP 15475283A JP S6050169 A JPS6050169 A JP S6050169A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- plasma
- high frequency
- nozzles
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマを用いた気相成長法、特に、各種成
分の活性化をそれぞれに制御しうる気相成長法に関する
。
分の活性化をそれぞれに制御しうる気相成長法に関する
。
従来のプラズマを用いた気相成長法は、１つのチャンバ
ー内に複数のガスを一定の割合で導入し、対向型電極又
はコイルに尚周波電力を印加することによって上記チャ
ンバー内にプラズマを励起し、プラズマによってイオン
化或はラジカル化された材料を基板上に薄膜として成長
させるものである。この方法は、基板温度の低下がはか
れ、種々の非晶質膜の成長、高温合成化合物の薄膜の低
温成長が可能となっている。
ー内に複数のガスを一定の割合で導入し、対向型電極又
はコイルに尚周波電力を印加することによって上記チャ
ンバー内にプラズマを励起し、プラズマによってイオン
化或はラジカル化された材料を基板上に薄膜として成長
させるものである。この方法は、基板温度の低下がはか
れ、種々の非晶質膜の成長、高温合成化合物の薄膜の低
温成長が可能となっている。
しかし、従来法においては、牟−のプラズマ領域で励起
を行なうため、様々の不都合が生じていた。例えば、■
ラジカルの形成エネルギーね分子によって異なるので、
ラジカルの割合をけ１定のものとするためＫは、導入す
る分子の割合を著しく大きく或いは小さくする必装が生
じる。■プラズマ励起車力の変化、カス組成の変化、チ
ャンバー内の圧力フ）変化等ｌｉ複雑にからり合ってお
シ、一つの変化が批々の状態変化をひき起し、成長薄膜
の種々の性質や組成について所望のものを得ることが困
難である。■成長薄膜の１つの変斌を変化させようとす
ると、曲の社にも影響を与え、独立に１つり）液加を変
化さぜるこ七が困難である。■プラズマが非熱平衡、非
線型の４ｇ質を持つため、組成Ｏ精密な制御、Ｐ３現性
の良い薄膜成長が難しい。等０ｍ１題があった。
を行なうため、様々の不都合が生じていた。例えば、■
ラジカルの形成エネルギーね分子によって異なるので、
ラジカルの割合をけ１定のものとするためＫは、導入す
る分子の割合を著しく大きく或いは小さくする必装が生
じる。■プラズマ励起車力の変化、カス組成の変化、チ
ャンバー内の圧力フ）変化等ｌｉ複雑にからり合ってお
シ、一つの変化が批々の状態変化をひき起し、成長薄膜
の種々の性質や組成について所望のものを得ることが困
難である。■成長薄膜の１つの変斌を変化させようとす
ると、曲の社にも影響を与え、独立に１つり）液加を変
化さぜるこ七が困難である。■プラズマが非熱平衡、非
線型の４ｇ質を持つため、組成Ｏ精密な制御、Ｐ３現性
の良い薄膜成長が難しい。等０ｍ１題があった。
仁の発明は、薄膜を形成する各成分毎にプラズマ）ヒ成
条件を変えることによシ、上記の欠点を含まぬ薄膜形成
力θミを得ようとするもυでお以下図面を診照して詳細
に説明する。
条件を変えることによシ、上記の欠点を含まぬ薄膜形成
力θミを得ようとするもυでお以下図面を診照して詳細
に説明する。
図はこの発明の方法を実施するための薄膜形成装置の１
し０を示し、薄膜ｊし成チャンバー１内に繭板紋ＩＫ袷
２を設ける。３は基板である。この基板設置姓む２￥ｉ
周知のように基板加熱礪恰及び回転数４（１１１をｊ寺
つ場合もある。
し０を示し、薄膜ｊし成チャンバー１内に繭板紋ＩＫ袷
２を設ける。３は基板である。この基板設置姓む２￥ｉ
周知のように基板加熱礪恰及び回転数４（１１１をｊ寺
つ場合もある。
この装置においては、杓数個のカス病、入ノズル４．４
．４ ・・・が基板３の大面近傍までのび、その先端に
高周波コイル５．５′、５″・・・が設けられている。
．４ ・・・が基板３の大面近傍までのび、その先端に
高周波コイル５．５′、５″・・・が設けられている。
また、各ノズル４．４．４・の先端商周波コイル５．５
．５ ・・・より先の部分から賀鍛分析ｎ４ヘカスを導
入するザンン“リング用４＋１１管６．６′、６“、・
・・が設けられている。これら複舷個のノズル４．４．
４ ・・・れ各々別個■カス供給源から所望のガスが所
望の量導入さ第１．る。これと共に各高周波コイルには
各Ｆ９ｒ窒の車力及び周波数の局周波が供給され、ノズ
ル内でプラズマを発生させる。このプラズマ状態はノズ
ル毎に賀斤分析ａ丁でモニターすることかでき、必茨に
しし、じガス流量、高周波電力を制御することができる
。
．５ ・・・より先の部分から賀鍛分析ｎ４ヘカスを導
入するザンン“リング用４＋１１管６．６′、６“、・
・・が設けられている。これら複舷個のノズル４．４．
４ ・・・れ各々別個■カス供給源から所望のガスが所
望の量導入さ第１．る。これと共に各高周波コイルには
各Ｆ９ｒ窒の車力及び周波数の局周波が供給され、ノズ
ル内でプラズマを発生させる。このプラズマ状態はノズ
ル毎に賀斤分析ａ丁でモニターすることかでき、必茨に
しし、じガス流量、高周波電力を制御することができる
。
このように、薄膜の組成成分を独立に１ｔｉｌｊ却する
ことにより、自由な組成のスへ択、組成り）精密な制御
、脩加不純物υ自由な力＼択と制師、優れた再埃性が得
られ、広い軸間のり［望の組成、特性○薄膜！７）形成
を０７能とターる。
ことにより、自由な組成のスへ択、組成り）精密な制御
、脩加不純物υ自由な力＼択と制師、優れた再埃性が得
られ、広い軸間のり［望の組成、特性○薄膜！７）形成
を０７能とターる。
以下実施例を示す。
（実施列ｌ）
非晶ｌｊ！！、蒙化シリコン膜（ＳｉｘＮｙ）の形成ガ
ス導入［１４，４’からそれぞれアルゴンガスで希釈し
たシランガス（ＳｉＨ４１０％）およびアンモニアガス
（ＮＨ，，１０％）を導入し、高周波を印加してプラズ
マ化した。この場合、両方のガス？ｌｊ ｆｉｇ、を１
０−１００°ｃＡｎｉｎ、高周波出、力を１０〜１００
Ｗ’１．た基板１温莢を室温から３００℃迄変化させ、
シリコンウニ／・上に窒化シリコン膜を形成させた。得
られた膜は均一で千担であった。そして膜■組成および
慣性はシラン及びアンモニア力スリ流鼠は勾配、高周波
電力をぞノしく′−ｈ独立に変化さ仕ることによって広
い乾量に亘す梢度良く制０１１ｊできることが強制さノ
１−た〇そして、プラズマＣＶＤｆ制両全困難にしてい
る仮会的儂二化を低減でき、１つＣ）変錆グン与を変化
延せうることができた。泗えしよ８μ’４／ＬＭ ３の
流鼠比を１〜１／４ど変化させ、茜ノ４波ｍ力をともれ
に対し７、同じ流址変化に対し、Ｓｉ”４及びＮ１］３
ガスへ印加する高周波電力を、それそｈ、 ３０ Ｗ及
び６０Ｗとした場合、改ＩＫｔ、た膜（７） ｉ／Ｎ
纒ξ子組成比は１〜０７５となった。
ス導入［１４，４’からそれぞれアルゴンガスで希釈し
たシランガス（ＳｉＨ４１０％）およびアンモニアガス
（ＮＨ，，１０％）を導入し、高周波を印加してプラズ
マ化した。この場合、両方のガス？ｌｊ ｆｉｇ、を１
０−１００°ｃＡｎｉｎ、高周波出、力を１０〜１００
Ｗ’１．た基板１温莢を室温から３００℃迄変化させ、
シリコンウニ／・上に窒化シリコン膜を形成させた。得
られた膜は均一で千担であった。そして膜■組成および
慣性はシラン及びアンモニア力スリ流鼠は勾配、高周波
電力をぞノしく′−ｈ独立に変化さ仕ることによって広
い乾量に亘す梢度良く制０１１ｊできることが強制さノ
１−た〇そして、プラズマＣＶＤｆ制両全困難にしてい
る仮会的儂二化を低減でき、１つＣ）変錆グン与を変化
延せうることができた。泗えしよ８μ’４／ＬＭ ３の
流鼠比を１〜１／４ど変化させ、茜ノ４波ｍ力をともれ
に対し７、同じ流址変化に対し、Ｓｉ”４及びＮ１］３
ガスへ印加する高周波電力を、それそｈ、 ３０ Ｗ及
び６０Ｗとした場合、改ＩＫｔ、た膜（７） ｉ／Ｎ
纒ξ子組成比は１〜０７５となった。
この場合、Ｎｌ−３６ガスノズルの先端から抽出したガ
スを４重隙貿力ｊ分拍口で決１ｊ定した結果、ＮＨ，。
スを４重隙貿力ｊ分拍口で決１ｊ定した結果、ＮＨ，。
の分解ガスであるｌ−Ｉ２、Ｎ ）ｉおよびＮ ［１２
が検出された。そ（７て、Ｎ１１３に印加する高周波箱
、〕Ｊを１０Ｗから６０Ｗへと増力１１さぜたところ、
−，１： ｔｉｉ、：■気体抽の増加が見らノＬ ｌｃ
＋ 従って、こノ１、らり気体抽全モニターとして１
史用す７Ｌば、１１Ｑの番１［我及び的性を成１そ時に
監視でき、このｔｉ’ｉ ＜ｉ・ンを（戊長条１牛（ｌ
こフィードバックｔ］ｔは、１ンノＩ】−ヒスｆｂ’１
呻も’Ｊ ｆａｌｌである。
が検出された。そ（７て、Ｎ１１３に印加する高周波箱
、〕Ｊを１０Ｗから６０Ｗへと増力１１さぜたところ、
−，１： ｔｉｉ、：■気体抽の増加が見らノＬ ｌｃ
＋ 従って、こノ１、らり気体抽全モニターとして１
史用す７Ｌば、１１Ｑの番１［我及び的性を成１そ時に
監視でき、このｔｉ’ｉ ＜ｉ・ンを（戊長条１牛（ｌ
こフィードバックｔ］ｔは、１ンノＩ】−ヒスｆｂ’１
呻も’Ｊ ｆａｌｌである。
従来のＳＦ−行平板型プラズ“マＣＶ ｌ）装置ｐｔニ
ー Ｊ−ｒいては、篩周波屯力の増加はＳｉ／Ｎ ｌ：
（予圧のＪＣＩ ｊＪＩＩと回１晦に］ｊν４長速度も
ハイｈ口し、またｌｉＩ′１台ｈ（ケ減少させる等、ｉ
ｌ’＞４４ ｋυ９′ｈ性、組成及び成長因子力；同時
に破伺１に変化し、これらをａ（１り立に１ｔｉｌｌ
ｉ卸することＣま出来ないが、この発明を〕４ Ｍｌ！
ｌ、た蚊ｉＭ＜においてはＮＨ３ガスに対する電力の変
化によって８′ハ原子比が主として変化するの蚕で、成
長因子や他の組成などに大きな変化は情られなかった。
ー Ｊ−ｒいては、篩周波屯力の増加はＳｉ／Ｎ ｌ：
（予圧のＪＣＩ ｊＪＩＩと回１晦に］ｊν４長速度も
ハイｈ口し、またｌｉＩ′１台ｈ（ケ減少させる等、ｉ
ｌ’＞４４ ｋυ９′ｈ性、組成及び成長因子力；同時
に破伺１に変化し、これらをａ（１り立に１ｔｉｌｌ
ｉ卸することＣま出来ないが、この発明を〕４ Ｍｌ！
ｌ、た蚊ｉＭ＜においてはＮＨ３ガスに対する電力の変
化によって８′ハ原子比が主として変化するの蚕で、成
長因子や他の組成などに大きな変化は情られなかった。
（実施例２）
集積回路保繰膜への応用
集積回路保欣膜として５ｉＸＮｙ膜を用いる場合重要な
因子である内部区、力は膜中の１■金含有で決定される
。一般には上記のようにＳｉ／＋１ 原子比に依存して
Ｈ含有量が決まるため、Ｓｔ／Ｎ原子比とＨ含有量を共
に最適呟とすることが出来なかったし この発明では、実施例１の方法によシ８１へ原子比を化
学当り比である０、７５となる条件の下において、ノズ
ル４からＨ２プラズマを供給することによシＨ含有Ｂｔ
ｏ ＋を独立にｆ’ｔｌＪ 帥出来る。
因子である内部区、力は膜中の１■金含有で決定される
。一般には上記のようにＳｉ／＋１ 原子比に依存して
Ｈ含有量が決まるため、Ｓｔ／Ｎ原子比とＨ含有量を共
に最適呟とすることが出来なかったし この発明では、実施例１の方法によシ８１へ原子比を化
学当り比である０、７５となる条件の下において、ノズ
ル４からＨ２プラズマを供給することによシＨ含有Ｂｔ
ｏ ＋を独立にｆ’ｔｌＪ 帥出来る。
すなわち、Ｓｉハ原子比を０７５に保ち、Ｈ２ノラズマ
への高周波電力を５〜２０Ｗに変化させ、成長湿度２５
０℃で戎長さぜることによシ、プラズマＣＶＤ膜中Ｑｋ
ｌ原子含有敞を１．２〜２．２ｘ １０２２個／ｃ３の
広い範囲にわたり独立に制御することができた。そして
、Ｈ’ １１（子含有組１．８Ｘ １０２２（１ｉｊ
／ｃｍ３のところで内部応力をほぼ零にできた。
への高周波電力を５〜２０Ｗに変化させ、成長湿度２５
０℃で戎長さぜることによシ、プラズマＣＶＤ膜中Ｑｋ
ｌ原子含有敞を１．２〜２．２ｘ １０２２個／ｃ３の
広い範囲にわたり独立に制御することができた。そして
、Ｈ’ １１（子含有組１．８Ｘ １０２２（１ｉｊ
／ｃｍ３のところで内部応力をほぼ零にできた。
（実施例３）
有限金属による”ｘＧａ （］ −ｘ ）Ａｓ混晶薄膜
の形成 ノズル４からトリメチルガリウムＧ８（ＣＨ，）３蒸気
を５〜３０°ｃ、ｚｔｒ＋ｉｎ、ノズル４′からトリメ
チルアルミニウムＡｚ （ＣＨｓ ）３蒸気を２〜２０
ｃ０／ｆｎｉ１１の流量で導入する。さらにノズル４か
ら水床又はアルゴンで希釈したアルシンカスＡ３１１３
２％を１０〜，１００ ”／ｍｉｎ Ｑ流鮭で導入する
。このとき、高周波コイル５．５′にはｉｍｔぜず、コ
イル５ｋＱ会５〜１００Ｗの車力を加え、基板温度を２
５〜８００Ｃｖ）範囲で変化させた。この条件下では、
成長温度４００〜８００℃の範囲でＧａＡ、Ｊ板上にＡ
７−ｘＧａ ＋ −ｘＡｓ がエピタキシャル成長する
ことが確認された。
の形成 ノズル４からトリメチルガリウムＧ８（ＣＨ，）３蒸気
を５〜３０°ｃ、ｚｔｒ＋ｉｎ、ノズル４′からトリメ
チルアルミニウムＡｚ （ＣＨｓ ）３蒸気を２〜２０
ｃ０／ｆｎｉ１１の流量で導入する。さらにノズル４か
ら水床又はアルゴンで希釈したアルシンカスＡ３１１３
２％を１０〜，１００ ”／ｍｉｎ Ｑ流鮭で導入する
。このとき、高周波コイル５．５′にはｉｍｔぜず、コ
イル５ｋＱ会５〜１００Ｗの車力を加え、基板温度を２
５〜８００Ｃｖ）範囲で変化させた。この条件下では、
成長温度４００〜８００℃の範囲でＧａＡ、Ｊ板上にＡ
７−ｘＧａ ＋ −ｘＡｓ がエピタキシャル成長する
ことが確認された。
得られた膜の電子キャリア娘度が、成長温匪６５０℃、
高周波−力６５Ｗにおいて５．６Ｘ１０”／ｃｃの低い
値を示した。これは高周波を印加しないときの” ４
Ｘ １０１６／ｃｃに比して約２桁低い呟であった。
高周波−力６５Ｗにおいて５．６Ｘ１０”／ｃｃの低い
値を示した。これは高周波を印加しないときの” ４
Ｘ １０１６／ｃｃに比して約２桁低い呟であった。
これによシ、この方法によれば、エピタキシャル成長＠
ｋが約２００℃低下しただけでなく、成長膜の結晶性や
電気的特性の改善が図れることが判明した。また、成長
速度も、ガスＲ，ＩＡの変化及び高周波紙力の変化によ
ってｏ、 ｏ ｏ ５〜、 ｌｔｍ７−１ｎ の範囲で
大幅に変化させることができた。
ｋが約２００℃低下しただけでなく、成長膜の結晶性や
電気的特性の改善が図れることが判明した。また、成長
速度も、ガスＲ，ＩＡの変化及び高周波紙力の変化によ
ってｏ、 ｏ ｏ ５〜、 ｌｔｍ７−１ｎ の範囲で
大幅に変化させることができた。
（実施例４）
超格子構造膜の形成
実施列３と同様の方法で、トリメチルガリウムとトリメ
チルアルミニウムを交互に供給することにょシ、ＧａＡ
ｓ＆ ＡＡＡｓまたはＧａＡＢとＡ九ＢＡＢの微細な超
格子層ＦＩＡｍ造企実現しうろことがｌｉ！認された。
チルアルミニウムを交互に供給することにょシ、ＧａＡ
ｓ＆ ＡＡＡｓまたはＧａＡＢとＡ九ＢＡＢの微細な超
格子層ＦＩＡｍ造企実現しうろことがｌｉ！認された。
この発明の装置はノズルから各気体を導入し基板底面近
傍から叱早く排気されるので、ラジカル種が基板表面近
傍の蚕に存在することになり、１０〜１００Ａの膜厚制
ｔａＩｌ力’−ｕＪｆＨしである。
傍から叱早く排気されるので、ラジカル種が基板表面近
傍の蚕に存在することになり、１０〜１００Ａの膜厚制
ｔａＩｌ力’−ｕＪｆＨしである。
とれに、１： ｐ Ｄ Ｆ Ｂ （ｄｉｓｔｒｉｂｕｔ
ｅｄ ｆｅｅｄｂａｓｋ）レーザやｋｉ Ｅ Ｍ Ｔ
（ｈｉｇｌｌｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙｊｒ
ａｎａｉｓｔｏｒ ）形の超篩速トランジスタのｉｆｆ
：も容易に実現できることが明らかになった。
ｅｄ ｆｅｅｄｂａｓｋ）レーザやｋｉ Ｅ Ｍ Ｔ
（ｈｉｇｌｌｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙｊｒ
ａｎａｉｓｔｏｒ ）形の超篩速トランジスタのｉｆｆ
：も容易に実現できることが明らかになった。
さらに、原料ノＪスの１Ｊｆｂを要えることによって、
ＧａＰ ｓ ＩＨＰ ％Ｂｐ％ ＧａＮ５ ＩｎＡ３な
どの化合物半導体を始め、ＧＩＬＡ８Ｘ” ＋ −Ｘ
％ Ｉｎｘ’ａ 、−ｘｐ、’ １１ＸＧａ １−Ｘ
Ａ８ｙｐ ｊ −３’ ％ Ａ’ＸＧｆ１ｙ” Ｉ、ｌ
−Ｘ−’／ｐのような三元、四元混晶膜のエピタキシャ
ルｉｎｋ １．ｔもｔｉ■Ｎｕであった。そしてこの動
行も、フ゛ラスマ励起により、組成範囲の大幅な制御ｄ
−町１１１５であるのみでなく、反応、結晶化を促進し
、に６＾ん性の改良、エピタキシャル成長温度の低゛ｆ
をもたらすことがわかった。
ＧａＰ ｓ ＩＨＰ ％Ｂｐ％ ＧａＮ５ ＩｎＡ３な
どの化合物半導体を始め、ＧＩＬＡ８Ｘ” ＋ −Ｘ
％ Ｉｎｘ’ａ 、−ｘｐ、’ １１ＸＧａ １−Ｘ
Ａ８ｙｐ ｊ −３’ ％ Ａ’ＸＧｆ１ｙ” Ｉ、ｌ
−Ｘ−’／ｐのような三元、四元混晶膜のエピタキシャ
ルｉｎｋ １．ｔもｔｉ■Ｎｕであった。そしてこの動
行も、フ゛ラスマ励起により、組成範囲の大幅な制御ｄ
−町１１１５であるのみでなく、反応、結晶化を促進し
、に６＾ん性の改良、エピタキシャル成長温度の低゛ｆ
をもたらすことがわかった。
この発明は上記のように、
ｑ） 成長因子及び成長膜の組成、特性の独立した制御
がｉ′Ｉ能である。こυため、１ヅｆ望のに且成、特性
のＩＩＫを得るためＶ制御が部用になり、広い領域にわ
たって精度よく再現出来、従来得られなかった組成のも
のが作成できる。
がｉ′Ｉ能である。こυため、１ヅｆ望のに且成、特性
のＩＩＫを得るためＶ制御が部用になり、広い領域にわ
たって精度よく再現出来、従来得られなかった組成のも
のが作成できる。
■ プラズマ生成物を分析することにより膜の成長中に
成長条件が監視でき、こ０情報金フイードバツクしてイ
ンプロセス割判が可能となる。
成長条件が監視でき、こ０情報金フイードバツクしてイ
ンプロセス割判が可能となる。
■ ラジカル偽が基板狭面近傍の与に存在することによ
ってｌＯ〜１００Ａ程度の膜厚制御が可能である。従っ
て、組成・性質の餞なる膜の積層や周期的変化も１０〜
１００Ａの脱環変化で目■能である。
ってｌＯ〜１００Ａ程度の膜厚制御が可能である。従っ
て、組成・性質の餞なる膜の積層や周期的変化も１０〜
１００Ａの脱環変化で目■能である。
■ 高周波電力は乎行乎板形のものに比してはるかに低
−力でよい。その上、基板は直接プラズマ中に置かれな
いため、集積回路等の陽陰、放射線損傷が少なく、素子
の力比を防ぐことが出来る。
−力でよい。その上、基板は直接プラズマ中に置かれな
いため、集積回路等の陽陰、放射線損傷が少なく、素子
の力比を防ぐことが出来る。
等の顕著な効果を奏する。
図はこの発明の＃膜形成方法を実かａする装置の１例の
概念図を示す １：チャンバ ２：基板設置台 ３：基板４：ガス導入
ノズル ５：高周波コイル特許出願人 新技術−発俳焔
団
概念図を示す １：チャンバ ２：基板設置台 ３：基板４：ガス導入
ノズル ５：高周波コイル特許出願人 新技術−発俳焔
団
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 薄膜を形成すべき基板我面近傍に、薄膜の組成成
分を含むノｊスを各別に供給する複数の供給口を設け、
各供給口毎に各別に高周波電力を印加して上記ガスを各
別にプラズマ化することを特徴とする薄膜形成方法 ２）薄膜を形成すべき基板異面近傍に、薄膜の組成成分
を含むカスを各別に供給する高周波印加装置を有する供
給口を複数設け、該複数の供給口のプラズマによる生成
ガス成分を検出し、該検出呟によυ各供給口毎の組成収
分供給敞及び高周波車力を制御することを％敵とする薄
膜）し成力法 ３）薄膜形成時に基板加熱、基板回転を？■なうことを
特徴とする特＃’Ｆ！Ｎ求の範囲第１項または第２項の
薄膜形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15475283A JPS6050169A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15475283A JPS6050169A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050169A true JPS6050169A (ja) | 1985-03-19 |
| JPS6256233B2 JPS6256233B2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=15591129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15475283A Granted JPS6050169A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050169A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63118074A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
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| JPS6256233B2 (ja) | 1987-11-25 |
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