KR100470833B1 - 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 - Google Patents

넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 넓은 에너지 영역에서 띠간격(band gap)을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si3N4)의 혼합 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착 장비에 의해 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조한다. 이에 따라, 본 발명은 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖음과 아울러 띠간격도 조절할 수 있는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 얻을 수 있다.

Description

넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 {Method for manufacturing SiCN thin film having band gap in wide energy region}
본 발명은 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 넓은 에너지 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막은 높은 강도를 갖는 코팅재료나 넓은 에너지 띠간격을 갖는 광전 재료로 사용된다. 광전재료로 사용될 경우에는 물질의 중요한 응용변수로서 띠간격을 들 수 있는데, 물질의 에너지 띠간격을 조절하는 것은 가시광선 영역에서 자외선 영역까지 응용범위를 넓힐 수 있다는 의미가 된다.
하지만, 세 가지 원소로 구성된 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 경우에는 화학기상 증착법과 같은 원자 단위 반응기들에 의한 박막 제조방법을 사용하면 두 개의 원소로 구성된 탄화규소(SiC)나 질화규소(SiNx) 및 질화탄소(CN)의 상들로 분리되는 문제점이 있다. 실제로 Thin Solid Films vol 377-378, pp. 607-610, 2000에 설명된 장(Zhang)의 실험에서 실란, 메탄, 질소 등의 가스원을 이용한 화학기상 증착법에서 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 에너지 띠간격을 2.3 내지 2.8 eV 정도의 좁은 에너지 영역에서만 조절이 가능하였다.
또한 탄화규소 타겟과 질소 가스를 사용하는 것 같은 단일 물질로 이루어진 타겟과 가스원을 동시에 이용하여 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막을 성장시키는 경우에도 가스원의 원소는 원자 단위 반응기이기 때문에 위와 같은 문제점을 가지게 된다. 따라서, 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 에너지 띠간격을 넓은 에너지 영역에서 조절하는 것이 매우 어려운 실정이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래의 문제점을 해결하여 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 탄화규소 분말, 질화규소 분말 및 탄소분말을 용해 및 분산하여 슬러리상의 혼합 분체를 제조하는 단계와, 상기 슬러리상의 혼합 분체를 성형틀에 흘려 넣고 건조시켜 그린체를 제조하는 단계와, 그린체를 진공 분위기 또는 불활성가스 분위기하에서 가열한 후 용융한 고순도 금속 실리콘 중에 침지시켜 탄화규소와 질화규소의 혼합 타겟을 제조하는 단계와, 펄스 레이저 증착 장비를 이용하여, 상기 혼합 타겟에 펄스 레이저를 조사하여 상기 혼합 타켓의 성분 물질을 기화시켜 기판 상에 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막은 비정질 또는 결정질 일 수 있다. 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 펄스레이저 증착 장비의 성장실의 분위기 가스는 질소원자, 질소 반응기 또는 탄소 원자를 포함하여 상기 박막 내의 질소나 탄소량을 미량으로 조절할 수 있다. 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 펄스레이저 증착 장비의 성장실의 분위기 가스는 메탄 가스, 암모니아 가스, 질소 가스, 또는 불활성 가스를 이용하여 상기 박막 내의 질소나 탄소량을 미량으로 조절할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si3N4)의 혼합 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착 장비에 의해 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖음과 아울러 띠간격도 조절할 수 있는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명과 관련된 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN)박막의 에너지 띠간격을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
일반적으로 세 개의 원소로 구성된 화합물의 경우에는 두 개의 원소로 구성된 화합물 사이의 에너지 띠간격을 가지게 된다. 실리콘 카본 나이트라이드 박막(SiCN)과 관련하여, SiCxN1-x에서 x(0≤x ≤1)값의 변화에 따라 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 에너지 띠간격은 연속적으로 변한다. 따라서, 실리콘 카본 나이트라이드 박막제조시 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si3N4)의 비율을 조절한 타겟을 이용하면 탄화규소의 에너지 띠간격인 2.1 내지 질화규소의 에너지 띠간격인 5.0 eV 범위에서 에너지 띠간격을 갖는 SiCN 박막을 제조할 수 있다.
이에 따라, 본 발명자들은 탄화규소와 질화규소의 비율이 적절히 조절된 혼합 타겟을 제조하였다. 더하여, 본 발명자들은 상온에서도 박막 성장이 가능하며 박막의 성분을 혼합 타겟의 성분과 거의 일치시키는 박막 제조 방법인 펄스레이저 증착법을 이용하여 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조하였다.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 탄화규소와 질화규소의 혼합 타겟을 제조하는 단계를 수행한다(스텝 100). 상기 혼합 타겟은 다음과 같이 제조한다. 즉, 탄화규소 분말, 질화규소 분말 및 탄소분말을 용매 중에서 용해 및 분산하여 슬러리상의 혼합 분체를 제조한다. 이어서, 상기 슬러리상의 혼합 분체를 성형틀에 흘려 넣고 건조시켜 그린체를 제조한다. 다음에, 상기 그린체를 진공분위기 또는 불활성가스 분위기하에서 1450∼1700℃로 가열한 후 용융한 고순도 금속 실리콘 중에 침지한다. 이렇게 되면, 모세관 현상에 의해 그린체중의 기공으로 빨려 올려진 실리콘과 그린체중의 유리탄소를 반응시켜 탄화규소를 생성시킨다. 결국, 그린체 중의 기공을 메우는 탄화규소와 질화규소의 혼합 타겟이 반응소결법에 의해 얻어진다. 더하여, 상기 혼합 타겟 제조시 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si3N4)의 비율은 포함되는 양에 따라 적절히 조절될 수 있다. 본 발명에서는, 혼합 타겟의 탄화규소의 혼합률을 10 내지 90%로 조절한다.
다음에, 탄화규소와 질화규소의 비율이 적절히 조절된 혼합 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착 장비를 이용하여 기판 상에 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조하는 단계를 포함하다(스텝 200). 이렇게 만들어진 실리콘 카본 나이트라이드 박막은 비정질 또는 결정질 일 수 있다. 상기 펄스레이저 증착법에 의한 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조는 도 3의 펄스레이저 증착 장비를 이용하여 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 제조에 이용되는 펄스레이저 증착 장비의 개략도이다.
구체적으로, 펄스레이저 증착 장비는 성장실(10) 내에 타겟(30) 및 기판(20)이 위치하고, 상기 성장실(10)의 외부에 위치한 펄스레이저 공급원(40)이 위치한다. 이에 따라, 펄스레이저 증착 장비를 이용한 펄스레이저 증착법은 펄스 레이저(50)를 타겟(30)에 조사함으로써 타겟의 성분 물질을 기화시켜 기판의 표면에 박막을 형성하는 방법이다.
상기 펄스레이저 증착 장비를 본 발명의 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 제조방법에 적용한다. 즉, 도 2에서 만들어진 타겟(30, 본 발명에서는 혼합 타겟)에 펄스레이저(50)를 조사시킴으로써 혼합 타겟(30)의 성분물질을 기화시켜 기판(20)의 표면에 실리콘 카본 나이트라이드막을 증착시킨다. 이때, 상기 기판 온도는 상온(25℃) 내지 800℃로 유지한다. 성장실(10)은 수 내지 수십 mTorr 압력의 분위기 가스로 유지시킨다. 본 발명에서는 성장실의 분위기 가스의 압력을 0.01 내지 10Torr로 조절한다.
상기 분위기 가스는 불활성 가스인 아르곤(Ar)이나 헬륨(He)을 이용할 수 있다. 그런데, 실리콘 카본 나이트라이드 박막내의 질소나 탄소량을 미량으로 조절하기 위해서 질소원자, 질소 반응기 또는 탄소원자가 포함되어 있는 분위기 가스를 사용할 수 있다. 다시 말해, 암모니아 가스, 질소 가스, 메탄 가스 등을 분위기 가스로 사용함으로써 박막의 성분을 미량으로 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 탄화규소(SiC)와 질화규소(Si3N4)의 비율이 조절된 혼합 타겟을 이용하여 펄스레이저 증착장비로 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖음과 아울러 띠간격도 조절할 수 있는 갖는 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN) 박막을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명과 관련된 실리콘 카본 나이트라이드(SiCN)박막의 에너지 띠간격을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실리콘 카본 나이트라이드 박막의 제조에 이용되는 펄스레이저 증착 장비의 개략도이다.

Claims (7)

  1. 탄화규소 분말, 질화규소 분말 및 탄소분말을 용해 및 분산하여 슬러리상의 혼합 분체를 제조하는 단계;
    상기 슬러리상의 혼합 분체를 성형틀에 흘려 넣고 건조시켜 그린체를 제조하는 단계;
    그린체를 진공 분위기 또는 불활성가스 분위기하에서 가열한 후 용융한 고순도 금속 실리콘 중에 침지시켜 탄화규소와 질화규소의 혼합 타겟을 제조하는 단계; 및
    펄스 레이저 증착 장비를 이용하여, 상기 혼합 타겟에 펄스 레이저를 조사하여 상기 혼합 타켓의 성분 물질을 기화시켜 기판 상에 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본 나이트라이드 박막을 제조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막은 비정질 또는 결정질인 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 펄스레이저 증착 장비의 성장실의 분위기 가스는 질소원자, 질소 반응기 또는 탄소 원자를 포함하여 상기 박막 내의 질소나 탄소량을 미량으로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 펄스레이저 증착 장비의 성장실의 분위기 가스는 메탄 가스, 암모니아 가스, 질소 가스, 또는 불활성 가스로 하여 상기 박막 내의 질소나 탄소량을 미량으로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 펄스 레이저 증착 장비의 성장실의 분위기 가스의 압력이 0.01 내지 10Torr인 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조시 상기 기판 온도는 상온 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 카본 나이트라이드 박막 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7618880B1 (en) * 2004-02-19 2009-11-17 Quick Nathaniel R Apparatus and method for transformation of substrate
KR100549219B1 (ko) * 2004-04-12 2006-02-03 한국전자통신연구원 실리콘 발광소자 및 그 제조방법
KR101494699B1 (ko) 2014-07-09 2015-02-26 이신영 제본 완성품의 적재장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56140629A (en) * 1980-04-04 1981-11-04 Nec Corp X-ray exposure mask
JPH03196149A (ja) * 1989-12-26 1991-08-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ↓３Ｎ↓４膜の成膜方法
JPH06275132A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Tonen Chem Corp タッチパネル電極膜
JPH07249565A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法
JPH09292616A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Sony Corp 液晶表示装置の製造方法
JPH11328729A (ja) * 1998-05-21 1999-11-30 Victor Co Of Japan Ltd 光情報記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56140629A (en) * 1980-04-04 1981-11-04 Nec Corp X-ray exposure mask
JPH03196149A (ja) * 1989-12-26 1991-08-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ↓３Ｎ↓４膜の成膜方法
JPH06275132A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Tonen Chem Corp タッチパネル電極膜
JPH07249565A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｘ線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法
JPH09292616A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Sony Corp 液晶表示装置の製造方法
JPH11328729A (ja) * 1998-05-21 1999-11-30 Victor Co Of Japan Ltd 光情報記録媒体

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