JPH09292616A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH09292616A
JPH09292616A JP10497796A JP10497796A JPH09292616A JP H09292616 A JPH09292616 A JP H09292616A JP 10497796 A JP10497796 A JP 10497796A JP 10497796 A JP10497796 A JP 10497796A JP H09292616 A JPH09292616 A JP H09292616A
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JP
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liquid crystal
substrate
counter substrate
alignment film
groove
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JP10497796A
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Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 対向基板および液晶駆動基板への配向膜形成
を簡素化すること。 【解決手段】 本発明は、対向基板1の表面全面と、T
FT基板2の表面全面とに各々配向膜12、22を一様
に塗布する工程と、TFT基板2の表面の所定位置にコ
モン剤3およびシール剤4を塗布する工程と、対向基板
1に塗布した配向膜12とTFT基板2に塗布した配向
膜22とを対向させるようにコモン剤3およびシール剤
4を介して対向基板1とTFT基板2とを重ね合わせる
工程と、対向基板1とTFT基板2とを分割した後、重
ね合わせた状態で対向基板1の配向膜12とTFT基板
2の配向膜22との間に液晶を注入し封止する工程とか
ら成る液晶表示装置の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶駆動基板と対
向基板とを重ね合わせ、その間に液晶を注入し封止する
液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、カラーフィルタや透明
電極、マイクロレンズ等が形成された対向基板と、TF
T等の液晶駆動素子が形成された液晶駆動基板とを重ね
合わせ、その間に液晶を注入し封止することにより製造
されている。
【0003】この重ね合わせを行う場合、対向基板側に
シール剤を塗布し、液晶駆動基板側にコモン剤を塗布し
た状態で2枚の基板の位置合わせをしながら重ね合わ
せ、所定のシールギャップを構成している。
【0004】液晶表示装置の製造においては、生産性向
上の観点から、対向基板と液晶駆動基板との両方に配向
膜を形成し、ラビング処理を施した後、基板単位で重ね
合わせ、スクライブブレークで分割し、液晶を注入封止
するいわゆる面面組立て方式が採用されたり、また、生
産性および歩留り向上の観点から、対向基板および液晶
駆動基板に配向膜を形成しラビング処理を施すまで基板
単位で行い、その後、各基板を分割して個々のチップ単
位で重ね合わせを行ういわゆる面単組立て方式も採用さ
れるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの製造
方法においては、対向基板側にシール剤を塗布し、液晶
駆動基板側にコモン剤を塗布して重ね合わせを行ってい
るため、例えば白黒用の液晶表示装置や、ブラックマス
クが液晶駆動基板に設けられていたり、オンチップカラ
ーフィルタが液晶駆動基板に設けられているものは、対
向基板にシール剤を塗布するためのアライメントマーク
が存在しない状態となる。
【0006】このため、対向基板側の正確な位置にシー
ル剤を塗布することができないという問題が生じてい
る。
【0007】対向基板に配向膜を塗布する際、所定のマ
スクを用いて必要な部分にのみ配向膜を塗布し、これを
アライメントの基準としてシール剤を塗布することも考
えられているが、これでは配向膜を塗布するためのマス
クやその洗浄、マスクをアライメントするための工数が
必要となり、生産性の低下およびコストアップを招く原
因となる。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された液晶表示装置の製造方法で
ある。すなわち、本発明は、駆動素子が形成された液晶
駆動基板の表面全面と、対向基板の表面全面とに各々配
向膜を一様に塗布しラビング処理する工程と、液晶駆動
基板の表面の所定位置にコモン剤およびシール剤を塗布
する工程と、液晶駆動基板に塗布した配向膜と対向基板
に塗布した配向膜とを対向させるようにコモン剤および
シール剤を介して液晶駆動基板と対向基板とを重ね合わ
せた後、液晶駆動基板と対向基板とを分割する工程と、
重ね合わせた状態で液晶駆動基板の配向膜と対向基板の
配向膜との間に液晶を注入し封止する工程とから成るも
のである。
【0009】また、各々配向膜を塗布し、ラビング処理
を施した液晶駆動基板と対向基板とをコモン剤およびシ
ール剤を介して重ね合わせた後、所定位置で分割を行
い、その間に液晶を注入封止して液晶表示装置に製造方
法では、予め、配向膜を塗布する前に、対向基板の表面
または裏面における分割を行う所定位置に合わせて溝を
形成しておく工程と、配向膜を塗布した後、対向基板に
形成した溝の方向を基準としてラビング処理を行う工程
と、液晶駆動基板と対向基板とをコモン剤およびシール
剤を介して重ね合わせ、溝に沿って液晶駆動基板と対向
基板とを分割し、その間に液晶を注入し封止する工程と
から成るものでもある。
【0010】また、各々配向膜を塗布し、ラビング処理
を施した液晶駆動基板および対向基板を分割した後、コ
モン剤およびシール剤を介して重ね合わせ、その間に液
晶を注入し封止する液晶表示装置の製造方法において
は、液晶駆動基板または対向基板の配向膜を塗布してい
ない面側における分割を行う位置に合わせて溝を形成し
ておき、液晶駆動基板または対向基板を分割する際、溝
を形成した面側にダイシングシートを被着した状態で、
配向膜が形成された面側から溝の底部にかけてダイシン
グシートを切ることなくダイシングブレードによる切断
を行うようにしたものでもある。
【0011】本発明では、対向基板の表面全面に配向膜
が一様に塗布され、さらにコモン剤およびシール剤が液
晶駆動基板の表面に塗布されている。このため、対向基
板の表面には配向膜だけを一様に塗布すればよく、専用
のマスクが不要となる。
【0012】また、対向基板の表面または裏面における
分割位置に合わせて溝を形成しておくことで、ラビング
処理および分割の方向をその溝に合わせて行うことがで
き、正確な配向と分割とを行うことができるようにな
る。
【0013】さらに、溝を形成した液晶駆動基板または
対向基板をその溝に沿って分割する際、溝が形成された
面側にダイシングシートを被着し、溝が形成されていな
い面側からその溝の底部にかけてダイシングを行うこと
で、ダイシングシートまで切断することなく基板の分割
を行うことができ、ダイシングシートの切断によるダス
ト発生を抑制できるようになる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の液晶表示装置の
製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。
図1、図2は本発明の第1実施形態を説明する概略断面
図である。すなわち、第1実施形態における液晶表示装
置の製造方法では、主として対向基板1と液晶駆動基板
であるTFT基板2とを基板単位で重ね合わせるいわゆ
る面面組立てを行うものであり、特に白黒用の液晶表示
装置や、ブラックマスクがTFT基板2に設けられてい
たり、オンチップカラーフィルタがTFT基板2に設け
られていて、対向基板1には透明電極11が一様に形成
され、アライメントマークとなるものが無い場合に適し
た製造方法となっている。
【0015】先ず、図1(a)に示すように、対向基板
1(例えば、8インチ径、0.7mm厚のほうけい酸ガ
ラス基板)の表面にITOから成る透明電極11を形成
した後、その上にポリイミド等から成る配向膜12を一
様に塗布し、ラビング処理および洗浄を行う。この際、
配向膜12を一様に全面塗布(スピンコートまたはバー
コート等で30〜50nm厚)することから、専用のマ
スク等を使用することなく行えるとともに、このマスク
の洗浄等のメインテナンスも不要である。
【0016】次に、図1(b)に示すように、TFT基
板2(例えば、8インチ径、0.8mm厚の石英ガラス
基板)にTFT駆動素子21を形成し、その上にポリイ
ミド等から成る配向膜22を一様に全面塗布する(スピ
ンコートまたはバーコート等で30〜50nm厚)。こ
の配向膜22の塗布を行った後は、ラビング処理および
洗浄を行っておく。なお、いずれもラビング処理はオリ
エンテーションフラット基準で行う。
【0017】次いで、図1(c)に示すように、TFT
基板2の配向膜22上にコモン剤3とシール剤4との両
方を塗布する。そして、このTFT基板2の配向膜2と
対向基板1の配向膜12とが対向するように、TFT基
板2側に塗布したコモン剤3およびシール剤4を介して
対向基板1とTFT基板2とを重ね合わせる。
【0018】これにより、対向基板1の配向膜12とT
FT基板2の配向膜22との間に所定のシールギャップ
が形成される。また、コモン剤3としては、このシール
ギャップ以上の径を持つ導電粒子が含まれているものを
使用する。
【0019】つまり、対向基板1に配向膜12が一様に
塗布され、TFT基板2にも配向膜22が一様に塗布さ
れている場合、コモン剤3内の導電粒子の粒径がシール
ギャップより小さいと、基板の重ね合わせの押圧力でも
導電粒子が各配向膜12、22を突き破ることができ
ず、透明電極11とTFT駆動素子21との確実な導通
が得られなくなってしまう。
【0020】そこで、基板の重ね合わせを行う際の押圧
力によってコモン剤3内の導電粒子が各配向膜12、2
2を突き破り、透明電極11とTFT駆動素子21との
確実な導通を得るために、導電粒子の粒径をシールギャ
ップ以上にしておく。
【0021】次いで、図2(a)に示すようにカッター
5を用いて対向基板1とTFT基板2とを分割する。こ
の分割によって図2(b)に示すようなチップが多数形
成される。この状態で、対向基板1とTFT基板2との
間のシールギャップに液晶Lを注入し、封止および熱処
理を施しておく。
【0022】そして、図2(c)に示すように、対向基
板1およびTFT基板2の表面に偏光フィルム8を貼り
付け、TFT基板2の電極ランド(図示せず)に異方性
導電膜(図示せず)を介してフレキシブル配線7を接続
する。これによって、液晶表示装置が完成する。
【0023】第1実施形態では、対向基板1とTFT基
板2との重ね合わせを行う前、対向基板1に対して配向
膜12を一様に塗布しているため、専用のマスクが不要
となっている。しかも、従来対向基板1側に塗布してい
たシール剤4をTFT基板2側に形成しているため、シ
ール剤4の位置合わせはTFT駆動素子21を形成する
際に使用したアライメントマークを使用できるようにな
る。
【0024】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おける第2実施形態を説明する。図3は第2実施形態を
説明する概略断面図である。第2実施形態では、透明電
極が一様に形成された対向基板1を分割するにあたり、
配向膜12のラビング方向を基準とした正確な分割を行
うようにする点に特徴がある。
【0025】一般に、配向膜12のラビング方向と偏光
フィルタの偏光度とが合致していないと液晶表示装置の
コントラストが低下することが知られている。一方、対
向基板1に対して配向膜12に対するラビング処理を行
うには、対向基板1のオリエンテーションフラット(以
下、単にオリフラという。)を基準として正確な方向で
行うことができるが、基板の分割を行う場合には基板を
ダイシングシートを介して所定の治具に取り付けること
から、配向膜12が一様に形成された対向基板1のオリ
フラと治具との正確な位置合わせは困難である。このた
め、ダイシングではオリフラを基準とした正確な切断が
できず、ラビング方向を基準とした正確な分割ができな
くなっている。したがって、この分割ラインに沿って貼
り付ける偏光フィルタの偏光度とラビング方向との合致
が困難となっている。
【0026】第2実施形態では、先ず、図3(a)に示
すように、対向基板1の表面における分割ラインに沿っ
てV溝13を形成する。このV溝13は、例えばVカッ
トブレードを用いて約0.1mmの深さ、約0.2mm
の幅で形成され、対向基板1のオリフラ(図示せず)を
基準に正確に形成されている。なお、必ずしも断面視V
型の溝でなくてもよい。
【0027】次に、図3(b)に示すように、対向基板
1のV溝13を形成した表面にポリイミド等から成る配
向膜12を一様に全面塗布し(スピンコートまたはバー
コート等で30〜50nm厚)、このV溝13の方向を
基準としたラビング処理および洗浄を施す。
【0028】次いで、図3(c)に示すように、対向基
板1とシール剤およびコモン剤を塗布したTFT基板2
とを重ね合わせた後、V溝13の位置(図中矢印Cの位
置)に沿ってスクライブブレークを行う。このV溝13
に沿ったスクライブブレークによって、ラビング方向を
基準とした分割ラインの形成が実現できる。
【0029】図3(d)に示すように、分割されたチッ
プは、対向基板1の配向膜12側の端部にV溝13(図
3(c)参照)の斜面を利用した面取り1’が形成され
る状態となる。そして、この対向基板1とTFT基板2
との間に液晶Lを注入し、封止および熱処理を施して、
偏光フィルム8の貼り付けを行う。この偏光フィルム8
を分割ラインの方向を基準として貼り付けることによ
り、偏光度とラビング方向との正確な相対位置合わせを
行うことが可能となる。
【0030】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おける第3実施形態を説明する。図4は第3実施形態を
説明する概略断面図である。第3実施形態では、第2実
施形態と同様に、配向膜12のラビング方向を基準とし
た正確な分割を行うようにする点に特徴があるが、V溝
13の形成面が反対となっている。
【0031】すなわち、先ず図4(a)に示すように、
対向基板1の裏面における分割ラインに沿ってV溝13
を形成する。このV溝13は、例えばVカットブレード
を用いて約0.1mmの深さ、約0.2mmの幅で形成
され、対向基板1のオリフラ(図示せず)を基準に正確
に形成される。なお、必ずしも断面視V型の溝でなくて
もよい。
【0032】次に、図4(b)に示すように、対向基板
1のV溝13を形成していない表面にポリイミド等から
成る配向膜12を一様に塗布し、このV溝13の方向を
基準としたラビング処理を施す。
【0033】次いで、図4(c)に示すように、対向基
板1とTFT基板2とをシール剤およびコモン剤を介し
て重ね合わせた後、第2実施形態と同様に、V溝13の
位置(図中矢印Cの位置)に沿ってダイシングを行う。
このV溝13に沿ったダイシングによって、ラビング方
向を基準とした分割ラインの形成が実現できる。
【0034】図4(d)に示すように、分割されたチッ
プは、対向基板1の表面側の端部にV溝13(図4
(c)参照)の斜面を利用した面取り1’’が形成され
る状態となる。そして、この対向基板1とTFT基板2
との間に液晶Lを注入し、封止および熱処理を施して、
偏光フィルム8の貼り付けを行う。この偏光フィルム8
を分割ラインの方向を基準として貼り付けることによ
り、偏光度とラビング方向との正確な合致を行うことが
可能となる。
【0035】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おける第4実施形態を説明する。図5は第4実施形態を
説明する概略断面図である。第4実施形態では、液晶表
示装置の製造方法において、配向膜の塗布およびラビン
グ処理を行った基板を分割し、その後、重ね合わせを行
ういわゆる面単組立てにおいて、各基板の分割時のダス
ト発生低減を目的としている。なお、以下の説明では、
対向基板を分割する例を示すが、TFT基板を分割する
場合であっても同様である。
【0036】先ず、図5(a)に示すように、対向基板
1の裏面側における分割ラインに沿ってV溝13を形成
しておき、反対の表面側にポリイミド等から成る配向膜
12を一様に全面塗布する(スピンコートまたはバーコ
ート等で30〜50nm厚)。そして、第2実施形態お
よび第3実施形態と同様に、このV溝13の方向を基準
としてラビング処理を施しておく。
【0037】次に、図5(b)に示すように、対向基板
1のV溝13が形成された裏面側にダイシングシート9
0を貼り付け、ダイシングブレード9によってV溝13
に沿ったダイシングを行う。この際、ダイシングブレー
ド9による切り込み量を、対向基板1の表面からV溝1
3の底部までにしておき、ダイシングシート90を切り
込まないようにする。
【0038】このように、ダイシングブレード9によっ
てダイシングシート90を切り込むことがなくても、対
向基板13の裏面にV溝13が形成されているため、図
5(c)に示すようなフルカットダイシングを行うこと
ができるようになる。しかも、ダイシングシート90を
切り込むことがないため、ここからのダスト発生を無く
すことが可能となるとともに、ダイシングブレード9の
長寿命化を図ることも可能となる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、対向基板に対して配向膜を一様に全面塗布すること
で、この塗布の際の専用マスクやそのアライメント、洗
浄が不要となり、製造工数を大幅に削減できるようにな
る。
【0040】また、対向基板にはシール剤やコモン剤を
塗布せず、これらを液晶駆動基板側に塗布するため、作
業性が向上し、ダスト付着低減および製造歩留りの向
上、生産性の向上を図ることが可能となる。
【0041】また、対向基板および液晶駆動基板の全面
に配向膜が塗布されていることから、静電気ダメージを
低減できるようになる。この際、配向膜の膜厚を薄く
(例えば50nm以下)にすることで、シール領域から
の水分侵入による信頼性劣化を防止できるようになる。
【0042】さらに、予め基板の分割位置に沿ってV溝
を形成しておくことで、これを基準としたラビングを行
うことができ、分割位置を基準にして貼り付けられる偏
光フィルムの偏光度とラビング方向とを正確に合致させ
ることができ、コントラスト低下を防止できるようにな
る。
【0043】また、分割の際にはV溝の底部までのダイ
シングを行うことで、ダイシングシートを切り込む必要
がなくなり、ダスト低減およびダイシングブレードの長
寿命化が実現でき、液晶表示装置の高信頼性およびコス
トダウンを図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を説明する概略断面図
(その1)である。
【図2】本発明の第1実施形態を説明する概略断面図
(その2)である。
【図3】本発明の第2実施形態を説明する概略断面図で
ある。
【図4】本発明の第3実施形態を説明する概略断面図で
ある。
【図5】本発明の第4実施形態を説明する概略断面図で
ある。
【符号の説明】
1 対向基板 2 TFT基板 3 コモン剤
4 シール剤 5 カッター 9 ダイシングブレード 11 透明
電極 12、22 配向膜 21 TFT駆動素子 90
ダイシングシート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 駆動素子が形成された液晶駆動基板の表
    面全面と、対向基板の表面全面とに各々配向膜を一様に
    塗布しラビング処理する工程と、 前記液晶駆動基板の表面の所定位置にコモン剤およびシ
    ール剤を塗布する工程と、 前記液晶駆動基板に塗布した配向膜と前記対向基板に塗
    布した配向膜とを対向させるように前記コモン剤および
    前記シール剤を介して該液晶駆動基板と該対向基板とを
    重ね合わせた後、該液晶駆動基板と該対向基板とを分割
    する工程と、 重ね合わせた状態で前記液晶駆動基板の配向膜と前記対
    向基板の配向膜との間に液晶を注入し封止する工程とか
    ら成ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記コモン剤には、前記シール剤による
    前記液晶駆動基板と前記対向基板とのシールギャップ以
    上の径を持つ導電粒子を混入しておくことを特徴とする
    請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 各々配向膜を塗布し、ラビング処理を施
    した液晶駆動基板と対向基板とをコモン剤およびシール
    剤を介して重ね合わせた後、所定位置で分割し、その間
    に液晶を注入して封止する液晶表示装置に製造方法にお
    いて、 予め、前記配向膜を塗布する前に、前記対向基板の表面
    または裏面における前記分割を行う所定位置に合わせて
    溝を形成しておく工程と、 前記配向膜を塗布した後、前記対向基板に形成した前記
    溝の方向を基準としてラビング処理を行う工程と、 前記液晶駆動基板と前記対向基板とをコモン剤およびシ
    ール剤を介して重ね合わせ、前記溝に沿って該液晶駆動
    基板と該対向基板とを分割した後、その間に液晶を注入
    し封止する工程とから成ることを特徴とする液晶表示装
    置の製造方法。
  4. 【請求項4】 各々配向膜を塗布し、ラビング処理を施
    した液晶駆動基板および対向基板を分割した後、コモン
    剤およびシール剤を介して重ね合わせ、その間に液晶を
    注入し封止する液晶表示装置の製造方法において、 前記液晶駆動基板または前記対向基板の前記配向膜を塗
    布していない面側における前記分割を行う位置に合わせ
    て溝を形成しておき、 前記液晶駆動基板または前記対向基板を分割する際、前
    記溝を形成した面側にダイシングシートを被着した状態
    で、前記配向膜が形成された面側から該溝の底部にかけ
    て該ダイシングシートを切ることなくダイシングブレー
    ドによる切断を行うことを特徴とする液晶表示装置の製
    造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004279630A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Miyota Kk 液晶表示パネルの製造方法
KR100470833B1 (ko) * 2002-08-24 2005-03-10 한국전자통신연구원 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(SiCN) 박막 제조방법

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