JPH08271924A - 薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びそのトランスファコンタクト形成方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びそのトランスファコンタクト形成方法Info
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- JPH08271924A JPH08271924A JP33903195A JP33903195A JPH08271924A JP H08271924 A JPH08271924 A JP H08271924A JP 33903195 A JP33903195 A JP 33903195A JP 33903195 A JP33903195 A JP 33903195A JP H08271924 A JPH08271924 A JP H08271924A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有効画面領域を広げられる薄膜トランジスタ
液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成方法を提
供すること。 【解決手段】 この方法は、共通電極基板上にシールパ
ターンを印刷する段階と、前記共通電極基板と薄膜トラ
ンジスタ基板とを互いに向かい合うようにシールパター
ンに互いに接合させる段階と、共通電極基板の切断線に
沿い前記共通電極基板を切断する段階と、トランスファ
コンタクトを共通電極基板と薄膜トランジスタ基板との
間にドッティングすることにより電気的短絡がなされる
ようにする段階とを含む。
液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成方法を提
供すること。 【解決手段】 この方法は、共通電極基板上にシールパ
ターンを印刷する段階と、前記共通電極基板と薄膜トラ
ンジスタ基板とを互いに向かい合うようにシールパター
ンに互いに接合させる段階と、共通電極基板の切断線に
沿い前記共通電極基板を切断する段階と、トランスファ
コンタクトを共通電極基板と薄膜トランジスタ基板との
間にドッティングすることにより電気的短絡がなされる
ようにする段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ液
晶表示パネル及びそのトランスファコンタクト形成方法
に関し、より詳しくは、トランスファコンタクトをホッ
トプレスせずドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）して毛細
管現象により前記トランスファコンタクトが共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間に形成されるようにす
ることにより、トランスファコンタクトを形成するため
の領域を極小化させて相対的に有効画面の領域を広げる
ことができる薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びその
トランスファコンタクト形成方法に関する。
晶表示パネル及びそのトランスファコンタクト形成方法
に関し、より詳しくは、トランスファコンタクトをホッ
トプレスせずドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）して毛細
管現象により前記トランスファコンタクトが共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間に形成されるようにす
ることにより、トランスファコンタクトを形成するため
の領域を極小化させて相対的に有効画面の領域を広げる
ことができる薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びその
トランスファコンタクト形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、‘ＴＦＴ’という）液
晶表示パネルは液晶ディスプレー各画素にトランジスタ
を配設した液晶である。前記トランジスタはガラス基板
上に非晶質シリコンなどの薄膜で形成され、液晶材料と
してはツイストネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ；ＴＮ）液晶が用いられる。
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、‘ＴＦＴ’という）液
晶表示パネルは液晶ディスプレー各画素にトランジスタ
を配設した液晶である。前記トランジスタはガラス基板
上に非晶質シリコンなどの薄膜で形成され、液晶材料と
してはツイストネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ；ＴＮ）液晶が用いられる。
【０００３】薄膜トランジスタ液晶表示パネルは各画素
のトランジスタを動作させて信号を入力する画素のみを
オンさせ得るため、クロストークが発生しないという長
所がある。さらに、各画素には薄膜で製作された蓄積容
量があるため、ここに電荷を蓄積することにより非選択
期間にも表示を保存できるという長所がある。前記薄膜
トランジスタ液晶表示パネルは、次のような製作工程順
序を経る。
のトランジスタを動作させて信号を入力する画素のみを
オンさせ得るため、クロストークが発生しないという長
所がある。さらに、各画素には薄膜で製作された蓄積容
量があるため、ここに電荷を蓄積することにより非選択
期間にも表示を保存できるという長所がある。前記薄膜
トランジスタ液晶表示パネルは、次のような製作工程順
序を経る。
【０００４】薄膜トランジスタ基板の製造工程 共通電極基板の製造工程 基板の接合工程 液晶注入工程 テスト工程 モジュール製作工程 前記のような薄膜トランジスタ液晶表示パネルの製作工
程のうち、基板の接合工程においては薄膜トランジスタ
基板と共通電極基板との間をトランスファコンタクトを
用いて電気的に短絡せしめる過程が含まれている。
程のうち、基板の接合工程においては薄膜トランジスタ
基板と共通電極基板との間をトランスファコンタクトを
用いて電気的に短絡せしめる過程が含まれている。
【０００５】このように、薄膜トランジスタ基板と共通
電極基板とをトランスファコンタクトで電気的に短絡さ
せる理由は、画素セルを駆動するための電気的な信号が
薄膜トランジスタ基板にのみ印加されるため、共通電極
基板にも電気的な信号を印加するためには薄膜トランジ
スタ基板から共通電極基板に電気的な信号が伝達され得
る通路を形成しなければならないためである。
電極基板とをトランスファコンタクトで電気的に短絡さ
せる理由は、画素セルを駆動するための電気的な信号が
薄膜トランジスタ基板にのみ印加されるため、共通電極
基板にも電気的な信号を印加するためには薄膜トランジ
スタ基板から共通電極基板に電気的な信号が伝達され得
る通路を形成しなければならないためである。
【０００６】以下、添付図面を参照して従来の薄膜トラ
ンジスタ液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成
方法について説明する。図１は従来の薄膜トランジスタ
液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板を示す図であ
り、図２は従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルの共
通電極基板を示す図であり、図３は従来の薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルで薄膜トランジスタ基板と共通電極
基板とを接合させた状態を示す図であり、図４は従来の
薄膜トランジスタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断
した状態を示す斜視図であり、図５は図４のＡ−Ａ’部
分の断面図であり、図６は従来の薄膜トランジスタ液晶
表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す平面図
である。
ンジスタ液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成
方法について説明する。図１は従来の薄膜トランジスタ
液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板を示す図であ
り、図２は従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルの共
通電極基板を示す図であり、図３は従来の薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルで薄膜トランジスタ基板と共通電極
基板とを接合させた状態を示す図であり、図４は従来の
薄膜トランジスタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断
した状態を示す斜視図であり、図５は図４のＡ−Ａ’部
分の断面図であり、図６は従来の薄膜トランジスタ液晶
表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す平面図
である。
【０００７】まず、共通電極基板１と薄膜トランジスタ
基板２に配向膜を形成し、通常のラビングを行うことに
より配向膜が配向されるようにする。次に、図１に示す
ように、配向が終了した共通電極基板１上にスクリーン
マスクを用いて熱硬化性樹脂でシールパターン３を印刷
する。前記シールパターン３は、共通電極基板１と薄膜
トランジスタ基板２とが一定の間隔を保持しながら、接
着された後内側が密封されるようにするためのものであ
る。
基板２に配向膜を形成し、通常のラビングを行うことに
より配向膜が配向されるようにする。次に、図１に示す
ように、配向が終了した共通電極基板１上にスクリーン
マスクを用いて熱硬化性樹脂でシールパターン３を印刷
する。前記シールパターン３は、共通電極基板１と薄膜
トランジスタ基板２とが一定の間隔を保持しながら、接
着された後内側が密封されるようにするためのものであ
る。
【０００８】シールパターン３が形成されると、前記シ
ールパターン３の外部周りに銀のような導電性物質から
なるトランスファコンタクト４を点形状で形成する。次
に、図３に示すように、共通電極基板１と薄膜トランジ
スタ基板２とを向かい合うようにした後、熱を加えなが
ら押さえるホットプレス工程を行う。これにより、２つ
の基板１，２の間に位置したスペーサ（図示省略）によ
りセル間隔が保持されながらシールパターン３とトラン
スファコンタクト４とが硬化し、共通電極基板１と薄膜
トランジスタ基板２とが互いに接合される。
ールパターン３の外部周りに銀のような導電性物質から
なるトランスファコンタクト４を点形状で形成する。次
に、図３に示すように、共通電極基板１と薄膜トランジ
スタ基板２とを向かい合うようにした後、熱を加えなが
ら押さえるホットプレス工程を行う。これにより、２つ
の基板１，２の間に位置したスペーサ（図示省略）によ
りセル間隔が保持されながらシールパターン３とトラン
スファコンタクト４とが硬化し、共通電極基板１と薄膜
トランジスタ基板２とが互いに接合される。
【０００９】共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２
とが接合された後、図４に示すように、共通電極基板１
の切断線６に沿って共通電極基板１を切断し、作業が完
了する。図５は作業が完了した後の薄膜トランジスタ液
晶表示パネルにトランスファコンタクトが形成されてい
る状態を示す断面図である。
とが接合された後、図４に示すように、共通電極基板１
の切断線６に沿って共通電極基板１を切断し、作業が完
了する。図５は作業が完了した後の薄膜トランジスタ液
晶表示パネルにトランスファコンタクトが形成されてい
る状態を示す断面図である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルのトランスフ
ァコンタクト形成方法は、図６に示すように、シールパ
ターン３とトランスファコンタクト４とを形成しなけれ
ばならない領域Ｌ１が広がりすぎるため、相対的に有効
画面領域５が小さくなるという短所がある。
た従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルのトランスフ
ァコンタクト形成方法は、図６に示すように、シールパ
ターン３とトランスファコンタクト４とを形成しなけれ
ばならない領域Ｌ１が広がりすぎるため、相対的に有効
画面領域５が小さくなるという短所がある。
【００１１】前記した方法とは異なり、液晶表示パネル
の薄膜トランジスタ基板２と共通電極基板１とを接合す
る場合、図７に示すように、シールパターン３の間にト
ランスファコンタクト４をホットプレスすることによ
り、薄膜トランジスタ基板２と共通電極基板１とを電気
的に短絡させる技術が米合衆国特許第４，４６９，４１
０の“ＣＯＭＭＯＮ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＣＯＮＴＡＣ
Ｔ ＦＯＲ ＬＩＱＵＩＤ ＣＲＹＳＴＡＬ ＤＩＳＰ
ＬＡＹ ＣＥＬＬ ＯＲ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＲＯＭＩ
Ｃ ＤＩＳＰＬＡＹ ＣＥＬＬ”に開示されている。
の薄膜トランジスタ基板２と共通電極基板１とを接合す
る場合、図７に示すように、シールパターン３の間にト
ランスファコンタクト４をホットプレスすることによ
り、薄膜トランジスタ基板２と共通電極基板１とを電気
的に短絡させる技術が米合衆国特許第４，４６９，４１
０の“ＣＯＭＭＯＮ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＣＯＮＴＡＣ
Ｔ ＦＯＲ ＬＩＱＵＩＤ ＣＲＹＳＴＡＬ ＤＩＳＰ
ＬＡＹ ＣＥＬＬ ＯＲ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＲＯＭＩ
Ｃ ＤＩＳＰＬＡＹ ＣＥＬＬ”に開示されている。
【００１２】しかしながら、前記米合衆国特許第４，４
６９，４１０に開示されている従来の方法でも、実際適
用過程においてはシールパターンの領域を広げなければ
ならないので、液晶表示パネルの有効画面領域が相対的
に小さくなるという短所がある。したがって、本発明は
前記のような従来の問題点を解決するためのものであっ
て、その目的は、トランスファコンタクトを形成するた
めの領域を極小化させて相対的に有効画面領域を広げら
れる薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びそのトランス
ファコンタクト形成方法を提供することにある。
６９，４１０に開示されている従来の方法でも、実際適
用過程においてはシールパターンの領域を広げなければ
ならないので、液晶表示パネルの有効画面領域が相対的
に小さくなるという短所がある。したがって、本発明は
前記のような従来の問題点を解決するためのものであっ
て、その目的は、トランスファコンタクトを形成するた
めの領域を極小化させて相対的に有効画面領域を広げら
れる薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びそのトランス
ファコンタクト形成方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の請求項１に係る薄膜トランジスタ液晶表示パ
ネルのトランスファコンタクト形成方法は、共通電極基
板上にシールパターンを印刷する段階と、前記共通電極
基板と薄膜トランジスタ基板とを互いに向かい合うよう
にシールパターンを挟んで互いに接合させる段階と、共
通電極基板の切断線に沿い前記共通電極基板を切断する
段階と、トランスファコンタクトを共通電極基板と薄膜
トランジスタ基板との間にドッティングすることにより
共通電極基板と薄膜トランジスタ基板とを電気的に短絡
する段階とを含む。
の本発明の請求項１に係る薄膜トランジスタ液晶表示パ
ネルのトランスファコンタクト形成方法は、共通電極基
板上にシールパターンを印刷する段階と、前記共通電極
基板と薄膜トランジスタ基板とを互いに向かい合うよう
にシールパターンを挟んで互いに接合させる段階と、共
通電極基板の切断線に沿い前記共通電極基板を切断する
段階と、トランスファコンタクトを共通電極基板と薄膜
トランジスタ基板との間にドッティングすることにより
共通電極基板と薄膜トランジスタ基板とを電気的に短絡
する段階とを含む。
【００１４】請求項２に係る薄膜トランジスタ液晶表示
パネルのトランスファコンタクト形成方法は、請求項１
の方法において、前記トランスファコンタクトは流体で
あって、毛細管現象により前記共通電極基板と薄膜トラ
ンジスタ基板との間に浸透される。請求項３に係る薄膜
トランジスタ液晶表示パネルのトランスファコンタクト
形成方法は、請求項１の方法において、前記シールパタ
ーンとトランスファコンタクトのための領域を最小に設
定することにより相対的に有効画面の領域を増加させ
る。
パネルのトランスファコンタクト形成方法は、請求項１
の方法において、前記トランスファコンタクトは流体で
あって、毛細管現象により前記共通電極基板と薄膜トラ
ンジスタ基板との間に浸透される。請求項３に係る薄膜
トランジスタ液晶表示パネルのトランスファコンタクト
形成方法は、請求項１の方法において、前記シールパタ
ーンとトランスファコンタクトのための領域を最小に設
定することにより相対的に有効画面の領域を増加させ
る。
【００１５】さらに、請求項４に係る本発明の薄膜トラ
ンジスタの液晶表示パネルは、液晶に電気的な信号を印
加するための共通電極基板と、液晶に電気的な信号を印
加するための薄膜トランジスタ基板と、前記共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間に形成されているシー
ルパターンと、前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基
板の周りにドッティングされて毛細管現象によりその間
に注入された後硬化されることにより、前記共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間の電気的な信号の通路
を形成するトランスファコンタクトとで構成される。
ンジスタの液晶表示パネルは、液晶に電気的な信号を印
加するための共通電極基板と、液晶に電気的な信号を印
加するための薄膜トランジスタ基板と、前記共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間に形成されているシー
ルパターンと、前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基
板の周りにドッティングされて毛細管現象によりその間
に注入された後硬化されることにより、前記共通電極基
板と薄膜トランジスタ基板との間の電気的な信号の通路
を形成するトランスファコンタクトとで構成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図８は本発明の
一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルの薄
膜トランジスタ基板を示す図であり、図９は本発明の一
実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルの共通
電極基板を示す図であり、図１０は本発明の一実施形態
による薄膜トランジスタ液晶表示パネルで薄膜トランジ
スタ基板と共通電極基板とを接合させた状態を示す図で
あり、図１１は本発明の一実施形態による薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示
す図であり、図１２は図１１のＢ−Ｂ’部分の断面図で
あり、図１３は本発明の一実施形態による薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示
す平面図である。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図８は本発明の
一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルの薄
膜トランジスタ基板を示す図であり、図９は本発明の一
実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルの共通
電極基板を示す図であり、図１０は本発明の一実施形態
による薄膜トランジスタ液晶表示パネルで薄膜トランジ
スタ基板と共通電極基板とを接合させた状態を示す図で
あり、図１１は本発明の一実施形態による薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示
す図であり、図１２は図１１のＢ−Ｂ’部分の断面図で
あり、図１３は本発明の一実施形態による薄膜トランジ
スタ液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示
す平面図である。
【００１７】図８ないし図１１に示すように、本発明の
一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルのト
ランスファコタクトの形成方法は、配向が終了した共通
電極基板１上に熱硬化性樹脂でシールパターン３を印刷
する段階と、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２
とをシールパターン３を挟んで向かい合うようにした
後、熱を加えながら押さえるホットプレス工程を行うこ
とにより接合する段階と、共通電極基板の切断線６に沿
い共通電極基板１を切断する段階と、トランスファコン
タクト４を共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２と
の間にドッティングする段階とからなる。
一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パネルのト
ランスファコタクトの形成方法は、配向が終了した共通
電極基板１上に熱硬化性樹脂でシールパターン３を印刷
する段階と、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２
とをシールパターン３を挟んで向かい合うようにした
後、熱を加えながら押さえるホットプレス工程を行うこ
とにより接合する段階と、共通電極基板の切断線６に沿
い共通電極基板１を切断する段階と、トランスファコン
タクト４を共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２と
の間にドッティングする段階とからなる。
【００１８】さらに、図１１及び図１２に示すように、
本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パ
ネルの構造は、液晶に電気的な信号を印加するための共
通電極基板１及び薄膜トランジスタ基板２と、有効画面
領域５の周りに前記共通電極基板１と薄膜トランジスタ
基板２との間に形成されているシールパターン３と、前
記共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２の周りにド
ッティングされて毛細管現象によりその間に注入された
後硬化されることにより、前記共通電極基板１と薄膜ト
ランジスタ基板２との間の電気的な信号通路を形成する
トランスファコンタクト４とで形成される。
本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ液晶表示パ
ネルの構造は、液晶に電気的な信号を印加するための共
通電極基板１及び薄膜トランジスタ基板２と、有効画面
領域５の周りに前記共通電極基板１と薄膜トランジスタ
基板２との間に形成されているシールパターン３と、前
記共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２の周りにド
ッティングされて毛細管現象によりその間に注入された
後硬化されることにより、前記共通電極基板１と薄膜ト
ランジスタ基板２との間の電気的な信号通路を形成する
トランスファコンタクト４とで形成される。
【００１９】本発明の一実施形態においては、図１ない
し図７に示されている従来の液晶表示パネルとその機能
が同一の部分については同一符号を付けている。前記し
た構成による本発明の一実施形態による薄膜トランジス
タ液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成方法及
びその構造の作用を以下に説明する。まず、共通電極基
板１と薄膜トランジスタ基板２とに配向膜を形成し、通
常のラビングを行うことにより配向膜が配向される。
し図７に示されている従来の液晶表示パネルとその機能
が同一の部分については同一符号を付けている。前記し
た構成による本発明の一実施形態による薄膜トランジス
タ液晶表示パネルのトランスファコンタクト形成方法及
びその構造の作用を以下に説明する。まず、共通電極基
板１と薄膜トランジスタ基板２とに配向膜を形成し、通
常のラビングを行うことにより配向膜が配向される。
【００２０】次に、図８に示すように、配向が終了した
共通電極基板１上にスクリーンマスクを用いて熱硬化性
樹脂でシールパターン３を印刷する。前記シールパター
ン３は、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２とが
一定の間隔を保持しながら、接着された後内側が密封さ
れるようにするためのものである。シールパターン３が
形成された後、図１０に示すように、共通電極基板１と
薄膜トランジスタ基板２とをシールパターン３を挟むよ
うにして互いに向かい合うようにした後、熱を加えなが
ら押さえるホットプレス工程を行う。これにより、２つ
の基板１，２の間に位置したスペーサ（図示省略）によ
りセル間隔が保持され、かつシールパターン３が硬化
し、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２とが互い
に接合される。
共通電極基板１上にスクリーンマスクを用いて熱硬化性
樹脂でシールパターン３を印刷する。前記シールパター
ン３は、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２とが
一定の間隔を保持しながら、接着された後内側が密封さ
れるようにするためのものである。シールパターン３が
形成された後、図１０に示すように、共通電極基板１と
薄膜トランジスタ基板２とをシールパターン３を挟むよ
うにして互いに向かい合うようにした後、熱を加えなが
ら押さえるホットプレス工程を行う。これにより、２つ
の基板１，２の間に位置したスペーサ（図示省略）によ
りセル間隔が保持され、かつシールパターン３が硬化
し、共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２とが互い
に接合される。
【００２１】共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２
とが接合されると、図１１に示すように、共通電極基板
の切断線６に沿って共通電極基板１を切断する。その
後、流体からなるトランスファコンタクト４を共通電極
基板１と薄膜トランジスタ基板２との間にドッティング
することにより、トランスファコンタクト４が毛細管現
象により共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２との
間に注入されるようにする。このとき、トランスファコ
ンタクト４はシールパターン３によってその内側への浸
入が阻止される。
とが接合されると、図１１に示すように、共通電極基板
の切断線６に沿って共通電極基板１を切断する。その
後、流体からなるトランスファコンタクト４を共通電極
基板１と薄膜トランジスタ基板２との間にドッティング
することにより、トランスファコンタクト４が毛細管現
象により共通電極基板１と薄膜トランジスタ基板２との
間に注入されるようにする。このとき、トランスファコ
ンタクト４はシールパターン３によってその内側への浸
入が阻止される。
【００２２】このように、毛細管現象により共通電極基
板１と薄膜トランジスタ基板２との間に注入されたトラ
ンスファコンタクト４は暫くの後に硬化される。これに
より共通電極基板１は薄膜トランジスタ基板２との電気
的な連結通路になる。図１２及び図１３は作業が完了し
た後の薄膜トランジスタ液晶表示パネルにトランスファ
コンタクト４が形成されている状態を示す断面図であ
る。
板１と薄膜トランジスタ基板２との間に注入されたトラ
ンスファコンタクト４は暫くの後に硬化される。これに
より共通電極基板１は薄膜トランジスタ基板２との電気
的な連結通路になる。図１２及び図１３は作業が完了し
た後の薄膜トランジスタ液晶表示パネルにトランスファ
コンタクト４が形成されている状態を示す断面図であ
る。
【００２３】この実施形態によると、図１３に示すよう
に、シールパターン３とトランスファコンタクト４とを
形成するための領域Ｌ２が、図６に示されている従来の
領域Ｌ１に比べて小さくなる。このため、有効画面領域
５は相対的に増加する。
に、シールパターン３とトランスファコンタクト４とを
形成するための領域Ｌ２が、図６に示されている従来の
領域Ｌ１に比べて小さくなる。このため、有効画面領域
５は相対的に増加する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、トランスファコンタクトをホットプレスせずドッテ
ィングし、毛細管現象により共通電極基板と薄膜トラン
ジスタ基板との間に形成されるようにするので、トラン
スファコンタクトを形成するための領域を極小化させて
相対的に有効画面領域を広げられる効果を有する。本発
明の係る効果は液晶表示パネルの製造工程分野で用いら
れる。
は、トランスファコンタクトをホットプレスせずドッテ
ィングし、毛細管現象により共通電極基板と薄膜トラン
ジスタ基板との間に形成されるようにするので、トラン
スファコンタクトを形成するための領域を極小化させて
相対的に有効画面領域を広げられる効果を有する。本発
明の係る効果は液晶表示パネルの製造工程分野で用いら
れる。
【図１】従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルの薄膜
トランジスタ基板を示す図である。
トランジスタ基板を示す図である。
【図２】従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルの共通
電極基板を示す図である。
電極基板を示す図である。
【図３】従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルで薄膜
トランジスタ基板と共通電極基板とを接合させた状態を
示す図である。
トランジスタ基板と共通電極基板とを接合させた状態を
示す図である。
【図４】従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルを必要
な大きさに切断した状態を示す斜視図である。
な大きさに切断した状態を示す斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’部分の断面図である。
【図６】従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネルを必要
な大きさに切断した状態を示す平面図である。
な大きさに切断した状態を示す平面図である。
【図７】従来の液晶表示パネルでシールパターンの内部
にトランスファコンタクトが形成される構造を示す断面
図である。
にトランスファコンタクトが形成される構造を示す断面
図である。
【図８】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ液
晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板を示す図である。
晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ液
晶表示パネルの共通電極基板を示す図である。
晶表示パネルの共通電極基板を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
液晶表示パネルにおいて薄膜トランジスタ基板と共通電
極基板とを接合させた状態を示す図である。
液晶表示パネルにおいて薄膜トランジスタ基板と共通電
極基板とを接合させた状態を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す図
である。
液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す図
である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ’部分の断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ
液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す平
面図である。
液晶表示パネルを必要な大きさに切断した状態を示す平
面図である。
１ 共通電極基板 ２ 薄膜トランジスタ基板 ３ シールパターン ４ トランスファコンタクト ５ 有効画面領域 ６ 共通電極基板の切断線
Claims (4)
- 【請求項１】 共通電極基板上にシールパターンを印刷
する段階と、 前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基板とを互いに向
かい合うように前記シールパターンを挟んで互いに接合
させる段階と、 共通電極基板の切断線に沿い前記共通電極基板を切断す
る段階と、 トランスファコンタクトを共通電極基板と薄膜トランジ
スタ基板との間にドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）する
ことにより前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基板と
を電気的に短絡する段階と、を含む薄膜トランジスタ液
晶表示パネルのトランスファコンタクト形成方法。 - 【請求項２】 前記トランスファコンタクトは、流体で
あって、毛細管現象により前記共通電極基板と薄膜トラ
ンジスタ基板との間に浸透されることを特徴とする請求
項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示パネルのトラン
スファコンタクト形成方法。 - 【請求項３】 前記シールパターンと前記トランスファ
コンタクトのための領域を最小に設定することにより相
対的に有効画面の領域を増加させることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示パネルのトラ
ンスファコンタクト形成方法。 - 【請求項４】 液晶に電気的な信号を印加するための共
通電極基板と、 液晶に電気的な信号を印加するための薄膜トランジスタ
基板と、 前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基板との間に形成
されているシールパターンと、 前記共通電極基板と薄膜トランジスタ基板の周りにドッ
ティングされて毛細管現象によりその間に注入された後
硬化されることにより、前記共通電極基板と薄膜トラン
ジスタ基板との間の電気的な信号の通路を形成するトラ
ンスファコンタクトと、を備えた薄膜トランジスタの液
晶表示パネル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994P39685 | 1994-12-30 | ||
| KR1019940039685A KR0139374B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 박막 트랜지스터 액정표시패널의 트랜스퍼 컨택트 형성방법 및 그 구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08271924A true JPH08271924A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=19405736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33903195A Pending JPH08271924A (ja) | 1994-12-30 | 1995-12-26 | 薄膜トランジスタ液晶表示パネル及びそのトランスファコンタクト形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5625476A (ja) |
| JP (1) | JPH08271924A (ja) |
| KR (1) | KR0139374B1 (ja) |
| TW (1) | TW297154B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016045470A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | シチズンファインデバイス株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297869B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same |
| US6674506B2 (en) | 2001-11-29 | 2004-01-06 | Eastman Kodak Company | Apparatus for introducing a fluid into vias formed in a liquid crystal display element |
| US6619334B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-16 | Eastman Kodak Company | Method of delivering fluid into constricted openings free of voids |
| US6476902B1 (en) | 2001-11-29 | 2002-11-05 | Eastman Kodak Company | Liquid crystal display and method of making same |
| US6924866B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-08-02 | Eastman Kodak Company | Method of constructing a liquid crystal display element that includes dispensing an optical grade adhesive to fill vias in a transparent substrate |
| JP2003295218A (ja) | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Advanced Display Inc | 表示装置 |
| GB0228269D0 (en) * | 2002-12-04 | 2003-01-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix display devices |
| JP4342428B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| CN109686256B (zh) * | 2019-02-11 | 2022-04-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412761A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Sharp Corp | Display device |
| JPS6246482U (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-20 | ||
| US4917466A (en) * | 1987-08-13 | 1990-04-17 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Method for electrically connecting IC chips, a resinous bump-forming composition used therein and a liquid-crystal display unit electrically connected thereby |
| US4930876A (en) * | 1987-10-30 | 1990-06-05 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR900018804A (ko) * | 1989-05-31 | 1990-12-22 | 야마무라 가쯔미 | 입력 장치 |
| JPH0540274A (ja) * | 1990-09-13 | 1993-02-19 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JP2801487B2 (ja) * | 1992-04-30 | 1998-09-21 | シャープ株式会社 | パネルの実装構造および実装方法並びに樹脂供給硬化方法 |
| US5467210A (en) * | 1993-02-16 | 1995-11-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Arrangement of bonding IC chip to liquid crystal display device |
| US5519524A (en) * | 1994-07-05 | 1996-05-21 | Fergason; James L. | Active matrix liquid crystal having a counterelectrode substrate extended and connected to an external circuit |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039685A patent/KR0139374B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-12-26 JP JP33903195A patent/JPH08271924A/ja active Pending
- 1995-12-29 US US08/580,703 patent/US5625476A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-04 TW TW085100041A patent/TW297154B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016045470A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | シチズンファインデバイス株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0139374B1 (ko) | 1998-06-15 |
| TW297154B (ja) | 1997-02-01 |
| US5625476A (en) | 1997-04-29 |
| KR960024612A (ko) | 1996-07-20 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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