JPH0677142A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0677142A JPH0677142A JP22552292A JP22552292A JPH0677142A JP H0677142 A JPH0677142 A JP H0677142A JP 22552292 A JP22552292 A JP 22552292A JP 22552292 A JP22552292 A JP 22552292A JP H0677142 A JPH0677142 A JP H0677142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長装置に関し、基板上に形成される結
晶が均一な厚さ、均一な組成と成るような気相成長装置
を目的とする。 【構成】 基板３を収容した反応容器１の一方の側の壁
面に供給バルブ8A,8B,8Cを備えた複数のガス供給管4A,4
B,4Cを設けるとともに、該反応容器１の基板３を隔てた
他方の側の壁面に前記複数のガス供給管4A,4B,4Cに対向
して排気バルブ9A,9B,9Cを備えた複数のガス排気管6A,6
B,6Cを設け、前記複数のガス供給管4A,4B,4Cに設けた各
々の供給バルブ8A,8B,8Cの開閉操作と、前記複数のガス
排気管6A,6B,6Cに設けた各々の排気バルブ9A,9B,9Cの開
閉操作とを組み合わせて基板３上に流れるガス流量、お
よびガス流の移動方向を制御するようにして構成する。
晶が均一な厚さ、均一な組成と成るような気相成長装置
を目的とする。 【構成】 基板３を収容した反応容器１の一方の側の壁
面に供給バルブ8A,8B,8Cを備えた複数のガス供給管4A,4
B,4Cを設けるとともに、該反応容器１の基板３を隔てた
他方の側の壁面に前記複数のガス供給管4A,4B,4Cに対向
して排気バルブ9A,9B,9Cを備えた複数のガス排気管6A,6
B,6Cを設け、前記複数のガス供給管4A,4B,4Cに設けた各
々の供給バルブ8A,8B,8Cの開閉操作と、前記複数のガス
排気管6A,6B,6Cに設けた各々の排気バルブ9A,9B,9Cの開
閉操作とを組み合わせて基板３上に流れるガス流量、お
よびガス流の移動方向を制御するようにして構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置、特に基板
上に結晶成長をＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Va
por Deposition; 有機金属気相成長方法) 法で成長する
気相成長装置に関する。
上に結晶成長をＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Va
por Deposition; 有機金属気相成長方法) 法で成長する
気相成長装置に関する。
【０００２】赤外線検知素子形成材料としてエネルギー
ギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル( Hg1-x Cdx
Te) の化合物半導体結晶が用いられており、このような
結晶はガリウム砒素（GaAs）のような化合物半導体基板
上にカドミウムテルル(CdTe)のようなバッファ層、Hg
1-x Cdx Te結晶を順次ＭＯＣＶＤ法を用いて形成してい
る。
ギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル( Hg1-x Cdx
Te) の化合物半導体結晶が用いられており、このような
結晶はガリウム砒素（GaAs）のような化合物半導体基板
上にカドミウムテルル(CdTe)のようなバッファ層、Hg
1-x Cdx Te結晶を順次ＭＯＣＶＤ法を用いて形成してい
る。
【０００３】このような赤外線検知素子は高解像度化、
高感度化が益々要求され、そのため、検知素子の受光部
の面積が大きい素子が要求され、また受光部をできるだ
け、単位面積当たりに多数配置した赤外線検知素子が要
求される。
高感度化が益々要求され、そのため、検知素子の受光部
の面積が大きい素子が要求され、また受光部をできるだ
け、単位面積当たりに多数配置した赤外線検知素子が要
求される。
【０００４】そのため、Hg1-x Cdx Te結晶を形成するGa
As基板も大面積の基板が要求され、この大面積の基板上
にHg1-x Cdx Te結晶を組成変動が無い状態で、かつ均一
な結晶層の厚さで形成することが要求される。
As基板も大面積の基板が要求され、この大面積の基板上
にHg1-x Cdx Te結晶を組成変動が無い状態で、かつ均一
な結晶層の厚さで形成することが要求される。
【０００５】
【従来の技術】従来の水平型の気相成長装置を図4(a)に
示し、そのＡ−Ａ´線に沿った断面図を図4(b)に示す。
図示するように、断面が長方形の反応容器１内にカーボ
ン製の基板加熱台２を設置し、その上に気相成長用のGa
As等の基板３を載置する。そして該反応容器１の一端に
接続されたガス供給管４よりバッファ層としてのCdTe結
晶を成長するためのジメチルカドミウム、ジエチルテル
ル等のガスをキャリアガスの水素ガスで担持した原料ガ
スを導入し、該反応容器１の周囲に設けた高周波誘導コ
イル５で前記基板加熱台２を加熱することで基板３を加
熱し、該基板３上に導入された原料ガスを加熱分解して
基板３上にCdTe結晶を成膜している。そして気相成長後
の不要なガスは、反応容器１に接続したガス排気管６に
よって外部に排出される。
示し、そのＡ−Ａ´線に沿った断面図を図4(b)に示す。
図示するように、断面が長方形の反応容器１内にカーボ
ン製の基板加熱台２を設置し、その上に気相成長用のGa
As等の基板３を載置する。そして該反応容器１の一端に
接続されたガス供給管４よりバッファ層としてのCdTe結
晶を成長するためのジメチルカドミウム、ジエチルテル
ル等のガスをキャリアガスの水素ガスで担持した原料ガ
スを導入し、該反応容器１の周囲に設けた高周波誘導コ
イル５で前記基板加熱台２を加熱することで基板３を加
熱し、該基板３上に導入された原料ガスを加熱分解して
基板３上にCdTe結晶を成膜している。そして気相成長後
の不要なガスは、反応容器１に接続したガス排気管６に
よって外部に排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応容器１
内に導入されてきた原料ガスは、基板３や、基板加熱台
２が加熱されているので、対流によって反応容器１の上
部に矢印Ｂのように移動し、また基板３上に戻ってきて
矢印Ｄに示すような渦流が発生し、この渦流によって基
板３の周辺部より基板３の中心部に沿って原料ガスが流
れるようになるので、基板３の周辺部では結晶成長に消
費されていない高濃度の原料ガスが供給され、基板３の
中央では結晶成長に消費された低濃度の原料ガスが供給
される結果となる。
内に導入されてきた原料ガスは、基板３や、基板加熱台
２が加熱されているので、対流によって反応容器１の上
部に矢印Ｂのように移動し、また基板３上に戻ってきて
矢印Ｄに示すような渦流が発生し、この渦流によって基
板３の周辺部より基板３の中心部に沿って原料ガスが流
れるようになるので、基板３の周辺部では結晶成長に消
費されていない高濃度の原料ガスが供給され、基板３の
中央では結晶成長に消費された低濃度の原料ガスが供給
される結果となる。
【０００７】そのため、図4(c)に示すように、基板３の
周辺では厚さの厚いCdTe結晶７が成長し、基板３の中央
部では厚さの薄いCdTe結晶７が成長することになる。ま
た前記したHg1-x Cdx Te結晶を従来の方法で成長した場
合、渦流の発生により、Hg1- x Cdx Te結晶の組成、つま
りｘ値が基板の全領域の範囲内で均一と成らない問題が
ある。
周辺では厚さの厚いCdTe結晶７が成長し、基板３の中央
部では厚さの薄いCdTe結晶７が成長することになる。ま
た前記したHg1-x Cdx Te結晶を従来の方法で成長した場
合、渦流の発生により、Hg1- x Cdx Te結晶の組成、つま
りｘ値が基板の全領域の範囲内で均一と成らない問題が
ある。
【０００８】本発明は上記した問題点を解決し、大面積
の基板を用いた場合でも、基板面内でのCdTe結晶の成長
速度の差が発生しない、つまり面内で成長結晶の厚さが
不均一と成らない気相成長装置の提供を目的とする。
の基板を用いた場合でも、基板面内でのCdTe結晶の成長
速度の差が発生しない、つまり面内で成長結晶の厚さが
不均一と成らない気相成長装置の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置は
請求項１に示すように、基板を収容した反応容器の一方
の側の壁面にバルブを備えた複数のガス導入管を設ける
とともに、該反応管の基板を隔てた他方の側の壁面に前
記複数のガス導入管に対向してバルブを備えた複数のガ
ス排出管を設け、前記ガス導入管に設けた複数の各々の
バルブの開閉操作と、前記ガス排出管に設けた複数の各
々のバルブの開閉操作を組み合わせて基板上に流れるガ
ス流量、およびガス流の移動方向を制御するようにした
ことを特徴とする。
請求項１に示すように、基板を収容した反応容器の一方
の側の壁面にバルブを備えた複数のガス導入管を設ける
とともに、該反応管の基板を隔てた他方の側の壁面に前
記複数のガス導入管に対向してバルブを備えた複数のガ
ス排出管を設け、前記ガス導入管に設けた複数の各々の
バルブの開閉操作と、前記ガス排出管に設けた複数の各
々のバルブの開閉操作を組み合わせて基板上に流れるガ
ス流量、およびガス流の移動方向を制御するようにした
ことを特徴とする。
【００１０】また請求項２に示すように、反応容器の壁
面に該反応容器内に収容した基板に対して放射状に複数
のガス配管を設けるとともに該ガス配管のガス導入側先
端部を分岐して該分岐管の各々にバルブを設け、該バル
ブの開閉操作を組み合わせて基板上に流れるガス流量、
およびガス流の移動方向を制御するようにしたことを特
徴とする。
面に該反応容器内に収容した基板に対して放射状に複数
のガス配管を設けるとともに該ガス配管のガス導入側先
端部を分岐して該分岐管の各々にバルブを設け、該バル
ブの開閉操作を組み合わせて基板上に流れるガス流量、
およびガス流の移動方向を制御するようにしたことを特
徴とする。
【００１１】また請求項３に示すように、前記バルブに
バルブの開閉時間、開閉タイミングを制御するバルブ制
御装置を設け、該バルブ制御装置を乱数発生器にて制御
し、該制御装置によって開閉されるバルブの位置、バル
ブの開閉順序、或いはバルブの開閉時間がばらつくよう
にしたことを特徴とするものである。
バルブの開閉時間、開閉タイミングを制御するバルブ制
御装置を設け、該バルブ制御装置を乱数発生器にて制御
し、該制御装置によって開閉されるバルブの位置、バル
ブの開閉順序、或いはバルブの開閉時間がばらつくよう
にしたことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明の装置は、基板を収容した反応容器の一
方の側の壁面に供給バルブを備えた複数のガス供給管を
設けるとともに、該反応管の基板を隔てた他方の側の壁
面に前記複数のガス供給管に対向して排気バルブを備え
た複数のガス排気管を設ける。
方の側の壁面に供給バルブを備えた複数のガス供給管を
設けるとともに、該反応管の基板を隔てた他方の側の壁
面に前記複数のガス供給管に対向して排気バルブを備え
た複数のガス排気管を設ける。
【００１３】そして前記ガス供給管に設けた複数の各々
の供給バルブの開閉操作と、前記ガス排気管に設けた複
数の各々の排気バルブの開閉操作を組み合わせて基板上
に流れるガス流量、およびガス流の移動方向を制御す
る。
の供給バルブの開閉操作と、前記ガス排気管に設けた複
数の各々の排気バルブの開閉操作を組み合わせて基板上
に流れるガス流量、およびガス流の移動方向を制御す
る。
【００１４】このように基板上を流れる原料ガスの移動
方向を、順次供給、排気バルブの開閉動作で切り換える
ことで、基板上に意図的にガスの流れが乱流となるよう
にし、基板上で原料ガスのガスの移動が定常状態に成ら
ないようにすることで対流の発生を防止する。このよう
に基板上で原料ガスの対流が発生しない状態とすること
で、基板の周辺部に供給される原料ガス濃度と基板の中
央部に供給される原料ガスの濃度に変動が発生するのを
防止でき、基板面内の全領域の範囲に均一な厚さの結晶
が形成できる。
方向を、順次供給、排気バルブの開閉動作で切り換える
ことで、基板上に意図的にガスの流れが乱流となるよう
にし、基板上で原料ガスのガスの移動が定常状態に成ら
ないようにすることで対流の発生を防止する。このよう
に基板上で原料ガスの対流が発生しない状態とすること
で、基板の周辺部に供給される原料ガス濃度と基板の中
央部に供給される原料ガスの濃度に変動が発生するのを
防止でき、基板面内の全領域の範囲に均一な厚さの結晶
が形成できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例に付き詳
細に説明する。本発明の気相成長装置の第１実施例につ
いて図1(a)の平面図、該平面図のＡ−Ａ´線に沿った断
面図の図1(b)を用いて説明する。
細に説明する。本発明の気相成長装置の第１実施例につ
いて図1(a)の平面図、該平面図のＡ−Ａ´線に沿った断
面図の図1(b)を用いて説明する。
【００１６】図1(a)、図1(b)に示すように、気相成長用
のGaAsの基板３がカーボンより成る基板加熱台２上に載
置され、石英製の反応容器１内に収容されている。上記
反応容器１の一方の壁面に、供給バルブ8A,8B,8Cを備え
たガス供給管4A,4B,4Cが複数本配置され、該基板３を挟
んで前記反応容器１の他方の壁面に前記ガス供給管4A,4
B,4Cに対向して排気バルブ9A,9B,9Cを備えた複数のガス
排気管6A,6B,6Cが設置されている。
のGaAsの基板３がカーボンより成る基板加熱台２上に載
置され、石英製の反応容器１内に収容されている。上記
反応容器１の一方の壁面に、供給バルブ8A,8B,8Cを備え
たガス供給管4A,4B,4Cが複数本配置され、該基板３を挟
んで前記反応容器１の他方の壁面に前記ガス供給管4A,4
B,4Cに対向して排気バルブ9A,9B,9Cを備えた複数のガス
排気管6A,6B,6Cが設置されている。
【００１７】また上記反応容器の周囲を巻くようして高
周波誘導コイル５が設置されている。更に、この供給バ
ルブ8A,8B,8Cと排気バルブ9A,9B,9Cの開閉時間、開閉順
序、開閉動作させるバルブの気相成長装置内に於ける配
置位置等ができる丈、ランダムになるようにプログラム
で制御する乱数発生器11を備えたバルブ制御装置12を設
け、このプログラムによる乱数発生器11の指示によりバ
ルブ制御装置12で供給バルブ8A,8B,8Cと排気バルブ9A,9
B,9Cを作動させる。
周波誘導コイル５が設置されている。更に、この供給バ
ルブ8A,8B,8Cと排気バルブ9A,9B,9Cの開閉時間、開閉順
序、開閉動作させるバルブの気相成長装置内に於ける配
置位置等ができる丈、ランダムになるようにプログラム
で制御する乱数発生器11を備えたバルブ制御装置12を設
け、このプログラムによる乱数発生器11の指示によりバ
ルブ制御装置12で供給バルブ8A,8B,8Cと排気バルブ9A,9
B,9Cを作動させる。
【００１８】このような第１実施例の気相成長装置の動
作に付いて述べる。前記した気相成長装置の反応容器１
内の基板加熱台２上に直径が３インチのGaAsの基板３を
載置する。次いで、反応容器１内を水素ガスにて充分置
換した後、水素ガスで希釈した濃度が10ppm のジメチル
カドミウムガス、水素ガスで希釈した濃度が10ppm のジ
エチルテルルガスを、反応容器１内の圧力が１気圧とな
るように10リットル／分のガス流量で導入する。
作に付いて述べる。前記した気相成長装置の反応容器１
内の基板加熱台２上に直径が３インチのGaAsの基板３を
載置する。次いで、反応容器１内を水素ガスにて充分置
換した後、水素ガスで希釈した濃度が10ppm のジメチル
カドミウムガス、水素ガスで希釈した濃度が10ppm のジ
エチルテルルガスを、反応容器１内の圧力が１気圧とな
るように10リットル／分のガス流量で導入する。
【００１９】そして基板は400 ℃の温度で加熱する。そ
して３本のガス供給管4A,4B,4Cのうち、供給バルブ8Bを
開放にして供給バルブ8A,8C を閉じ、３本のガス排気管
6A,6B,6Cの内、排気バルブ9Bを開放にして他の排気バル
ブ9A,9C を閉じると、原料ガスは点線の矢印Ｂ方向に沿
って移動する。
して３本のガス供給管4A,4B,4Cのうち、供給バルブ8Bを
開放にして供給バルブ8A,8C を閉じ、３本のガス排気管
6A,6B,6Cの内、排気バルブ9Bを開放にして他の排気バル
ブ9A,9C を閉じると、原料ガスは点線の矢印Ｂ方向に沿
って移動する。
【００２０】また３本のガス供給管4A,4B,4Cのうち、供
給バルブ8Bを開放にして他の供給バルブ8A,8C を閉じ、
３本のガス排気管6A,6B,6Cの内、排気バルブ9Cを開放に
して他の排気バルブ9A,9B を閉じると、原料ガスは点線
の矢印Ｃ向に沿って移動する。そして更にガス供給管4
A,4B,4Cとガス排気管6A,6B,6Cの内径を小さくし、各々
の管の間の間隔を狭くして多数のガス供給管とガス排気
管を配置すると、基板３上を通過するガスの流れを無数
に選択することが可能となる。
給バルブ8Bを開放にして他の供給バルブ8A,8C を閉じ、
３本のガス排気管6A,6B,6Cの内、排気バルブ9Cを開放に
して他の排気バルブ9A,9B を閉じると、原料ガスは点線
の矢印Ｃ向に沿って移動する。そして更にガス供給管4
A,4B,4Cとガス排気管6A,6B,6Cの内径を小さくし、各々
の管の間の間隔を狭くして多数のガス供給管とガス排気
管を配置すると、基板３上を通過するガスの流れを無数
に選択することが可能となる。
【００２１】また供給バルブ8A,8B,8Cと排気バルブ9A,9
B,9Cの開閉のタイミングと開閉時間、開閉するバルブを
選択することで基板上に好みのガス流をランダムに形成
することができ、基板上で対流が発生し易い定常状態の
ガスの流れを防ぐことが可能となる。
B,9Cの開閉のタイミングと開閉時間、開閉するバルブを
選択することで基板上に好みのガス流をランダムに形成
することができ、基板上で対流が発生し易い定常状態の
ガスの流れを防ぐことが可能となる。
【００２２】図３に供給バルブ8A,8B,8CがON（開) とOF
F(閉) になるタイミングと時間を示し、排気バルブ9A,9
B,9CがON（開) とOFF(閉) になるタイミングと時間を示
したタイムチャートの一例でｔは本実施例では１分とし
た。
F(閉) になるタイミングと時間を示し、排気バルブ9A,9
B,9CがON（開) とOFF(閉) になるタイミングと時間を示
したタイムチャートの一例でｔは本実施例では１分とし
た。
【００２３】このような条件で３インチのGaAsの基板上
にCdTe結晶を１μm の厚さで成膜したところ、その中心
と周辺部のCdTe結晶の厚さの差は0.05μm の範囲内に収
まり、GaAs基板面内で均一な厚さのCdTe結晶が得られ
た。
にCdTe結晶を１μm の厚さで成膜したところ、その中心
と周辺部のCdTe結晶の厚さの差は0.05μm の範囲内に収
まり、GaAs基板面内で均一な厚さのCdTe結晶が得られ
た。
【００２４】本発明の気相成長装置の第２実施例につい
て図2(a)の平面図、該平面図のＡ−Ａ´線に沿った断面
図の図2(b)を用いて説明する。図2(a)、図2(b)におい
て、第１実施例の図1(a)と図1(b)と同様な箇所は同様な
符号を付す。
て図2(a)の平面図、該平面図のＡ−Ａ´線に沿った断面
図の図2(b)を用いて説明する。図2(a)、図2(b)におい
て、第１実施例の図1(a)と図1(b)と同様な箇所は同様な
符号を付す。
【００２５】図2(a)、図2(b)に示すように、第２実施例
では、反応容器１の壁面に該反応容器１内に収容した基
板３に対して放射状に複数のガス配管21A,21B,21C,21D,
21E,21F を設けるとともに、該ガス配管21A,21B,21C,21
D,21E,21F の先端部のガス導入部を分岐し、該分岐管22
の各々に供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9
A,9B,9C,9D,9E,9F をそれぞれ設ける。
では、反応容器１の壁面に該反応容器１内に収容した基
板３に対して放射状に複数のガス配管21A,21B,21C,21D,
21E,21F を設けるとともに、該ガス配管21A,21B,21C,21
D,21E,21F の先端部のガス導入部を分岐し、該分岐管22
の各々に供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9
A,9B,9C,9D,9E,9F をそれぞれ設ける。
【００２６】そして供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F があ
る分岐管22のガスの移動方向は矢印Ｂ方向とし、排気バ
ルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F がある分岐管22のガスの移動方
向は矢印Ｃ方向とする。
る分岐管22のガスの移動方向は矢印Ｂ方向とし、排気バ
ルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F がある分岐管22のガスの移動方
向は矢印Ｃ方向とする。
【００２７】このようにすると、複数のガス配管21A,21
B,21C,21D,21E,21F はガス供給管とガス排気管の両方の
役目を備えることができる。そして例えば、供給バルブ
8A,8B,8C,8D,8E,8F が設置された分岐管22をガス供給側
とし、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F が設置された分岐
管22をガス排気側とする。
B,21C,21D,21E,21F はガス供給管とガス排気管の両方の
役目を備えることができる。そして例えば、供給バルブ
8A,8B,8C,8D,8E,8F が設置された分岐管22をガス供給側
とし、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F が設置された分岐
管22をガス排気側とする。
【００２８】そして供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F を開
放とし、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F を閉じると反応
容器１内に原料ガスが供給される。また供給バルブ8A,8
B,8C,8D,8E,8F を閉じて、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9
F を開放にすると反応容器１から原料ガスが流出する。
放とし、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F を閉じると反応
容器１内に原料ガスが供給される。また供給バルブ8A,8
B,8C,8D,8E,8F を閉じて、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9
F を開放にすると反応容器１から原料ガスが流出する。
【００２９】また供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F を閉じ
て、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9Fを閉じると原料ガス
が反応容器１内で滞留することになる。そのため、上記
供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9A,9B,9C,9
D,9E,9F の開閉のタイミング、開閉時間、また供給バル
ブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F
のうちの開閉するバルブを選択することで、第１実施例
に比較してより基板上で複雑なガスの流れを形成するこ
とができ、原料ガスの対流の発生の機会が少なくなり、
均一な厚さ、均一な組成の気相成長による結晶成長が可
能となる。
て、排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9Fを閉じると原料ガス
が反応容器１内で滞留することになる。そのため、上記
供給バルブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9A,9B,9C,9
D,9E,9F の開閉のタイミング、開閉時間、また供給バル
ブ8A,8B,8C,8D,8E,8F と排気バルブ9A,9B,9C,9D,9E,9F
のうちの開閉するバルブを選択することで、第１実施例
に比較してより基板上で複雑なガスの流れを形成するこ
とができ、原料ガスの対流の発生の機会が少なくなり、
均一な厚さ、均一な組成の気相成長による結晶成長が可
能となる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の気相成長装
置によると、基板面内での成長速度の差が少なくなるよ
うな結晶成長が可能となり、大面積の基板上に半導体素
子形成用のエピタキシャル結晶を均一な厚さ、均一な組
成が形成することが可能となり、このような結晶を用い
て半導体素子を形成すると高品質な半導体素子が得られ
る効果がある。
置によると、基板面内での成長速度の差が少なくなるよ
うな結晶成長が可能となり、大面積の基板上に半導体素
子形成用のエピタキシャル結晶を均一な厚さ、均一な組
成が形成することが可能となり、このような結晶を用い
て半導体素子を形成すると高品質な半導体素子が得られ
る効果がある。
【図１】 本発明の気相成長装置の第１実施例の説明図
である。
である。
【図２】 本発明の気相成長装置の第２実施例の説明図
である。
である。
【図３】 本発明の第１実施例の装置に用いるバルブの
切り換えのタイムチャートの一例図である。
切り換えのタイムチャートの一例図である。
【図４】 従来の気相成長装置の説明図と該装置で形成
した結晶の不都合な状態図である。
した結晶の不都合な状態図である。
1 反応容器 2 基板加熱台 3 基板 4A,4B,4C ガス供給管 5 高周波誘導コイル 6A,6B,6C ガス排気管 8A,8B,8C,8D,8E,8F 供給バルブ 9A,9B,9C,9D,9E,9F 排気バルブ 11 乱数発生器 12 バルブ制御装置 21A,21B,21C,21D,21E,21F ガス配管 22 分岐管
Claims (3)
- 【請求項１】 基板(3) を収容した反応容器(1) の一方
の側の壁面に供給バルブ(8A,8B,8C)を備えた複数のガス
供給管(4A,4B,4C)を設けるとともに、該反応容器(1) の
基板(3) を隔てた他方の側の壁面に前記複数のガス供給
管(4A,4B,4C)に対向して排気バルブ(9A,9B,9C)を備えた
複数のガス排気管(6A,6B,6C)を設け、前記複数のガス供
給管(4A,4B,4C)に設けた各々の供給バルブ(8A,8B,8C)の
開閉操作と、前記複数のガス排気管(6A,6B,6C)に設けた
各々の排気バルブ(9A,9B,9C)の開閉操作とを組み合わせ
て基板(3) 上に流れるガス流量、およびガス流の移動方
向を制御するようにしたことを特徴とする気相成長装
置。 - 【請求項２】 反応容器(1) の壁面に該反応容器(1) 内
に収容した基板(3)に対して放射状に複数のガス配管(21
A,21B,21C,21D,21E,21F) を設けるとともに、該ガス配
管(21A,21B,21C,21D,21E,21F) 先端部を分岐して分岐管
(22)と成し、該分岐管の各々に供給バルブ(8A,8B,8C,8
D,8E,8F) と排気バルブ(9A,9B,9C,9D,9E,9F) を設け、
該供給バルブ(8A,8B,8C,8D,8E,8F) と排気バルブ(9A,9
B,9C,9D,9E,9F) の開閉操作を組み合わせて基板(1) 上
に流れるガス流量、およびガス流の移動方向を制御する
ようにしたことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項１、或いは２に記載の供給バルブ
(8A,8B,8C,8D,8E,8F) と排気バルブ(9A,9B,9C,9D,9E,9
F) にバルブの開閉時間、バルブの開閉順序、開閉タイ
ミングを制御するバルブ制御装置(12)を設け、該バルブ
制御装置(12)をプログラム動作させる乱数発生器(11)に
て制御し、該制御装置(12)によって供給バルブ(8A,8B,8
C,8D,8E,8F) と排気バルブ(9A,9B,9C,9D,9E,9F) の開閉
時間、開閉動作するバルブの配置位置、或いはバルブの
開閉順序がばらつくようにしたことを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22552292A JPH0677142A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22552292A JPH0677142A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677142A true JPH0677142A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16830628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22552292A Withdrawn JPH0677142A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677142A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739871A1 (fr) * | 1995-10-11 | 1997-04-18 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif d'injection de gaz dans un reacteur de depot chimique en phase vapeur |
| JP2007201357A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN100347821C (zh) * | 2003-01-08 | 2007-11-07 | 夏普株式会社 | 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 |
| JP2015073019A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | 原子層堆積装置および原子層堆積方法 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP22552292A patent/JPH0677142A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739871A1 (fr) * | 1995-10-11 | 1997-04-18 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif d'injection de gaz dans un reacteur de depot chimique en phase vapeur |
| CN100347821C (zh) * | 2003-01-08 | 2007-11-07 | 夏普株式会社 | 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 |
| JP2007201357A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2015073019A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | 原子層堆積装置および原子層堆積方法 |
| EP3048639A4 (en) * | 2013-10-03 | 2017-09-27 | JSW AFTY Corporation | Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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