JPS63118074A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS63118074A JPS63118074A JP26340586A JP26340586A JPS63118074A JP S63118074 A JPS63118074 A JP S63118074A JP 26340586 A JP26340586 A JP 26340586A JP 26340586 A JP26340586 A JP 26340586A JP S63118074 A JPS63118074 A JP S63118074A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、原料ガスをプラズマ化し薄膜を基体表面に堆
積させる薄膜形成装置に関するものである。
積させる薄膜形成装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体素子、電子部品素子の製造、および光学部
品の表面コート層の形成等において多種多様の機能薄膜
１表面保護膜が用いられ、また薄膜形成装置も真空蒸着
装置、スパッタリング装置。
品の表面コート層の形成等において多種多様の機能薄膜
１表面保護膜が用いられ、また薄膜形成装置も真空蒸着
装置、スパッタリング装置。
ＣｖＣ装置等多くの形式のものが用いられている。
特に最近、ダイヤモンド膜、およびダイヤモンド状炭素
膜の合成、応用が積極的に行なわれている。ダイヤモン
ド膜、およびダイヤモンド状炭素膜は機械的、光学的、
熱的、音響的特性において優れた特性を有し、また窒素
等をドーピングすることで半導体素子としても応用でき
る。ダイヤモンド膜、およびダイヤモンド状炭素膜の合
成装置も多くのものが発表されている。
膜の合成、応用が積極的に行なわれている。ダイヤモン
ド膜、およびダイヤモンド状炭素膜は機械的、光学的、
熱的、音響的特性において優れた特性を有し、また窒素
等をドーピングすることで半導体素子としても応用でき
る。ダイヤモンド膜、およびダイヤモンド状炭素膜の合
成装置も多くのものが発表されている。
例えば、謬考文献として次のものが挙げられる。
（１）難波義捷：ダイヤモンド薄膜の低圧合成の研究、
応用機械工学、１９８４年７月号 （２）松本稍一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
、１９８４年９月号 （３）瀬高信雄：ダイヤモンドの１氏圧合成、日本産業
技術振興協会、技術資料ｉ’ａ １３ Ｂ 、 ５９／
６／２０（４）黒用曲：プラズマ・インジェクンヨンＣ
ＶＤ法による高硬度炭素膜の形成及び評価、昭和６０年
度精機学会春期大会学術講演論文集、／ｌ１４２２中で
もプラズマ・インジェクションＣＶＤ法（以下、ＰＩ・
ｃｖｐ法と略記）によれば、優れた特性のダイヤモンド
状炭素膜を他のＣＶＤ法、イオンビーム法、あるいはス
パッタリング法等に比べ基体温度が室温でも高速成膜で
きるため、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜の工
業応用化に適している。
応用機械工学、１９８４年７月号 （２）松本稍一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
、１９８４年９月号 （３）瀬高信雄：ダイヤモンドの１氏圧合成、日本産業
技術振興協会、技術資料ｉ’ａ １３ Ｂ 、 ５９／
６／２０（４）黒用曲：プラズマ・インジェクンヨンＣ
ＶＤ法による高硬度炭素膜の形成及び評価、昭和６０年
度精機学会春期大会学術講演論文集、／ｌ１４２２中で
もプラズマ・インジェクションＣＶＤ法（以下、ＰＩ・
ｃｖｐ法と略記）によれば、優れた特性のダイヤモンド
状炭素膜を他のＣＶＤ法、イオンビーム法、あるいはス
パッタリング法等に比べ基体温度が室温でも高速成膜で
きるため、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜の工
業応用化に適している。
以下にＰＩ・ＣＶＤ法によるダイヤモンド状炭素膜の合
成について説明する。第２図にＰＩ・（４Ｄ装置の略図
を示す。装置の基本構成はダイヤモンド状炭素膜を合成
する基本３９を設置する真空容器３７と、原料であるメ
タンガス４２を導入しプラズマ化するプラズマ発生容器
４５から成っている。まず基体３９を接地されている基
体ホルダー３８に取付は真空容器３７とプラズマ発生容
器４６を密閉し、バルブ３６全開き真空ポンプ３６で１
０ ＴＯｒｒ程度に真空排気する。次に原料のメタンガ
ス４２と補助ガスのアルゴンガス４３全プラズマ発生容
器４５へ導入し例えば圧力０．２７Ｏｒｔとし、この混
合ガスを高周波電源４０とプラズマ発生容器４６の外周
に巻回したプラズマ発生電極４６とでプラズマ化する。
成について説明する。第２図にＰＩ・（４Ｄ装置の略図
を示す。装置の基本構成はダイヤモンド状炭素膜を合成
する基本３９を設置する真空容器３７と、原料であるメ
タンガス４２を導入しプラズマ化するプラズマ発生容器
４５から成っている。まず基体３９を接地されている基
体ホルダー３８に取付は真空容器３７とプラズマ発生容
器４６を密閉し、バルブ３６全開き真空ポンプ３６で１
０ ＴＯｒｒ程度に真空排気する。次に原料のメタンガ
ス４２と補助ガスのアルゴンガス４３全プラズマ発生容
器４５へ導入し例えば圧力０．２７Ｏｒｔとし、この混
合ガスを高周波電源４０とプラズマ発生容器４６の外周
に巻回したプラズマ発生電極４６とでプラズマ化する。
このプラズマ中には炭素原子を含むイオンと中性種が存
在し、イオンは直流電源４１とメツシュ状電極４４によ
り基体３９方向へ加速され、また、中性種はプラズマ発
生容器４５と真空容器３了との圧力差により基体方向へ
粘性流として噴射され、基体３９上へダイヤモンド状炭
素膜が合成されていく。
在し、イオンは直流電源４１とメツシュ状電極４４によ
り基体３９方向へ加速され、また、中性種はプラズマ発
生容器４５と真空容器３了との圧力差により基体方向へ
粘性流として噴射され、基体３９上へダイヤモンド状炭
素膜が合成されていく。
ＰＩ・ＣＶＤ法ではダイヤモンド状炭素膜以外にも、原
料ガス、補助ガスを変えることで多種類の薄膜が合成で
きる。例えば太陽電池用に水素化アモルファスシリコン
全合成する場合、原料ガス２ｓ工Ｈ４、補助ガスｉＨ２
とすれば、プラズマＣＶＤと同様に ＳｉＨ４＋ Ｈ２→ａｉｓｉ−Ｈ なる反応で合成できる。又、硬質保護膜として炭化チタ
ンを合成する場合、原料ガスｆＴ１ｃ１４ 。
料ガス、補助ガスを変えることで多種類の薄膜が合成で
きる。例えば太陽電池用に水素化アモルファスシリコン
全合成する場合、原料ガス２ｓ工Ｈ４、補助ガスｉＨ２
とすれば、プラズマＣＶＤと同様に ＳｉＨ４＋ Ｈ２→ａｉｓｉ−Ｈ なる反応で合成できる。又、硬質保護膜として炭化チタ
ンを合成する場合、原料ガスｆＴ１ｃ１４ 。
ａｎ４とすれば、
ＴＬＣ８ａ ＋（Ｈ４→Ｔｉｅ ＋Ｈｅβ↑なる反応で
合成できる。
合成できる。
このＰＩ・ＣｖＤ装置ではプラズマ発生容器４５は真空
容器３了に真空フランジ４７で締結されている。ここで
、プラズマ発生容器４６の材質は、プラズマのスパッタ
リング作用で管壁材質がたたき出され膜特性全劣化させ
ないこと、高周波電力が効率良く原料ガスをプラズマ化
させることなどの理由からガラスが用いられる。
容器３了に真空フランジ４７で締結されている。ここで
、プラズマ発生容器４６の材質は、プラズマのスパッタ
リング作用で管壁材質がたたき出され膜特性全劣化させ
ないこと、高周波電力が効率良く原料ガスをプラズマ化
させることなどの理由からガラスが用いられる。
発明が解決しようとする問題点
第２図に示す従来のＰＩ・ＣｖＤ装置ではプラズマ発生
容器４５のプラズマ発生電極４６の近傍、後端部には大
気にさらされているため、’ ｋｇ／ ｃＡの圧力がガ
ラス管に外圧荷重として作用する。例えばプラズマ発生
容器４６全直径１０（ｍの円筒形状とした場付プラズマ
発生容器４５軸方向には７８．５ ｋｇの力が、また直
径２ｏＣｍの場合プラズマ発生容器４６軸方向には３１
４ｋｇもの力がかかる。
容器４５のプラズマ発生電極４６の近傍、後端部には大
気にさらされているため、’ ｋｇ／ ｃＡの圧力がガ
ラス管に外圧荷重として作用する。例えばプラズマ発生
容器４６全直径１０（ｍの円筒形状とした場付プラズマ
発生容器４５軸方向には７８．５ ｋｇの力が、また直
径２ｏＣｍの場合プラズマ発生容器４６軸方向には３１
４ｋｇもの力がかかる。
プラズマ発生容器４５の温度が室温程度ならば、この力
はプラズマ発生容器４５の肉厚”ｔ５ｍｎｎあるいは１
０ａｏｎと厚くすること、および例えば第３図に示す様
にプラズマ発生容器６２と真空フランジ部材６１とをテ
ーパー形状としプラズマ発生容器６２に過大な応力集中
が発生しない締結にすることなどによってプラズマ発生
容器の強度設計は十分で破壊は防げる。しかし、実際の
成膜時には、ＰＩ・ＣＶＤ法も他のプラズマを用いた底
膜方法と同様に非平衡プラズマが発生しているため、電
子温度は１０万°Ｃ程度、イオン、中性種温度は５００
’Ｃ程度もありこのプラズマによる加熱と、プラズマ発
生電極による加熱とによってプラズマ発生容器は３００
〜５００ ’Ｃに加熱される。この温度において、ガラ
スの機械的強度は著るしく低下するため、例えプラズマ
発生容器の肉厚全例えば１０ｍｍあるいは更に厚くしよ
うと、あるいは第３図に示した様に設計しても強度設計
は不十分であり、従来の装置構成で大型化することは困
難である。
はプラズマ発生容器４５の肉厚”ｔ５ｍｎｎあるいは１
０ａｏｎと厚くすること、および例えば第３図に示す様
にプラズマ発生容器６２と真空フランジ部材６１とをテ
ーパー形状としプラズマ発生容器６２に過大な応力集中
が発生しない締結にすることなどによってプラズマ発生
容器の強度設計は十分で破壊は防げる。しかし、実際の
成膜時には、ＰＩ・ＣＶＤ法も他のプラズマを用いた底
膜方法と同様に非平衡プラズマが発生しているため、電
子温度は１０万°Ｃ程度、イオン、中性種温度は５００
’Ｃ程度もありこのプラズマによる加熱と、プラズマ発
生電極による加熱とによってプラズマ発生容器は３００
〜５００ ’Ｃに加熱される。この温度において、ガラ
スの機械的強度は著るしく低下するため、例えプラズマ
発生容器の肉厚全例えば１０ｍｍあるいは更に厚くしよ
うと、あるいは第３図に示した様に設計しても強度設計
は不十分であり、従来の装置構成で大型化することは困
難である。
従って従来の技術では装置が小型に制限されるため、優
れた特性のダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜、水
素化アモルファスシリコン膜、炭化チタン膜などに！産
化するのは困難である。
れた特性のダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜、水
素化アモルファスシリコン膜、炭化チタン膜などに！産
化するのは困難である。
問題点を解決するだめの手段
以上記した従来技術にあった問題点はプラズマ発生容器
に大気圧が作用しない装置構成によって根本的に解決で
きるもので、本発明はプラズマ発生電極を外周に設置し
たプラズマ発生容器と、プラズマ発生電極とプラズマ発
生容器と基体とを内蔵する真空容器とによって薄膜形成
装置を構成したものである。
に大気圧が作用しない装置構成によって根本的に解決で
きるもので、本発明はプラズマ発生電極を外周に設置し
たプラズマ発生容器と、プラズマ発生電極とプラズマ発
生容器と基体とを内蔵する真空容器とによって薄膜形成
装置を構成したものである。
作用
本発明によればプラズマ発生容器には外圧荷重が全くか
からないため、プラズマ発生容器であるガラス管の直径
を例えば２０（１ｍ、あるいは更に大型化してもガラス
管の肉厚は２ｍｍ程度で十分であり、成膜中にガラス管
温度が３００〜５００°Ｃとなってもプラズマ発生容器
は破壊しない。このため、量産化に向けて装置の大型化
が容易に行なえる。
からないため、プラズマ発生容器であるガラス管の直径
を例えば２０（１ｍ、あるいは更に大型化してもガラス
管の肉厚は２ｍｍ程度で十分であり、成膜中にガラス管
温度が３００〜５００°Ｃとなってもプラズマ発生容器
は破壊しない。このため、量産化に向けて装置の大型化
が容易に行なえる。
実施例
以下に本発明の１実施例を第１図に示す。この実施例で
は、プラズマ発生電極１２を外周に設置したプラズマ発
生容器１１と、基体５を設置する第１の真空容器３と、
ブラズ々発生電極１２およびプラズマ発生容器１１を真
空状態に囲む第２の真空容器１３とから成っている。第
２の真空容器１３は例えば真空フランジ１６で第１の真
空容器に真空リークが無いように装着される。またプラ
ズマ発生容器１１は、例えば第２の真空容器１３に固定
された支持体１４により締結される。あるいは、プラズ
マ発生容器１１は、基体６の寸法形状に合わせて位置決
めができるように、例えば３次元位置調整機構で支持さ
れていても良い。
は、プラズマ発生電極１２を外周に設置したプラズマ発
生容器１１と、基体５を設置する第１の真空容器３と、
ブラズ々発生電極１２およびプラズマ発生容器１１を真
空状態に囲む第２の真空容器１３とから成っている。第
２の真空容器１３は例えば真空フランジ１６で第１の真
空容器に真空リークが無いように装着される。またプラ
ズマ発生容器１１は、例えば第２の真空容器１３に固定
された支持体１４により締結される。あるいは、プラズ
マ発生容器１１は、基体６の寸法形状に合わせて位置決
めができるように、例えば３次元位置調整機構で支持さ
れていても良い。
更に本発明の薄膜形成装置で例えばダイヤモンド状炭素
膜を合成する例を第１図を用いて記す。
膜を合成する例を第１図を用いて記す。
まず、ダイヤモンド状炭素膜全合底する基体５を接地さ
れている基体ホルダー４に取付は第１の真空容器３、第
２の真空容器１３、プラズマ発生容器１１とを密閉し、
パルプ２ 、１５ｉ開き真空ポンプ１で１ ｏ−”ｒｏ
ｒｒ程度に真空排気する。次に原料のメタンガス８と補
助ガスのアルゴンガス９をプラズマ発生容器１１へ導入
し例えば０．２Ｔｏｒｒとし、この混合ガスを高周波電
源６とプラズマ発生容器１１の外周に巻回したプラズマ
発生電極１２とでプラズマ化する。このプラズマ中には
炭素原子を含むイオンと中性種が存在し、イオンは直流
電源了とメソシュ状電極１ｏにより基体６方向へ加速さ
れ、また中性種はプラズマ発生容器１１と第１の真空容
器３との圧力差により基体方向へ粘性流として噴射され
、基体５上へダイヤモンド状炭素膜が合成されていく。
れている基体ホルダー４に取付は第１の真空容器３、第
２の真空容器１３、プラズマ発生容器１１とを密閉し、
パルプ２ 、１５ｉ開き真空ポンプ１で１ ｏ−”ｒｏ
ｒｒ程度に真空排気する。次に原料のメタンガス８と補
助ガスのアルゴンガス９をプラズマ発生容器１１へ導入
し例えば０．２Ｔｏｒｒとし、この混合ガスを高周波電
源６とプラズマ発生容器１１の外周に巻回したプラズマ
発生電極１２とでプラズマ化する。このプラズマ中には
炭素原子を含むイオンと中性種が存在し、イオンは直流
電源了とメソシュ状電極１ｏにより基体６方向へ加速さ
れ、また中性種はプラズマ発生容器１１と第１の真空容
器３との圧力差により基体方向へ粘性流として噴射され
、基体５上へダイヤモンド状炭素膜が合成されていく。
第１図では支持体１４は、例えば第１の真空容器３と第
２の真空容器１３との間で気密性を保持しうるものが望
ましい。支持体１４が気密性を保持しうるｌ］的として
は、合成条件によっては第１の真空容器３内の圧力が例
えば０．０１Ｔｏｒｒと低真空となり、第１の真空容器
３内でもプラズマが発生し、■高周波電力のロスとなる
、■第１の真空容器３内壁に堆積物が蓄積して汚染する
ことなどを防ぐためである。また、第１の真空容器３内
でプラズマが発生しない場合は支持体１４は気体が通過
できる構造でも良く、この場合、第２の真空容器１３は
排気管１７．パルプ２１真空ポンプ１で真空排気される
ので、排気管１８．パルプ１６は必要とは限らない。い
ずれにせよ、本発明は、支持体１４の構造等に関して何
ら規定するものではない。
２の真空容器１３との間で気密性を保持しうるものが望
ましい。支持体１４が気密性を保持しうるｌ］的として
は、合成条件によっては第１の真空容器３内の圧力が例
えば０．０１Ｔｏｒｒと低真空となり、第１の真空容器
３内でもプラズマが発生し、■高周波電力のロスとなる
、■第１の真空容器３内壁に堆積物が蓄積して汚染する
ことなどを防ぐためである。また、第１の真空容器３内
でプラズマが発生しない場合は支持体１４は気体が通過
できる構造でも良く、この場合、第２の真空容器１３は
排気管１７．パルプ２１真空ポンプ１で真空排気される
ので、排気管１８．パルプ１６は必要とは限らない。い
ずれにせよ、本発明は、支持体１４の構造等に関して何
ら規定するものではない。
以上述べた実施例ではプラズマ発生電極を外周に設置し
たプラズマ発生容器が、基体を設置する第１の真空容器
に装着された第２の真空容器に内蔵されているが、本発
明では例えば第２図に示す様にプラズマ発生電極を外周
に設置したプラズマ発生容器が基体を設置する真空容器
に内蔵されていてもよい。第２図に示す例においても、
プラズマ発生容器２９は成膜中に何ら外圧荷重は受けな
い。
たプラズマ発生容器が、基体を設置する第１の真空容器
に装着された第２の真空容器に内蔵されているが、本発
明では例えば第２図に示す様にプラズマ発生電極を外周
に設置したプラズマ発生容器が基体を設置する真空容器
に内蔵されていてもよい。第２図に示す例においても、
プラズマ発生容器２９は成膜中に何ら外圧荷重は受けな
い。
本発明において、ダイヤモンド状炭素膜以外にも、原料
ガス、補助ガスを変えることで優れた特性の水素化アモ
ルファスシリコン膜、炭化チタン膜等々、多種類の薄膜
が合成できることは言うまでもない。
ガス、補助ガスを変えることで優れた特性の水素化アモ
ルファスシリコン膜、炭化チタン膜等々、多種類の薄膜
が合成できることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、装置の大型化が容易であるため
、優れた特性のダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜
、水素化アモルファスシリコン膜。
、優れた特性のダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜
、水素化アモルファスシリコン膜。
炭化チタン膜等々を量産化し、それら薄膜を応用した製
品を低コストで提供できるものである。
品を低コストで提供できるものである。
第１図、第２図は本発明の実施例における薄膜形成装置
の原理図、第３図は従来の薄膜形成装置の原理図、第４
図は第３図の真空フランジの詳細を示す断正面図である
。 １．１９・・・・・・真空ポンプ、２，１５，２０゜３
１・・・・・・バルブ、３・・・・・・第１の真空容器
、４゜２２・・・・・・基体ホルダー、５．２３・・・
・・・基体、６゜２４・・・・・・高周波電源、７，２
５・・・・・・直流電源、８゜２６・・・・・・メタン
ガス、９．２７・川・・アルゴンガス、１０．２８・・
・・・・メツシュ状電極、１１．２９・・・・・・プラ
ズマ発生容器、１２ 、３０・・・・・・プラズマ発生
電極、１３・・・・・・第２の真空容器、１４ 、３３
・・・・・支持体、１６・・・・・・真空フランジ、１
７．１Ｂ。 ３２．３４・・・・・・排気管、２１・・・・・・真空
容器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２４高ノｔ１１ンノｉｔ 源 第３図 助 市周遺電凍 第４図
の原理図、第３図は従来の薄膜形成装置の原理図、第４
図は第３図の真空フランジの詳細を示す断正面図である
。 １．１９・・・・・・真空ポンプ、２，１５，２０゜３
１・・・・・・バルブ、３・・・・・・第１の真空容器
、４゜２２・・・・・・基体ホルダー、５．２３・・・
・・・基体、６゜２４・・・・・・高周波電源、７，２
５・・・・・・直流電源、８゜２６・・・・・・メタン
ガス、９．２７・川・・アルゴンガス、１０．２８・・
・・・・メツシュ状電極、１１．２９・・・・・・プラ
ズマ発生容器、１２ 、３０・・・・・・プラズマ発生
電極、１３・・・・・・第２の真空容器、１４ 、３３
・・・・・支持体、１６・・・・・・真空フランジ、１
７．１Ｂ。 ３２．３４・・・・・・排気管、２１・・・・・・真空
容器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ２４高ノｔ１１ンノｉｔ 源 第３図 助 市周遺電凍 第４図
Claims (2)
- （１）プラズマ発生電極を外周に設置したプラズマ発生
容器と、前記プラズマ発生電極と前記プラズマ発生容器
と基体とを内蔵する真空容器とによって構成された薄膜
形成装置。 - （２）真空容器が、少なくとも基体を内蔵する第１の真
空容器と、プラズマ発生容器の少なくともプラズマ発生
電極が設置してある部分を内蔵する第２の真空容器とに
よって構成された特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26340586A JPS63118074A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26340586A JPS63118074A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118074A true JPS63118074A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17389044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26340586A Pending JPS63118074A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118074A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940015A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Plasma reactor for diamond synthesis |
| EP0563748A2 (en) * | 1992-03-30 | 1993-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming film by plasma CVD |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201527A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Ion implantation method |
| JPS5811240B2 (ja) * | 1982-04-20 | 1983-03-02 | 松下電器産業株式会社 | 自動洗濯機の制御装置 |
| JPS6050169A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成方法 |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP26340586A patent/JPS63118074A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201527A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Ion implantation method |
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| EP0563748A2 (en) * | 1992-03-30 | 1993-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming film by plasma CVD |
| US5328737A (en) * | 1992-03-30 | 1994-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming film by plasma CVD |
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