JP3421465B2 - 熱処理装置及びその方法 - Google Patents
熱処理装置及びその方法Info
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- JP3421465B2 JP3421465B2 JP05653395A JP5653395A JP3421465B2 JP 3421465 B2 JP3421465 B2 JP 3421465B2 JP 05653395 A JP05653395 A JP 05653395A JP 5653395 A JP5653395 A JP 5653395A JP 3421465 B2 JP3421465 B2 JP 3421465B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置及びその方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスの中に、
高温下においてシリコンの表面部を酸化しこれにより酸
化膜（絶縁膜）を得る酸化処理や、不純物層を表面に形
成したシリコン層を加熱し、これにより不純物をシリコ
ン層内に熱拡散する拡散処理などがある。
高温下においてシリコンの表面部を酸化しこれにより酸
化膜（絶縁膜）を得る酸化処理や、不純物層を表面に形
成したシリコン層を加熱し、これにより不純物をシリコ
ン層内に熱拡散する拡散処理などがある。
【０００３】この種の酸化、拡散を行う熱処理装置とし
てバッチ式である縦型熱処理装置が知られているが、例
えばキャパシタ絶縁膜の酸化膜やゲート酸化膜の形成あ
るいは不純物イオンの拡散処理では、極めて薄い膜や浅
い接合を得る場合、膜質、膜厚や拡散深さがサーマルバ
ジェット（熱履歴）の影響を大きく受け、バッチ式の熱
処理装置では、先に反応管内に搬入されたウエハと最後
の方に搬入されたウエハとではサーマルバジェットに大
きな差が生じてしまう。
てバッチ式である縦型熱処理装置が知られているが、例
えばキャパシタ絶縁膜の酸化膜やゲート酸化膜の形成あ
るいは不純物イオンの拡散処理では、極めて薄い膜や浅
い接合を得る場合、膜質、膜厚や拡散深さがサーマルバ
ジェット（熱履歴）の影響を大きく受け、バッチ式の熱
処理装置では、先に反応管内に搬入されたウエハと最後
の方に搬入されたウエハとではサーマルバジェットに大
きな差が生じてしまう。
【０００４】そこで上述の熱処理炉を改良し、反応管内
の設定位置に１枚づつウエハを保持具に載せて搬入した
後急加熱する枚葉式の熱処理装置についても検討が進め
られている。このような枚葉式の熱処理装置について図
５に示す概略図を参照しながら説明すると、１は反応容
器であり、熱処理領域を含む部分が断熱体１０で囲まれ
ている。この反応容器１には、上から下へ向って処理ガ
スが流れるように処理ガス供給管１１及び排気管１２が
設けられている。
の設定位置に１枚づつウエハを保持具に載せて搬入した
後急加熱する枚葉式の熱処理装置についても検討が進め
られている。このような枚葉式の熱処理装置について図
５に示す概略図を参照しながら説明すると、１は反応容
器であり、熱処理領域を含む部分が断熱体１０で囲まれ
ている。この反応容器１には、上から下へ向って処理ガ
スが流れるように処理ガス供給管１１及び排気管１２が
設けられている。
【０００５】反応容器１の中には、ウエハ保持具１３が
昇降自在に設けられており、このウエハ保持具１３には
反応容器１の下方側の移載室１４にて図示しない搬送手
段により１枚のウエハＷが載置され、ウエハＷが所定位
置まで上昇した後抵抗発熱体１５ａ及び均熱体１５ｂよ
りなる加熱部１５により所定の熱処理温度まで加熱され
ると共に処理ガス供給管１１より処理ガスが供給されて
例えば常圧雰囲気で酸化処理される。
昇降自在に設けられており、このウエハ保持具１３には
反応容器１の下方側の移載室１４にて図示しない搬送手
段により１枚のウエハＷが載置され、ウエハＷが所定位
置まで上昇した後抵抗発熱体１５ａ及び均熱体１５ｂよ
りなる加熱部１５により所定の熱処理温度まで加熱され
ると共に処理ガス供給管１１より処理ガスが供給されて
例えば常圧雰囲気で酸化処理される。
【０００６】そして移載室１４に移載された処理前のウ
エハＷが加熱部１５よりの輻射熱を直接受けることによ
る熱履歴の影響を軽減し、また処理済みのウエハについ
ても冷却させるために反応容器１と移載室１４との間に
光遮断バルブであるシャッタ１６が左右両側にて進退自
在に設けられている。
エハＷが加熱部１５よりの輻射熱を直接受けることによ
る熱履歴の影響を軽減し、また処理済みのウエハについ
ても冷却させるために反応容器１と移載室１４との間に
光遮断バルブであるシャッタ１６が左右両側にて進退自
在に設けられている。
【０００７】ここでウエハＷの表面に形成される酸化膜
の膜厚を精度よく制御するためには、ウエハＷを熱処理
領域から下降させるタイミングが重要である。何故なら
酸化膜の成長速度は処理温度に対応しているため、ある
処理温度の雰囲気にウエハＷの表面がさらされる時間に
よって膜厚が決まるからである。このため図５に示すよ
うにウエハ保持具１３に熱電対１８を設け、実際のプロ
セスの前に予めこの熱電対１８によりウエハＷの表面温
度を測定し、ウエハＷが処理位置に達した後ウエハＷの
表面温度の経時変化パタ−ンを求めて膜厚の変化パタ−
ンを予測している。そして表面温度の経時変化パタ−ン
に基づいてウエハＷの下降のタイミング、例えばウエハ
Ｗが熱処理領域に達した後どれくらいの時間が経過した
後下降させればよいのかということを決め、こうして決
められたタイミングに基づいて実際のプロセスが行われ
る。
の膜厚を精度よく制御するためには、ウエハＷを熱処理
領域から下降させるタイミングが重要である。何故なら
酸化膜の成長速度は処理温度に対応しているため、ある
処理温度の雰囲気にウエハＷの表面がさらされる時間に
よって膜厚が決まるからである。このため図５に示すよ
うにウエハ保持具１３に熱電対１８を設け、実際のプロ
セスの前に予めこの熱電対１８によりウエハＷの表面温
度を測定し、ウエハＷが処理位置に達した後ウエハＷの
表面温度の経時変化パタ−ンを求めて膜厚の変化パタ−
ンを予測している。そして表面温度の経時変化パタ−ン
に基づいてウエハＷの下降のタイミング、例えばウエハ
Ｗが熱処理領域に達した後どれくらいの時間が経過した
後下降させればよいのかということを決め、こうして決
められたタイミングに基づいて実際のプロセスが行われ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながらウエ
ハＷを数百あるいは数千枚処理していく過程で、図示し
ないが加熱原の温度制御用の熱電対の劣化などや均熱板
あるいは反応管の表面状態の微妙な変化などによりウエ
ハＷの表面温度が、プロセス設定時の温度と微妙に異な
ってくることがあり、ウエハＷの下降のタイミングを元
の設定のままにして熱処理を行うと、膜厚が予定の大き
さから外れ、歩留まりが悪くなってしまう。このため頻
繁にウエハＷの表面温度を測定して、前記タイミングの
チェックを行わなければならず、装置の稼動率の低下の
一因になるという問題があった。
ハＷを数百あるいは数千枚処理していく過程で、図示し
ないが加熱原の温度制御用の熱電対の劣化などや均熱板
あるいは反応管の表面状態の微妙な変化などによりウエ
ハＷの表面温度が、プロセス設定時の温度と微妙に異な
ってくることがあり、ウエハＷの下降のタイミングを元
の設定のままにして熱処理を行うと、膜厚が予定の大き
さから外れ、歩留まりが悪くなってしまう。このため頻
繁にウエハＷの表面温度を測定して、前記タイミングの
チェックを行わなければならず、装置の稼動率の低下の
一因になるという問題があった。
【０００９】なお実際のプロセス時に熱電対をウエハ保
持具に取り付けたままにしておいて熱電対の測定温度に
基づきリアルタイムでウエハＷの下降のタイミングを決
める方法も考えられるが、この場合熱電対のセンサ部の
劣化や熱電対を被覆しているチュ−ブの劣化などにより
同じ表面温度でありながら測定温度が微妙に狂ってしま
い、この結果精度のよい膜厚制御ができなくなってしま
う。
持具に取り付けたままにしておいて熱電対の測定温度に
基づきリアルタイムでウエハＷの下降のタイミングを決
める方法も考えられるが、この場合熱電対のセンサ部の
劣化や熱電対を被覆しているチュ−ブの劣化などにより
同じ表面温度でありながら測定温度が微妙に狂ってしま
い、この結果精度のよい膜厚制御ができなくなってしま
う。
【００１０】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、例えば酸化膜などを被処理基
板の表面に形成するにあたり、予定の膜厚を高い精度で
得ることができ、しかも作業能率の高い熱処理方法を提
供するにある。
ものであり、その目的は、例えば酸化膜などを被処理基
板の表面に形成するにあたり、予定の膜厚を高い精度で
得ることができ、しかも作業能率の高い熱処理方法を提
供するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、加熱
炉に囲まれた反応容器と、この反応容器の下方側に設け
られ、被処理基板の移載を行うための移載室と、前記反
応容器と移載室との間で昇降手段により昇降し、被処理
基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、前記
反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処理基
板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置において、
前記反応管内の熱処理領域に位置している被処理基板の
表面の膜厚を検出する膜厚検出手段と、前記膜厚検出手
段による膜厚の検出値に基づいて、熱処理領域に位置し
ている被処理基板を下降させるための制御信号を、前記
昇降手段に対して出力する制御部と、を備えたことを特
徴とする熱処理装置である。
炉に囲まれた反応容器と、この反応容器の下方側に設け
られ、被処理基板の移載を行うための移載室と、前記反
応容器と移載室との間で昇降手段により昇降し、被処理
基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、前記
反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処理基
板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置において、
前記反応管内の熱処理領域に位置している被処理基板の
表面の膜厚を検出する膜厚検出手段と、前記膜厚検出手
段による膜厚の検出値に基づいて、熱処理領域に位置し
ている被処理基板を下降させるための制御信号を、前記
昇降手段に対して出力する制御部と、を備えたことを特
徴とする熱処理装置である。
【００１２】請求項２の発明は、加熱炉に囲まれた反応
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降手段により昇降し、被処理基板を保持するた
めの被処理基板保持部とを有し、前記反応容器内にて被
処理基板保持部に保持された被処理基板を処理ガスを供
給しながら熱処理する装置において、前記反応管内の熱
処理領域に位置している被処理基板の表面に対して光を
照射する耐熱性の発光用の光ファイバ及びその反射光を
受光する耐熱性の受光用の光ファイバと、前記受光用の
光ファイバにて受光した光に基づいて被処理基板の表面
の膜厚を検出する検出部と、前記検出部による膜厚の検
出値に基づいて、熱処理領域に位置している被処理基板
を下降させるための制御信号を、前記昇降手段に対して
出力する制御部と、を備えたことを特徴とする熱処理装
置である。
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降手段により昇降し、被処理基板を保持するた
めの被処理基板保持部とを有し、前記反応容器内にて被
処理基板保持部に保持された被処理基板を処理ガスを供
給しながら熱処理する装置において、前記反応管内の熱
処理領域に位置している被処理基板の表面に対して光を
照射する耐熱性の発光用の光ファイバ及びその反射光を
受光する耐熱性の受光用の光ファイバと、前記受光用の
光ファイバにて受光した光に基づいて被処理基板の表面
の膜厚を検出する検出部と、前記検出部による膜厚の検
出値に基づいて、熱処理領域に位置している被処理基板
を下降させるための制御信号を、前記昇降手段に対して
出力する制御部と、を備えたことを特徴とする熱処理装
置である。
【００１３】請求項３の発明は、請求項２記載の熱処理
装置において、発光用の光ファイバ及び受光用の光ファ
イバは、被処理基板保持部に連動して昇降するように設
けられていることを特徴とする。
装置において、発光用の光ファイバ及び受光用の光ファ
イバは、被処理基板保持部に連動して昇降するように設
けられていることを特徴とする。
【００１４】
【請求項４】 発光用の光ファイバ及び受光用の光ファ
イバは、反応管の外請求項４の発明は、請求項１、２、
３または４記載の熱処理装置において、発光用の光ファ
イバ及び受光用の光ファイバは、反応管の外部に設けら
れていることを特徴とする。
イバは、反応管の外請求項４の発明は、請求項１、２、
３または４記載の熱処理装置において、発光用の光ファ
イバ及び受光用の光ファイバは、反応管の外部に設けら
れていることを特徴とする。
【００１５】請求項５制御部は、請求項１、２、３また
は４記載の熱処理装置において、反応管内へ供給するガ
スを処理ガスから不活性ガスへ切り替えるための信号
を、膜厚の検出値に基づいて更に出力することを特徴と
する。
は４記載の熱処理装置において、反応管内へ供給するガ
スを処理ガスから不活性ガスへ切り替えるための信号
を、膜厚の検出値に基づいて更に出力することを特徴と
する。
【００１６】請求項６の発明は、加熱炉に囲まれた反応
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グをとることを特徴とする。
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グをとることを特徴とする。
【００１７】請求項７の発明は、加熱炉に囲まれた反応
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グと、反応管内へ供給するガスを処理ガスから不活性ガ
スへ切り替えるタイミングとをとることを特徴とする。
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グと、反応管内へ供給するガスを処理ガスから不活性ガ
スへ切り替えるタイミングとをとることを特徴とする。
【００１８】請求項８の発明は、加熱炉に囲まれた反応
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グを予め設定し、実プロセス時には、熱処理領域に位置
している被処理基板を予め設定されたタイミングで下降
させることを特徴とする。
容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板
の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室と
の間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板
保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部
に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処
理する装置において、前記被処理基板を熱処理しながら
その表面の膜厚を検出し、膜厚の検出結果に基づいて、
熱処理領域に位置している被処理基板の下降のタイミン
グを予め設定し、実プロセス時には、熱処理領域に位置
している被処理基板を予め設定されたタイミングで下降
させることを特徴とする。
【００１９】
【作用】請求項１〜７の発明では、被処理基板を被処理
基板保持具に保持させて移載室から熱処理領域まで上昇
させる。この上昇時には熱処理領域には例えば不活性ガ
スが供給されており、被処理基板が所定位置に達した
後、処理ガス例えば酸化ガスが被処理基板表面に供給さ
れる。これにより被処理基板表面に例えば酸化膜が形成
されるが、この酸化膜の膜厚は膜厚検出手段によりリア
ルタイムで検出されているため、制御部では酸化膜の成
長の様子を把握でき、その検出結果に基づき、被処理基
板の下降のタイミングを決定して、例えば所定の膜厚を
越えたところで制御信号を出力して被処理基板を下降さ
せ、例えば更に処理ガスの供給から不活性ガスの供給に
切り替える。従って頻繁な再チェック作業を行うことな
しに常に膜厚を高い精度で制御できる。
基板保持具に保持させて移載室から熱処理領域まで上昇
させる。この上昇時には熱処理領域には例えば不活性ガ
スが供給されており、被処理基板が所定位置に達した
後、処理ガス例えば酸化ガスが被処理基板表面に供給さ
れる。これにより被処理基板表面に例えば酸化膜が形成
されるが、この酸化膜の膜厚は膜厚検出手段によりリア
ルタイムで検出されているため、制御部では酸化膜の成
長の様子を把握でき、その検出結果に基づき、被処理基
板の下降のタイミングを決定して、例えば所定の膜厚を
越えたところで制御信号を出力して被処理基板を下降さ
せ、例えば更に処理ガスの供給から不活性ガスの供給に
切り替える。従って頻繁な再チェック作業を行うことな
しに常に膜厚を高い精度で制御できる。
【００２０】また請求項８の発明のように実際のプロセ
スを行う前にテストプロセスを行って被処理基板表面の
膜厚を検出しその検出結果に基づいて被処理基板の位置
を管理するようにすれば、温度ではなくて直接膜厚を測
定しているので、予め設定される被処理基板の下降のタ
イミングが適切なものとなり、予定の膜厚を高い精度で
得られるので歩留まりが向上する。
スを行う前にテストプロセスを行って被処理基板表面の
膜厚を検出しその検出結果に基づいて被処理基板の位置
を管理するようにすれば、温度ではなくて直接膜厚を測
定しているので、予め設定される被処理基板の下降のタ
イミングが適切なものとなり、予定の膜厚を高い精度で
得られるので歩留まりが向上する。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る熱処理装置の全
体構成を示す断面図である。図１中２は、下端が開口
し、上端が閉塞している例えば石英よりなる外管２ａと
この外管２ａの中に設けられた例えば石英よりなる内管
２ｂとからなる二重管構造の反応容器をなす反応管であ
る。前記内管２ｂの頂部中央には処理ガス供給路の供給
口をなす開口部２０が形成されている。
体構成を示す断面図である。図１中２は、下端が開口
し、上端が閉塞している例えば石英よりなる外管２ａと
この外管２ａの中に設けられた例えば石英よりなる内管
２ｂとからなる二重管構造の反応容器をなす反応管であ
る。前記内管２ｂの頂部中央には処理ガス供給路の供給
口をなす開口部２０が形成されている。
【００２２】前記反応管２の周囲及び上面を間隙を介し
て覆うように例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）よりなる均熱
部材２１が配設され、更にその外側には断熱体２２及
び、水冷ジャケット２３ａを備えた外装体２３が設けら
れている。また均熱部材２１の上面と断熱体２２との間
には抵抗発熱体よりなる加熱源２４が配置されている。
て覆うように例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）よりなる均熱
部材２１が配設され、更にその外側には断熱体２２及
び、水冷ジャケット２３ａを備えた外装体２３が設けら
れている。また均熱部材２１の上面と断熱体２２との間
には抵抗発熱体よりなる加熱源２４が配置されている。
【００２３】前記反応管２の下部には、例えば２本の処
理ガス供給管３ａ、３ｂの一端側が外管２ａ及び内管２
ｂ間の間隙に開口するように接続されている。これら処
理ガス供給管３ａ、３ｂの他端側は分岐されており（た
だし３ｂについては３ａ側と同様であるため図示を省略
してある。）、その一方の分岐管はバルブＶ１を介して
図示しない処理ガス供給源に接続されると共に、他方の
分岐管は、バルブＶ２を介して図示しない不活性ガス供
給源に接続されている。
理ガス供給管３ａ、３ｂの一端側が外管２ａ及び内管２
ｂ間の間隙に開口するように接続されている。これら処
理ガス供給管３ａ、３ｂの他端側は分岐されており（た
だし３ｂについては３ａ側と同様であるため図示を省略
してある。）、その一方の分岐管はバルブＶ１を介して
図示しない処理ガス供給源に接続されると共に、他方の
分岐管は、バルブＶ２を介して図示しない不活性ガス供
給源に接続されている。
【００２４】前記反応管２の下方側には、上端部が反応
管２の下端部に気密に接続され、内部空間が反応管２内
の空間に連続する、水冷ジャケットを有する筒状体３１
が配設されている。前記筒状体３１の上部側面には、２
本の排気管３０ａ、３０ｂの一端が接続されており、こ
れら排気管３０ａ、３０ｂの他端側には図示しない排気
ポンプが接続されている。
管２の下端部に気密に接続され、内部空間が反応管２内
の空間に連続する、水冷ジャケットを有する筒状体３１
が配設されている。前記筒状体３１の上部側面には、２
本の排気管３０ａ、３０ｂの一端が接続されており、こ
れら排気管３０ａ、３０ｂの他端側には図示しない排気
ポンプが接続されている。
【００２５】前記筒状体３１における前記排気管３０
ａ、３０ｂの排気口よりも下方側には後述のウエハ保持
具と外部との間でウエハの移載を行うための移載室３２
が形成されており、この移載室３２の側壁部にはゲート
バルブにより開閉されるウエハＷの搬入出口３３が形成
されている。また移載室３２の上部両側は、反応容器側
からの輻射熱を遮断するためのシャッタＳ１、Ｓ２が設
けられると共に、移載室３２の下部両側にも、筒状体４
の底部側との間を遮断するように、シャッタＳ３、Ｓ４
が設けられており、シャッタＳ３、Ｓ４は閉じたときに
後述の昇降軸及び光ファイバを囲むように構成されてい
る。３４、３５、３６、３７はシャッタの待機室であ
る。前記シャッタの待機室３４〜３７及び筒状体３１の
底部には、排気管３０ａ、３０ｂの排気口よりも下方側
の領域をパージガス例えばＮ2 ガスなどの不活性ガスで
パージするための不活性ガス供給管Ｇ１〜Ｇ５が接続さ
れている。
ａ、３０ｂの排気口よりも下方側には後述のウエハ保持
具と外部との間でウエハの移載を行うための移載室３２
が形成されており、この移載室３２の側壁部にはゲート
バルブにより開閉されるウエハＷの搬入出口３３が形成
されている。また移載室３２の上部両側は、反応容器側
からの輻射熱を遮断するためのシャッタＳ１、Ｓ２が設
けられると共に、移載室３２の下部両側にも、筒状体４
の底部側との間を遮断するように、シャッタＳ３、Ｓ４
が設けられており、シャッタＳ３、Ｓ４は閉じたときに
後述の昇降軸及び光ファイバを囲むように構成されてい
る。３４、３５、３６、３７はシャッタの待機室であ
る。前記シャッタの待機室３４〜３７及び筒状体３１の
底部には、排気管３０ａ、３０ｂの排気口よりも下方側
の領域をパージガス例えばＮ2 ガスなどの不活性ガスで
パージするための不活性ガス供給管Ｇ１〜Ｇ５が接続さ
れている。
【００２６】前記反応管２内には被処理基板保持部であ
るウエハ保持具４が設けられており、このウエハ保持具
４は昇降軸４１の上部に取り付けられ、昇降軸４１は筒
状体３１の下端部にてボールネジなどの昇降機構４２に
より昇降できるように構成されている。またこの昇降軸
４１内には回転機構４３により回転する回転軸が内蔵さ
れ、ウエハＷが鉛直軸回りに回転できるようになってい
る。
るウエハ保持具４が設けられており、このウエハ保持具
４は昇降軸４１の上部に取り付けられ、昇降軸４１は筒
状体３１の下端部にてボールネジなどの昇降機構４２に
より昇降できるように構成されている。またこの昇降軸
４１内には回転機構４３により回転する回転軸が内蔵さ
れ、ウエハＷが鉛直軸回りに回転できるようになってい
る。
【００２７】更に前記反応管２内には、ウエハ保持具４
と連動して昇降する膜厚検出のための耐熱材例えば石英
あるいはサファイヤからなる光ファイバ５Ａ、５Ｂが設
けられている。この光ファイバ５Ａ、５Ｂは、ウエハ保
持具４を昇降させる昇降台４３に取り付け部材５１Ａ、
５１Ｂを介して取り付けられており、筒状体３１の底面
を気密に貫通してウエハ保持具４を左右に挟むようにウ
エハ保持具４よりも少し上方位置まで鉛直に伸びてい
る。この光ファイバ５Ａ、５Ｂの先端部は、内方側に屈
曲し、一方の光ファイバ（発光用光ファイバ）５Ａから
発光された光がウエハＷの表面の例えば中心部にて反射
し、その反射光が他方の光ファイバ（受光用光ファイ
バ）５Ｂにて受光されるように光軸が形成されている。
と連動して昇降する膜厚検出のための耐熱材例えば石英
あるいはサファイヤからなる光ファイバ５Ａ、５Ｂが設
けられている。この光ファイバ５Ａ、５Ｂは、ウエハ保
持具４を昇降させる昇降台４３に取り付け部材５１Ａ、
５１Ｂを介して取り付けられており、筒状体３１の底面
を気密に貫通してウエハ保持具４を左右に挟むようにウ
エハ保持具４よりも少し上方位置まで鉛直に伸びてい
る。この光ファイバ５Ａ、５Ｂの先端部は、内方側に屈
曲し、一方の光ファイバ（発光用光ファイバ）５Ａから
発光された光がウエハＷの表面の例えば中心部にて反射
し、その反射光が他方の光ファイバ（受光用光ファイ
バ）５Ｂにて受光されるように光軸が形成されている。
【００２８】前記光ファイバ５Ａ、５Ｂは、膜厚検出手
段例えばエリプソメ−タとよばれる膜厚検出器の一部を
なすものであり、光ファイバ５Ａ、５Ｂの基端部側は、
前記昇降台４３に取り付けられた検出ユニット５２に接
続されている。エリプソメ−タは、被処理基板の表面に
一定の角度で光を照射したときに表面の高さが変わると
この場合膜厚が変わると、入射角が変わるため、その変
化を反射光に基づいて捉え、こうして反射光の検出によ
り、そのときの膜厚を求めるものであり、前記検出ユニ
ット５２は、受光用光ファイバ５Ｂよりの光に基づいて
膜厚を求めるように構成されている。
段例えばエリプソメ−タとよばれる膜厚検出器の一部を
なすものであり、光ファイバ５Ａ、５Ｂの基端部側は、
前記昇降台４３に取り付けられた検出ユニット５２に接
続されている。エリプソメ−タは、被処理基板の表面に
一定の角度で光を照射したときに表面の高さが変わると
この場合膜厚が変わると、入射角が変わるため、その変
化を反射光に基づいて捉え、こうして反射光の検出によ
り、そのときの膜厚を求めるものであり、前記検出ユニ
ット５２は、受光用光ファイバ５Ｂよりの光に基づいて
膜厚を求めるように構成されている。
【００２９】一方この実施例に係る熱処理装置は、膜厚
の検出値に基づいて前記昇降手段４２を制御するための
制御部６を有しており、この制御部６は、前記検出ユニ
ット５２にて得られた膜厚に対応する電気信号（膜厚信
号）を取り込み、その膜厚信号に基づいて熱処理領域に
位置するウエハＷを下降させるタイミングを求め、昇降
手段４２のモ−タＭにウエハ保持具４が下降するように
制御信号（下降指令）を与える機能７を備えている。ウ
エハＷの下降のタイミングの決定については、例えば膜
厚値が予め設定された値を越えたときに、前記制御信号
を出力するといった方法を採用できる。
の検出値に基づいて前記昇降手段４２を制御するための
制御部６を有しており、この制御部６は、前記検出ユニ
ット５２にて得られた膜厚に対応する電気信号（膜厚信
号）を取り込み、その膜厚信号に基づいて熱処理領域に
位置するウエハＷを下降させるタイミングを求め、昇降
手段４２のモ−タＭにウエハ保持具４が下降するように
制御信号（下降指令）を与える機能７を備えている。ウ
エハＷの下降のタイミングの決定については、例えば膜
厚値が予め設定された値を越えたときに、前記制御信号
を出力するといった方法を採用できる。
【００３０】更に前記制御部６は膜厚信号に基づき、バ
ルブＶ１、Ｖ２の位置から熱処理領域までにガスが流れ
る時間、いわば切り替えの遅れ時間を見込んで、例えば
前記制御信号を出力する若干前のタイミングで、バルブ
Ｖ１を閉じかつバルブＶ２を開くための切り替え信号を
出力するように構成されている。
ルブＶ１、Ｖ２の位置から熱処理領域までにガスが流れ
る時間、いわば切り替えの遅れ時間を見込んで、例えば
前記制御信号を出力する若干前のタイミングで、バルブ
Ｖ１を閉じかつバルブＶ２を開くための切り替え信号を
出力するように構成されている。
【００３１】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずウエハ保持具４を鎖線の如く移載室３２内に位置させ
ておき、搬入出口３３より被処理基板であるウエハＷを
搬入してウエハ保持具４上に載置する。一方加熱源２４
よりの輻射熱が均熱体２１を通じて反応管２内に入射
し、所定温度の均熱領域が形成されると共に、処理ガス
供給管３ａ、３ｂから不活性ガス例えばＮ2 ガスが内管
２ｂの頂部の開口部２０を通じて反応管２内に供給され
る。
ずウエハ保持具４を鎖線の如く移載室３２内に位置させ
ておき、搬入出口３３より被処理基板であるウエハＷを
搬入してウエハ保持具４上に載置する。一方加熱源２４
よりの輻射熱が均熱体２１を通じて反応管２内に入射
し、所定温度の均熱領域が形成されると共に、処理ガス
供給管３ａ、３ｂから不活性ガス例えばＮ2 ガスが内管
２ｂの頂部の開口部２０を通じて反応管２内に供給され
る。
【００３２】また筒状体４に接続された不活性ガス供給
管Ｇ１〜Ｇ５から例えばＮ2 ガスが筒状体４内に供給さ
れると共に、排気管３０ａ、３０ｂより処理ガス及び不
活性ガスが排気される。そしてシャッタ（Ｓ１、Ｓ
２）、（Ｓ３、Ｓ４）を開いた後ウエハ保持具４を所定
の位置まで上昇させ、ウエハＷはこの位置（図１に示す
位置）で例えば１０００℃まで加熱される。このとき制
御部６からバルブＶ１を開きＶ２を閉じる信号が出力さ
れ、反応管２内へのガスの供給がＮ2 ガスから処理ガス
例えばＯ2 ガス及びＨＣｌガスの混合ガスに切り替わ
り、常圧雰囲気でウエハＷの表面が熱処理例えば酸化処
理される。
管Ｇ１〜Ｇ５から例えばＮ2 ガスが筒状体４内に供給さ
れると共に、排気管３０ａ、３０ｂより処理ガス及び不
活性ガスが排気される。そしてシャッタ（Ｓ１、Ｓ
２）、（Ｓ３、Ｓ４）を開いた後ウエハ保持具４を所定
の位置まで上昇させ、ウエハＷはこの位置（図１に示す
位置）で例えば１０００℃まで加熱される。このとき制
御部６からバルブＶ１を開きＶ２を閉じる信号が出力さ
れ、反応管２内へのガスの供給がＮ2 ガスから処理ガス
例えばＯ2 ガス及びＨＣｌガスの混合ガスに切り替わ
り、常圧雰囲気でウエハＷの表面が熱処理例えば酸化処
理される。
【００３３】一方膜厚検出手段の検出ユニット５２から
光ファイバ５Ａを通じてウエハＷの表面に光が照射さ
れ、その反射光が光ファイバ５Ｂを通じて検出ユニット
５２に入り、これによりウエハＷの表面に形成される酸
化膜の例えば中心部の膜厚がリアルタイムで検出され
る。そして制御部６では検出ユニット５２から膜厚信号
を取り込み、検出された膜厚が所定の膜厚以上になった
ときに、バルブＶ１、Ｖ２の切替え信号を出力して反応
管２内へのガスの供給を処理ガスからＮ2 ガスへ切り替
えると共に、そのタイミングｔ2 に若干遅れたタイミン
グｔ2 ＋△ｔ（ただし図３ではｔ2 としてある）に昇降
手段４２のモ−タＭに下降指令を出力する。これによっ
てウエハ保持具４が移載室３２内まで下降し、ウエハＷ
の移し替えが行われる。
光ファイバ５Ａを通じてウエハＷの表面に光が照射さ
れ、その反射光が光ファイバ５Ｂを通じて検出ユニット
５２に入り、これによりウエハＷの表面に形成される酸
化膜の例えば中心部の膜厚がリアルタイムで検出され
る。そして制御部６では検出ユニット５２から膜厚信号
を取り込み、検出された膜厚が所定の膜厚以上になった
ときに、バルブＶ１、Ｖ２の切替え信号を出力して反応
管２内へのガスの供給を処理ガスからＮ2 ガスへ切り替
えると共に、そのタイミングｔ2 に若干遅れたタイミン
グｔ2 ＋△ｔ（ただし図３ではｔ2 としてある）に昇降
手段４２のモ−タＭに下降指令を出力する。これによっ
てウエハ保持具４が移載室３２内まで下降し、ウエハＷ
の移し替えが行われる。
【００３４】なお上述の例ではウエハＷの表面の１点の
膜厚を検出しているが、複数組の光ファイバを設けて複
数点の膜厚を検出し、その検出結果例えば各点の膜厚の
平均値を求め、その値が所定値を越えたときに上述のタ
イミングをとるようにしてもよい。
膜厚を検出しているが、複数組の光ファイバを設けて複
数点の膜厚を検出し、その検出結果例えば各点の膜厚の
平均値を求め、その値が所定値を越えたときに上述のタ
イミングをとるようにしてもよい。
【００３５】上述実施例によれば、ウエハＷの表面の膜
厚をリアルタイムで検出し、その検出結果に基づいて処
理ガスからＮ2 ガスへの切り替え及びウエハＷの熱処理
領域からの下降のタイミングをとっているため、加熱原
の温度やガスの流れなどの何らかの因子が変わり、酸化
膜の成長パタ−ンが予定のパタ−ンから外れることがあ
ったとしても、そのときの酸化膜の成長に応じて、適切
なタイミングでガスが切り替わり、ウエハＷが熱処理領
域から離れるため、酸化膜の膜厚を精度よく制御でき、
高い精度で予定の膜厚が得られ、従って歩留まりが向上
する。しかも光ファイバは耐熱性材料例えば石英やサフ
ァイヤなどにより構成されるため、劣化のおそれがな
く、従って頻繁なチェック作業を行わなくて済むので装
置のダウンタイムが少なくなる。
厚をリアルタイムで検出し、その検出結果に基づいて処
理ガスからＮ2 ガスへの切り替え及びウエハＷの熱処理
領域からの下降のタイミングをとっているため、加熱原
の温度やガスの流れなどの何らかの因子が変わり、酸化
膜の成長パタ−ンが予定のパタ−ンから外れることがあ
ったとしても、そのときの酸化膜の成長に応じて、適切
なタイミングでガスが切り替わり、ウエハＷが熱処理領
域から離れるため、酸化膜の膜厚を精度よく制御でき、
高い精度で予定の膜厚が得られ、従って歩留まりが向上
する。しかも光ファイバは耐熱性材料例えば石英やサフ
ァイヤなどにより構成されるため、劣化のおそれがな
く、従って頻繁なチェック作業を行わなくて済むので装
置のダウンタイムが少なくなる。
【００３６】また本発明では、図４に示すように膜厚検
出手段の光ファイバ５Ａ、５Ｂを反応管２の外に設けて
もよい。図４の装置では加熱炉の断熱体２２の中に外部
から光ファイバ５Ａ、５Ｂを挿入し、ウエハＷが熱処理
領域に位置しているときに、そのウエハＷの表面の例え
ば中心部に光ファイバ５Ａより光を照射しその反射光が
光ファイバ５Ｂにて受光されるように光ファイバ５Ａ、
５Ｂの先端部の位置が設定されている。
出手段の光ファイバ５Ａ、５Ｂを反応管２の外に設けて
もよい。図４の装置では加熱炉の断熱体２２の中に外部
から光ファイバ５Ａ、５Ｂを挿入し、ウエハＷが熱処理
領域に位置しているときに、そのウエハＷの表面の例え
ば中心部に光ファイバ５Ａより光を照射しその反射光が
光ファイバ５Ｂにて受光されるように光ファイバ５Ａ、
５Ｂの先端部の位置が設定されている。
【００３７】この場合光ファイバ５Ａ、５Ｂの先端部
は、断熱体２２の内面側まで貫通させることに限らず、
断熱体２２の中に埋設し、断熱体２２の中に形成された
貫通孔を光が通過するようにしてもよい。更に光ファイ
バ５Ａ、５Ｂを反応管２の外に設ける場合、反応管２と
断熱体２２との間の間隙をウエハ保持具４と連動して昇
降するようにしてもよい。このように光ファイバを反応
管２の外に設けれは、光ファイバが受ける輻射熱が少な
くなるので、熱劣化が抑えられ、使用寿命が長くなると
いう利点がある。以上において本発明では、実プロセス
において膜厚をリアルタイムで検出する代りに、実プロ
セスの前にテストプロセスを行い、このテストプロセス
にて膜厚をリアルタイムで検出し、膜厚の増大パタ−ン
を予め把握しておいてウエハＷの下降のタイミング及び
処理ガスから不活性ガスへの切り替えのタイミングを決
定し、こうして決定されたタイミングをプログラムに組
み込んで実プロセスにおいてこのプログラムに基づき運
転するようにしてもよい。
は、断熱体２２の内面側まで貫通させることに限らず、
断熱体２２の中に埋設し、断熱体２２の中に形成された
貫通孔を光が通過するようにしてもよい。更に光ファイ
バ５Ａ、５Ｂを反応管２の外に設ける場合、反応管２と
断熱体２２との間の間隙をウエハ保持具４と連動して昇
降するようにしてもよい。このように光ファイバを反応
管２の外に設けれは、光ファイバが受ける輻射熱が少な
くなるので、熱劣化が抑えられ、使用寿命が長くなると
いう利点がある。以上において本発明では、実プロセス
において膜厚をリアルタイムで検出する代りに、実プロ
セスの前にテストプロセスを行い、このテストプロセス
にて膜厚をリアルタイムで検出し、膜厚の増大パタ−ン
を予め把握しておいてウエハＷの下降のタイミング及び
処理ガスから不活性ガスへの切り替えのタイミングを決
定し、こうして決定されたタイミングをプログラムに組
み込んで実プロセスにおいてこのプログラムに基づき運
転するようにしてもよい。
【００３８】そしてまた本発明は、ウエハＷを熱処理領
域と移載室との間で昇降するときに処理ガス例えばＯ2
ガスを反応管内へ供給しておくプロセスにも適用でき、
この場合には膜厚の検出結果に基づいてウエハＷの下降
のタイミングがとられることになる。
域と移載室との間で昇降するときに処理ガス例えばＯ2
ガスを反応管内へ供給しておくプロセスにも適用でき、
この場合には膜厚の検出結果に基づいてウエハＷの下降
のタイミングがとられることになる。
【００３９】なお、酸化処理によるゲート酸化膜やキャ
パシタ絶縁膜などの極薄酸化膜の形成について、本発明
は好適なものであるが、その他ＣＶＤ処理などの熱処理
を行う場合に適用することができる。
パシタ絶縁膜などの極薄酸化膜の形成について、本発明
は好適なものであるが、その他ＣＶＤ処理などの熱処理
を行う場合に適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】請求項１〜７の発明によれば、被処理基
板の表面に形成される薄膜の膜厚を検出しながら、その
検出結果に基づき被処理基板を熱処理領域から下降させ
るタイミングをとり、あるいは更に処理ガスから不活性
ガスへの切り換えのタイミングをとっているので、予定
の薄膜を高い精度で得ることができる。また請求項２の
発明によれば、石英などの耐熱材よりなる光ファイバに
より、膜厚検出用の光の光路を形成しているため、膜厚
検出手段の劣化のおそれがなく、従って頻繁なチェック
作業が不要になる。請求項８の発明によれば、テストプ
ロセス時に温度でなくて直接膜厚を測定しているので、
予め設定される被処理基板の下降のタイミングが適切な
ものとなり、予定の膜厚を高い精度で得られる。
板の表面に形成される薄膜の膜厚を検出しながら、その
検出結果に基づき被処理基板を熱処理領域から下降させ
るタイミングをとり、あるいは更に処理ガスから不活性
ガスへの切り換えのタイミングをとっているので、予定
の薄膜を高い精度で得ることができる。また請求項２の
発明によれば、石英などの耐熱材よりなる光ファイバに
より、膜厚検出用の光の光路を形成しているため、膜厚
検出手段の劣化のおそれがなく、従って頻繁なチェック
作業が不要になる。請求項８の発明によれば、テストプ
ロセス時に温度でなくて直接膜厚を測定しているので、
予め設定される被処理基板の下降のタイミングが適切な
ものとなり、予定の膜厚を高い精度で得られる。
【図１】本発明の一実施例の全体構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の要部を示す構成図である。
【図３】ウエハＷの位置及びガスの切り替えと時間との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の熱処理装置を示す概略断面図である。
２ 反応管
３ａ、３ｂ 処理ガス供給管
３０ａ、３０ｂ 排気管
３２ 移載室
４ ウエハ保持具
４１ 昇降軸
４２ 昇降手段
Ｍ モ−タ
５Ａ、５Ｂ 光ファイバ
５２ 検出ユニット
６ 制御部
Ｖ１、Ｖ２ バルブ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｐ
(56)参考文献 特開 昭57−63826（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−213923（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−343220（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−144752（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−125821（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−245514（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−260487（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/205
H01L 21/22 511
H01L 21/324
H01L 21/66
Claims (8)
- 【請求項１】 加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応
容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うため
の移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降手段に
より昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板保
持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部に
保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処理
する装置において、 前記反応管内の熱処理領域に位置している被処理基板の
表面の膜厚を検出する膜厚検出手段と、 前記膜厚検出手段による膜厚の検出値に基づいて、熱処
理領域に位置している被処理基板を下降させるための制
御信号を、前記昇降手段に対して出力する制御部と、を
備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応
容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うため
の移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降手段に
より昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板保
持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部に
保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処理
する装置において、 前記反応管内の熱処理領域に位置している被処理基板の
表面に対して光を照射する耐熱性の発光用の光ファイバ
及びその反射光を受光する耐熱性の受光用の光ファイバ
と、 前記受光用の光ファイバにて受光した光に基づいて被処
理基板の表面の膜厚を検出する検出部と、 前記検出部による膜厚の検出値に基づいて、熱処理領域
に位置している被処理基板を下降させるための制御信号
を、前記昇降手段に対して出力する制御部と、を備えた
ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項３】 発光用の光ファイバ及び受光用の光ファ
イバは、被処理基板保持部に連動して昇降するように設
けられていることを特徴とする請求項２記載の熱処理装
置。 - 【請求項４】 発光用の光ファイバ及び受光用の光ファ
イバは、反応管の外部に設けられていることを特徴とす
る請求項１、２または３記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 制御部は、、反応管内へ供給するガスを
処理ガスから不活性ガスへ切り替えるための信号を、膜
厚の検出値に基づいて更に出力することを特徴とする請
求項１、２、３または４記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応
容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うため
の移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降し、被
処理基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、
前記反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処
理基板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置におい
て、 前記被処理基板を熱処理しながらその表面の膜厚を検出
し、膜厚の検出結果に基づいて、熱処理領域に位置して
いる被処理基板の下降のタイミングをとることを特徴と
する熱処理方法。 - 【請求項７】 加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応
容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うため
の移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降し、被
処理基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、
前記反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処
理基板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置におい
て、 前記被処理基板を熱処理しながらその表面の膜厚を検出
し、膜厚の検出結果に基づいて、熱処理領域に位置して
いる被処理基板の下降のタイミングと、反応管内へ供給
するガスを処理ガスから不活性ガスへ切り替えるタイミ
ングとをとることを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項８】 加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応
容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うため
の移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降し、被
処理基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、
前記反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処
理基板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置におい
て、 前記被処理基板を熱処理しながらその表面の膜厚を検出
し、膜厚の検出結果に基づいて、熱処理領域に位置して
いる被処理基板の下降のタイミングを予め設定し、実プ
ロセス時には、熱処理領域に位置している被処理基板を
予め設定されたタイミングで下降させることを特徴とす
る熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05653395A JP3421465B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 熱処理装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05653395A JP3421465B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 熱処理装置及びその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227881A JPH08227881A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3421465B2 true JP3421465B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=13029740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05653395A Expired - Fee Related JP3421465B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 熱処理装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3421465B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6055927A (en) * | 1997-01-14 | 2000-05-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
| JP2000082661A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 加熱装置，加熱装置の評価法及びパタ―ン形成方法 |
| US7981700B2 (en) | 2005-02-15 | 2011-07-19 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor oxidation apparatus and method of producing semiconductor element |
| JP4485972B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-06-23 | 株式会社リコー | 半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法 |
| JP6099982B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2017-03-22 | 株式会社オプトラン | 薄膜形成装置、薄膜形成方法及び光学膜厚モニタ装置 |
| CN108342710B (zh) * | 2018-04-02 | 2023-10-27 | 杭州赛威斯真空技术有限公司 | 一种用于真空镀膜装置的样品台 |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP05653395A patent/JP3421465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227881A (ja) | 1996-09-03 |
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