JP2894658B2 - ドライエッチング方法およびその装置 - Google Patents
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- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体デバイ
スの微細パターンを形成するためのドライエッチング方
法およびその装置に関する。
スの微細パターンを形成するためのドライエッチング方
法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細加工技術として
は、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッ
チング等が知られている。前記反応性イオンエッチング
においては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サ
イクロトロン共鳴）を使用した方法等がある。図１は、
平行平板電極を使用した従来の反応性イオンエッチング
装置を示すものである。
は、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッ
チング等が知られている。前記反応性イオンエッチング
においては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サ
イクロトロン共鳴）を使用した方法等がある。図１は、
平行平板電極を使用した従来の反応性イオンエッチング
装置を示すものである。
【０００３】反応チェンバー１０の上部には、平行平板
電極を構成する上部電極１１が設けられ、反応チェンバ
ー１０の内部には下部電極１２が設けられている。前記
上部電極１１は接地され、内部は中空状とされている。
上部電極１１の上面には反応ガスを導入する導入パイプ
１３が設けられ、下面には反応ガスを反応チェンバー１
０内に導入する複数の透孔１４が設けられている。ま
た、前記下部電極１２の上には、例えばシリコンウェー
ハ等の被処理体１５が載置される。この下部電極１２
は、ブロッキングコンデンサ１６を介して高周波電源１
７に接続されている。前記反応チェンバー１０内で、前
記下部電極１２の周囲には、バッフル板１８が設けら
れ、このバッフル板１８には複数の透孔１９が設けられ
ている。さらに、反応チェンバー１１の側面には排気パ
イプ２０が設けられている。
電極を構成する上部電極１１が設けられ、反応チェンバ
ー１０の内部には下部電極１２が設けられている。前記
上部電極１１は接地され、内部は中空状とされている。
上部電極１１の上面には反応ガスを導入する導入パイプ
１３が設けられ、下面には反応ガスを反応チェンバー１
０内に導入する複数の透孔１４が設けられている。ま
た、前記下部電極１２の上には、例えばシリコンウェー
ハ等の被処理体１５が載置される。この下部電極１２
は、ブロッキングコンデンサ１６を介して高周波電源１
７に接続されている。前記反応チェンバー１０内で、前
記下部電極１２の周囲には、バッフル板１８が設けら
れ、このバッフル板１８には複数の透孔１９が設けられ
ている。さらに、反応チェンバー１１の側面には排気パ
イプ２０が設けられている。
【０００４】上記構成において、被処理体１５のエッチ
ングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反
応チェンバー１９の内部に反応ガスを導入するととも
に、排気パイプ２０からこれを排気し、反応チェンバー
１０内の圧力を制御する。これとともに、高周波電源１
７より下部電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１
１および下部電極１２の相互間にプラズマを生成するこ
とにより、被処理体１５の被エッチング膜がエッチング
される。
ングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反
応チェンバー１９の内部に反応ガスを導入するととも
に、排気パイプ２０からこれを排気し、反応チェンバー
１０内の圧力を制御する。これとともに、高周波電源１
７より下部電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１
１および下部電極１２の相互間にプラズマを生成するこ
とにより、被処理体１５の被エッチング膜がエッチング
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
装置によって、被処理体１５をエッチングする際、上部
電極１１の透孔１４から反応チェンバー１０内に導入さ
れた反応ガスは、バッフル板１８の透孔１９を通って排
気パイプ２０から排出される。このとき、エッチングに
伴って生成される反応生成ガスのうち、被処理体１５の
周縁部から生成されるものは、排気パイプ２０から直ち
に排出される。しかし、被処理体１５の中央部から生成
されるものは、排出されにくく、被処理体１５の表面に
堆積される。すなわち、ガスは被処理体１５の周縁部か
ら排気されるため、被処理体１５の周縁部ほど、反応生
成ガスの堆積が少ない。したがって、被処理体１５の中
央部に比べて周縁部のほうがエッチング速度が速くなる
ものであった。
装置によって、被処理体１５をエッチングする際、上部
電極１１の透孔１４から反応チェンバー１０内に導入さ
れた反応ガスは、バッフル板１８の透孔１９を通って排
気パイプ２０から排出される。このとき、エッチングに
伴って生成される反応生成ガスのうち、被処理体１５の
周縁部から生成されるものは、排気パイプ２０から直ち
に排出される。しかし、被処理体１５の中央部から生成
されるものは、排出されにくく、被処理体１５の表面に
堆積される。すなわち、ガスは被処理体１５の周縁部か
ら排気されるため、被処理体１５の周縁部ほど、反応生
成ガスの堆積が少ない。したがって、被処理体１５の中
央部に比べて周縁部のほうがエッチング速度が速くなる
ものであった。
【０００６】そこで、特開昭６２−２９０８８５号に開
示されるように、被処理体の中央部と周縁部とで反応ガ
スの濃度を変え、被処理体の中央部と周縁部とでエッチ
ング速度を均一とする装置が開発されている。しかし、
この装置は、反応ガスを上部電極を介して反応チェンバ
ー内に導入し、しかも、その濃度を変化させるため、上
部電極の構造が複雑であるとともに、反応ガスの導入制
御が複雑なものである。
示されるように、被処理体の中央部と周縁部とで反応ガ
スの濃度を変え、被処理体の中央部と周縁部とでエッチ
ング速度を均一とする装置が開発されている。しかし、
この装置は、反応ガスを上部電極を介して反応チェンバ
ー内に導入し、しかも、その濃度を変化させるため、上
部電極の構造が複雑であるとともに、反応ガスの導入制
御が複雑なものである。
【０００７】また、特開昭６１−１６３６４０号には、
上記と同様に被処理体の中央部と周縁部とで反応ガスの
濃度および導入量を変えるドライエッチング装置が開示
されている。しかし、この装置も構成が複雑なものであ
る。
上記と同様に被処理体の中央部と周縁部とで反応ガスの
濃度および導入量を変えるドライエッチング装置が開示
されている。しかし、この装置も構成が複雑なものであ
る。
【０００８】さらに、特開平３−１６２１０号には、反
応ガスにエッチングによって生成される反応生成ガスを
添加して、エッチング速度を制御する方法が開示されて
いる。しかし、この方法の場合、反応生成ガスを反応ガ
スに単に添加して反応チェンバー内に導入しているた
め、被処理体の中央部と周縁部とでエッチング速度を十
分に均一化することが困難なものであった。
応ガスにエッチングによって生成される反応生成ガスを
添加して、エッチング速度を制御する方法が開示されて
いる。しかし、この方法の場合、反応生成ガスを反応ガ
スに単に添加して反応チェンバー内に導入しているた
め、被処理体の中央部と周縁部とでエッチング速度を十
分に均一化することが困難なものであった。
【０００９】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、被処理体
の中央部と周縁部とでエッチング速度を十分に均一化す
ることが可能なドライエッチング方法およびその装置を
提供しようとするものである。
されたものであり、その目的とするところは、被処理体
の中央部と周縁部とでエッチング速度を十分に均一化す
ることが可能なドライエッチング方法およびその装置を
提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明のドライエッチ
ング方法は、反応性ガスプラズマによるエッチングにお
いて、被処理体の各部におけるエッチング速度を均一化
するため、エッチング反応により生成される複数の反応
生成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、前記被処理
体のエッチング速度が速い領域に反応抑制ガスとして導
入するようにしたことを特徴とする。また、前記反応抑
制ガスは、少なくとも金属ハロゲン化合物ガスを含むガ
スである。さらに、前記反応抑制ガスは、少なくとも有
機酸化物ガスを含むガスである。
ング方法は、反応性ガスプラズマによるエッチングにお
いて、被処理体の各部におけるエッチング速度を均一化
するため、エッチング反応により生成される複数の反応
生成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、前記被処理
体のエッチング速度が速い領域に反応抑制ガスとして導
入するようにしたことを特徴とする。また、前記反応抑
制ガスは、少なくとも金属ハロゲン化合物ガスを含むガ
スである。さらに、前記反応抑制ガスは、少なくとも有
機酸化物ガスを含むガスである。
【００１１】この発明のドライエッチング装置は、反応
ガスが導入される反応チェンバーと、この反応チェンバ
ーに設けられ、被処理体が載置される第１の電極と、こ
の第１の電極と対向された第２の電極と、前記第１、第
２の電極相互間で前記反応ガスをプラズマ化するため、
前記第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記被処理体の各部におけるエッチング速度を均一化す
るため、エッチング反応により生成される複数の反応生
成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、反応抑制ガス
として前記被処理体のエッチング速度が速い領域に導入
すべく設けられた導入パイプとを具備したことを特徴と
する。また、前記導入パイプは、前記第１の電極の周辺
に配設され、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入し
ている。さらに、前記導入パイプは、前記第２の電極に
設けられ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入して
いる。また、前記導入パイプは、前記第１の電極に設け
られ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入してい
る。さらに、前記反応ガスは、前記第２の電極方向から
被処理体に導入され、被処理体の第２の電極とは反対側
より反応チェンバーの外部に排出している。
ガスが導入される反応チェンバーと、この反応チェンバ
ーに設けられ、被処理体が載置される第１の電極と、こ
の第１の電極と対向された第２の電極と、前記第１、第
２の電極相互間で前記反応ガスをプラズマ化するため、
前記第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記被処理体の各部におけるエッチング速度を均一化す
るため、エッチング反応により生成される複数の反応生
成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、反応抑制ガス
として前記被処理体のエッチング速度が速い領域に導入
すべく設けられた導入パイプとを具備したことを特徴と
する。また、前記導入パイプは、前記第１の電極の周辺
に配設され、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入し
ている。さらに、前記導入パイプは、前記第２の電極に
設けられ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入して
いる。また、前記導入パイプは、前記第１の電極に設け
られ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入してい
る。さらに、前記反応ガスは、前記第２の電極方向から
被処理体に導入され、被処理体の第２の電極とは反対側
より反応チェンバーの外部に排出している。
【００１２】
【作用】すなわち、この発明は、被処理体のエッチング
速度が速い領域に、エッチング反応により生成される複
数の反応生成ガスに対応した少なくとも一種のガスを反
応抑制ガスとして導入している。したがって、エッチン
グ速度が速い領域に反応生成物を堆積し、この領域のエ
ッチングを抑制しているため、被処理体の各部におい
て、エッチング速度を均一化することができる。
速度が速い領域に、エッチング反応により生成される複
数の反応生成ガスに対応した少なくとも一種のガスを反
応抑制ガスとして導入している。したがって、エッチン
グ速度が速い領域に反応生成物を堆積し、この領域のエ
ッチングを抑制しているため、被処理体の各部におい
て、エッチング速度を均一化することができる。
【００１３】また、反応抑制ガスを導入する導入パイプ
を、被処理体のエッチング速度が速い領域、例えば被処
理体が載置される第１の電極の周辺に配設することによ
り、被処理体の周縁部と中央部とでエッチング速度を均
一化することができる。
を、被処理体のエッチング速度が速い領域、例えば被処
理体が載置される第１の電極の周辺に配設することによ
り、被処理体の周縁部と中央部とでエッチング速度を均
一化することができる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１５】図２において、反応チェンバー２１はアル
ミニウムによって形成され、内面はアルマイト処理され
ている。この反応チェンバー２１の上部には、平行平板
電極を構成する上部電極２２が設けられ、反応チェンバ
ー２１の内部には下部電極２３が設けられている。前記
上部電極２２は接地され、内部は中空状とされている。
上部電極２２の上面には反応ガスを導入する第１の導入
パイプ２４が設けられ、下面には反応ガスを反応チェン
バー２１内に導入する複数の透孔２５が設けられてい
る。
ミニウムによって形成され、内面はアルマイト処理され
ている。この反応チェンバー２１の上部には、平行平板
電極を構成する上部電極２２が設けられ、反応チェンバ
ー２１の内部には下部電極２３が設けられている。前記
上部電極２２は接地され、内部は中空状とされている。
上部電極２２の上面には反応ガスを導入する第１の導入
パイプ２４が設けられ、下面には反応ガスを反応チェン
バー２１内に導入する複数の透孔２５が設けられてい
る。
【００１６】また、前記下部電極２３の上には、例えば
シリコンウェーハ等の被処理体２６が載置され、この被
処理体２６は図示せぬ機構によって固定されている。こ
の下部電極２３は、ブロッキングコンデンサ２７を介し
て高周波電源２８に接続されている。前記反応チェンバ
ー２１内で、前記下部電極２３の周囲には、バッフル板
２９が設けられ、このバッフル板２９には複数の透孔３
０が設けられている。さらに、反応チェンバー１１の側
面には排気パイプ３１が設けられている。
シリコンウェーハ等の被処理体２６が載置され、この被
処理体２６は図示せぬ機構によって固定されている。こ
の下部電極２３は、ブロッキングコンデンサ２７を介し
て高周波電源２８に接続されている。前記反応チェンバ
ー２１内で、前記下部電極２３の周囲には、バッフル板
２９が設けられ、このバッフル板２９には複数の透孔３
０が設けられている。さらに、反応チェンバー１１の側
面には排気パイプ３１が設けられている。
【００１７】一方、前記下部電極２３の周囲には、第２
の導入パイプ３２が設けられている。この第２の導入パ
イプ３２は反応生成ガスと同種のガスを少なくとも一
種、被処理体２６の周縁部に導入するものであり、図３
に示すように、所定間隔を隔てて複数のノズル３２ａが
設けられている。
の導入パイプ３２が設けられている。この第２の導入パ
イプ３２は反応生成ガスと同種のガスを少なくとも一
種、被処理体２６の周縁部に導入するものであり、図３
に示すように、所定間隔を隔てて複数のノズル３２ａが
設けられている。
【００１８】例えば前記被処理体２６の被エッチング膜
がＷＳｉ膜であり、反応ガスがＣｌ2 とＳＦ6 の混合ガ
スの場合、ＷＦ6 、ＳｉＣｌ4 等の反応生成ガスが生成
される。前記第２の導入パイプ３２には、このうち、例
えばＷＦ6 が導入される。
がＷＳｉ膜であり、反応ガスがＣｌ2 とＳＦ6 の混合ガ
スの場合、ＷＦ6 、ＳｉＣｌ4 等の反応生成ガスが生成
される。前記第２の導入パイプ３２には、このうち、例
えばＷＦ6 が導入される。
【００１９】上記構成において、被処理体２６のエッチ
ングを行う場合、上部電極２２の複数の透孔２５から反
応チェンバー２１の内部に反応ガスＣｌ2 とＳＦ6 を導
入するとともに、第２の導入パイプ３２から反応生成ガ
スとしてＷＦ6 が導入される。この反応生成ガスの流量
は、被処理体２６の中央部で生成される反応生成ガスの
量とほぼ等しくされている。さらに、排気パイプ３１か
らこれらガスが排気され、反応チェンバー２１内の圧力
が制御される。これと同時に、高周波電源２８より下部
電極２３に高周波電力が供給され、上部電極２２および
下部電極２３の相互間にプラズマを生成することによ
り、被処理体２６のＷＳｉ膜がエッチングされる。
ングを行う場合、上部電極２２の複数の透孔２５から反
応チェンバー２１の内部に反応ガスＣｌ2 とＳＦ6 を導
入するとともに、第２の導入パイプ３２から反応生成ガ
スとしてＷＦ6 が導入される。この反応生成ガスの流量
は、被処理体２６の中央部で生成される反応生成ガスの
量とほぼ等しくされている。さらに、排気パイプ３１か
らこれらガスが排気され、反応チェンバー２１内の圧力
が制御される。これと同時に、高周波電源２８より下部
電極２３に高周波電力が供給され、上部電極２２および
下部電極２３の相互間にプラズマを生成することによ
り、被処理体２６のＷＳｉ膜がエッチングされる。
【００２０】上記装置において、反応チェンバー２１内
に反応ガスを供給すると、被処理体２６のＷＳｉ膜のエ
ッチング反応とともに、この反応によって生成された反
応生成物の堆積が生ずる。この生成された反応生成物の
堆積量は、前述したように被処理体２６の周縁部に比べ
て中央部のほうが多い。しかし、この装置においては、
被処理体２６の周縁部に第２の導入パイプ３２から、被
処理体２６の中央部で生成される反応生成ガスの量とほ
ぼ等しい量の反応生成物が導入されているため、被処理
体２６の周縁部と中央部とで、反応生成物の堆積が等し
くなる。したがって、被処理体２６の周縁部と中央部と
でエッチング速度を均一化することができる。
に反応ガスを供給すると、被処理体２６のＷＳｉ膜のエ
ッチング反応とともに、この反応によって生成された反
応生成物の堆積が生ずる。この生成された反応生成物の
堆積量は、前述したように被処理体２６の周縁部に比べ
て中央部のほうが多い。しかし、この装置においては、
被処理体２６の周縁部に第２の導入パイプ３２から、被
処理体２６の中央部で生成される反応生成ガスの量とほ
ぼ等しい量の反応生成物が導入されているため、被処理
体２６の周縁部と中央部とで、反応生成物の堆積が等し
くなる。したがって、被処理体２６の周縁部と中央部と
でエッチング速度を均一化することができる。
【００２１】図４は、エッチング速度を示すものであ
り、破線はこの発明によるものであり、実線は従来の装
置によるものである。同図から明らかなように、被処理
体２６の周縁部と中央部とでエッチング速度を均一化す
ることができる。また、この実施例の場合、上部電極、
下部電極の構造を何等変える必要がないため、構成が簡
単なものである。図５、図６は、この発明の第２、第３
の実施例を示すものである。同図において、図２と同一
部分には同一符号を付す。
り、破線はこの発明によるものであり、実線は従来の装
置によるものである。同図から明らかなように、被処理
体２６の周縁部と中央部とでエッチング速度を均一化す
ることができる。また、この実施例の場合、上部電極、
下部電極の構造を何等変える必要がないため、構成が簡
単なものである。図５、図６は、この発明の第２、第３
の実施例を示すものである。同図において、図２と同一
部分には同一符号を付す。
【００２２】前記実施例において、第２の導入パイプ３
２は反応チェンバー２１内に配設した。図５に示す第２
の実施例においては、第２の導入パイプ３２を上部電極
２２の内部で、複数の透孔２５の周囲に配設している。
また、図６に示す第３の実施例においては、第２の導入
パイプ３２を下部電極２３の内部を通して、下部電極２
３の周囲に配設している。上記第２、第３の実施例によ
っても、エッチング速度を均一化することができる。
２は反応チェンバー２１内に配設した。図５に示す第２
の実施例においては、第２の導入パイプ３２を上部電極
２２の内部で、複数の透孔２５の周囲に配設している。
また、図６に示す第３の実施例においては、第２の導入
パイプ３２を下部電極２３の内部を通して、下部電極２
３の周囲に配設している。上記第２、第３の実施例によ
っても、エッチング速度を均一化することができる。
【００２３】尚、この実施例の場合、被処理体２６の中
央部のエッチング速度、すなわち、エッチング速度が遅
い側に揃えた。しかし、エッチング速度は、温度条件を
変えることにより速くできるため、何等問題はない。
央部のエッチング速度、すなわち、エッチング速度が遅
い側に揃えた。しかし、エッチング速度は、温度条件を
変えることにより速くできるため、何等問題はない。
【００２４】また、エッチング膜、反応ガス、および第
２の導入パイプ３２から導入する反応生成ガスの組成
は、前述した実施例に限定されるものではなく、図７に
示すような組合わせが可能である。
２の導入パイプ３２から導入する反応生成ガスの組成
は、前述した実施例に限定されるものではなく、図７に
示すような組合わせが可能である。
【００２５】さらに、上記第１乃至第３の実施例におい
ては、第２の導入パイプ３２を被処理体の周縁部近傍に
配設したが、これに限定されるものではなく、エッチン
グ反応の速い部分に対応して配設すればよい。
ては、第２の導入パイプ３２を被処理体の周縁部近傍に
配設したが、これに限定されるものではなく、エッチン
グ反応の速い部分に対応して配設すればよい。
【００２６】また、上記実施例では、平行平板を使用し
たプラズマエッチング装置について説明したが、これに
限定されるものではなく、この発明をバレル型のエッチ
ング装置、ダウンフロー型のエッチング装置、ＥＣＲプ
ラズマエッチング装置等に適用することも可能である。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
たプラズマエッチング装置について説明したが、これに
限定されるものではなく、この発明をバレル型のエッチ
ング装置、ダウンフロー型のエッチング装置、ＥＣＲプ
ラズマエッチング装置等に適用することも可能である。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、被処理体の中央部と周縁部とでエッチング速度を十
分に均一化することが可能なドライエッチング方法およ
びその装置を提供できる。
ば、被処理体の中央部と周縁部とでエッチング速度を十
分に均一化することが可能なドライエッチング方法およ
びその装置を提供できる。
【図１】従来の反応性イオンエッチング装置を示す構成
図。
図。
【図２】この発明の第１の実施例を示す構成図。
【図３】図２の要部を取り出して示す上面図。
【図４】この発明のエッチング速度と従来のエッチング
速度を対比して示す特性図。
速度を対比して示す特性図。
【図５】この発明の第２の実施例を示す構成図。
【図６】この発明の第３の実施例を示す構成図。
【図７】この発明に適用されるエッチング膜、反応ガ
ス、応生成ガスの例を示す図。
ス、応生成ガスの例を示す図。
２１…反応チェンバー、２２…上部電極、２３…下部電
極、２４…第１の導入パイプ、２６…被処理体、２８…
高周波電源、３２…第２の導入パイプ。
極、２４…第１の導入パイプ、２６…被処理体、２８…
高周波電源、３２…第２の導入パイプ。
Claims (8)
- 【請求項１】 反応性ガスプラズマによるエッチングに
おいて、被処理体の各部におけるエッチング速度を均一
化するため、エッチング反応により生成される複数の反
応生成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、前記被処
理体のエッチング速度が速い領域に反応抑制ガスとして
導入するようにしたことを特徴とするドライエッチング
方法。 - 【請求項２】 前記反応抑制ガスは、少なくとも金属ハ
ロゲン化合物ガスを含むガスであることを特徴とする請
求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 前記反応抑制ガスは、少なくとも有機酸
化物ガスを含むガスであることを特徴とする請求項１記
載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 反応ガスが導入される反応チェンバー
と、 この反応チェンバーに設けられ、被処理体が載置される
第１の電極と、 この第１の電極と対向された第２の電極と、 前記第１、第２の電極相互間で前記反応ガスをプラズマ
化するため、前記第１の電極に高周波電力を供給する高
周波電源と、 前記被処理体の各部におけるエッチング速度を均一化す
るため、エッチング反応により生成される複数の反応生
成ガスのうちの少なくとも一種のガスを、反応抑制ガス
として前記被処理体のエッチング速度が速い領域に導入
すべく設けられた導入パイプとを具備したことを特徴と
するドライエッチング装置。 - 【請求項５】 前記導入パイプは、前記第１の電極の周
辺に配設され、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入
することを特徴とする請求項４記載のドライエッチング
装置。 - 【請求項６】 前記導入パイプは、前記第２の電極に設
けられ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入するこ
とを特徴とする請求項４記載のドライエッチング装置。 - 【請求項７】 前記導入パイプは、前記第１の電極に設
けられ、反応抑制ガスを被処理体の周縁部に導入するこ
とを特徴とする請求項４記載のドライエッチング装置。 - 【請求項８】 前記反応ガスは、前記第２の電極方向か
ら被処理体に導入され、被処理体の第２の電極とは反対
側より反応チェンバーの外部に排出されることを特徴と
する請求項４記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP4006605A JP2894658B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | ドライエッチング方法およびその装置 |
| US08/004,413 US5415728A (en) | 1992-01-17 | 1993-01-14 | Method of performing plain etching treatment and apparatus therefor |
| KR1019930000524A KR0124497B1 (ko) | 1992-01-17 | 1993-01-16 | 드라이 에칭 방법 및 그 장치 |
| US08/383,990 US5837093A (en) | 1992-01-17 | 1995-02-06 | Apparatus for performing plain etching treatment |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP4006605A JP2894658B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | ドライエッチング方法およびその装置 |
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|---|---|
| JPH05190506A JPH05190506A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2894658B2 true JP2894658B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=11642979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1995
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