JPH0355831A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0355831A JPH0355831A JP19050389A JP19050389A JPH0355831A JP H0355831 A JPH0355831 A JP H0355831A JP 19050389 A JP19050389 A JP 19050389A JP 19050389 A JP19050389 A JP 19050389A JP H0355831 A JPH0355831 A JP H0355831A
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- Japan
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- wafer
- stage
- etching gas
- etching
- dry etching
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造工程におけるドライエッチ
ング装置に係り、特にステージ上にウェハを載せてエッ
チングを行うドライエッチング装直に関するものである
。
ング装置に係り、特にステージ上にウェハを載せてエッ
チングを行うドライエッチング装直に関するものである
。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった． 第３図はかかる従来のドライエッチング装置の断面図、
第４図は第３図のＡ−Ａ線矢視図である．この図に示す
ように、ステージｌ上にウェハ２を載せてエッチングを
行うタイプのドライエッチング装置は、チャンバ４の上
部（又は側面部）に設けられるエッチングガス吐出口５
からエッチングガス６を導入し、チャンバ４内に送り込
むようにしていた．また、チャンバ４の上部（又は側面
部）の排出口（図示なし）からガスの排出を行うことが
できる．なお、３はウェハストフパ、７は１３．５６Ｍ
ＨＺのｒｆの電力が印加される電極である．（発明が解
決しようとする課題） しかしなから、上記構威のドライエッチング装置では、
ステージ１上に直接ウェハ２が載置されるため、ウェハ
２裏面の膜はエッチングされずに、全面残ってしまう．
ここで、その残った膜を除去するには、ウェハ２表面の
エッチングが終了した後、その表面の半導体素子構或面
の損傷防止のため、該表面にレジストを塗布する等して
ウェハ２表面を保護し、しかる後、ウェハ２稟面のエッ
チングを行うという方法がとられている．このような処
理を行うと、工数が増加し、手間がかかり、作業効率が
低下するといった問題があった．また、バレル（円筒）
式のドライエッチング装置を用いることも考えられるが
、その場合、ウェハを保持するために何らかの治具が必
要となり、その治具がウェハと当接する部分の膜はやは
りエッチングされずに残ってしまうという問題があった
． 本発明は、上記問題点を除去し、ウェハの表面と裏面と
の両方をエッチングする場合に、その両面を同時に全面
エッチングできるドライエッチング装置を提供すること
を目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達威するために、ステージ上にウ
ェハを載置してエッチングを行うドライエッチング装置
において、ステージ（ｌＯ）側でウェハ（１２）の裏面
に当たる部分にエッチングガスの吐出口（１ｌ）を設け
、該吐出口（１１）からエッチングガス（１５）を供給
して前記ウェハ（ｌ２）を前記ステージ（１０）から浮
き上がらせ、前記ウェハ（１２）の表裏を同時にエッチ
ングするようにしたものである．（作用） 本発明は、上記のように、ステージ（１０）にエッチン
グガス（ｌ５）の吐出口（１ｌ）を設け、この吐出口（
１１）よりエッチングガス（ｌ５）を吐出し、エッチン
グしようとするウェハ（ｌ２）に当たるように吐出させ
ることにより、ウェハ（ｌ２）をステージ（１０）より
浮かせ、ウェハ（ｌ２〉表面の膜をエッチングすると同
時に、ウェハ（１２）裏面の膜も全面エッチングするこ
とができる． （実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する． 第１図は本発明の第１実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線矢視図である． これらの図において、ステージ１０上面にウェハｌ２を
セットする凹所１０ａを形威し、そこにエッチングガス
吐出口１ｌを２箇所設け、ここからエッチングガス１５
を吐出させる．すると、ウェハ１２裏面にエッチングガ
ス１５が当たり、ウェハｌ２をステージ１０から浮き上
がらせることができる．なお、従来同様に、チャンバ１
３の上方にもエッチングガス吐出口１４を設け、上方か
らもエッチングガス１５を供給し、ウェハ１２表面をエ
ッチングする．また、上記の吐出したエッチングガス１
５を排出するための排出口（図示なし）は、従来同樟チ
ャンバ１３の上部又は側面部に設ける．なお、ｌ７は電
極である．以下、ドライエッチング処理について詳細に
説明する． まず、チャンバＩ３内を真空にした後、エンチングガス
吐出口ｌ４からエッチングガス１５を吐出させ、ガスの
吐出圧力が安定した後、ステージ１０例のエッチングガ
ス吐出口ｌ１からエッチングガス１５を徐々に吐出させ
る．この実施例では、ステージ１０側のエッチングガス
吐出口１１は６個設けるようにしているが、これに限定
するものではない．つまり、全ての工７チングガス吐出
口ｌ１から同一の圧力でエッチングガス１５を吐出する
ことができ、ウェハ１２を水平に浮き上がらせるように
する．ここで、ステージｌＯ上面には凹所１０ａが形威
されているので、ウェハ１２が横方向へずれることはな
い．このようにして、ステージ１０からウェハ１２を浮
き上がらせた状態に保ったまま、ドライエッチングを行
う． 第５図は本発明の第２実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第６図は第５図のＣ−Ｃ線矢視図である． この実施例においては、ウェハｌ２の中心部に相当する
部分のステージｌＯに小孔（排気口）１６を設け、その
部分を引圧にしておくことにより、ウェハｌ２の周辺部
と中心部との圧力差をつくり出し、エッチングガス吐出
口１１からエッチングガス１５を吐出させることにより
、ウェハ１２が動くのを防ぐようにしている．なお、そ
の他の部分は前記した実施例におけるものと同樺である
ので、ここでは説明を省略する． 第７図は本発明の第３実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第８図は第７図のＤ−Ｄ線矢視図である． この実施例においては、ステージ１０上面には凹所を設
けず、平面的に形威し、その代わりに、ウェハｌ２の周
囲にストツバリング２１を設け、そのストツバリング２
１に複数のエア抜き孔２１ａを形成する． ここで、上方からのエッチングガス１５の流量をＡ、下
方からのエッチングガス１５の流量をＢとすると、まず
、これらの流量をＡ＜Ｂとしてウェハｌ２を浮かしてか
ら、これをＡ−Ｂにすることにより、ウェハ１２を静止
させる．なお、その他の部分は前記した第１実施例にお
けるものと同様であるので、ここでは説明を省略する． また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
すようなものがあった． 第３図はかかる従来のドライエッチング装置の断面図、
第４図は第３図のＡ−Ａ線矢視図である．この図に示す
ように、ステージｌ上にウェハ２を載せてエッチングを
行うタイプのドライエッチング装置は、チャンバ４の上
部（又は側面部）に設けられるエッチングガス吐出口５
からエッチングガス６を導入し、チャンバ４内に送り込
むようにしていた．また、チャンバ４の上部（又は側面
部）の排出口（図示なし）からガスの排出を行うことが
できる．なお、３はウェハストフパ、７は１３．５６Ｍ
ＨＺのｒｆの電力が印加される電極である．（発明が解
決しようとする課題） しかしなから、上記構威のドライエッチング装置では、
ステージ１上に直接ウェハ２が載置されるため、ウェハ
２裏面の膜はエッチングされずに、全面残ってしまう．
ここで、その残った膜を除去するには、ウェハ２表面の
エッチングが終了した後、その表面の半導体素子構或面
の損傷防止のため、該表面にレジストを塗布する等して
ウェハ２表面を保護し、しかる後、ウェハ２稟面のエッ
チングを行うという方法がとられている．このような処
理を行うと、工数が増加し、手間がかかり、作業効率が
低下するといった問題があった．また、バレル（円筒）
式のドライエッチング装置を用いることも考えられるが
、その場合、ウェハを保持するために何らかの治具が必
要となり、その治具がウェハと当接する部分の膜はやは
りエッチングされずに残ってしまうという問題があった
． 本発明は、上記問題点を除去し、ウェハの表面と裏面と
の両方をエッチングする場合に、その両面を同時に全面
エッチングできるドライエッチング装置を提供すること
を目的とする． （課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達威するために、ステージ上にウ
ェハを載置してエッチングを行うドライエッチング装置
において、ステージ（ｌＯ）側でウェハ（１２）の裏面
に当たる部分にエッチングガスの吐出口（１ｌ）を設け
、該吐出口（１１）からエッチングガス（１５）を供給
して前記ウェハ（ｌ２）を前記ステージ（１０）から浮
き上がらせ、前記ウェハ（１２）の表裏を同時にエッチ
ングするようにしたものである．（作用） 本発明は、上記のように、ステージ（１０）にエッチン
グガス（ｌ５）の吐出口（１ｌ）を設け、この吐出口（
１１）よりエッチングガス（ｌ５）を吐出し、エッチン
グしようとするウェハ（ｌ２）に当たるように吐出させ
ることにより、ウェハ（ｌ２）をステージ（１０）より
浮かせ、ウェハ（ｌ２〉表面の膜をエッチングすると同
時に、ウェハ（１２）裏面の膜も全面エッチングするこ
とができる． （実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する． 第１図は本発明の第１実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線矢視図である． これらの図において、ステージ１０上面にウェハｌ２を
セットする凹所１０ａを形威し、そこにエッチングガス
吐出口１ｌを２箇所設け、ここからエッチングガス１５
を吐出させる．すると、ウェハ１２裏面にエッチングガ
ス１５が当たり、ウェハｌ２をステージ１０から浮き上
がらせることができる．なお、従来同様に、チャンバ１
３の上方にもエッチングガス吐出口１４を設け、上方か
らもエッチングガス１５を供給し、ウェハ１２表面をエ
ッチングする．また、上記の吐出したエッチングガス１
５を排出するための排出口（図示なし）は、従来同樟チ
ャンバ１３の上部又は側面部に設ける．なお、ｌ７は電
極である．以下、ドライエッチング処理について詳細に
説明する． まず、チャンバＩ３内を真空にした後、エンチングガス
吐出口ｌ４からエッチングガス１５を吐出させ、ガスの
吐出圧力が安定した後、ステージ１０例のエッチングガ
ス吐出口ｌ１からエッチングガス１５を徐々に吐出させ
る．この実施例では、ステージ１０側のエッチングガス
吐出口１１は６個設けるようにしているが、これに限定
するものではない．つまり、全ての工７チングガス吐出
口ｌ１から同一の圧力でエッチングガス１５を吐出する
ことができ、ウェハ１２を水平に浮き上がらせるように
する．ここで、ステージｌＯ上面には凹所１０ａが形威
されているので、ウェハ１２が横方向へずれることはな
い．このようにして、ステージ１０からウェハ１２を浮
き上がらせた状態に保ったまま、ドライエッチングを行
う． 第５図は本発明の第２実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第６図は第５図のＣ−Ｃ線矢視図である． この実施例においては、ウェハｌ２の中心部に相当する
部分のステージｌＯに小孔（排気口）１６を設け、その
部分を引圧にしておくことにより、ウェハｌ２の周辺部
と中心部との圧力差をつくり出し、エッチングガス吐出
口１１からエッチングガス１５を吐出させることにより
、ウェハ１２が動くのを防ぐようにしている．なお、そ
の他の部分は前記した実施例におけるものと同樺である
ので、ここでは説明を省略する． 第７図は本発明の第３実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第８図は第７図のＤ−Ｄ線矢視図である． この実施例においては、ステージ１０上面には凹所を設
けず、平面的に形威し、その代わりに、ウェハｌ２の周
囲にストツバリング２１を設け、そのストツバリング２
１に複数のエア抜き孔２１ａを形成する． ここで、上方からのエッチングガス１５の流量をＡ、下
方からのエッチングガス１５の流量をＢとすると、まず
、これらの流量をＡ＜Ｂとしてウェハｌ２を浮かしてか
ら、これをＡ−Ｂにすることにより、ウェハ１２を静止
させる．なお、その他の部分は前記した第１実施例にお
けるものと同様であるので、ここでは説明を省略する． また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、エッチ
ングガスによってステージからウェハを浮かせた状態で
ドライエッチングするようにしたので、ウェハの表裏面
を同時にエッチングすることができるため、工数、間材
の削減を図ることができる．また、ウェハを浮かすのに
エッチングガスを用いるため、不純物によるウェハの汚
染がなく、機械的な動作も増えないことから、パーティ
クルの増加を抑えることができる。
ングガスによってステージからウェハを浮かせた状態で
ドライエッチングするようにしたので、ウェハの表裏面
を同時にエッチングすることができるため、工数、間材
の削減を図ることができる．また、ウェハを浮かすのに
エッチングガスを用いるため、不純物によるウェハの汚
染がなく、機械的な動作も増えないことから、パーティ
クルの増加を抑えることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示すドライエッチング装
置の断面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線矢視図、第３図
は従来のドライエッチング装置の断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ線矢視図、第５図は本発明の第２実施例を示
すドライエッチング装置の断面図、第６図は第５図のＣ
−Ｃ線矢視図、第７図は本発明の第３実施例を示すドラ
イエッチング装置の断面図、第８図は第７図のＤ−Ｄ線
矢視図である．
置の断面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線矢視図、第３図
は従来のドライエッチング装置の断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ線矢視図、第５図は本発明の第２実施例を示
すドライエッチング装置の断面図、第６図は第５図のＣ
−Ｃ線矢視図、第７図は本発明の第３実施例を示すドラ
イエッチング装置の断面図、第８図は第７図のＤ−Ｄ線
矢視図である．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ステージ上にウェハを載置してエッチングを行うドラ
イエッチング装置において、 ステージ側でウェハの裏面に当たる部分にエッチングガ
スの吐出口を設け、該吐出口からエッチングガスを供給
して前記ウェハを前記ステージから浮き上がらせ、前記
ウェハの表裏を同時にエッチングすることを特徴とする
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050389A JPH0355831A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050389A JPH0355831A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355831A true JPH0355831A (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16259175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19050389A Pending JPH0355831A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0355831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5384008A (en) * | 1993-06-18 | 1995-01-24 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for full wafer deposition |
| US5498313A (en) * | 1993-08-20 | 1996-03-12 | International Business Machines Corp. | Symmetrical etching ring with gas control |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19050389A patent/JPH0355831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| US5384008A (en) * | 1993-06-18 | 1995-01-24 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for full wafer deposition |
| US5498313A (en) * | 1993-08-20 | 1996-03-12 | International Business Machines Corp. | Symmetrical etching ring with gas control |
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