JPS6174388A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS6174388A JPS6174388A JP59198121A JP19812184A JPS6174388A JP S6174388 A JPS6174388 A JP S6174388A JP 59198121 A JP59198121 A JP 59198121A JP 19812184 A JP19812184 A JP 19812184A JP S6174388 A JPS6174388 A JP S6174388A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ装置、とくに高温動作・長寿命７
９半導体レーザ装置を作るための方法に関するものであ
る。
９半導体レーザ装置を作るための方法に関するものであ
る。
この種の装置の従来の製造方法を第２図を用いて説明す
る。この装置の構造は、Ｂ Ｃ（ＢｕｒｒｉｅｄＣｒｅ
ｓｃｅｎｔ）構造と呼ばれ、三日月状の断面を有する活
性領域１２とこれに集中して電流を流す電流制限機構と
から成っている。
る。この装置の構造は、Ｂ Ｃ（ＢｕｒｒｉｅｄＣｒｅ
ｓｃｅｎｔ）構造と呼ばれ、三日月状の断面を有する活
性領域１２とこれに集中して電流を流す電流制限機構と
から成っている。
まず、ｎ−ＩｎＰ基板１上にｐ−ＩｎＦ２．ｎ−ＩｎＦ
３を液相エピタキシャル法（Ｌ Ｐ Ｅ）によって成長
させる。次に幅２μｍ程度の？Ｉ６０を写真製版とエツ
チングによってｎ−ＩｎＰ基板１に到達するよう形成す
る。次に第２回目の液相エピタキシャル成長により、ｎ
−１ｎＰ１１．ｐ−ＩｎＧａＡｓＰまたはｎ−１ｎＧａ
ＡｓＰの活性領域１２． ｐ−１ｎＰ１３．ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層１４を成長させる。活性領域１
２の両端はｐ−ＩｎＦ３に接するように位置を制御する
。さいごに、ｎ−電極２１．ｐ−電極２２を形成する。
３を液相エピタキシャル法（Ｌ Ｐ Ｅ）によって成長
させる。次に幅２μｍ程度の？Ｉ６０を写真製版とエツ
チングによってｎ−ＩｎＰ基板１に到達するよう形成す
る。次に第２回目の液相エピタキシャル成長により、ｎ
−１ｎＰ１１．ｐ−ＩｎＧａＡｓＰまたはｎ−１ｎＧａ
ＡｓＰの活性領域１２． ｐ−１ｎＰ１３．ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層１４を成長させる。活性領域１
２の両端はｐ−ＩｎＦ３に接するように位置を制御する
。さいごに、ｎ−電極２１．ｐ−電極２２を形成する。
このように製造された装置においては、電流の流れるｐ
−ｎ接合は、活性領域１２に接しレーザ発振に寄与する
電流の流れるｐ−ｎ接合とその両側にのびるＩｎＰのｐ
−ｎ接合５０とから成る。
−ｎ接合は、活性領域１２に接しレーザ発振に寄与する
電流の流れるｐ−ｎ接合とその両側にのびるＩｎＰのｐ
−ｎ接合５０とから成る。
ｐ−ｎ接合５０に流れる電流はレーザ発振に寄与しない
無効電流となるので少ない程よい。ｐ−ＩｎＰ１３の半
導体層中に埋め込まれたｎ −１ｎ Ｐ ’３は、ポテ
ンシャル障壁を作りキャリヤの通過を阻むので、活性領
域１２へ電流を集中させるスリ。
無効電流となるので少ない程よい。ｐ−ＩｎＰ１３の半
導体層中に埋め込まれたｎ −１ｎ Ｐ ’３は、ポテ
ンシャル障壁を作りキャリヤの通過を阻むので、活性領
域１２へ電流を集中させるスリ。
トの役割を果たす。
効率よくレーザ発振させるためには流す電流を有効に活
性領域１２に集中させる必要があり、スリットは有効で
あるが、スリットを通った後に電流が広がるため完全で
はない。活性領域１２のｐ−ｎ接合は、ＩｎＰ−１ｎＧ
ａＡｓＰのへテロ接合、または、活性領域１２中にｐ−
ｎ接合のある場合はＩｎＧａＡｓＰのホモ接合であり、
その両側のｐ−ｎ接合５０はＩｎＰのホモ接合である。
性領域１２に集中させる必要があり、スリットは有効で
あるが、スリットを通った後に電流が広がるため完全で
はない。活性領域１２のｐ−ｎ接合は、ＩｎＰ−１ｎＧ
ａＡｓＰのへテロ接合、または、活性領域１２中にｐ−
ｎ接合のある場合はＩｎＧａＡｓＰのホモ接合であり、
その両側のｐ−ｎ接合５０はＩｎＰのホモ接合である。
活性領域１２のｐ−ｎ接合とｐ−ｎ接合５０との接合電
位に差があり、また、電流は、接合電位をＶｉ、電子電
荷をｑ、ボルツマン定数をに、絶対温度をＴとしたとき
、ｅ ｘ ｐ（ｑＶ ｉ ／ｋＴ）に従って流れるので
、接合電位の低い活性領域１２のｐ −ｎ接合に電流が
流れ易く、接合電位がそれよりも高い両側のｒｎＰのｐ
−ｎ接合５０には電流が流れに（い。ＢＣ構造の半導体
レーザ装置は、この２つの機構で活性領域に電流の大部
分を集中させて流すことによって効率のよいレーザ発振
を得ている。しかしながら、ｐ−ｎ接合が材料やドーピ
ングで定まる所定の接合電位をもてば活性領域１２のｐ
−ｎ接合とｐ−ｎ接合５０との接合電位の差は約０．３
Ｖとなり充分集中効果が得られるが、結晶の不完全性な
ど何らかの影響で接合電位が下がると無効電流が増大し
レーザ特性を劣化させる。この現象は電子のエネルギー
分布が広がる高温程著しく、とくに高温でのレーザ発振
特性を悪化させる。
位に差があり、また、電流は、接合電位をＶｉ、電子電
荷をｑ、ボルツマン定数をに、絶対温度をＴとしたとき
、ｅ ｘ ｐ（ｑＶ ｉ ／ｋＴ）に従って流れるので
、接合電位の低い活性領域１２のｐ −ｎ接合に電流が
流れ易く、接合電位がそれよりも高い両側のｒｎＰのｐ
−ｎ接合５０には電流が流れに（い。ＢＣ構造の半導体
レーザ装置は、この２つの機構で活性領域に電流の大部
分を集中させて流すことによって効率のよいレーザ発振
を得ている。しかしながら、ｐ−ｎ接合が材料やドーピ
ングで定まる所定の接合電位をもてば活性領域１２のｐ
−ｎ接合とｐ−ｎ接合５０との接合電位の差は約０．３
Ｖとなり充分集中効果が得られるが、結晶の不完全性な
ど何らかの影響で接合電位が下がると無効電流が増大し
レーザ特性を劣化させる。この現象は電子のエネルギー
分布が広がる高温程著しく、とくに高温でのレーザ発振
特性を悪化させる。
ＩｎＰのｐ−ｎ接合５０のうち、特に溝６０の側壁面に
形成されるｐ−ｎ接合は、第２回目の結晶成長時に高温
の雰囲気に晒された面上に形成されるために、結晶欠陥
が多く発生し、このため接合電位が下がり易い。また、
レーザを長時間通電するとこの部分が劣化し、さらに接
合電位が低下し、レーザしきい値の増大、高温での発振
停止などの特性劣化をもたらすことが、発明者等の実験
で確認されている（八ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ＋ｖｏ１．４３、 ｐｐ、 １８７−１
８９．１９８３）。
形成されるｐ−ｎ接合は、第２回目の結晶成長時に高温
の雰囲気に晒された面上に形成されるために、結晶欠陥
が多く発生し、このため接合電位が下がり易い。また、
レーザを長時間通電するとこの部分が劣化し、さらに接
合電位が低下し、レーザしきい値の増大、高温での発振
停止などの特性劣化をもたらすことが、発明者等の実験
で確認されている（八ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ＋ｖｏ１．４３、 ｐｐ、 １８７−１
８９．１９８３）。
上記レーザ特性の劣化は、熱処理によって不純物を拡散
させてｐ−ｎ接合位置を上記高温の雰囲気に晒された界
面から若干移動させることによってかなりの程度防ぐこ
とができる。この例を第３図に示し、その製造方法を説
明する。ｐ−ＩｎＰ基板５上にｎ−１ｎＰ６．ｐ−１ｎ
Ｐ７を成長させ、溝６０をあけ、第２回目の成長でｐ−
１ｎＰ１５、ＩｎＧａＡｓＰ活性領域１６．ｎ−１ｎＰ
１７、ｎ−［ｎＧａＡｓ Ｐ １８を形成する。活性領
域１６の位置はこの場合ｐ−ＩｎＰ７に接する位置とな
っている。第２回目の成長中あるいは別途熱処理を施す
ことによって活性領域１６のｐ−ｎ接合を除＜ｐ−ｎ接
合の位置を移動させ、ｐ−ｎ接合５０を形成する。３０
はこれに伴ってできるｐ−ＩｎＰ領域である。このよう
にすると洩れ電流の流れるｐ−ｎ接合が高温の雰囲気に
晒された界面から離れ良好な接合特性となる。
させてｐ−ｎ接合位置を上記高温の雰囲気に晒された界
面から若干移動させることによってかなりの程度防ぐこ
とができる。この例を第３図に示し、その製造方法を説
明する。ｐ−ＩｎＰ基板５上にｎ−１ｎＰ６．ｐ−１ｎ
Ｐ７を成長させ、溝６０をあけ、第２回目の成長でｐ−
１ｎＰ１５、ＩｎＧａＡｓＰ活性領域１６．ｎ−１ｎＰ
１７、ｎ−［ｎＧａＡｓ Ｐ １８を形成する。活性領
域１６の位置はこの場合ｐ−ＩｎＰ７に接する位置とな
っている。第２回目の成長中あるいは別途熱処理を施す
ことによって活性領域１６のｐ−ｎ接合を除＜ｐ−ｎ接
合の位置を移動させ、ｐ−ｎ接合５０を形成する。３０
はこれに伴ってできるｐ−ＩｎＰ領域である。このよう
にすると洩れ電流の流れるｐ−ｎ接合が高温の雰囲気に
晒された界面から離れ良好な接合特性となる。
しかしながらこの従来例においては、ｐ、ｎいずれか一
方（通常は移動し易いｐ型の方）の不純物濃度を１０１
１１／ｃｃ以上の高濃度にする必要があり、電流の広が
りを抑えるスリットの効果を減する。また、近傍に結晶
欠陥の多い領域を含むため注入キャリヤの再結合速度が
速まり、この効果はみかけ上接合電位を下げる働きをす
る。
方（通常は移動し易いｐ型の方）の不純物濃度を１０１
１１／ｃｃ以上の高濃度にする必要があり、電流の広が
りを抑えるスリットの効果を減する。また、近傍に結晶
欠陥の多い領域を含むため注入キャリヤの再結合速度が
速まり、この効果はみかけ上接合電位を下げる働きをす
る。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、高温においても安定なレーザ発
振動作をする高信頼の半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
の目的とするところは、高温においても安定なレーザ発
振動作をする高信頼の半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、少なくとも
溝の近傍の基体表面と溝上部の側壁面とを高温の雰囲気
に晒された後液相エピタキシャル成長前に融液で一部エ
ッチングするものである。
溝の近傍の基体表面と溝上部の側壁面とを高温の雰囲気
に晒された後液相エピタキシャル成長前に融液で一部エ
ッチングするものである。
本発明により製造された半導体レーザ装置は、このよう
な手段によって活性領域外ｐ−ｎ接合の結晶欠陥が少な
く接合電位の低下がなくなる。
な手段によって活性領域外ｐ−ｎ接合の結晶欠陥が少な
く接合電位の低下がなくなる。
本発明に係わる半導体レーザ装置の製造方法の一実施例
を第１図を用いて説明する。第１図において、１００は
第１回目の液相エピタキシャル成長時に形成された結晶
表面を示す結晶表面表示線である。第１図において第３
図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
を第１図を用いて説明する。第１図において、１００は
第１回目の液相エピタキシャル成長時に形成された結晶
表面を示す結晶表面表示線である。第１図において第３
図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
まず第１導電形の半導体基板としてのｐ−１ｎＰ基板５
上に電流閉じ込め層を構成する第２導電形の層としての
ｎ−ＩｎＰ６の層、ｐ−１ｎＰ７の層を液相エピタキシ
ャル成長させた後、幅約２μｍでｐ−ＩｎＰ基板５に届
く深さの溝６０をエツチングにより形成する。これらの
ｐ−１ｎＰ基板５ ＋ ｎ Ｉ ｎ Ｐ ６ ＋ ｐ
−Ｉ ｎ Ｐ ７ ＊溝６０は基体を構成する。この
時の基体の結晶表面は結晶表面表示線１００で示されて
いる。これらの結晶を基板として第２回目の液相エピタ
キシャル成長を行なう。この液相エピタキシャル成長は
、成長すべき各層に対応してＩｎ金属にＩｎＰ、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、 ドーパント等を溶かした複数の融液
を、順次、基体表面に接触させて徐冷することによって
基体上に所定の組織の結晶を析出させる。
上に電流閉じ込め層を構成する第２導電形の層としての
ｎ−ＩｎＰ６の層、ｐ−１ｎＰ７の層を液相エピタキシ
ャル成長させた後、幅約２μｍでｐ−ＩｎＰ基板５に届
く深さの溝６０をエツチングにより形成する。これらの
ｐ−１ｎＰ基板５ ＋ ｎ Ｉ ｎ Ｐ ６ ＋ ｐ
−Ｉ ｎ Ｐ ７ ＊溝６０は基体を構成する。この
時の基体の結晶表面は結晶表面表示線１００で示されて
いる。これらの結晶を基板として第２回目の液相エピタ
キシャル成長を行なう。この液相エピタキシャル成長は
、成長すべき各層に対応してＩｎ金属にＩｎＰ、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、 ドーパント等を溶かした複数の融液
を、順次、基体表面に接触させて徐冷することによって
基体上に所定の組織の結晶を析出させる。
上記金属を溶かす段階で基体は高温の雰囲気ガスに晒さ
れる。第２回目の液相エピタキシャル成長の直前に第１
層目の融液または別の融液によって基体表面のエツチン
グを行ない、結晶表面表示線１００で囲まれた領域を除
去する。エツチングに用いる融液としては、接触時の温
度において熱平衡よりも溶質の少ない不飽和溶液を用い
てもよいが、若干過飽和であっても凸部はエツチングさ
れ易く凹部は析出しやすい性質があるため溝６０の上部
および溝６０の近傍の表面はエツチングされる。このよ
うなエツチングにより、初めは結晶表面表示線１００で
示される位置まで伸びていたｐ−ＩｎＰ７の表面は後退
し、ｐ−ｎ接合５０が形成される。なお、第１層のｐ
−１、ｎ Ｐ １５および活性領域１６は、溝６０中に
析出しやすい液相エピタキシャル成長の性質を利用し、
表面平坦部にはほとんど成長しないようにしているが、
薄く成長した場合でもｐ−ｎ接合５０の位置が多少変動
するのみで本質的な差はない。
れる。第２回目の液相エピタキシャル成長の直前に第１
層目の融液または別の融液によって基体表面のエツチン
グを行ない、結晶表面表示線１００で囲まれた領域を除
去する。エツチングに用いる融液としては、接触時の温
度において熱平衡よりも溶質の少ない不飽和溶液を用い
てもよいが、若干過飽和であっても凸部はエツチングさ
れ易く凹部は析出しやすい性質があるため溝６０の上部
および溝６０の近傍の表面はエツチングされる。このよ
うなエツチングにより、初めは結晶表面表示線１００で
示される位置まで伸びていたｐ−ＩｎＰ７の表面は後退
し、ｐ−ｎ接合５０が形成される。なお、第１層のｐ
−１、ｎ Ｐ １５および活性領域１６は、溝６０中に
析出しやすい液相エピタキシャル成長の性質を利用し、
表面平坦部にはほとんど成長しないようにしているが、
薄く成長した場合でもｐ−ｎ接合５０の位置が多少変動
するのみで本質的な差はない。
このように製造された装置においては、漏洩電流が流れ
るｐ−ｎ接合５０は結晶欠陥のきわめて少ない良質の接
合となり、接合電位も材料で決まる本来の高い値となる
。従って活性領域１６のｐ−ｎ接合の接合電位とｐ−ｎ
接合５０の接合電位とは０・３ｖ程度の差が得られるの
で、〔従来の技術〕の項記載の式、ｅｘｐ （ｑＶｉ
／ｋＴ）から明らかなように活性領域１６の電流に比較
してほとんど無視できる程度め洩れ電流しか流れない。
るｐ−ｎ接合５０は結晶欠陥のきわめて少ない良質の接
合となり、接合電位も材料で決まる本来の高い値となる
。従って活性領域１６のｐ−ｎ接合の接合電位とｐ−ｎ
接合５０の接合電位とは０・３ｖ程度の差が得られるの
で、〔従来の技術〕の項記載の式、ｅｘｐ （ｑＶｉ
／ｋＴ）から明らかなように活性領域１６の電流に比較
してほとんど無視できる程度め洩れ電流しか流れない。
このため１００℃を超える高温まで安定なレーザ発振を
する。また、結晶欠陥が少ないので、漏洩電流特性の劣
化がほとんどない。これは、そもそも結晶欠陥が少ない
ため劣化しにくい効果と漏洩電流として流れる電流が少
ないため劣化を促進する作用が弱いという効果との相乗
効果による。
する。また、結晶欠陥が少ないので、漏洩電流特性の劣
化がほとんどない。これは、そもそも結晶欠陥が少ない
ため劣化しにくい効果と漏洩電流として流れる電流が少
ないため劣化を促進する作用が弱いという効果との相乗
効果による。
本実施例においては、便宜上基体の結晶表面全域をエツ
チングするとしたが、溝６０から遠（離れた所は必ずし
もエツチングされる必要はない。
チングするとしたが、溝６０から遠（離れた所は必ずし
もエツチングされる必要はない。
これは、溝６０からおよそ１０μｍ以上離れた所では、
スリット効果により、もともと電流があまり流れないた
めである。また、半導体材料としてＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＰを材料とするものについて示したが、本発明はこれ
に限られるものでなく、別の材料でも当然同様の効果が
得られる。またエツチング溝やスリットの形状はとくに
本実施例のものに限らない。
スリット効果により、もともと電流があまり流れないた
めである。また、半導体材料としてＩｎＰ／ＩｎＧａＡ
ｓＰを材料とするものについて示したが、本発明はこれ
に限られるものでなく、別の材料でも当然同様の効果が
得られる。またエツチング溝やスリットの形状はとくに
本実施例のものに限らない。
以上述べたように本発明は、少なくとも溝の近傍の基体
表面と溝上部の側壁面とを高温の雰囲気に晒された後液
相エピタキシャル成長前に融液で一部エッチングし、活
性領域外ｐ−ｎ接合を結晶欠陥の少ないものとして接合
電位の低下をなくすることにより、洩れ電流が少なく経
時変化に対して安定で効率のよいレーザ発振を生じ、ま
た、高温においても同様に接合電位の低下がな（安定な
レーザ発振を生じる。また、そのことにより装置を長寿
命・高信頼性のものとする効果がある。
表面と溝上部の側壁面とを高温の雰囲気に晒された後液
相エピタキシャル成長前に融液で一部エッチングし、活
性領域外ｐ−ｎ接合を結晶欠陥の少ないものとして接合
電位の低下をなくすることにより、洩れ電流が少なく経
時変化に対して安定で効率のよいレーザ発振を生じ、ま
た、高温においても同様に接合電位の低下がな（安定な
レーザ発振を生じる。また、そのことにより装置を長寿
命・高信頼性のものとする効果がある。
第１図は本発明に係わる半導体レーザ装置の製造方法の
一実施例を説明するための断面図、第２図は半導体レー
ザ装置の従来の製造方ン去を８見明するための断面図、
第３図は他の従来の製造方法を説明するための断面図で
ある。 ５、、、−ｐ−ＩｎＰ基板、６．１５．Ｌ７・−−・ｎ
−１ｎＰ、？・・＝ｐ−１ｎＰ、１６−−・・ＩｎＧａ
ＡｓＰ、１Ｂ−−＝ｎ−ＥｎＧａＡＳＰ、２１・・・・
ｎ電極、２２・・・・ｐ電極、５０・・・・ｐ−ｎ接合
、６０・・・・溝、１００・・・・結晶表面表示線。
一実施例を説明するための断面図、第２図は半導体レー
ザ装置の従来の製造方ン去を８見明するための断面図、
第３図は他の従来の製造方法を説明するための断面図で
ある。 ５、、、−ｐ−ＩｎＰ基板、６．１５．Ｌ７・−−・ｎ
−１ｎＰ、？・・＝ｐ−１ｎＰ、１６−−・・ＩｎＧａ
ＡｓＰ、１Ｂ−−＝ｎ−ＥｎＧａＡＳＰ、２１・・・・
ｎ電極、２２・・・・ｐ電極、５０・・・・ｐ−ｎ接合
、６０・・・・溝、１００・・・・結晶表面表示線。
Claims (1)
- 第１導電形の半導体基板と、第２導電形の層を少なく
とも１層含む電流閉じ込め層と、少なくとも前記第２導
電形の層を貫通する溝とを有する基体上に前記溝中に形
成される活性領域を含む多層の半導体結晶を液相エピタ
キシャル成長法によって形成する半導体レーザ装置の製
造方法において、少なくとも前記溝の近傍の前記基体表
面および前記溝上部の側壁面を液相エピタキシャル成長
前に融液で一部エッチングすることを特徴とする半導体
レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198121A JPS6174388A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
| US06/777,808 US4728625A (en) | 1984-09-19 | 1985-09-19 | Method of fabricating buried crescent semiconductor laser device by removing a surface portion of substrate around a groove therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198121A JPS6174388A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174388A true JPS6174388A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16385800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198121A Pending JPS6174388A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728625A (ja) |
| JP (1) | JPS6174388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929571A (en) * | 1987-02-27 | 1990-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a buried crescent laser with air gap insulator |
| JPH0231488A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US5677219A (en) * | 1994-12-29 | 1997-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Process for fabricating a DRAM trench capacitor |
| US20080029152A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Erel Milshtein | Laser scribing apparatus, systems, and methods |
| CN108133999B (zh) * | 2017-12-22 | 2019-09-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片结构及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3697336A (en) * | 1966-05-02 | 1972-10-10 | Rca Corp | Method of making semiconductor devices |
| US3713900A (en) * | 1969-04-02 | 1973-01-30 | C Suzuki | Method for making uniform single crystal semiconductors epitaxially |
| JPS5329508B2 (ja) * | 1974-03-27 | 1978-08-21 | ||
| US4033796A (en) * | 1975-06-23 | 1977-07-05 | Xerox Corporation | Method of making buried-heterostructure diode injection laser |
| US4425650A (en) * | 1980-04-15 | 1984-01-10 | Nippon Electric Co., Ltd. | Buried heterostructure laser diode |
| US4371966A (en) * | 1980-11-06 | 1983-02-01 | Xerox Corporation | Heterostructure lasers with combination active strip and passive waveguide strip |
| US4454603A (en) * | 1981-01-29 | 1984-06-12 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh | Semiconductor laser |
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| US4468850A (en) * | 1982-03-29 | 1984-09-04 | Massachusetts Institute Of Technology | GaInAsP/InP Double-heterostructure lasers |
| JPS59197183A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-08 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| DE3339272A1 (de) * | 1983-10-28 | 1985-05-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von a(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)b(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)-lumineszenzdioden |
| JPS60102790A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59198121A patent/JPS6174388A/ja active Pending
-
1985
- 1985-09-19 US US06/777,808 patent/US4728625A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4728625A (en) | 1988-03-01 |
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