JPS5925398B2 - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS5925398B2 JPS5925398B2 JP14905979A JP14905979A JPS5925398B2 JP S5925398 B2 JPS5925398 B2 JP S5925398B2 JP 14905979 A JP14905979 A JP 14905979A JP 14905979 A JP14905979 A JP 14905979A JP S5925398 B2 JPS5925398 B2 JP S5925398B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- manufacturing
- type inp
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Weting (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザの製造方法に関するものであ
る。
る。
半導体レーザのしきい値電流を低減する構造はいくつか
知られておわ、埋め込みレーザはその一つである。
知られておわ、埋め込みレーザはその一つである。
この埋め込みレーザは周囲温度の上昇にともなつて発振
に寄与しないもれ電流が増大し、このため、しきい値電
流が急激に増加し、ついには発熱のため発振が停止して
しまう欠点があつた。
に寄与しないもれ電流が増大し、このため、しきい値電
流が急激に増加し、ついには発熱のため発振が停止して
しまう欠点があつた。
以下さらにこの従来例を図面によつて説明する。第１図
は従来の製造方法で作成した埋め込みレーザのレーザ光
の伝播方向に垂直な方向の断面図である。この製造方法
は、ｎ形ＩｎＰ基板１の上に液相エピタキシャル法によ
りｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２、ｐ形ＩｎＰ層３を順次成長
させ、次にｐ形ＩｎＰ層３の上にレーザ光の伝播方向に
沿つてストライプ状にＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４膜な
どの選択成長用のマスク膜を形成し、このウェハを再び
液相エピタキシャル成長装置に導入してメルトバックし
、マスク膜の下が残るように形成した台形状の斜辺部分
にｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形ＩｎＰ層６を順次成長させる。
この時、マスク膜の上にはｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形ＩｎＰ
層６は成長しない。次に、ｐ形ＩｎＰ層３の上のマスク
膜を除去してｐ側の電極１１とｎ側の電極１２を形成す
る。
は従来の製造方法で作成した埋め込みレーザのレーザ光
の伝播方向に垂直な方向の断面図である。この製造方法
は、ｎ形ＩｎＰ基板１の上に液相エピタキシャル法によ
りｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２、ｐ形ＩｎＰ層３を順次成長
させ、次にｐ形ＩｎＰ層３の上にレーザ光の伝播方向に
沿つてストライプ状にＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４膜な
どの選択成長用のマスク膜を形成し、このウェハを再び
液相エピタキシャル成長装置に導入してメルトバックし
、マスク膜の下が残るように形成した台形状の斜辺部分
にｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形ＩｎＰ層６を順次成長させる。
この時、マスク膜の上にはｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形ＩｎＰ
層６は成長しない。次に、ｐ形ＩｎＰ層３の上のマスク
膜を除去してｐ側の電極１１とｎ側の電極１２を形成す
る。
このようにして作成した半導体レーザの電極１１、１２
の間に順方向に電圧を印加すると、電流は大部分ｐ形Ｉ
ｎＰ層３、ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２、ｎ形ＩｎＰ基板１
を通つて流れ、ｐ形ＩｎＰ層３、ｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形
ＩｎＰ基板１を通つて流れる電流は少ない。なぜなら、
ＩｎＰはＩｎＧａＡｓＰより禁制帯幅が広く、このため
ＩｎＰｐｎ接合の拡散電位はＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰｐ
ｎ接合の拡散電位より大きいためである。従つて、レー
ザダイオードの活性層となるｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２に
電流が集中して流れ、注入されたキャリヤと再結合によ
る・ 光は活性層内に閉じ込められる結果、発振しきい
値の低い安定したレーザが得られる。ところが、ＩｎＰ
ｐｎ接合の拡散電位が高いとはいつてもこの障壁を越え
て流れる電流も少量ではあるが存在する。
の間に順方向に電圧を印加すると、電流は大部分ｐ形Ｉ
ｎＰ層３、ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２、ｎ形ＩｎＰ基板１
を通つて流れ、ｐ形ＩｎＰ層３、ｐ形ＩｎＰ層５、ｎ形
ＩｎＰ基板１を通つて流れる電流は少ない。なぜなら、
ＩｎＰはＩｎＧａＡｓＰより禁制帯幅が広く、このため
ＩｎＰｐｎ接合の拡散電位はＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰｐ
ｎ接合の拡散電位より大きいためである。従つて、レー
ザダイオードの活性層となるｎ形ＩｎＧａＡｓＰ層２に
電流が集中して流れ、注入されたキャリヤと再結合によ
る・ 光は活性層内に閉じ込められる結果、発振しきい
値の低い安定したレーザが得られる。ところが、ＩｎＰ
ｐｎ接合の拡散電位が高いとはいつてもこの障壁を越え
て流れる電流も少量ではあるが存在する。
このもれ電流は発振に寄与しないものであり、周囲温度
の上昇にともなつて増加する。このため、周囲温度上昇
とともに、しきい値電流は急速に上昇する。また、従来
の製造方法では表面を平坦にすることが困難で、熱放散
をよくするためにヒートシンクにアツプサイドダウンに
マウントすることが困難である。従来の製造方法で作成
した半導体レーザはこのような欠点を有していた。この
発明は上記従来法の欠点にかんがみなされたもので、Ｎ
Ｐｐｎ接合の面積を最小にし、かつ表面を平坦にして熱
放散をよくしたしきい値電流の低い、温度特性の良い半
導体レーザの製造方法を提供することを目的としている
。
の上昇にともなつて増加する。このため、周囲温度上昇
とともに、しきい値電流は急速に上昇する。また、従来
の製造方法では表面を平坦にすることが困難で、熱放散
をよくするためにヒートシンクにアツプサイドダウンに
マウントすることが困難である。従来の製造方法で作成
した半導体レーザはこのような欠点を有していた。この
発明は上記従来法の欠点にかんがみなされたもので、Ｎ
Ｐｐｎ接合の面積を最小にし、かつ表面を平坦にして熱
放散をよくしたしきい値電流の低い、温度特性の良い半
導体レーザの製造方法を提供することを目的としている
。
以下この発明について説明する。第２図はこの発明の半
導体レーザの製造方法の一実施例の製造プロセスを示す
。
導体レーザの製造方法の一実施例の製造プロセスを示す
。
まず、ｎ形１ｎＰ基板１上に液相エピタキシヤル法によ
り順次ｎ形１ｎＧａＡｓＰ層２、ｐ形１ｎＰ層３、卦よ
びＩｎＧａＡｓＰ層４を成長させる（第２図ａ）。
り順次ｎ形１ｎＧａＡｓＰ層２、ｐ形１ｎＰ層３、卦よ
びＩｎＧａＡｓＰ層４を成長させる（第２図ａ）。
次に、レーザ光の伝播する方向に沿つてストライプ状に
レジスト膜１４を写真製版法で形成し、このレジスト膜
１４をマスクにしてＩｎＧａ一ＡｓＰの選択エツチング
液、例えばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２＝３：１：１
のエツチング液を用いてストライプ状の部分を残してＩ
ｎＧａＡｓＰ層４を除去する。次に、ＩｎＰの選択エツ
チング液、例えばＨＣ′：Ｈ２Ｏ二２：１のエツチング
液を用いてストライプ状の部分を残してｐ形１ｎＰ層３
を除去する（第２図ｂ）。次に、レジスト膜１４を除去
し、液相エピタキシヤル成長装置内に導入し、半導体層
成長の前に未飽和のｐを含むＩｎ溶液でメルトバツクす
る。このメルトバツクは、成長の前に高温に保持され、
熱的に損傷を受けた部分を除去する目的で行うが、この
時１ｎＧａＡｓＰ層４はメルトバツクされすぎて、メサ
構造が消失されてしまうことを防いでいる。すなわち、
Ｉｎ溶液でメルトバツクする際、ＩｎＧａＡｓＰ層４が
Ｉｎ溶液中に溶け込むと、局部的にＧａ，Ａｓの濃度が
上昇し、このＧａＡｓの溶け込んだ液でＩｎＰは溶け込
みにくくなることを利用している。この結果、ＩｎＧａ
ＡｓＰ層４の下のｐ形１ｎＰ層３のメルトバツク量は極
くわずかとなる。同様に、ｎ形１ｎ一ＧａＡｓＰ層２の
下のｎ形１ｎＰ基板１のメルトバツク量も抑制される。
この結果、メルトバツク量を抑制しなくても自動的にＩ
ｎＧａＡｓＰ層４の下で溶解は止まるので、再現性良く
ｎ形１ｎＧａＡｓＰ層２およびｐ形１ｎＰ層３をストラ
イプ状に残すことができる。メルトバツクした表面に順
次ｐ形ＩｎＰ層５，ｎ形１ｎＰ層６，１ｎＧａＡｓＰ層
７を液相エピタキシヤル法で成長させる（第２図ｃ）。
このような成長法でＩｎＧａＡｓＰ層７は容易に平坦に
できる。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層７の表面からｐ形ドー
パントであるＣｄあるいはＺｎなどをｐ形ＩｎＰ層３に
達する深さ１０まで拡散してｎ形ＩｎＰ層６の一部をｐ
形に変換してｐ形１ｎＰ層８とし、ＩｎＧａＡｓＰ層７
をｐ形に変換してｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層９とする（第２
図ｄ）。第３図は、第２図で説明した製造方法によつて
得たウエハを用いて作成した半導体レーザの光の伝播方
向に垂直な断面図である。
レジスト膜１４を写真製版法で形成し、このレジスト膜
１４をマスクにしてＩｎＧａ一ＡｓＰの選択エツチング
液、例えばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２＝３：１：１
のエツチング液を用いてストライプ状の部分を残してＩ
ｎＧａＡｓＰ層４を除去する。次に、ＩｎＰの選択エツ
チング液、例えばＨＣ′：Ｈ２Ｏ二２：１のエツチング
液を用いてストライプ状の部分を残してｐ形１ｎＰ層３
を除去する（第２図ｂ）。次に、レジスト膜１４を除去
し、液相エピタキシヤル成長装置内に導入し、半導体層
成長の前に未飽和のｐを含むＩｎ溶液でメルトバツクす
る。このメルトバツクは、成長の前に高温に保持され、
熱的に損傷を受けた部分を除去する目的で行うが、この
時１ｎＧａＡｓＰ層４はメルトバツクされすぎて、メサ
構造が消失されてしまうことを防いでいる。すなわち、
Ｉｎ溶液でメルトバツクする際、ＩｎＧａＡｓＰ層４が
Ｉｎ溶液中に溶け込むと、局部的にＧａ，Ａｓの濃度が
上昇し、このＧａＡｓの溶け込んだ液でＩｎＰは溶け込
みにくくなることを利用している。この結果、ＩｎＧａ
ＡｓＰ層４の下のｐ形１ｎＰ層３のメルトバツク量は極
くわずかとなる。同様に、ｎ形１ｎ一ＧａＡｓＰ層２の
下のｎ形１ｎＰ基板１のメルトバツク量も抑制される。
この結果、メルトバツク量を抑制しなくても自動的にＩ
ｎＧａＡｓＰ層４の下で溶解は止まるので、再現性良く
ｎ形１ｎＧａＡｓＰ層２およびｐ形１ｎＰ層３をストラ
イプ状に残すことができる。メルトバツクした表面に順
次ｐ形ＩｎＰ層５，ｎ形１ｎＰ層６，１ｎＧａＡｓＰ層
７を液相エピタキシヤル法で成長させる（第２図ｃ）。
このような成長法でＩｎＧａＡｓＰ層７は容易に平坦に
できる。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層７の表面からｐ形ドー
パントであるＣｄあるいはＺｎなどをｐ形ＩｎＰ層３に
達する深さ１０まで拡散してｎ形ＩｎＰ層６の一部をｐ
形に変換してｐ形１ｎＰ層８とし、ＩｎＧａＡｓＰ層７
をｐ形に変換してｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層９とする（第２
図ｄ）。第３図は、第２図で説明した製造方法によつて
得たウエハを用いて作成した半導体レーザの光の伝播方
向に垂直な断面図である。
この図で、１１，１２はそれぞれｐ側、ｎ側の電極であ
る。このレーザダイオードの電極１１，１２の間に順方
向に電圧を印加すると、電流はｎ形１ｎＰ層６でプロツ
クされるので、矢印に示したように電流は流れる。
る。このレーザダイオードの電極１１，１２の間に順方
向に電圧を印加すると、電流はｎ形１ｎＰ層６でプロツ
クされるので、矢印に示したように電流は流れる。
ここで、もれ電流はＰ８ｌｎＰ層５を通つて流れるもの
だけで、この層を充分薄く、０．５μｍ以下にすること
により、活性領域１〜５μｍのストライプ幅より充分小
さくすることができる。さらに、ｐ形１ｎＰ層５からｎ
形１ｎＰ基板１に流れ込む電流はＩｎＰｐｎ接合とＩｎ
Ｐ−１ｎ一ＧａＡｓＰｐｎ接合の拡散電位の差を渚慮す
ると無視できる程小さくなる。第４図はこの発明の他の
実施例の製造方法により得られた半導体レーザの光の伝
播方向に垂直な断面図である。
だけで、この層を充分薄く、０．５μｍ以下にすること
により、活性領域１〜５μｍのストライプ幅より充分小
さくすることができる。さらに、ｐ形１ｎＰ層５からｎ
形１ｎＰ基板１に流れ込む電流はＩｎＰｐｎ接合とＩｎ
Ｐ−１ｎ一ＧａＡｓＰｐｎ接合の拡散電位の差を渚慮す
ると無視できる程小さくなる。第４図はこの発明の他の
実施例の製造方法により得られた半導体レーザの光の伝
播方向に垂直な断面図である。
この実施例では、第２図ｃの構造に、選択拡散法により
活性領域となるＩｎＧａＡｓＰ層２の真上のｎ形１ｎＰ
層６およびＩｎＧａＡｓＰ層７をｐ形に変換してｐ形１
ｎＰ層１３、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層９としている。動作
原理は、第３図の実施例と同様である。以上説明したよ
うにこの発明によれば、活性領域となるＩｎＧａＡｓＰ
層の側面ＫＩｎＰを成長する前にメルトバツクして熱的
に損傷した部分を除去して成長して｝り、欠陥の少ない
長寿命のレーザが得られる。
活性領域となるＩｎＧａＡｓＰ層２の真上のｎ形１ｎＰ
層６およびＩｎＧａＡｓＰ層７をｐ形に変換してｐ形１
ｎＰ層１３、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ層９としている。動作
原理は、第３図の実施例と同様である。以上説明したよ
うにこの発明によれば、活性領域となるＩｎＧａＡｓＰ
層の側面ＫＩｎＰを成長する前にメルトバツクして熱的
に損傷した部分を除去して成長して｝り、欠陥の少ない
長寿命のレーザが得られる。
また、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの選択成長用のマスク
を使用していないので余分なストレスがなく結晶成長の
再現性が良い。さらに表面を平坦にできるので熱放散の
良いマウント法が適用でき、しきい値電流が低く、温度
特性のよい半導体レーザが作製できる利点がある。
を使用していないので余分なストレスがなく結晶成長の
再現性が良い。さらに表面を平坦にできるので熱放散の
良いマウント法が適用でき、しきい値電流が低く、温度
特性のよい半導体レーザが作製できる利点がある。
第１図は従来の製造方法による埋め込みへゼロ構造の半
導体レーザの概要を示す断面図、第２図ａ−ｄはこの発
明の製造方法の一実施例の工程を示す断面図、第３図，
第４図はこの発明の製造方法による埋め込みへゼロ構造
の半導体レーザの概要を示す断面図である。 図中、１はｎ形１ｎＰ基板、２はｎ形１ｎＧａ一ＡｓＰ
層、４，７はＩｎＧａＡｓＰ層、９はｐ形１ｎＧａ一Ａ
ｓＰ層、３，５，８，１３はｐ形１ｎＰ層、６はｎ形Ｉ
ｎＰ層、１０は深さ、１１，１２は電極、１４はレジス
ト膜である。
導体レーザの概要を示す断面図、第２図ａ−ｄはこの発
明の製造方法の一実施例の工程を示す断面図、第３図，
第４図はこの発明の製造方法による埋め込みへゼロ構造
の半導体レーザの概要を示す断面図である。 図中、１はｎ形１ｎＰ基板、２はｎ形１ｎＧａ一ＡｓＰ
層、４，７はＩｎＧａＡｓＰ層、９はｐ形１ｎＧａ一Ａ
ｓＰ層、３，５，８，１３はｐ形１ｎＰ層、６はｎ形Ｉ
ｎＰ層、１０は深さ、１１，１２は電極、１４はレジス
ト膜である。
Claims (1)
- １ ｎ形ＩｎＰ基板主面上にｎ形Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ
＿ｘ−Ａｓ＿ｙＰ＿１＿−＿ｙ層、Ｐ形ＩｎＰ層および
Ｉｎ＿１＿−＿ｘ′Ｇａ＿ｘ′−Ａｓ＿ｙ′Ｐ＿１＿−
＿ｙ′層を順次成長させる工程と、前記ｎ形Ｉｎ＿１＿
−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿ｙＰ＿１＿−＿ｙ層に達する深さ
までメサエツチングを行い、レーザ光の伝播方向に沿つ
た両側面を形成する工程と、表面よりメルトバックして
前記ｐ形ＩｎＰ層とｎ形Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ
＿ｙ−Ｐ＿１＿−＿ｙ層を残し、その上にｐ形ＩｎＰ層
、ｎ形ＩｎＰ層およびＩｎ＿１＿−＿ｘ″Ｇａ＿ｘ″Ａ
Ｓ＿ｙ″Ｐ＿１＿−＿ｙ″層を順次成長させる工程と、
表面よりストライプ状のメサ頂上のｐ形ＩｎＰ層に達す
る深さにまでｐ形ドーパントを拡散させる工程とを含む
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14905979A JPS5925398B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14905979A JPS5925398B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5670682A JPS5670682A (en) | 1981-06-12 |
| JPS5925398B2 true JPS5925398B2 (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=15466763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14905979A Expired JPS5925398B2 (ja) | 1979-11-14 | 1979-11-14 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925398B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4276098A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Batch processing of semiconductor devices |
| US4536940A (en) * | 1981-06-12 | 1985-08-27 | At&T Bell Laboratories | Method of making a loss stabilized buried heterostructure laser |
-
1979
- 1979-11-14 JP JP14905979A patent/JPS5925398B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5670682A (en) | 1981-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4215319A (en) | Single filament semiconductor laser | |
| JPS609356B2 (ja) | 半導体発光装置の製法 | |
| JP3053357B2 (ja) | 平面埋込型レーザダイオードの製造方法 | |
| JPS5925398B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6144485A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| GB2027261A (en) | Semiconductor laser | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPS589592B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS5925399B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS641074B2 (ja) | ||
| JPS6358390B2 (ja) | ||
| JPH05129723A (ja) | 埋込ヘテロ構造半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS6132587A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS63287079A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6241437B2 (ja) | ||
| JPH0427716B2 (ja) | ||
| JPH05136525A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0680869B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS60251687A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6392078A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH02246289A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61166192A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH0338893A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 |