JPS6122876B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6122876B2 JPS6122876B2 JP13734180A JP13734180A JPS6122876B2 JP S6122876 B2 JPS6122876 B2 JP S6122876B2 JP 13734180 A JP13734180 A JP 13734180A JP 13734180 A JP13734180 A JP 13734180A JP S6122876 B2 JPS6122876 B2 JP S6122876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type
- semiconductor
- layer
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2203—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure with a transverse junction stripe [TJS] structure
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザー装置、とくに
Transverse Junction Stripe（以下、TJSと略記
する）形レーザーに適用される半導体レーザー装
置に関するものである。
Transverse Junction Stripe（以下、TJSと略記
する）形レーザーに適用される半導体レーザー装
置に関するものである。
一般に、TJS形レーザーは、しきい値電流が低
く、単一モード発振が得られるなどの優れた特性
を有するものとして知られており、その基本構造
はたとえばIEEE Journal of Quantum
Electronics，QE−11，Ｐ−47（1975）に詳述さ
れており、また、高温での連続発振が可能な改良
型として半絶縁性基板を用いた構造がApplied
Physics Letter，33(1)，Ｐ−38（1978）などに掲
載されている。
く、単一モード発振が得られるなどの優れた特性
を有するものとして知られており、その基本構造
はたとえばIEEE Journal of Quantum
Electronics，QE−11，Ｐ−47（1975）に詳述さ
れており、また、高温での連続発振が可能な改良
型として半絶縁性基板を用いた構造がApplied
Physics Letter，33(1)，Ｐ−38（1978）などに掲
載されている。
以下、従来のTJS形レーザーについて、図にし
たがつて説明する。
たがつて説明する。
第１図は、従来のTJS形レーザー基本構造を模
式的に示す斜視図である。図中、１はCrドープ
半絶縁性GaAs基板で、この基板１の主面上に液
相成長によつて、Ｎ形AlGaAs層２、Ｎ形GaAs
活性層３、Ｎ形AlGaAs層４およびＮ形AlGaAs
層５が順次形成されている。斜線部で示す６は上
記５の層の表面の一部領域から基板１に達する深
さまでZnを高濃度に選択拡散したP+形領域、７
はこのP+形領域６から熱処理によつてZnをドラ
イブ拡散させて形成したＰ形領域、８は５の層を
コンタクト層とするためにＰ−Ｎ接合部を除去し
た溝、９はＰ形領域６用の電極、１０はＮ形領域
用の電極である。
式的に示す斜視図である。図中、１はCrドープ
半絶縁性GaAs基板で、この基板１の主面上に液
相成長によつて、Ｎ形AlGaAs層２、Ｎ形GaAs
活性層３、Ｎ形AlGaAs層４およびＮ形AlGaAs
層５が順次形成されている。斜線部で示す６は上
記５の層の表面の一部領域から基板１に達する深
さまでZnを高濃度に選択拡散したP+形領域、７
はこのP+形領域６から熱処理によつてZnをドラ
イブ拡散させて形成したＰ形領域、８は５の層を
コンタクト層とするためにＰ−Ｎ接合部を除去し
た溝、９はＰ形領域６用の電極、１０はＮ形領域
用の電極である。
上記第１図の構造によれば、GaAsはAlGaAs
より禁制帯巾が狭いのでGaAs活性層３に形成さ
れたＰ−Ｎ接合の拡散電位はAlGaAs層２および
４に形成されたＰ−Ｎ接合の拡散電位より低くな
り、しかもGaAs基板１は少なくとも104Ωcm以上
の高比抵抗であるために基板１側へはほとんど電
流は流れない。したがつて、電極９と１０との間
に順方向の電圧を印加すると、大部分の電流は
GaAs活性層３のＰ−Ｎ接合に集中し、図中の１
１で示すＰ形GaAs活性領域にてレーザー発振を
起こすことができる。
より禁制帯巾が狭いのでGaAs活性層３に形成さ
れたＰ−Ｎ接合の拡散電位はAlGaAs層２および
４に形成されたＰ−Ｎ接合の拡散電位より低くな
り、しかもGaAs基板１は少なくとも104Ωcm以上
の高比抵抗であるために基板１側へはほとんど電
流は流れない。したがつて、電極９と１０との間
に順方向の電圧を印加すると、大部分の電流は
GaAs活性層３のＰ−Ｎ接合に集中し、図中の１
１で示すＰ形GaAs活性領域にてレーザー発振を
起こすことができる。
しかしながら、第１図の構造では、厚さ方向
（図中の縦方向）は禁制帯巾が広くて屈折率が小
さいAlGaAs層２と４の間でGaAs活性層３を挾
んだ安定な構造であるが、巾方向（図中の横方
向）はP+−Ｐ−Ｎのキヤリア濃度の差だけで屈
折率分布を形成した構造であるため、電流密度が
大きくなつた場合にキヤリアの閉じ込めが不充分
となり、発振モードが不安定になつたり、高温で
発振停止が起こるなどの欠点があつた。
（図中の縦方向）は禁制帯巾が広くて屈折率が小
さいAlGaAs層２と４の間でGaAs活性層３を挾
んだ安定な構造であるが、巾方向（図中の横方
向）はP+−Ｐ−Ｎのキヤリア濃度の差だけで屈
折率分布を形成した構造であるため、電流密度が
大きくなつた場合にキヤリアの閉じ込めが不充分
となり、発振モードが不安定になつたり、高温で
発振停止が起こるなどの欠点があつた。
一方、上記第１図の構造における欠点を克服す
るものとして、第２図で示すようなシングルヘテ
ロ形TJS形レーザーと呼ばれるものが提案されて
いる。この構造では、第１図におけるP+形領域
６に相当する領域が、２〜５の層とは別に成長さ
せたＰ形AlGaAs層２１となつており、このＰ形
GaAs層２１上にコンタクト層となるＰ形GaAs層
２２が形成されている。そして、Ｐ形AlGaAs層
２１の成長時のオートドーピングによつてＰ形の
領域２３が形成され、他の部分は第１図と同じで
ある。
るものとして、第２図で示すようなシングルヘテ
ロ形TJS形レーザーと呼ばれるものが提案されて
いる。この構造では、第１図におけるP+形領域
６に相当する領域が、２〜５の層とは別に成長さ
せたＰ形AlGaAs層２１となつており、このＰ形
GaAs層２１上にコンタクト層となるＰ形GaAs層
２２が形成されている。そして、Ｐ形AlGaAs層
２１の成長時のオートドーピングによつてＰ形の
領域２３が形成され、他の部分は第１図と同じで
ある。
第２図の構造では、Ｐ形GaAs活性層１１の横
方向に禁制帯巾が広く屈折率の小さいAlGaAs層
２１が存在し、横方向にもヘテロ接合を有するた
め、Ｐ形GaAs活性領域１１にキヤリアと光を有
効に閉じ込めることができる。したがつて、しき
い値電流は第１図のものの1/3程度に減少できる
とともに、高温まで安定な発振モードが得られ
る。
方向に禁制帯巾が広く屈折率の小さいAlGaAs層
２１が存在し、横方向にもヘテロ接合を有するた
め、Ｐ形GaAs活性領域１１にキヤリアと光を有
効に閉じ込めることができる。したがつて、しき
い値電流は第１図のものの1/3程度に減少できる
とともに、高温まで安定な発振モードが得られ
る。
しかしながら、なお第１図および第２図の従来
構造に共通な欠点が存在する。たとえば、第１図
におけるP+形領域６の形成のためのZnの拡散や
第２図のＰ形AlGaAs層２１の成長が下地の一部
領域に選択的に行なわれるので、これら工程では
保護膜としてマスクを用いる必要がある。このマ
スクとしては、通常、Si3N4膜を使用するが、下
地のGaAsとSi3N4との熱膨張係数が大きく異なる
ことから、上記の拡散や成長の際の少なくとも
600℃以上である熱処理においてエピタキシヤル
成長層に大きな応力がかかることになる。とく
に、Si3N4膜にて被覆された部分と露出した部分
との境界部には応力が集中するため、エピタキシ
ヤル成長層に結晶欠陥が発生する。この欠陥は、
往々にしてGaAs活性層３まで達し、また達して
いない場合でもレーザーの連続動作によつて徐々
に拡大して最終的にGaAs活性層３まで侵入し、
レーザーの寿命を短かくしたり、逆方向特性を悪
化させる原因となる。さらに、上記第１図および
第２図の従来構造では、Ｐ−Ｎ接合が表面に露出
しているため、レーザーを放熱体に設置するには
基板１側を下にして活性層のＰ−Ｎ接合を上にし
たいわゆるアツプサイドアツプの方法を採らざる
を得ない。これは、逆のアツプサイドダウンの方
法に比較して、熱伝導の悪い層を余分に挾むこと
になり、活性領域１１で発生する熱の放散が有効
に行なわれ難く、レーザーの高温動作特性を阻害
する一因となつていた。
構造に共通な欠点が存在する。たとえば、第１図
におけるP+形領域６の形成のためのZnの拡散や
第２図のＰ形AlGaAs層２１の成長が下地の一部
領域に選択的に行なわれるので、これら工程では
保護膜としてマスクを用いる必要がある。このマ
スクとしては、通常、Si3N4膜を使用するが、下
地のGaAsとSi3N4との熱膨張係数が大きく異なる
ことから、上記の拡散や成長の際の少なくとも
600℃以上である熱処理においてエピタキシヤル
成長層に大きな応力がかかることになる。とく
に、Si3N4膜にて被覆された部分と露出した部分
との境界部には応力が集中するため、エピタキシ
ヤル成長層に結晶欠陥が発生する。この欠陥は、
往々にしてGaAs活性層３まで達し、また達して
いない場合でもレーザーの連続動作によつて徐々
に拡大して最終的にGaAs活性層３まで侵入し、
レーザーの寿命を短かくしたり、逆方向特性を悪
化させる原因となる。さらに、上記第１図および
第２図の従来構造では、Ｐ−Ｎ接合が表面に露出
しているため、レーザーを放熱体に設置するには
基板１側を下にして活性層のＰ−Ｎ接合を上にし
たいわゆるアツプサイドアツプの方法を採らざる
を得ない。これは、逆のアツプサイドダウンの方
法に比較して、熱伝導の悪い層を余分に挾むこと
になり、活性領域１１で発生する熱の放散が有効
に行なわれ難く、レーザーの高温動作特性を阻害
する一因となつていた。
この発明は、上記従来の構造の欠点を改善する
ためになされたもので、結晶欠陥の発生の要因と
なるSi3N4膜などの保護マスクを使用することな
くＰ−Ｎ接合を形成することができ、かつ活性層
の横方向にヘテロ接合を有してキヤリアと光の閉
じ込めが効果的な、いわゆるシングルヘテロ形
TJS形レーザーの構造に係るものである。
ためになされたもので、結晶欠陥の発生の要因と
なるSi3N4膜などの保護マスクを使用することな
くＰ−Ｎ接合を形成することができ、かつ活性層
の横方向にヘテロ接合を有してキヤリアと光の閉
じ込めが効果的な、いわゆるシングルヘテロ形
TJS形レーザーの構造に係るものである。
以下、この発明を図にしたがつて詳細に説明す
る。
る。
第３図は、この発明の一実施例を模式的に示す
斜視図である。図中、３１はＮ形GaAsからなる
半導体基板で、この基板３１の主面上に順次、Ｎ
形AlGaAsからなる第１の半導体層３２、Ｎ形
GaAsからなる第２の半導体層３３、Ｎ形
AlGaAsからなる第３の半導体層３４、Ｐ形
AlGaAsからなる第４の半導体層３５およびＮ形
GaAsからなる第５の半導体層３６が積層形成さ
れている。そして、第５の半導体層３６表面の一
部領域から第１の半導体層３２の所定深さまで貫
通する段差３７が形成され、第５の半導体層３６
の表面から段差３７に沿つて、第１ないし第５の
半導体層３２〜３６の全層に接続して第１，第
２，第３および第５の半導体層３２，３３，３
４，３６との間でＰ−Ｎ接合を有するＰ形
AlGaAsからなる第６の半導体層３８が形成さ
れ、さらにこの第６の半導体層３８の上にＰ形
GaAsからなる第７の半導体層３９が形成されて
いる。４０は、上記第６と第７の半導体層３８，
３９を成長させる際にオートドーピングによつて
形成されたＰ形の領域であり、その深さが段差３
７の底部では第１の半導体層３２の厚み以下とな
つて基板３１まで達しないように、また頂部では
第５の半導体層３６の厚み以下となつて第４の半
導体層３５まで達しないように制御して形成され
ている。４１はＰ形領域用の電極、４２はＮ形領
域用の電極である。
斜視図である。図中、３１はＮ形GaAsからなる
半導体基板で、この基板３１の主面上に順次、Ｎ
形AlGaAsからなる第１の半導体層３２、Ｎ形
GaAsからなる第２の半導体層３３、Ｎ形
AlGaAsからなる第３の半導体層３４、Ｐ形
AlGaAsからなる第４の半導体層３５およびＮ形
GaAsからなる第５の半導体層３６が積層形成さ
れている。そして、第５の半導体層３６表面の一
部領域から第１の半導体層３２の所定深さまで貫
通する段差３７が形成され、第５の半導体層３６
の表面から段差３７に沿つて、第１ないし第５の
半導体層３２〜３６の全層に接続して第１，第
２，第３および第５の半導体層３２，３３，３
４，３６との間でＰ−Ｎ接合を有するＰ形
AlGaAsからなる第６の半導体層３８が形成さ
れ、さらにこの第６の半導体層３８の上にＰ形
GaAsからなる第７の半導体層３９が形成されて
いる。４０は、上記第６と第７の半導体層３８，
３９を成長させる際にオートドーピングによつて
形成されたＰ形の領域であり、その深さが段差３
７の底部では第１の半導体層３２の厚み以下とな
つて基板３１まで達しないように、また頂部では
第５の半導体層３６の厚み以下となつて第４の半
導体層３５まで達しないように制御して形成され
ている。４１はＰ形領域用の電極、４２はＮ形領
域用の電極である。
上記実施例の構造では、電極４１と４２との間
に順方向電圧を印加すると、第４の半導体層３５
−第５の半導体層３６−オートドーピングによる
Ｐ形の領域４０のＰ形AlGaAs−Ｎ形GaAs−Ｐ
形GaAsからなる逆バイアス構造によつて第５の
半導体層３６のＰ−Ｎ接合部にはほとんど電流が
流れず、第１の半導体層３２のＰ−Ｎ接合部は段
差３７によつて実効面積が小さいのでやはりこの
Ｐ−Ｎ接合部にもほとんど電流が流れず、したが
つて、大部分の電流が図中の矢印のように拡散電
位の低い第２の半導体層３３のＰ−Ｎ接合部に集
中して、Ｐ形GaAsからなる活性領域４３で効率
のよいレーザー発振が起こる。しかも、第２図に
おける構造と同様に、活性層となる第２の半導体
層３３の横方向に禁制帯巾が広く屈折率の小さい
Ｐ形AlGaAsからなる第６の半導体層３８が位置
してヘテロ接合を形成しているので、低いしきい
値電流でかつ高温まで安定な発振モードが得られ
る。また、構造上、効率のよい熱放散が可能なア
ツプサイドダウンの組み立て方法が採用できる。
に順方向電圧を印加すると、第４の半導体層３５
−第５の半導体層３６−オートドーピングによる
Ｐ形の領域４０のＰ形AlGaAs−Ｎ形GaAs−Ｐ
形GaAsからなる逆バイアス構造によつて第５の
半導体層３６のＰ−Ｎ接合部にはほとんど電流が
流れず、第１の半導体層３２のＰ−Ｎ接合部は段
差３７によつて実効面積が小さいのでやはりこの
Ｐ−Ｎ接合部にもほとんど電流が流れず、したが
つて、大部分の電流が図中の矢印のように拡散電
位の低い第２の半導体層３３のＰ−Ｎ接合部に集
中して、Ｐ形GaAsからなる活性領域４３で効率
のよいレーザー発振が起こる。しかも、第２図に
おける構造と同様に、活性層となる第２の半導体
層３３の横方向に禁制帯巾が広く屈折率の小さい
Ｐ形AlGaAsからなる第６の半導体層３８が位置
してヘテロ接合を形成しているので、低いしきい
値電流でかつ高温まで安定な発振モードが得られ
る。また、構造上、効率のよい熱放散が可能なア
ツプサイドダウンの組み立て方法が採用できる。
さらに、Ｐ形AlGaAsからなる第６の半導体層
３８とＰ形GaAsからなる第７の半導体層３９
は、下地、すなわち第５の半導体層３６の上面か
ら段差３７に沿つて全面成長によつて形成できる
ため、成長の際に前記第１図および第２図の構造
において必須となるSi3N4膜などのマスクを必要
とせず、したがつてマスクの使用によるエピタキ
シヤル成長層の結晶欠陥の発生が避けられる。
３８とＰ形GaAsからなる第７の半導体層３９
は、下地、すなわち第５の半導体層３６の上面か
ら段差３７に沿つて全面成長によつて形成できる
ため、成長の際に前記第１図および第２図の構造
において必須となるSi3N4膜などのマスクを必要
とせず、したがつてマスクの使用によるエピタキ
シヤル成長層の結晶欠陥の発生が避けられる。
以下に、この発明の半導体レーザー装置の製造
工程を、上記一実施例の構造を例として、図にし
たがつて説明する。
工程を、上記一実施例の構造を例として、図にし
たがつて説明する。
第４図で示すように、まず、Ｎ形GaAsからな
る半導体基板３１上に、液相エピタキシヤル成長
法によつて、Ｎ形AlGaAsからなる第１の半導体
層３２、Ｎ形GaAsからなる第２の半導体層３
３、Ｎ形AlGaAsからなる第３の半導体層３４、
Ｐ形AlGaAsからなる第４の半導体層３５および
Ｎ形GaAsからなる第５の半導体層３６を順次形
成する。ついで、第５図で示すように、選択的に
エツチングすることによつて、第５の半導体層３
６の表面の一部領域から、第１の半導体層３２の
所定深さまで貫通する略Ｖ字形の溝３７ａを形成
する。さらに、第６図で示すように、溝３７ａと
第５の半導体層３６との全面にエピタキシヤル成
長によつてＰ形AlGaAsからなる第６の半導体層
３８とＰ形GaAsからなる第７の半導体層３９と
を順次形成し、このとき、オートドーピングによ
つて所定深さまでＰ形の領域４０を形成する。そ
ののち、第７の層３９の表面にＰ形領域用の電極
４１を、基板１の裏面にＮ形領域用の電極４２を
形成する。最後に、第６図の一点鎖線に沿つて切
断すれば、第３図の実施例の構造となり、溝３７
ａは段差３７となる。
る半導体基板３１上に、液相エピタキシヤル成長
法によつて、Ｎ形AlGaAsからなる第１の半導体
層３２、Ｎ形GaAsからなる第２の半導体層３
３、Ｎ形AlGaAsからなる第３の半導体層３４、
Ｐ形AlGaAsからなる第４の半導体層３５および
Ｎ形GaAsからなる第５の半導体層３６を順次形
成する。ついで、第５図で示すように、選択的に
エツチングすることによつて、第５の半導体層３
６の表面の一部領域から、第１の半導体層３２の
所定深さまで貫通する略Ｖ字形の溝３７ａを形成
する。さらに、第６図で示すように、溝３７ａと
第５の半導体層３６との全面にエピタキシヤル成
長によつてＰ形AlGaAsからなる第６の半導体層
３８とＰ形GaAsからなる第７の半導体層３９と
を順次形成し、このとき、オートドーピングによ
つて所定深さまでＰ形の領域４０を形成する。そ
ののち、第７の層３９の表面にＰ形領域用の電極
４１を、基板１の裏面にＮ形領域用の電極４２を
形成する。最後に、第６図の一点鎖線に沿つて切
断すれば、第３図の実施例の構造となり、溝３７
ａは段差３７となる。
なお、以上の説明ではGaAs−AlGaAs系の半
導体材を用いたTJS形レーザーについて述べた
が、この発明はたとえばInGaAsP−InP系などの
他の種々の材料を用いる場合にも適用できること
は言うまでもない。
導体材を用いたTJS形レーザーについて述べた
が、この発明はたとえばInGaAsP−InP系などの
他の種々の材料を用いる場合にも適用できること
は言うまでもない。
以上、詳述したように、この発明の半導体レー
ザー装置は、活性層の横方向に安定なキヤリアと
光の閉じ込め機構を有し、かつ逆バイアス構造を
含み、しかも効率のよい熱放散が可能なアツプサ
イドダウンの組み立てができる構造であり、ま
た、結晶欠陥の原因となるSi3N4などのマスクを
使用せずに製造できるという特徴がある。その結
果、この発明の半導体レーザー装置では、従来の
ものに比較して、低いしきい値電流で高温まで安
定した単一モードのレーザー発振が得られ、寿命
も一桁以上の向上を示し、逆方向不良もほぼ解決
されるという工業的に利用価値の高い優れた効果
が奏される。
ザー装置は、活性層の横方向に安定なキヤリアと
光の閉じ込め機構を有し、かつ逆バイアス構造を
含み、しかも効率のよい熱放散が可能なアツプサ
イドダウンの組み立てができる構造であり、ま
た、結晶欠陥の原因となるSi3N4などのマスクを
使用せずに製造できるという特徴がある。その結
果、この発明の半導体レーザー装置では、従来の
ものに比較して、低いしきい値電流で高温まで安
定した単一モードのレーザー発振が得られ、寿命
も一桁以上の向上を示し、逆方向不良もほぼ解決
されるという工業的に利用価値の高い優れた効果
が奏される。
第１図は従来のTJS形レーザーの基本構造を示
す模式斜視図、第２図は従来のシングルヘテロ形
TJSレーザーを示す模式斜視図、第３図はこの発
明の一実施例を示す模式斜視図、第４ないし第６
図は上記一実施例の装置の製造工程を示す断面図
である。 ３１……第１導電形を有する半導体基板、３２
……第１導電形を有する第１の半導体層、３３…
…第１導電形を有する第２の半導体層、３４……
第１導電形を有する第３の半導体層、３５……第
２導電形を有する第４の半導体層、３６……第１
導電形を有する第５の半導体層、３７……段差、
３８……第２導電形を有する第６の半導体層、３
９……第２導電形を有する第７の半導体層、４０
……オートドーピングによる第２導電形の領域。
なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を
示す。
す模式斜視図、第２図は従来のシングルヘテロ形
TJSレーザーを示す模式斜視図、第３図はこの発
明の一実施例を示す模式斜視図、第４ないし第６
図は上記一実施例の装置の製造工程を示す断面図
である。 ３１……第１導電形を有する半導体基板、３２
……第１導電形を有する第１の半導体層、３３…
…第１導電形を有する第２の半導体層、３４……
第１導電形を有する第３の半導体層、３５……第
２導電形を有する第４の半導体層、３６……第１
導電形を有する第５の半導体層、３７……段差、
３８……第２導電形を有する第６の半導体層、３
９……第２導電形を有する第７の半導体層、４０
……オートドーピングによる第２導電形の領域。
なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を
示す。
Claims (1)
- １ 第１導電形を有する半導体基板上に、基板側
から順次、第１導電形を有する第１の半導体層
と、第１導電形を有する第２の半導体層と、第１
導電形を有する第３の半導体層と、第２導電形を
有する第４の半導体層と、第１導電形を有する第
５の半導体層とが積層形成され、第５の半導体層
表面の一部領域から第１の半導体層の所定深さま
で貫通する段差が形成され、第５の半導体層の表
面から上記段差に沿つて形成されて第１ないし第
５の半導体層の全層と接続して第１，第２，第３
および第５の半導体層との間でＰ−Ｎ接合を持つ
た第２導電形を有する第６の半導体層と、この第
６の半導体層上に形成されて第２導電形を有する
第７の半導体層とを備え、第６の半導体層の下面
に沿つて形成されたオートドーピングによる第２
導電形の領域の厚みが上記第１および第５の半導
体層の厚みより薄く、かつ第２の半導体層の禁制
帯巾が少なくとも第１，第３，第４，および第６
の半導体層の禁制帯巾より狭いことを特徴とする
半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13734180A JPS5760885A (en) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13734180A JPS5760885A (en) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5760885A JPS5760885A (en) | 1982-04-13 |
| JPS6122876B2 true JPS6122876B2 (ja) | 1986-06-03 |
Family
ID=15196373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13734180A Granted JPS5760885A (en) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5760885A (ja) |
-
1980
- 1980-09-29 JP JP13734180A patent/JPS5760885A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5760885A (en) | 1982-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3961996A (en) | Process of producing semiconductor laser device | |
| US4429397A (en) | Buried heterostructure laser diode | |
| JPH0474877B2 (ja) | ||
| JPS5811111B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| KR920000079B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 | |
| US4679199A (en) | High power InGaAsP/InP semiconductor laser with low-doped active layer and very low series resistance | |
| US4728625A (en) | Method of fabricating buried crescent semiconductor laser device by removing a surface portion of substrate around a groove therein | |
| US5596592A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS6122876B2 (ja) | ||
| EP0124051B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP3526519B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0815230B2 (ja) | 埋込みストライプ形半導体レ−ザ−の作成方法及び当該方法により得られるレ−ザ− | |
| JPS6154280B2 (ja) | ||
| JP2942404B2 (ja) | 埋込へテロ構造半導体レーザの製造方法 | |
| JP3084051B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3522151B2 (ja) | 化合物半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0239483A (ja) | 半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
| JPS6062173A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR950005492B1 (ko) | InGaAsP/InP레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2910120B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63220588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5941317B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6244715B2 (ja) | ||
| JPS63244785A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH0430758B2 (ja) |