JPH01115122A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
- Publication number
- JPH01115122A JPH01115122A JP27456187A JP27456187A JPH01115122A JP H01115122 A JPH01115122 A JP H01115122A JP 27456187 A JP27456187 A JP 27456187A JP 27456187 A JP27456187 A JP 27456187A JP H01115122 A JPH01115122 A JP H01115122A
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- Japan
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- wafer
- holder
- wafer holder
- semiconductor wafer
- gas
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程における例えばドライ
エツチング装置に使用して好適なウェハ処理装置に関す
る。
エツチング装置に使用して好適なウェハ処理装置に関す
る。
従来、この種のウェハ処理装置は第２図に示すように構
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものは真空ポンプ（図示せず）
に接続する通路２を有し気密な処理室を形成可能な反応
容器、３および４はこの反応容器１内に臨み各々が互い
に対向する上下２つの電極である。これら電極３．４の
うち上側の電極３には反応ガスを導入する通路５が設け
られており、下側の電極４にはＨｅ等の冷却ガスを導入
する通路６が設けられている。７はこの下側の電極４上
に設けられ半導体ウェハ８の周縁を押圧保持する筒状の
ウェハホルダである。このウェハホルダ７は冷却ガスの
導入によって半導体ウェハ８の浮き上がりを防止する機
能を有し、その上側開口端部には半導体ウェハ８に対す
る反応ガスの過剰な供給を防止するフランジ９が設けら
れている。なお、１０は前記上側の電極３に接続された
高周波電源、１１は前記下側の電極４内に設けられたウ
ェハ冷却用の水路である。
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものは真空ポンプ（図示せず）
に接続する通路２を有し気密な処理室を形成可能な反応
容器、３および４はこの反応容器１内に臨み各々が互い
に対向する上下２つの電極である。これら電極３．４の
うち上側の電極３には反応ガスを導入する通路５が設け
られており、下側の電極４にはＨｅ等の冷却ガスを導入
する通路６が設けられている。７はこの下側の電極４上
に設けられ半導体ウェハ８の周縁を押圧保持する筒状の
ウェハホルダである。このウェハホルダ７は冷却ガスの
導入によって半導体ウェハ８の浮き上がりを防止する機
能を有し、その上側開口端部には半導体ウェハ８に対す
る反応ガスの過剰な供給を防止するフランジ９が設けら
れている。なお、１０は前記上側の電極３に接続された
高周波電源、１１は前記下側の電極４内に設けられたウ
ェハ冷却用の水路である。
このように構成されたウェハ処理装置においては、反応
容器１内に通路５からエツチングガスを導入すると共に
、両電極３，４間に高周波電圧を印加すると、両電極３
．４間に発生するプラズマによる気体電気化学反応によ
って下側の電極４とウェハホルダ７間の半導体ウェハ８
にエツチング処理が施される。このとき、半導体ウェハ
８上方のエツチングガスの流れは第２図に矢印で示すよ
うになる。
容器１内に通路５からエツチングガスを導入すると共に
、両電極３，４間に高周波電圧を印加すると、両電極３
．４間に発生するプラズマによる気体電気化学反応によ
って下側の電極４とウェハホルダ７間の半導体ウェハ８
にエツチング処理が施される。このとき、半導体ウェハ
８上方のエツチングガスの流れは第２図に矢印で示すよ
うになる。
ところで、従来のウェハ処理装置においては、ウェハホ
ルダ７によって電極４上に半導体ウェハ８を押圧保持す
ると、ウェハホルダ７の両開口部のうちウェハ押圧側の
開口部が閉塞されることになり、このため処理時にエツ
チングガスの一部がウェハホルダ７の内部で滞留してい
た。この結果、ウェハ処理時に半導体ウェハ８に対する
反応ガス（エツチングガス）の分布状態が不均一となり
、安定したウェハ処理を行うことができないという問題
があった。
ルダ７によって電極４上に半導体ウェハ８を押圧保持す
ると、ウェハホルダ７の両開口部のうちウェハ押圧側の
開口部が閉塞されることになり、このため処理時にエツ
チングガスの一部がウェハホルダ７の内部で滞留してい
た。この結果、ウェハ処理時に半導体ウェハ８に対する
反応ガス（エツチングガス）の分布状態が不均一となり
、安定したウェハ処理を行うことができないという問題
があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
ウェハに対する反応ガスの分布状態を均一にし、もって
安定したウェハ処理を行うことができるウェハ処理装置
を提供するものである。
ウェハに対する反応ガスの分布状態を均一にし、もって
安定したウェハ処理を行うことができるウェハ処理装置
を提供するものである。
本発明に係るウェハ処理装置は、筒状のウェハホルダの
押圧側開口端部にホルダ内外に開放する複数の切欠きを
設けたものである。
押圧側開口端部にホルダ内外に開放する複数の切欠きを
設けたものである。
本発明においては、処理時にウェハホルダの内部に流入
する反応ガスが切欠きからウェハホルダの外部に流出す
る。
する反応ガスが切欠きからウェハホルダの外部に流出す
る。
第１図は本発明に係るウェハ処理装置を示す断面図で、
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号２１で示すものは前記ウェハホルダ
７と同一の機能を有するウェハホルダで、全体が略均−
の口径をもつ筒体によって形成されており、ウェハ押圧
側の開口端部にはホルダ内外に開放する複数の切欠き２
２が周方向に等間隔を隔てて設けられている。
７と同一の機能を有するウェハホルダで、全体が略均−
の口径をもつ筒体によって形成されており、ウェハ押圧
側の開口端部にはホルダ内外に開放する複数の切欠き２
２が周方向に等間隔を隔てて設けられている。
このように構成されたウェハ処理装置においては、処理
時にウェハホルダ２１の内部に流入するエツチングガス
が第１図に矢印で示すように切欠き２２からウェハホル
ダ２１の外部に流出する。
時にウェハホルダ２１の内部に流入するエツチングガス
が第１図に矢印で示すように切欠き２２からウェハホル
ダ２１の外部に流出する。
このとき、両電極３，４間に発生するプラズマによる気
体電気化学反応によって半導体ウェハ８にエツチング処
理が施される。
体電気化学反応によって半導体ウェハ８にエツチング処
理が施される。
したがって、ウェハ処理時にエツチングガスがウェハホ
ルダ２１の内部で滞留することがなくなり、半導体ウェ
ハ８に対するエツチングガスの分布状態を均一にするこ
とができる。
ルダ２１の内部で滞留することがなくなり、半導体ウェ
ハ８に対するエツチングガスの分布状態を均一にするこ
とができる。
なお、本実施例においては、ウェハホルダ２１として略
均−な口径をもつ筒体によって形成する例を示したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、内周面がテー
パ状に形成されたものでもよく、またフランジレスの筒
体としても差し支えなく、その形状は適宜変更すること
が自由である。
均−な口径をもつ筒体によって形成する例を示したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、内周面がテー
パ状に形成されたものでもよく、またフランジレスの筒
体としても差し支えなく、その形状は適宜変更すること
が自由である。
さらに、本実施例においてはドライエツチング装置に適
用する場合を示したが、本発明はこれに限定適用されず
、この他例えばドライプロセスを利用したＣＶＤ等の成
膜装置にも実施例と同様にして通用することができる。
用する場合を示したが、本発明はこれに限定適用されず
、この他例えばドライプロセスを利用したＣＶＤ等の成
膜装置にも実施例と同様にして通用することができる。
さらにまた、本発明における切欠き２２の形状は例えば
矩形状、あるいは１字状のものとしても何等差し支えな
く、ウェハ押圧保持状態において半導体ウェハ８の電極
４に対する密着性を損なわない形状であるならよい、こ
の場合、切欠き２２の個数も形状と同様にエツチング条
件に応じて変更できることは勿論である。
矩形状、あるいは１字状のものとしても何等差し支えな
く、ウェハ押圧保持状態において半導体ウェハ８の電極
４に対する密着性を損なわない形状であるならよい、こ
の場合、切欠き２２の個数も形状と同様にエツチング条
件に応じて変更できることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、筒状のウェハホル
ダの押圧側開口端部にホルダ内外に開放する複数の切欠
きを設けたので、処理時にウェハホルダの内部に流入す
る反応ガスを切欠きからウェハホルダの外部に流出させ
ることができる。したがって、反応ガスが従来のように
ウェハホルダの内部で滞留することがないから、半導体
ウェハ８に対するエツチングガスの分布状態を均一にす
ることができ、安定したウェハ処理を行うことができる
。
ダの押圧側開口端部にホルダ内外に開放する複数の切欠
きを設けたので、処理時にウェハホルダの内部に流入す
る反応ガスを切欠きからウェハホルダの外部に流出させ
ることができる。したがって、反応ガスが従来のように
ウェハホルダの内部で滞留することがないから、半導体
ウェハ８に対するエツチングガスの分布状態を均一にす
ることができ、安定したウェハ処理を行うことができる
。
第１図は本発明に係るウェハ処理装置を示す断面図、第
２図は従来のウェハ処理装置を示す断面図である。 １・・・・反応容器、３．４・・・・電極、８・・・・
半導体ウェハ、２１・・・・ウエノ１ホルダ、２２・・
・・切欠き。 代 理 人 大岩増雄 第１図 １ ：反に容器 ２２：工万及き
２図は従来のウェハ処理装置を示す断面図である。 １・・・・反応容器、３．４・・・・電極、８・・・・
半導体ウェハ、２１・・・・ウエノ１ホルダ、２２・・
・・切欠き。 代 理 人 大岩増雄 第１図 １ ：反に容器 ２２：工万及き
Claims (1)
- 反応容器内に臨み各々が互いに対向する上下２つの電
極と、これら両電極のうち下側の電極上に設けられ半導
体ウェハを押圧保持する筒状のウェハホルダとを備え、
このウェハホルダの押圧側開口端部にホルダ内外に開放
する複数の切欠きを設けたことを特徴とするウェハ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456187A JPH01115122A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456187A JPH01115122A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115122A true JPH01115122A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17543445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27456187A Pending JPH01115122A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01115122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27456187A patent/JPH01115122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
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