JP2022030376A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機膜が設けられた基板の冷却を図ることができ、且つ、デバイスにダメージが発生するのを抑制することができるプラズマ処理装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、ベースと、前記ベースの一方の面に設けられた複数のデバイスと、前記ベースの一方の面に設けられ、前記複数のデバイスを覆う有機膜と、前記ベースの他方の面に設けられたレジストマスクと、を有する基板を処理するプラズマ処理装置である。前記基板の、前記有機膜が形成された側が載置される静電チャックと、前記静電チャックに冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、を備えている。前記静電チャックは、表面に開口する複数の溝と、厚み方向に貫通する複数の孔と、を有する誘電体と、前記誘電体の内部に設けられた電極と、前記誘電体の前記表面に設けられ、前記複数の溝の開口を覆うフィルムと、を有している。前記冷却ガス供給部は、少なくとも、前記フィルムと、前記複数の溝と、により画された空間に前記冷却ガスを供給する。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

ウェーハなどの板状のベースと、ベースの一方の面（以降、デバイス面と称する）に設けられた複数のデバイスと、ベースの他方の面（以降、裏面と称する）に形成されたレジストマスクと、を有する基板がある。レジストマスクは、例えば、ベースの裏面の所定の領域にイオンを注入するために設けられる。

この様な基板においては、イオンの注入後、基板の裏面側に形成されたレジストマスクを、プラズマ処理などにより除去している。プラズマ処理を行う際には、基板が静電チャックに載置される。この場合、除去対象であるレジストマスクが形成されている基板の裏面側がプラズマ処理空間に向けられ、基板のデバイス面側が静電チャックに載置される。

ところが、基板のデバイス面側には複数のデバイスが設けられている。そのため、複数のデバイスを保護するために、基板のデバイス面側にガラス基板を貼り付ける技術が提案されている。しかしながら、ガラス基板を貼り付けると、基板が静電チャックに吸着されにくくなる。そのため、静電チャックと基板との間に隙間が生じ、静電チャックによる基板の冷却が抑制されて、プラズマ処理の際の熱により、ガラス基板を貼り付けている接着層が変質し易くなる。接着層が変質すると、ガラス基板の剥離が困難となったり、ガラス基板を剥離した際に接着層の一部が基板のデバイス面側に残る場合がある。

また、基板のデバイス面側にシートを貼り付ける技術が提案されている。シートの種類によっては、ガラス基板の場合よりも、基板が静電チャックに吸着され易くなる。しかしながら、静電チャックと基板との間に隙間が生じ易くなることには変わりが無い。そのため、ガラス基板の場合と同様に、シートの剥離が困難となったり、シートを剥離した際に接着層の一部が基板のデバイス面側に残ったりするおそれがある。
また、ガラス基板やシートを基板に貼り付けるようにすると、これらを貼り付ける装置や、これらを除去する装置が別途必要となり、製造コストの増大を招くことになる。

そこで、ガラス基板およびシートに代わるデバイスを保護する方法が求められている。本発明者らは、ガラス基板およびシートに代えて、複数のデバイスを覆う有機膜を、基板のデバイス面側に設ける方法を検討した。有機膜は、厚みを薄くすることができるので、基板が静電チャックに吸着され易くなる。そのため、静電チャックによる有機膜の冷却が容易となるので、有機膜の温度が上昇するのを抑制することができる。また、有機膜の形成はスピンコートなどの既存の技術により行うことができ、有機膜の除去もプラズマ処理やウェット処理などの既存の技術により行うことができる。そのため、有機膜の形成や除去は、既存の装置で対応することができる。

ここで、静電チャックの表面に微細な粒子が付着している場合がある。有機膜は厚みが薄く柔らかいので、静電チャックの表面に微細な粒子が付着していると、静電チャックにより基板を吸着した際に、粒子が有機膜に押し込まれる。この場合、押し込まれた粒子がデバイスに到達するとデバイスにダメージが発生するおそれがある。

また、静電チャックの表面に、変性フッ素樹脂をコーティングする技術が提案されている。（例えば、特許文献１を参照）
しかしながら、基板の冷却を行う静電チャックの場合には、冷却ガスを流す溝を静電チャックの表面に設ける必要がある。表面に溝を有する静電チャックに対して、変性フッ素樹脂のコーティングを行うと、溝が変性フッ素樹脂により塞がれて、冷却ガスを用いた冷却が困難となる。

そこで、有機膜が設けられた基板の冷却を図ることができ、且つ、デバイスにダメージが発生するのを抑制することができるプラズマ処理装置の開発が望まれていた。

特開２００８－９１３５３号公報

本発明が解決しようとする課題は、有機膜が設けられた基板の冷却を図ることができ、且つ、デバイスにダメージが発生するのを抑制することができるプラズマ処理装置を提供することである。

実施形態に係るプラズマ処理装置は、ベースと、前記ベースの一方の面に設けられた複数のデバイスと、前記ベースの一方の面に設けられ、前記複数のデバイスを覆う有機膜と、前記ベースの他方の面に設けられたレジストマスクと、を有する基板を処理するプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置は、前記基板の、前記有機膜が形成された側が載置される静電チャックと、前記静電チャックに冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、を備えている。前記静電チャックは、表面に開口する複数の溝と、厚み方向に貫通する複数の孔と、を有する誘電体と、前記誘電体の内部に設けられた電極と、前記誘電体の前記表面に設けられ、前記複数の溝の開口を覆うフィルムと、を有している。前記冷却ガス供給部は、少なくとも、前記フィルムと、前記複数の溝と、により画された空間に前記冷却ガスを供給する。

本発明の実施形態によれば、有機膜が設けられた基板の冷却を図ることができ、且つ、デバイスにダメージが発生するのを抑制することができるプラズマ処理装置が提供される。

基板の模式断面図である。 本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。 静電チャックの構成を例示するための模式断面図である。 静電チャックの模式平面図である。 比較例に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、フィルムの作用を例示するための模式断面図である。 フィルムの効果を例示するためのグラフ図である。 他の実施形態に係る静電チャックの構成を例示するための模式断面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。また、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（基板１００）
まず、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１により処理される基板１００を例示する。
図１は、基板１００の模式断面図である。
図１に示すように、基板１００には、ベース１０１、デバイス１０２、レジストマスク１０３、および有機膜１０４を設けることができる。

ベース１０１は、板状体とすることができる。ベース１０１は、例えば、ウェーハなどの半導体基板とすることができる。ベース１０１は、裏面１０１ａとデバイス面１０１ｂを有する。ベース１０１の裏面１０１ａには、凹部１０１ａ１が設けられている。凹部１０１ａ１は、例えば、ベース１０１の裏面１０１ａを研磨することで形成することができる。凹部１０１ａ１は、必ずしも必要ではないが、凹部１０１ａ１が設けられていれば、ベース１０１の、複数のデバイス１０２が形成されている領域の厚みを薄くすることができる。そのため、ベース１０１の裏面１０１ａ側から、デバイス１０２が形成される領域にイオンなどを注入するのが容易となる。

複数のデバイス１０２は、ベース１０１のデバイス面１０１ｂに設けられている。デバイス１０２の種類、数、配置などには、特に限定がない。デバイス１０２は、例えば、裏面電極を有するパワートランジスタなどとすることができる。複数のデバイス１０２は、既知の半導体製造プロセスにより形成することができるので、製造などに関する詳細な説明は省略する。

レジストマスク１０３は、凹部１０１ａ１の底面に設けることができる。レジストマスク１０３は、凹部１０１ａ１の底面の所定の領域にイオンなどを注入するために設けられている。例えば、レジストマスク１０３は、いわゆるインプラレジストマスクなどとすることができる。レジストマスク１０３は、例えば、既知のフォトリソグラフィ法により形成することができるので、製造などに関する詳細な説明は省略する。

なお、プラズマ処理装置１により処理される基板１００は、イオンの注入後の基板１００である。そのため、レジストマスク１０３の表面には、イオンの注入工程において、イオンがレジストマスク１０３に入射することで形成された硬化層がある。

有機膜１０４は、ベース１０１のデバイス面１０１ｂに設けられ、複数のデバイス１０２を覆っている。有機膜１０４は、複数のデバイス１０２を保護するために設けられている。有機膜１０４の厚みには特に限定がなく、複数のデバイス１０２が有機膜１０４により覆われていればよい。特に、保護膜として使用後の除去のし易さおよび除去時間の短縮を考慮すると、有機膜１０４の厚みは、出来るだけ薄いことが好ましい。

ただし、有機膜１０４の厚みが薄くなり過ぎると、後述する粒子２００が有機膜１０４に押し付けられた際に、粒子２００がデバイス１０２に到達するおそれがある（例えば、図５を参照）。一般的に、デバイス１０２の厚みは数百ｎｍ程度であるため、有機膜１０４の厚みは、例えば、１μｍ以上とすることができる。より好ましくは、３μｍ以上、１０μｍ以下である。本実施形態では、有機膜の厚みは、３μｍである。有機膜１０４は、例えば、フォトレジストやポリイミドなどの樹脂を含むことができる。有機膜１０４は、例えば、既知のスピンコート法などにより形成することができるので、製造などに関する詳細な説明は省略する。なお、有機膜１０４の厚みとは、デバイス１０２の最も厚みのある部分がカバーされる厚さｔである（図１参照）。厚さｔは、例えば、ＴＥＭやＳＥＭで基板１００の断面を確認することで確認するようにすればよい。

（プラズマ処理装置１）
次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１について例示する。
なお、以下においては、一例として、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマ処理装置を例示するが、プラズマの発生方法はこれに限定されるわけではない。例えば、プラズマ処理装置は、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理装置や、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）を用いたプラズマ処理装置などであってもよい。

ただし、前述したように、除去対象であるレジストマスク１０３の表面には、イオンの注入工程で形成された硬化層がある。そのため、ラジカルなどによる化学的な除去が困難な硬化層を、イオンにより物理的に除去することが好ましい。この場合、二周波プラズマ処理装置とすれば、基板１００に引き込むイオンのエネルギーを制御することができるので、硬化層の除去が容易となる。そのため、プラズマ処理装置１は、二周波プラズマ処理装置とすることが好ましい。
なお、プラズマ処理装置１の一般的な動作や、レジストマスク１０３を除去する際のプロセス条件などには既知の技術を適用することができるので、これらの詳細な説明は省略する。

図２は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式断面図である。 図２に示すように、プラズマ処理装置１には、チャンバ２、電源ユニット３、電源ユニット４、減圧部５、ガス供給部６、載置部７、およびコントローラ８を設けることができる。

コントローラ８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを有することができる。コントローラ８は、例えば、コンピュータとすることができる。コントローラ８は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。なお、各要素の動作を制御する制御プログラムには既知の技術を適用することができるので、詳細な説明は省略する。

チャンバ２は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ２は、例えば、略円筒形状を呈している。チャンバ２は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。チャンバ２は、接地することができる。

チャンバ２の側面には、基板１００の搬入と搬出を行うための孔２ａを設けることができる。チャンバ２の孔２ａが設けられた部分には、ロードロックチャンバ２１を接続することができる。ロードロックチャンバ２１にはゲートバルブ２２を設けることができる。プラズマ処理を行う際には、ゲートバルブ２２により孔２ａが気密となるように閉鎖される。基板１００の搬入と搬出を行う際には、ゲートバルブ２２により孔２ａがロードロックチャンバ２１と連通される。

チャンバ２の天井には、窓２３が気密となるように設けられている。窓２３は、板状を呈している。窓２３は、電磁場を透過させることができる。窓２３は、プラズマ処理を行った際にダメージを受けにくい材料から形成することができる。窓２３は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

チャンバ２の内部には、遮蔽体２４を設けることができる。プラズマ処理を行うと反応生成物が生成される。反応生成物がチャンバ２の内壁に堆積し、堆積した反応生成物が剥がれ落ちるとパーティクルなどの汚染物となる。また、堆積量が多くなると、処理環境が変動して処理レートが変動したり、製品品質にバラツキが生じたりする。そのため、定期的に、あるいは反応生成物の堆積量に応じてクリーニングが行われる。この場合、チャンバ２の内壁などをクリーニングすることもできるが、手間、時間、費用がかかることになる。

そこで、チャンバ２の内部には、遮蔽体２４が設けられている。遮蔽体２４は、筒状を呈し、例えば、載置部７の上面および窓２３の表面以外の部分を覆うように設けることができる。遮蔽体２４は、例えば、アルミニウム合金などから形成され、表面にアルマイト処理やセラミック溶射処理（アルミナ、イットリウムなど）などを施すことができる。遮蔽体２４が設けられていれば、クリーニングの際に遮蔽体２４を交換すればよいので、クリーニングに要する手間などを大幅に削減することができる。

電源ユニット３は、チャンバ２の内部空間においてプラズマＰを発生させる。
電源ユニット３は、例えば、アンテナ３１、整合器３２、および電源３３を有する。

アンテナ３１は、チャンバ２の外部であって、窓２３の上に設けることができる。アンテナ３１は、整合器３２を介して電源３３と電気的に接続されている。アンテナ３１は、例えば、電磁場を発生させる複数のコイルと、複数のコンデンサとを有することができる。
整合器３２は、電源３３側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。

電源３３は、高周波電源とすることができる。電源３３は、例えば、１００ＫＨｚ～１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力をアンテナ３１に印加する。この場合、電源３３は、プラズマＰの発生に適した周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を有する高周波電力をアンテナ３１に印加する。また、電源３３は、出力する高周波電力の周波数を変化させるものとすることもできる。

電源ユニット４は、いわゆるバイアス制御のために設けられている。すなわち、電源ユニット４は、基板１００に引き込むイオンのエネルギーを制御するために設けられている。前述したように、レジストマスク１０３の表面には硬化層が形成されている。硬化層は硬さが硬く、また、ラジカルなどによる化学的な除去が難しい。本実施の形態に係るプラズマ処理装置１には、電源ユニット４が設けられているので、基板１００に引き込むイオンのエネルギーを制御することでイオンによるスパッタ効果を生じさせ易くなる。そのため、硬化層の物理的な除去が容易となる。

電源ユニット４は、例えば、ベース４１、整合器４２、および電源４３を有する。
ベース４１は、絶縁部材４１ａを介して、チャンバ２の底部に設けられている。ベース４１は、整合器４２を介して電源４３と電気的に接続されている。また、ベース４１の上には、静電チャック７１を設けることができる。ベース４１は、電源４３により高周波電力が印加される電極となるとともに、静電チャック７１を支持する支持台となる。この場合、ベース４１は、内部に冷却水を流す流路を有し、静電チャック７１の冷却を行うこともできる。ベース４１は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。

整合器４２は、ベース４１と電源４３との間に電気的に接続されている。整合器４２は、電源４３側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などを備えることができる。

電源４３は、高周波電源とすることができる。電源４３は、イオンを引き込むために適した周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ以下）を有する高周波電力をベース４１に印加する。

減圧部５は、チャンバ２の内部を所定の圧力まで減圧する。減圧部５は、例えば、レジストマスク１０３の除去を行う際に、チャンバ２の内部の圧力が１００Ｐａ以下となるようにすることができる。

減圧部５は、例えば、開閉バルブ５１、ポンプ５２、および圧力コントローラ５３を有する。
開閉バルブ５１は、チャンバ２の側面に設けられた孔２ｂに接続されている。開閉バルブ５１は、チャンバ２とポンプ５２との間の流路の開閉を行う。開閉バルブ５１は、例えば、ポペットバルブとすることができる。

ポンプ５２は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。

圧力コントローラ５３は、開閉バルブ５１とポンプ５２との間に設けることができる。圧力コントローラ５３は、チャンバ２の内部圧力を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ２の内部圧力が所定の圧力となるように制御する。圧力コントローラ５３は、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。

ガス供給部６は、チャンバ２の側面に設けられた複数のノズル２ｃを介して、チャンバ２の内部空間にガスＧを供給する。例えば、複数のノズル２ｃは、チャンバ２の中心軸周りに略等間隔で設けることができる。この様にすれば、プラズマＰが発生する領域においてガスＧの濃度がばらつくのを抑制することができる。

ガス供給部６は、例えば、ガス源６１、ガスコントローラ６２、および開閉バルブ６３を有する。
ガス源６１は、ガスコントローラ６２および開閉バルブ６３を介して、チャンバ２の内部にガスＧを供給する。ガス源６１は、例えば、ガスＧを収納した高圧ボンベなどとすることができる。また、ガス源６１は、例えば、工場配管などであってもよい。

ガスＧは、プラズマＰにより励起、活性化された際に、基板１００に設けられたレジストマスク１０３と反応するラジカルが生成されるものとすることができる。ガスＧは、例えば、酸素ガス、酸素ガスとヘリウムガスの混合ガスなどとすることができる。なお、プラズマＰにより励起、活性化されたガスＧのことをエッチャントと呼ぶこともある。

ガスコントローラ６２は、ガス源６１とチャンバ２の間に設けることができる。ガスコントローラ６２は、ガス源６１から供給されたガスＧの流量および圧力の少なくともいずれかを制御する。ガスコントローラ６２は、例えば、ＭＦＣ（Mass Flow Controller）などとすることができる。

開閉バルブ６３は、ガスコントローラ６２とチャンバ２の間に設けることができる。開閉バルブ６３は、ガスＧの供給の開始と供給の停止を制御する。開閉バルブ６３は、例えば、２ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ６３の機能をガスコントローラ６２に持たせることもできる。

載置部７は、例えば、静電チャック７１、絶縁リング７２、マスクリング７３、電源ユニット７４、および冷却ガス供給部７５を有する。また、載置部７には、図示しない搬送装置と静電チャック７１との間で基板１００の受け渡しを行うリフトピン７６をさらに設けることもできる（例えば、図６（ａ）、（ｂ）を参照）。

静電チャック７１には、基板１００の、有機膜１０４が形成された側が載置される。静電チャック７１は、静電力を発現させて、基板１００を吸着する。静電チャック７１は、クーロン力を用いるものであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力を用いるものであってもよい。以下においては、一例として、静電チャック７１が、クーロン力を用いるものである場合を説明する。

また、静電チャック７１は、レジストマスク１０３の除去を行う際に、基板１００を冷却して、基板１００の温度が高くなり過ぎないようする。すなわち、静電チャック７１は、基板１００を吸着する機能と、基板１００を冷却する機能を有する。

図３は、静電チャック７１の構成を例示するための模式断面図である。
図４は、静電チャック７１の模式平面図である。
図３に示すように、静電チャック７１は、ベース４１の上に設けられている。
静電チャック７１は、例えば、誘電体７１ａ、電極７１ｂ、および、フィルム７１ｃを有する。

誘電体７１ａは、中央領域の厚みが、中央領域を囲む周縁領域の厚みよりも厚い、段付き状を呈している。誘電体７１ａの周縁領域は、ネジなどの締結部材を用いてベース４１に取り付けることができる。誘電体７１ａは、酸化アルミニウムなどのセラミックスから形成することができる。
図３および図４に示すように、誘電体７１ａの表面には、複数の溝７１ａ１が設けられている。複数の溝７１ａ１は、誘電体７１ａの表面に開口している。この場合、複数の溝７１ａ１を複数の群に分け、１つの群に含まれる溝７１ａ１同士を連通させることができる。例えば、図４に示すように、複数の溝７１ａ１を３つの群７１ａａ～７１ａｃに分け、群７１ａａに含まれる溝７１ａ１同士を連通させ、群７１ａｂに含まれる溝７１ａ１同士を連通させ、群７１ａｃに含まれる溝７１ａ１同士を連通させることができる。

また、誘電体７１ａには、複数の溝７１ａ１に接続される複数の第１の孔７１ａ２を設けることができる。複数の第１の孔は、複数の溝７１ａ１に後述する冷却ガスＧ１を供給する給気孔７１ａ２ａと、複数の溝７１ａ１に供給された冷却ガスＧ１を排出する排気孔７１ａ２ｂとに区分することができる。給気孔７１ａ２ａには、後述する冷却ガス供給部７５を接続することができる。排気孔７１ａ２ｂには、図示しない排気管などを接続することができる。例えば、１つの群７１ａａ（７１ａｂ、７１ａｃ）に含まれる溝７１ａ１に、少なくとも１つの給気孔７１ａ２ａと、排気孔７１ａ２ｂとを接続することができる。

給気孔７１ａ２ａを介して複数の溝７１ａ１に供給された冷却ガスＧ１は、複数の溝７１ａ１の内部を流れた後、排気孔７１ａ２ｂを介して図示しない排気管などに排出される。すなわち、複数の溝７１ａ１は、冷却ガス供給部７５から供給された冷却ガスＧ１が流れる流路となる。

また、誘電体７１ａには、厚み方向に貫通する複数の孔７１ａ３（第２の孔の一例に相当する）を設けることができる。複数の孔７１ａ３のそれぞれには、リフトピン７６を設けることができる（例えば、図６（ａ）、（ｂ）を参照）。
また、孔７１ａ３に接続された溝７１ａ１と、この溝７１ａ１に接続された給気孔７１ａ２ａを設けることができる。給気孔７１ａ２ａを介して溝７１ａ１に供給された冷却ガスＧ１は、溝７１ａ１の内部を流れた後、孔７１ａ３を介して静電チャック７１の外部に排出される。

電極７１ｂは、板状を呈し、誘電体７１ａの内部に設けられている。電極７１ｂは、単極型であってもよいし、双極型であってもよい。例えば、双極型の場合には、同一平面上に２つの電極７１ｂを並べて設けることができる。電極７１ｂは、例えば、タングステンやモリブデンなどの金属から形成することができる。

フィルム７１ｃは、膜状を呈し、誘電体７１ａの表面に設けられている。フィルム７１ｃは、複数の溝７１ａ１の開口を覆っている。フィルム７１ｃは、例えば、ポリイミドやフッ素樹脂を含むことができる。

この場合、ポリイミドを含むフィルム７１ｃとすれば、フィルム７１ｃを誘電体７１ａの表面に接合したり、フィルム７１ｃを誘電体７１ａの表面から剥離したりするのが容易となる。すなわち、ポリイミドを含むフィルム７１ｃとすれば、メンテナンス性の向上を図ることができる。

また、フッ素樹脂を含むフィルム７１ｃとすれば、ラジカルに対する耐性が向上するとともに、フィルム７１ｃの表面が汚れるのを抑制することができる。例えば、基板１００が静電チャック７１に吸着され、レジストマスク１０３の除去を行った際に、有機膜１０４とフィルム７１ｃが接触し擦れる場合がある。有機膜１０４とフィルム７１ｃが接触し擦れると、有機膜１０４の材料が一部剥離し、粒子２００が発生するおそれがある。フッ素樹脂を含むフィルム７１ｃとすれば、有機膜１０４がフィルム７１ｃと擦れた際の摩擦力を低減させることができる。

また、フィルム７１ｃと誘電体７１ａとの間に接合部７１ｃ１が設けられている。接合部７１ｃ１は、接着剤が硬化することで形成された層や、粘着テープなどとすることができる。

この場合、接合部７１ｃ１が溝７１ａ１の内部に侵入すると冷却ガスＧ１の流通が阻害されるおそれがある。接合部７１ｃ１が粘着テープであれば、接合部７１ｃ１が溝７１ａ１の内部に侵入するのを抑制することが容易となる。また、フィルム７１ｃの貼り付け作業、およびフィルム７１ｃの剥離作業が容易となる。

また、接合部７１ｃ１の厚みとフィルム７１ｃの厚みの合計が大きくなり過ぎると、基板１００を吸着する力が弱くなったり、基板１００の冷却が抑制されたりするおそれがある。そのため、接合部７１ｃ１の厚みとフィルム７１ｃの厚みの合計は、１００μｍ以下とすることが好ましい。

また、フィルム７１ｃの表面の凹凸が大きくなり過ぎると、フィルム７１ｃと基板１００（有機膜１０４）との間の隙間が大きくなって、基板１００を吸着する力が弱くなったり、静電チャック７１による基板１００の冷却が抑制されたりする。

前述したように、接合部７１ｃ１の厚みとフィルム７１ｃの厚みは薄いので、誘電体７１ａの表面の凹凸が、フィルム７１ｃの表面に転写される。そのため、誘電体７１ａの表面の算術平均粗さＲａは、０．３μｍ以下とすることが好ましい。この様にすれば、フィルム７１ｃの表面の凹凸を小さくすることができる。

図５は、比較例に係る静電チャック１７１を例示するための模式断面図である。
静電チャック１７１には、誘電体７１ａおよび電極７１ｂが設けられているが、フィルム７１ｃは設けられていない。そのため、誘電体７１ａの表面に基板１００の有機膜１０４が直接接触する。
また、前述したように、冷却ガス供給部７５から、給気孔７１ａ２ａと溝７１ａ１を介して、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３に冷却ガスＧ１が供給される。

前述したように、誘電体７１ａは、酸化アルミニウムなどのセラミックスから形成されている。そのため、フィルム７１ｃが無い静電チャック１７１に基板１００が保持される場合、基板１００と静電チャック１７１の誘電体７１ａとが接触する。基板１００と静電チャック１７１の誘電体７１ａとが接触することで、セラミックを含む微細な粒子が発生するおそれがある。また、プラズマによる熱によって、基板１００と誘電体７１ａが膨張する。基板１００と誘電体７１ａとは、膨張係数が異なるので、膨張した際に擦れるおそれもある。このため、誘電体７１ａの表面には、セラミックスなどを含む微細な粒子２００が付着している場合がある。誘電体７１ａの表面に粒子２００が付着していると、図５に示すように、基板１００が静電チャック１７１に吸着された際に、誘電体７１ａの表面にある粒子２００が有機膜１０４の内部に押し入れられる。

また、誘電体７１ａの溝７１ａ１は、一般的に切削して形成される。このため、バリが溝７１ａ１に形成されているおそれもある。溝７１ａ１には冷却ガスＧ１が流れるので、プラズマ処理中にバリが溝７１ａ１から剥離し、粒子２００となるおそれがある。また、後述の冷却ガス供給部７５は、不図示のフィルタを介して冷却ガスＧ１を供給している。しかし、フィルタから漏れてしまった粒子２００や、フィルタを経た後、溝７１ａ１までの経路の間に存在していた粒子２００が冷却ガスＧ１に含まれるおそれもある。そのため、フィルム７１ｃが無い静電チャック１７１では、溝７１ａ１の内部にある粒子２００が、冷却ガスＧ１により有機膜１０４の内部に押し入れられる場合がある。

また、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３には冷却ガスＧ１が流れるので、孔７１ａ３の場合にも、溝７１ａ１と同様に、孔７１ａ３の内壁にある粒子２００が、冷却ガスＧ１により有機膜１０４の内部に押し入れられる場合がある。

この場合、粒子２００の粒子径が、デバイス１０２の端部と有機膜１０４の表面との間の距離よりも大きいと、押し入れられた粒子２００がデバイス１０２に到達し、デバイス１０２にダメージが発生するおそれがある。

図６（ａ）、（ｂ）は、フィルム７１ｃの作用を例示するための模式断面図である。
前述したように、フィルム７１ｃは、誘電体７１ａの表面に設けられている。そのため、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、誘電体７１ａの表面に粒子２００が付着していたとしても、フィルム７１ｃにより、粒子２００が有機膜１０４の内部に押し入れられるのを抑制することができる。

また、前述したように、フィルム７１ｃは、複数の溝７１ａ１の開口を覆っている。そのため、溝７１ａ１の内壁にある粒子２００が、冷却ガスＧ１により有機膜１０４の内部に押し入れられるのを抑制することができる。

ここで、静電チャック７１と図示しない搬送装置との間で基板１００を受け渡す際には、リフトピン７６の先端を誘電体７１ａの表面から突出させて、基板１００を静電チャック７１の上方に持ち上げる。そのため、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、フィルム７１ｃは、孔７１ａ３の開口を覆っていない。

フィルム７１ｃが孔７１ａ３の開口を覆っていないと、図６（ａ）に示すように、孔７１ａ３に供給された冷却ガスＧ１により、孔７１ａ３の内壁にある粒子２００が、有機膜１０４の内部に押し入れられる場合がある。この場合、複数の溝７１ａ１は、誘電体７１ａの表面の全領域に形成されているが、孔７１ａ３の数は３つ程度である。そのため、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給したとしても、有機膜１０４の内部に押し入れられる粒子２００の数は僅かなものとなる。

また、図６（ｂ）に示すように、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないようにすることもできる。前述したように、孔７１ａ３の数は３つ程度であるため、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないようにしても、基板１００の冷却効果に及ぼす影響は小さくて済む。一方、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないようにすれば、孔７１ａ３の内壁にある粒子２００が、有機膜１０４の内部に押し入れられるのを抑制することができる。

図７は、フィルム７１ｃの効果を例示するためのグラフ図である。
図７中の「Ａ１」、「Ａ２」は、比較例に係る静電チャック１７１において、有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。すなわち、フィルム７１ｃが設けられていない場合に有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。「Ａ２」は、粒子２００の粒子径が５μｍ以上の場合である。すなわち、「Ａ２」は、前述したデバイス１０２にダメージが発生し得る程度の大きさを有する粒子２００の数を表している。「Ａ１」は、粒子２００の粒子径が０．３μ以上、５μｍ未満の場合である。すなわち、「Ａ１」は、デバイス１０２の損傷が発生し得る程度の大きさを有する粒子２００を除いたほぼ全ての大きさの粒子２００の数を表している。

「Ｂ１」は、図６（ａ）に例示をした本実施の形態に係る静電チャック７１において、有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。すなわち、フィルム７１ｃが設けられている場合に有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。
「Ｂ２」は、粒子２００の粒子径が５μｍ以上の場合である。すなわち、「Ｂ２」は、前述したデバイス１０２にダメージが発生し得る程度の大きさを有する粒子２００の数を表している。
「Ｂ１」は粒子２００の粒子径が０．３μｍ以上、５μｍ未満の場合である。すなわち、「Ｂ１」は、デバイス１０２の損傷が発生し得る程度の大きさを有する粒子２００を除いたほぼ全ての大きさの粒子２００の数を表している。また、「Ｂ１」、および「Ｂ２」は、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給した場合に、有機膜１０４の表面に付着した各粒径の粒子２００の付着数である。

「Ｃ１」は、図６（ｂ）に例示をした本実施の形態に係る静電チャック７１において、有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。すなわち、フィルム７１ｃが設けられている場合に有機膜１０４の表面に付着した粒子２００の数を表している。「Ｃ１」は粒子２００の粒子径が０．３μｍ以上、５μｍ未満の場合である。すなわち、「Ｃ１」は、デバイス１０２の損傷が発生し得る程度の大きさを有する粒子２００を除いたほぼ全ての大きさの粒子２００の数を表している。また、「Ｃ１」は、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しない場合に、有機膜１０４の表面に付着した粒子径が０．３μｍ以上、５μｍ未満の粒子２００の付着数である。

図７から分かるように、フィルム７１ｃにより、複数の溝７１ａ１の開口が覆われていれば、有機膜１０４の表面に付着するほぼ全ての大きさの粒子２００の数を減らすことができる。つまり、有機膜１０４に付着する粒子２００を抑制することができる。
また、デバイス１０２にダメージが発生し得る程度の大きさを有する粒子２００が、有機膜１０４の表面に付着する数を減らすことができる。つまり、デバイス１０２の損傷が発生し得る５μｍ以上の大きさを有する粒子の発生を防止することができる。
特に、フィルム７１ｃにより、複数の溝７１ａ１の開口が覆われ、かつ、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しない場合、デバイス１０２にダメージが発生し得る程度の大きさを有する粒子２００が、有機膜１０４の表面に付着するのを無くすことができた。

「Ｂ１」と「Ｃ１」を比較すると、「Ｃ１」の方が粒子２００の数が少ない。前述したように、「Ｂ１」は、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給した場合である。そのため、図６（ｂ）に例示をした様に、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないようにすれば、有機膜１０４の表面に付着する粒子２００の数をさらに少なくすることができる。

本発明者は、確認のため、アルミニウム製の基板の表面に厚みが３μｍの有機膜１０４を形成し、粒子２００による圧痕が基板の表面に発生するか否かの実験を行った。なお、圧痕は、平面寸法が、５μｍ×５μｍ以上の傷や窪みなどとしている。

静電チャック１７１の場合（フィルム７１ｃが設けられていない場合）には、６７個の圧痕が発生した。
静電チャック７１の場合（フィルム７１ｃが設けられている場合）には、図６（ａ）および図６（ｂ）に記載のどちらの静電チャック７１の場合も圧痕の発生はなかった。
図６（ａ）の場合、デバイス１０２にダメージが発生し得る程度の大きさの粒子２００が有機膜１０４の表面に数個付着していたが、本実験では圧痕の発生は無かった。例えば、リフトピン７６を設けるための孔７１ａ３の部分は、静電チャック７１の吸着力が働かない。このため、有機膜１０４の表面に付着した粒子２００が有機膜１０４に押し込まれることが無かったので、圧痕が発生しなかったと考えられる。
このことは、フィルム７１ｃを設ければ、デバイス１０２にダメージが発生するのを抑制できることを意味する。

次に、図２に戻って、載置部７に設けられた他の要素について説明する。
図２に示すように、絶縁リング７２は、筒状を呈し、チャンバ２の底部に設けられている。絶縁リング７２は、ベース４１の側面を覆っている。絶縁リング７２は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。

マスクリング７３は、筒状を呈し、静電チャック７１の誘電体７１ａの周縁領域に設けられている。マスクリング７３は、静電チャック７１の中央領域を囲んでいる。マスクリング７３をこのように配置することで、誘電体７１ａの周縁近傍がエッチャントに曝されることを防ぐことができる。そのため、誘電体７１ａの周縁領域に設けられている、前述した締結部材がエッチャントにより損傷するのを抑制することができる。

マスクリング７３は、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。
また、マスクリング７３が設けられていれば、レジストマスク１０３の除去を行う際に、エッチャントが有機膜１０４の周端面に到達するのを抑制することができる。そのため、有機膜１０４の周端面が分解されて、有機膜１０４の材料が静電チャック７１の表面に付着するのを抑制することができる。

電源ユニット７４は、例えば、直流電源７４ａ、および切り替えスイッチ７４ｂを有する。直流電源７４ａは、静電チャック７１の電極７１ｂと電気的に接続されている。直流電源７４ａにより、電極７１ｂに電圧が印加されると、電極７１ｂの基板１００側の面に電荷が発生する。そのため、電極７１ｂと基板１００との間に静電力が発生し、発生した静電力により、基板１００が静電チャック７１に吸着される。

切り替えスイッチ７４ｂは、直流電源７４ａと、静電チャック７１の電極７１ｂとの間に電気的に接続され、基板１００の吸着と、吸着の解除とを切り替える。

冷却ガス供給部７５は、静電チャック７１に冷却ガスＧ１を供給する。例えば、冷却ガス供給部７５は、誘電体７１ａに設けられた孔７１ａ２ａを介して溝７１ａ１に冷却ガスＧ１を供給する。前述したように、冷却ガス供給部７５は、複数の溝７１ａ１と、リフトピン７６を設けるための複数の孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給することができる。また、冷却ガス供給部７５は、複数の溝７１ａ１に冷却ガスＧ１を供給し、複数の孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないようにすることもできる。
すなわち、冷却ガス供給部７５は、少なくとも、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に冷却ガスＧ１を供給する。

冷却ガス供給部７５は、例えば、ガス源７５ａ、ガスコントローラ７５ｂ、および開閉バルブ７５ｃを有する。ガス源７５ａは、例えば、冷却ガスＧ１を収納した高圧ボンベなどとすることができる。また、ガス源７５ａは、例えば、工場配管などであってもよい。冷却ガスＧ１は、例えば、ヘリウムガスなどとすることができる。

ガスコントローラ７５ｂは、ガス源７５ａと静電チャック７１との間に設けることができる。ガスコントローラ７５ｂは、ガス源７５ａから供給された冷却ガスＧ１の流量を制御する。ガスコントローラ７５ｂは、例えば、ＭＦＣなどとすることができる。例えば、ガスコントローラ７５ｂは、図示しない圧力計による、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間の圧力の検出値が、４００Ｐａ～２０００Ｐａとなるように、冷却ガスＧ１の供給流量を制御することができる。

また、ガスコントローラ７５ｂは、レジストマスク１０３の除去を行う際に、図示しない温度計による基板１００の表面温度の検出値が８０℃以下となるように、冷却ガスＧ１の流量を制御することができる。例えば、ガスコントローラ７５ｂは、図示しない温度計による静電チャック７１の温度の検出値が２５℃以下となるようにすることで、基板１００の表面温度が８０℃以下となるようにすることができる。

開閉バルブ７５ｃは、ガスコントローラ７５ｂと静電チャック７１との間に設けることができる。開閉バルブ７５ｃは、冷却ガスＧ１の供給の開始と供給の停止を制御する。開閉バルブ７５ｃは、例えば、２ポート電磁弁などとすることができる。なお、開閉バルブ７５ｃの機能をガスコントローラ７５ｂに持たせることもできる。

ここで、前述したように、フィルム７１ｃは、複数の溝７１ａ１の開口を覆っている。そのため、複数の溝７１ａ１に供給された冷却ガスＧ１は、フィルム７１ｃを介して、基板１００の冷却を行う。この場合、冷却効果を向上させるために、冷却ガスＧ１の温度は常温以下（例えば、２５℃以下）とすることが好ましい。

例えば、冷却ガス供給部７５は、供給する冷却ガスＧ１を冷却する冷却器７５ｄをさらに有することもできる。冷却器７５ｄは、例えば、冷却ガスＧ１の温度が－２０℃以下となるように冷却ガスＧ１を冷却する熱交換器などとすることができる。なお、液化された冷却ガスＧ１を気化させて冷却ガスＧ１としてもよい。この様にすれば、冷却器７５ｄを設けなくても、－２０℃以下の冷却ガスＧ１を静電チャック７１に供給することができる。

ここで、比較例に係る静電チャック１７１の表面には、微細な粒子２００が付着している場合がある（図５を参照）。有機膜１０４は、厚みが薄く柔らかいので、静電チャック１７１の表面に微細な粒子２００が付着していると、静電チャック１７１により基板１００を吸着した際に、粒子２００が有機膜１０４に押し込まれる。押し込まれた粒子２００がデバイス１０２に到達するとデバイス１０２にダメージが発生するおそれがある。

本実施の形態の静電チャック７１は、表面に開口する複数の溝７１ａ１と、厚み方向に貫通する複数の孔７１ａ３と、を有する誘電体誘電体７１ａと、誘電体７１ａの表面に設けられ、複数の溝７１ａ１の開口を覆うフィルム７１ｃを有し、冷却ガス供給部７５は、少なくとも、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に冷却ガスＧ１を供給する。

フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に冷却ガスＧ１を供給すれば、フィルム７１ｃに冷却ガスＧ１が直接接触する。そのため、冷却ガスＧ１により、誘電体７１ａを介してフィルム７１ｃを冷却するよりも伝熱効率が良い。

また、本実施の形態では、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間と孔７１ａ３とに冷却ガスＧ１を供給することができる。このようにすることで、デバイス１０２にダメージを与えるおそれのある粒径の粒子２００の発生を抑制しつつ、それよりも小さな粒径の粒子２００が有機膜１０４に付着する付着数を少なくすることができる。さらに、孔７１ａ３から基板１００とフィルム７１ｃとの間に冷却ガスＧ１を供給することができるので、冷却効率が良い。

また、本実施の形態では、孔７１ａ３は、給気孔７１ａ２ａと接続された溝７１ａ１とは連通していないので、孔７１ａ３に冷却ガスＧ１を供給しないこともできる。このようにすることで、デバイス１０２にダメージを与えるおそれのある粒径の粒子２００の発生を防止しつつ、それよりも小さな粒径の粒子２００が有機膜１０４に付着する付着数をさらに少なくすることができる。

また、本実施の形態では、給気孔７１ａ２ａと排気孔７１ａ２ｂとに分けることができる。このようにすることで、デバイス１０２にダメージを与えるおそれのある粒径の粒子２００の発生を防止しつつ、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に、冷却ガスＧ１の流れを形成することができる。このため、冷却効率が向上する。

また、本実施のプラズマ処理装置は、ベース１０１の裏面１０１ａに凹部１０１ａ１を有する基板１００にプラズマ処理することに特に優れている。
ベース１０１の厚みが全体的に薄い基板１００の場合、基板１００は、剛性が低いので、撓んでしまう。そのため、厚みのあるガラス基板やシートを使用して剛性を補っている。

本実施の基板１００は、ベース１０１の外周部が厚い。このため、本実施の基板１００は、ベース１０１の厚みが全体的に薄い基板１００と比べて、剛性が向上する。したがって、本実施の基板１００は、ガラス基板やシートを使用して剛性を補う必要がなく、有機膜１０４は、デバイス１０２を保護できる厚みがあればよい。つまり、本実施の基板１００は、有機膜１０４の厚みをガラス基板やシートの厚みよりも薄くすることができる。

有機膜１０４の厚みは、ガラス基板またはシートと比べて、とても薄い。このため、静電チャック７１が本実施の基板１００を吸着する力は、ガラス基板またはシートで保護された基板１００を吸着する場合と比べて大きい。したがって、本実施の静電チャック７１が本実施の基板１００を吸着する際に、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間の圧力を、ガラス基板またはシートで保護された基板１００を吸着する場合と比べて大きくしたとしても、本実施の基板１００が静電チャック７１から分離されることは無い。つまり、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に従来よりも圧力の高い状態で冷却ガスＧ１を供給したとしても、フィルム７１ｃが冷却ガスＧ１の圧力により膨張することは無い。そして、フィルム７１ｃと、複数の溝７１ａ１と、により画された空間に従来よりも圧力の高い状態で冷却ガスＧ１を供給することができるため、本実施の基板１００の冷却効率がガラス基板またはシートで保護された基板１００の冷却効率よりも良い。

また、本実施の形態では、有機膜１０４の厚みを３μｍ以上、１０μｍ以下とすることができる。有機膜１０４の厚みをこの範囲とすることで、上記のように、従来よりも圧力の高い状態で冷却ガスＧ１を供給することができるため、ガラス基板またはシートで保護された基板１００の冷却効率よりも冷却効率が良い。また、デバイス１０２を有機膜で保護された基板１００は、有機膜１０４の厚みが薄いので、ベース１０１への熱伝導がよくなる。したがって、デバイス１０２を有機膜１０４で保護された基板１００は、ガラス基板またはシートで保護された基板１００よりも冷却効率が良くなる。

次に、他の実施形態に係る静電チャック２７１について説明する。
有機膜１０４は除去対象であるレジストマスク１０３と同質であるため、レジストマスク１０３の除去を行った際に、有機膜１０４の露出部分（例えば、有機膜１０４の周端面）が分解されて、有機膜１０４の材料がフィルム７１ｃの表面に付着するおそれがある（図３参照。）。

また、マスクリング７３と基板１００との間の隙間から侵入したラジカルなどのエッチャントにより有機膜１０４の周端近傍が分解されて、有機膜１０４の材料がフィルム７１ｃの表面に付着すると、付着した有機膜１０４の材料が熱などにより変質して硬くなる場合がある。また、基板１００の処理枚数が多くなるに従い、付着量が経時的に増加する場合がある。静電チャック７１（フィルム７１ｃ）の表面に、硬さの硬い付着物や、サイズの大きい付着物があると、基板１００を静電チャック７１に載置した際に、付着物と基板１００が干渉するおそれがある。付着物と基板１００が干渉すると、基板１００にダメージが発生したり、基板１００を吸着する力が弱くなったり、基板１００の温度に面内分布が生じたりするおそれがある。

図８は、他の実施形態に係る静電チャック２７１の構成を例示するための模式断面図である。
前述した静電チャック７１とでは、フィルム２７１ｃおよび接合部２７１ｃ１が異なる。
そこで、図８に示すように、静電チャック２７１においては、フィルム２７１ｃの、その表面に平行な方向の寸法をＤ１（ｍｍ）とし、有機膜１０４の、その表面に平行な方向の寸法をＤ２（ｍｍ）とした場合に、「Ｄ１（ｍｍ）＜Ｄ２（ｍｍ）」となるようにしている。この様にすれば、基板１００を吸着した際に、フィルム２７１ｃが有機膜１０４により覆われるので、有機膜１０４の周端近傍が分解されたとしても、有機膜１０４の材料がフィルム２７１ｃの表面に付着するのを抑制することができる。そのため、付着した有機膜１０４の材料により、基板１００にダメージが発生したり、基板１００を吸着する力が弱くなったり、基板１００の温度に面内分布が生じたりするのを抑制することができる。

また、この様にすれば、接合部２７１ｃ１の周端面が、誘電体７１ａの周端面よりも誘電体７１ａの中心側に設けられるので、マスクリング７３と基板１００との間の隙間から侵入したラジカルなどのエッチャントが接合部２７１ｃ１の周端近傍に到達し難くなる。そのため、接合部２７１ｃ１の周端近傍が分解されて、フィルム２７１ｃの周端近傍が誘電体７１ａから剥離するのを抑制することができる。

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
例えば、プラズマ処理の例として、レジストマスク１０３の除去を記載したが、これに限らない。例えば、基板１００のベース１０１の裏面１０１ａをエッチングする処理や、ベース１０１の裏面１０１ａに金属膜や絶縁膜を形成する処理もプラズマ処理に含まれる。
例えば、第１の孔７１ａ２を給気孔７１ａ２ａと排気孔７１ａ２ｂと区別したが、区別することなく使用してもよい。例えば、プラズマ処理中は、第１の孔７１ａ２からガスＧを供給し続け、プラズマ処理が終了したら、第１の孔７１ａ２から排気するようにしてもよい。

１ プラズマ処理装置、２ チャンバ、３ 電源ユニット、４ 電源ユニット、５ 減圧部、６ ガス供給部、７ 載置部、７１ 静電チャック、７１ａ 誘電体、７１ａ１ 溝、７１ａ２ａ 給気孔、７１ａ２ｂ 排気孔、７１ａ３ 孔、７１ｂ 電極、７１ｃ フィルム、７１ｃ１ 接合部、７５ 冷却ガス供給部、７６ リフトピン、１００ 基板、１０１ ベース、１０２ デバイス、１０３ レジストマスク、１０４ 有機膜、２７１ｃ フィルム、２７１ｃ１ 接合部、Ｇ１ 冷却ガス

Claims (7)

1. ベースと、前記ベースの一方の面に設けられた複数のデバイスと、前記ベースの一方の面に設けられ、前記複数のデバイスを覆う有機膜と、前記ベースの他方の面に設けられたレジストマスクと、を有する基板を処理するプラズマ処理装置であって、
   前記基板の、前記有機膜が形成された側が載置される静電チャックと、
   前記静電チャックに冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、
   を備え、
   前記静電チャックは、
   表面に開口する複数の溝と、厚み方向に貫通する複数の孔と、を有する誘電体と、
   前記誘電体の内部に設けられた電極と、
   前記誘電体の前記表面に設けられ、前記複数の溝の開口を覆うフィルムと、
   を有し、
   前記冷却ガス供給部は、少なくとも、前記フィルムと、前記複数の溝と、により画された空間に前記冷却ガスを供給するプラズマ処理装置。
2. 前記冷却ガス供給部は、前記誘電体に設けられた前記複数の孔の少なくともいずれかに、前記冷却ガスをさらに供給する請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記静電チャックは、前記基板の受け渡しを行うリフトピンをさらに備え、
   前記誘電体に設けられた前記複数の孔は、
   前記複数の溝に接続される複数の第１の孔と、
   前記リフトピンが設けられる複数の第２の孔と、
   に区別され、
   前記冷却ガス供給部は、前記複数の第２の孔には、前記冷却ガスを供給しない請求項１記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第２の孔は、前記複数の溝、および前記複数の第１の孔には接続されていない請求項３記載のプラズマ処理装置。
5. 前記複数の溝に接続される前記複数の第１の孔は、
   前記複数の溝に前記冷却ガスを供給する給気孔と、
   前記複数の溝に供給された前記冷却ガスを排出する排気孔と、
   に区別されている請求項３または４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記有機膜の厚みは、３μｍ以上、１０μｍ以下である請求項１～５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記フィルムは、ポリイミドおよびフッ素樹脂の少なくともいずれかを含む請求項１～６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
   

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