KR20240065117A - 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 - Google Patents

플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240065117A
KR20240065117A KR1020247011722A KR20247011722A KR20240065117A KR 20240065117 A KR20240065117 A KR 20240065117A KR 1020247011722 A KR1020247011722 A KR 1020247011722A KR 20247011722 A KR20247011722 A KR 20247011722A KR 20240065117 A KR20240065117 A KR 20240065117A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plasma
chamber
plasma processing
substrate support
Prior art date
Application number
KR1020247011722A
Other languages
English (en)
Inventor
다카시 야마무라
츈시앙 양
야스타카 하마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20240065117A publication Critical patent/KR20240065117A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판에 부착되는 파티클을 저감할 수 있는 플라스마 처리 장치가 제공된다. 본 개시에 관한 플라스마 처리 장치는, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며, 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고, 상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는 제어를 실행한다.

Description

플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
본 개시의 예시적 실시 형태는, 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법에 관한 것이다.
플라스마 챔버 내에서 발생하는 입자를 포착하는 기술로서, 특허문헌 1에 기재된 플라스마 처리 장치가 있다.
국제 공개 제2000/025347호
본 개시는, 기판에 부착되는 파티클을 저감할 수 있는 플라스마 처리 장치를 제공한다.
본 개시의 하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치가 제공된다. 상기 플라스마 처리 장치는, 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고, 상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는 제어를 실행한다.
본 개시의 하나의 예시적 실시 형태에 따르면, 기판에 부착되는 파티클을 저감할 수 있는 플라스마 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 플라스마 처리 시스템의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 용량 결합형 플라스마 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 일 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(PS)을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 관한 플라스마 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 일부 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 일부 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 일부 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 일부 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 9는 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 일부 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 10은 기판(W)과 기판 지지부(11)의 거리와 기판(W) 상에 부착된 파티클의 수의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 11은 기판(W)과 기판 지지부(11)의 거리와 기판(W)에 형성된 소자에서 발생한 불량률의 관계를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 개시의 각 실시 형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 플라스마 처리 장치가 제공된다. 플라스마 처리 장치는, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며, 챔버와, 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 에지 링의 내측에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 챔버 내에서 기판 지지부와 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 리프터에 의해, 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 기판을 위치시키고, 기판이 제1 위치에 있는 상태에서, 플라스마 생성부에 의해 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 챔버 내에 플라스마가 생성된 상태에서, 리프터에 의해, 기판을 제1 위치로부터 에지 링의 내측에서 기판 지지부에 적재하는 제어를 실행한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 챔버 내에 반입하는 반입 장치를 더 구비하고, 제어부는, 반입 장치에 의해, 챔버 내에서의, 기판 지지부로부터 제2 거리에 있는 제2 위치에 기판을 반입하는 제어를 또한 실행하고, 제1 위치는, 제2 위치와 동등하거나, 제2 위치보다 기판 지지부로부터 이격되어 있다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제1 거리는, 1.3mm 이상 3mm 이하이다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 챔버 내에 반입하는 반입 장치를 더 구비하고, 제어부는, 반입 장치에 의해, 챔버 내에서의, 기판 지지부로부터 제2 거리에 기판을 반입하는 제어를 또한 실행하고, 제1 거리는, 제2 거리의 6.8％ 이상 16％ 이하이다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 챔버 내에서, 기판 지지부로부터 제3 거리에 마련된 전극을 더 구비하고, 제어부는, 기판 지지부 또는 전극에 RF 신호를 공급하여 플라스마를 생성하는 제어를 실행하고, 제1 거리는, 제3 거리의 6.8％ 이상 16％ 이하이다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 지지부는, 기판을 정전 흡착하는 정전 흡착부를 갖고, 제어부는, 기판 지지부에 적재된 기판을, 정전 흡착부에 의해 기판 지지부에 정전 흡착시키는 제어를 또한 실행한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제어부는, 챔버 내의 압력을 250mTorr 이하로 하는 제어를 실행한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 플라스마 생성부는, RF 신호에 의해 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 제어부는, RF 신호의 전력을 50W 이상 1,000W 이하로 하는 제어를 또한 실행한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 플라스마를 생성하기 위한 가스를 챔버 내에 공급하는 가스 공급부를 더 구비하고, 제어부는, 기판 지지부와 기판의 거리에 기초하여, 가스 공급부가 챔버 내에 공급하는 가스의 유량을 제어한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 제어부는, 기판이 제1 위치에 있을 때, 가스의 유량이 제1 유량으로 되도록 가스 공급부를 제어하고, 기판이 제1 위치보다 기판 지지부에 가까운 위치에 있을 때, 가스의 유량이 제1 유량보다 많은 유량으로 되도록 가스 공급부를 제어한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판은, 제1면 및 제1면과 대향하는 제2면을 갖고, 제2면은, 기판 지지부가 기판을 지지하는 면이며, 제1 거리는, 플라스마가 생성된 상태에서, 제1면의 전위와 제2면의 전위가 동일 전위로 되는 거리이다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치가 제공된다. 플라스마 처리 장치는, 챔버와, 챔버 내에 마련되고, 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 챔버 내에서 기판 지지부와 기판의 거리를 제어하는 리프터와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 리프터에 의해, 기판 지지부로부터 이격된 위치로부터 기판 지지부를 향해서 기판을 이동하고, 기판의 이동 중에, 플라스마 생성부에 의해 챔버 내에 플라스마를 생성하고, 챔버 내에 플라스마가 생성된 상태에서, 리프터에 의해 기판을 기판 지지부에 적재하는 제어를 실행한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 플라스마 처리 장치에서 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 방법이 제공된다. 플라즈마 장치는, 챔버와, 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 에지 링의 내측에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와, 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와, 챔버 내에서 기판 지지부와 기판의 거리를 제어하는 리프터를 구비하고, 플라스마 처리 방법은, 리프터에 의해, 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 기판을 위치시키는 공정과, 기판이 제1 위치에 있는 상태에서, 플라스마 생성부에 의해 챔버 내에 플라스마를 생성하는 공정과, 챔버 내에 플라스마가 생성된 상태에서, 리프터에 의해, 기판을 제1 위치로부터 에지 링의 내측에서 기판 지지부에 적재하는 공정을 포함한다.
이하, 도면을 참조하여, 본 개시의 각 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 마찬가지의 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다. 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하여 상하 좌우 등의 위치 관계를 설명한다. 도면의 치수 비율은 실제 비율을 나타내는 것은 아니며, 또한, 실제 비율은 도시의 비율에 한정되는 것은 아니다.
<플라스마 처리 시스템의 구성>
도 1은 플라스마 처리 시스템의 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 일 실시 형태에 있어서, 플라스마 처리 시스템은, 플라스마 처리 장치(1) 및 제어부(2)를 포함한다. 플라스마 처리 시스템은, 기판 처리 시스템의 일례이며, 플라스마 처리 장치(1)는, 기판 처리 장치의 일례이다. 플라스마 처리 장치(1)는, 플라스마 처리 챔버(10), 기판 지지부(11) 및 플라스마 생성부(12)를 포함한다. 플라스마 처리 챔버(10)는, 플라스마 처리 공간을 갖는다. 또한, 플라스마 처리 챔버(10)는, 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 공간에 공급하기 위한 적어도 하나의 가스 공급구와, 플라스마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 하나의 가스 배출구를 갖는다. 가스 공급구는, 후술하는 가스 공급부(20)에 접속되고, 가스 배출구는, 후술하는 배기 시스템(40)에 접속된다. 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 공간 내에 배치되고, 기판을 지지하기 위한 기판 지지면을 갖는다.
플라스마 생성부(12)는, 플라스마 처리 공간 내에 공급된 적어도 하나의 처리 가스로부터 플라스마를 생성하도록 구성된다. 플라스마 처리 공간에서 형성되는 플라스마는, 용량 결합 플라스마(CCP; Capacitively Coupled Plasma), 유도 결합 플라스마(ICP; Inductively Coupled Plasma), ECR 플라스마(Electron-Cyclotron-resonance plasma), 헬리콘파 여기 플라스마(HWP: Helicon Wave Plasma), 또는 표면파 플라스마(SWP: Surface Wave Plasma) 등이어도 된다. 또한, AC(Alternating Current) 플라스마 생성부 및 DC(Direct Current) 플라스마 생성부를 포함하는, 다양한 타입의 플라스마 생성부가 사용되어도 된다. 일 실시 형태에 있어서, AC 플라스마 생성부에서 사용되는 AC 신호(AC 전력)는, 100kHz 내지 10GHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 따라서, AC 신호는, RF(Radio Frequency) 신호 및 마이크로파 신호를 포함한다. 일 실시 형태에 있어서, RF 신호는, 100kHz 내지 150MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다.
제어부(2)는, 본 개시에서 설명되는 다양한 공정을 플라스마 처리 장치(1)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(2)는, 여기서 설명되는 다양한 공정을 실행하도록 플라스마 처리 장치(1)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 제어부(2)의 일부 또는 모두가 플라스마 처리 장치(1)에 포함되어도 된다. 제어부(2)는, 처리부(2a1), 기억부(2a2) 및 통신 인터페이스(2a3)를 포함해도 된다. 제어부(2)는, 예를 들어 컴퓨터(2a)에 의해 실현된다. 처리부(2a1)는, 기억부(2a2)로부터 프로그램을 판독하고, 판독된 프로그램을 실행함으로써 다양한 제어 동작을 행하도록 구성될 수 있다. 이 프로그램은, 미리 기억부(2a2)에 저장되어 있어도 되고, 필요할 때, 매체를 통해서 취득되어도 된다. 취득된 프로그램은, 기억부(2a2)에 저장되고, 처리부(2a1)에 의해 기억부(2a2)로부터 판독되어서 실행된다. 매체는, 컴퓨터(2a)에 판독 가능한 다양한 기억 매체이어도 되고, 통신 인터페이스(2a3)에 접속되어 있는 통신 회선이어도 된다. 처리부(2a1)는, CPU(Central Processing Unit)이어도 된다. 기억부(2a2)는, RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), 또는 이들의 조합을 포함해도 된다. 통신 인터페이스(2a3)는, LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 통해서 플라스마 처리 장치(1)와의 사이에서 통신해도 된다.
<플라스마 처리 장치의 구성>
이하에, 플라스마 처리 장치(1)의 일례로서의 용량 결합형 플라스마 처리 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 도 2는, 용량 결합형 플라스마 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
용량 결합형 플라스마 처리 장치(1)는, 플라스마 처리 챔버(10), 가스 공급부(20), 전원(30) 및 배기 시스템(40)을 포함한다. 또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 기판 지지부(11) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는, 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 챔버(10) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는, 샤워 헤드(13)를 포함한다. 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 배치된다. 샤워 헤드(13)는, 기판 지지부(11)의 상방에 배치된다. 일 실시 형태에 있어서, 샤워 헤드(13)는, 플라스마 처리 챔버(10)의 천장부(ceiling)의 적어도 일부를 구성한다. 플라스마 처리 챔버(10)는, 샤워 헤드(13), 플라스마 처리 챔버(10)의 측벽(10a) 및 기판 지지부(11)에 의해 규정된 플라스마 처리 공간(10s)을 갖는다. 플라스마 처리 챔버(10)는 접지된다. 샤워 헤드(13) 및 기판 지지부(11)는, 플라스마 처리 챔버(10)의 하우징과는 전기적으로 절연된다.
기판 지지부(11)는, 본체부(111) 및 링 어셈블리(112)를 포함한다. 본체부(111)는, 기판(W)을 지지하기 위한 중앙 영역(111a)과, 링 어셈블리(112)를 지지하기 위한 환상 영역(111b)을 갖는다. 웨이퍼는 기판(W)의 일례이다. 본체부(111)의 환상 영역(111b)은, 평면으로 보아 본체부(111)의 중앙 영역(111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은, 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상에 배치되고, 링 어셈블리(112)는, 본체부(111)의 중앙 영역(111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 본체부(111)의 환상 영역(111b) 상에 배치된다. 따라서, 중앙 영역(111a)은, 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지면이라고도 불리고, 환상 영역(111b)은, 링 어셈블리(112)를 지지하기 위한 링 지지면이라고도 불린다.
일 실시 형태에 있어서, 본체부(111)는, 베이스(1110) 및 정전 척(1111)을 포함한다. 베이스(1110)는, 도전성 부재를 포함한다. 베이스(1110)의 도전성 부재는 하부 전극으로서 기능할 수 있다. 정전 척(1111)은, 베이스(1110) 상에 배치된다. 정전 척(1111)은, 세라믹 부재(1111a)와 세라믹 부재(1111a) 내에 배치되는 정전 전극(1111b)을 포함한다. 세라믹 부재(1111a)는, 중앙 영역(111a)을 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 세라믹 부재(1111a)는, 환상 영역(111b)도 갖는다. 또한, 환상 정전 척이나 환상 절연 부재와 같은, 정전 척(1111)을 둘러싸는 다른 부재가 환상 영역(111b)을 가져도 된다. 이 경우, 링 어셈블리(112)는, 환상 정전 척 또는 환상 절연 부재 상에 배치되어도 되고, 정전 척(1111)과 환상 절연 부재의 양쪽 위에 배치되어도 된다. 또한, 후술하는 RF 전원(31) 및/또는 DC 전원(32)에 결합되는 적어도 하나의 RF/DC 전극이 세라믹 부재(1111a) 내에 배치되어도 된다. 이 경우, 적어도 하나의 RF/DC 전극이 하부 전극으로서 기능한다. 후술하는 바이어스 RF 신호 및/또는 DC 신호가 적어도 하나의 RF/DC 전극에 공급될 경우, RF/DC 전극은 바이어스 전극이라고도 불린다. 또한, 베이스(1110)의 도전성 부재와 적어도 하나의 RF/DC 전극이 복수의 하부 전극으로서 기능해도 된다. 또한, 정전 전극(1111b)이 하부 전극으로서 기능해도 된다. 따라서, 기판 지지부(11)는, 적어도 하나의 하부 전극을 포함한다.
링 어셈블리(112)는, 1개 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 일 실시 형태에 있어서, 1개 또는 복수의 환상 부재는, 1개 또는 복수의 에지 링과 적어도 하나의 커버링을 포함한다. 에지 링은, 도전성 재료 또는 절연 재료로 형성되고, 커버링은, 절연 재료로 형성된다.
또한, 기판 지지부(11)는, 정전 척(1111), 링 어셈블리(112) 및 기판 중 적어도 하나를 타깃 온도로 조절하도록 구성되는 온도 조절 모듈을 포함해도 된다. 온도 조절 모듈은, 히터, 전열 매체, 유로(1110a), 또는 이들의 조합을 포함해도 된다. 유로(1110a)에는, 브라인이나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다. 일 실시 형태에 있어서, 유로(1110a)가 베이스(1110) 내에 형성되고, 1개 또는 복수의 히터가 정전 척(1111)의 세라믹 부재(1111a) 내에 배치된다. 또한, 기판 지지부(11)는, 기판(W)의 이면과 중앙 영역(111a)의 사이의 간극에 전열 가스를 공급하도록 구성된 전열 가스 공급부를 포함해도 된다.
또한, 기판 지지부(11) 및 플라스마 처리 챔버(10)의 저벽(10b)에는, 기판 지지부(11) 및 저벽(10b)을 관통하는 관통 구멍(50)이 마련되어 있다. 관통 구멍(50)은, 기판 지지부(11) 및 저벽(10b)에 복수 마련되어도 된다. 본 실시 형태에 있어서, 기판 지지부(11) 및 저벽(10b)에, 3개의 관통 구멍(50)이 마련되어 있다. 관통 구멍(50) 각각의 내부에는, 리프터(60)가 마련되어 있다. 리프터(60)는, 액추에이터(70)에 접속되어 있고, 액추에이터(70)에 의해 관통 구멍(50)의 내부를, 도 2에 나타내는 Z 방향으로 상승 또는 하강할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 액추에이터(70)가 리프터(60)를 상승시키면, 리프터(60)의 선단은 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)으로부터 돌출된다. 이에 의해, 리프터(60)는, 기판 지지부(11)로부터 소정의 거리로 기판을 이동하여, 소정의 위치에서 기판을 보유 지지할 수 있다. 한편, 액추에이터(70)가 리프터(60)를 하강시키면, 리프터(60)의 선단은 기판 지지부(11)에 수용된다. 이에 의해, 리프터(60)의 선단에 보유 지지된 기판을, 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)에 적재할 수 있다. 이와 같이, 액추에이터(70)는, 리프터(60)에 의해, 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)에 대한 기판의 거리 또는 위치를 제어할 수 있다.
샤워 헤드(13)는, 가스 공급부(20)로부터의 적어도 하나의 처리 가스를 플라스마 처리 공간(10s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워 헤드(13)는, 적어도 하나의 가스 공급구(13a), 적어도 하나의 가스 확산실(13b) 및 복수의 가스 도입구(13c)를 갖는다. 가스 공급구(13a)에 공급된 처리 가스는, 가스 확산실(13b)을 통과해서 복수의 가스 도입구(13c)로부터 플라스마 처리 공간(10s) 내에 도입된다. 또한, 샤워 헤드(13)는, 적어도 하나의 상부 전극을 포함한다. 또한, 가스 도입부는, 샤워 헤드(13)에 더하여, 측벽(10a)에 형성된 1개 또는 복수의 개구부에 설치되는 1개 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI: Side Gas Injector)를 포함해도 된다.
가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 가스 소스(21) 및 적어도 하나의 유량 제어기(22)를 포함해도 된다. 일 실시 형태에 있어서, 가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 처리 가스를, 각각에 대응하는 가스 소스(21)로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(22)를 통해서 샤워 헤드(13)에 공급하도록 구성된다. 각 유량 제어기(22)는, 예를 들어 매스 플로 컨트롤러 또는 압력 제어식 유량 제어기를 포함해도 된다. 또한, 가스 공급부(20)는, 적어도 하나의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 적어도 하나의 유량 변조 디바이스를 포함해도 된다.
전원(30)은, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 플라스마 처리 챔버(10)에 결합되는 RF 전원(31)을 포함한다. RF 전원(31)은, 적어도 하나의 RF 신호(RF 전력)를 적어도 하나의 하부 전극 및/또는 적어도 하나의 상부 전극에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라스마 처리 공간(10s)에 공급된 적어도 하나의 처리 가스로부터 플라스마가 형성된다. 따라서, RF 전원(31)은, 플라스마 생성부(12)의 적어도 일부로서 기능할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 적어도 하나의 하부 전극에 공급함으로써, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하고, 형성된 플라스마 중의 이온 성분을 기판(W)에 인입할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서, RF 전원(31)은, 제1 RF 생성부(31a) 및 제2 RF생성부(31b)를 포함한다. 제1 RF 생성부(31a)는, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 적어도 하나의 하부 전극 및/또는 적어도 하나의 상부 전극에 결합되어, 플라스마 생성용 소스 RF 신호(소스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시 형태에 있어서, 소스 RF 신호는, 10MHz 내지 150MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 RF 생성부(31a)는, 다른 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 된다. 생성된 1개 또는 복수의 소스 RF 신호는, 적어도 하나의 하부 전극 및/또는 적어도 하나의 상부 전극에 공급된다.
제2 RF 생성부(31b)는, 적어도 하나의 임피던스 정합 회로를 통해서 적어도 하나의 하부 전극에 결합되어, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 바이어스 RF 신호의 주파수는, 소스 RF 신호의 주파수와 동일해도 다르게 되어 있어도 된다. 일 실시 형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는, 소스 RF 신호의 주파수보다 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는, 100kHz 내지 60MHz의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시 형태에 있어서, 제2 RF 생성부(31b)는, 다른 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 된다. 생성된 1개 또는 복수의 바이어스 RF 신호는, 적어도 하나의 하부 전극에 공급된다. 또한, 다양한 실시 형태에 있어서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 하나가 펄스화되어도 된다.
또한, 전원(30)은, 플라스마 처리 챔버(10)에 결합되는 DC 전원(32)을 포함해도 된다. DC 전원(32)은, 제1 DC 생성부(32a) 및 제2 DC 생성부(32b)를 포함한다. 일 실시 형태에 있어서, 제1 DC 생성부(32a)는, 적어도 하나의 하부 전극에 접속되어, 제1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제1 DC 신호는, 적어도 하나의 하부 전극에 인가된다. 일 실시 형태에 있어서, 제2 DC 생성부(32b)는, 적어도 하나의 상부 전극에 접속되어, 제2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제2 DC 신호는, 적어도 하나의 상부 전극에 인가된다.
다양한 실시 형태에 있어서, 제1 및 제2 DC 신호가 펄스화되어도 된다. 이 경우, 전압 펄스의 시퀀스가 적어도 하나의 하부 전극 및/또는 적어도 하나의 상부 전극에 인가된다. 전압 펄스는, 직사각형, 사다리꼴, 삼각형 또는 이들의 조합의 펄스 파형을 가져도 된다. 일 실시 형태에 있어서, DC 신호로부터 전압 펄스의 시퀀스를 생성하기 위한 파형 생성부가 제1 DC 생성부(32a)와 적어도 하나의 하부 전극의 사이에 접속된다. 따라서, 제1 DC 생성부(32a) 및 파형 생성부는, 전압 펄스 생성부를 구성한다. 제2 DC 생성부(32b) 및 파형 생성부가 전압 펄스 생성부를 구성하는 경우, 전압 펄스 생성부는, 적어도 하나의 상부 전극에 접속된다. 전압 펄스는, 정의 극성을 가져도 되고, 부의 극성을 가져도 된다. 또한, 전압 펄스의 시퀀스는, 1주기 내에 1개 또는 복수의 정극성 전압 펄스와 1개 또는 복수의 부극성 전압 펄스를 포함해도 된다. 또한, 제1 및 제2 DC생성부(32a, 32b)는, RF 전원(31)에 더하여 마련되어도 되고, 제1 DC 생성부(32a)가 제2 RF 생성부(31b) 대신에 마련되어도 된다.
배기 시스템(40)은, 예를 들어 플라스마 처리 챔버(10)의 저부에 마련된 가스 배출구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은, 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함해도 된다. 압력 조정 밸브에 의해, 플라스마 처리 공간(10s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는, 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 또는 이들의 조합을 포함해도 된다.
<기판 처리 시스템(PS)의 구성>
도 3은 1개의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(PS)을 개략적으로 도시하는 도면이다. 기판 처리 시스템(PS)은, 기판 처리 모듈(PM1 내지 PM6)(이하, 총칭해서 「기판 처리 모듈(PM)」이라고도 함)과, 반송 모듈(TM)과, 로드 로크 모듈(LLM1 및 LLM2)(이하, 총칭해서 「로드 로크 모듈(LLM)」이라고도 함)과, 로더 모듈(LM), 로드 포트(LP1 내지 LP3)(이하, 총칭해서 「로드 포트(LP)」라고도 함)를 갖는다. 제어부 CT는, 기판 처리 시스템(PS)의 각 구성을 제어하여, 기판(W)에 소정의 처리를 실행한다.
기판 처리 모듈(PM)은, 그 내부에서, 기판(W)에 대하여 에칭 처리, 트리밍 처리, 성막 처리, 어닐 처리, 도핑 처리, 리소그래피 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등의 처리를 실행한다. 기판 처리 모듈(PM)의 일부는, 측정 모듈이면 되며, 기판(W) 상에 형성된 층의 두께나, 기판(W) 상에 형성된 패턴의 치수 등을 측정해도 된다. 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치(1)는, 기판 처리 모듈(PM)의 일례이다.
반송 모듈(TM)은, 기판(W)을 반송하는 반송 장치를 갖고, 기판 처리 모듈(PM)간 또는 기판 처리 모듈(PM)과 로드 로크 모듈(LLM)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 기판 처리 모듈(PM) 및 로드 로크 모듈(LLM)은, 반송 모듈(TM)에 인접해서 배치되어 있다. 반송 모듈(TM)과 기판 처리 모듈(PM) 및 로드 로크 모듈(LLM)은, 개폐 가능한 게이트 밸브에 의해 공간적으로 격리 또는 연결된다. 당해 게이트 밸브의 일례는, 도 2에 나타내는 게이트 밸브(85)이다. 본 실시 형태에 있어서, 반송 모듈(TM)에 포함되는 반송 장치는, 반송 모듈(TM)로부터, 기판 처리 모듈(PM)의 일례인 플라스마 처리 장치(1)(도 2 참조)의 플라스마 처리 공간(10s)에 기판(W)을 반송한다. 당해 반송 장치는, 도 2에 나타내는 X 방향으로 기판(W)을 이동하여, 기판 지지부(11)와 샤워 헤드(13)의 사이에서의, 기판 지지부(11)에 대향하는 위치에 기판(W)을 위치시킨다. 일례로서, 당해 반송 장치는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 반송하는 핸들러이면 된다.
로드 로크 모듈(LLM1 및 LLM2)은, 반송 모듈(TM)과 로더 모듈(LM)의 사이에 마련되어 있다. 로드 로크 모듈(LLM)은, 그 내부의 압력을, 대기압 또는 진공으로 전환할 수 있다. 로드 로크 모듈(LLM)은, 대기압인 로더 모듈(LM)로부터 진공인 반송 모듈(TM)에 기판(W)을 반송하고, 또한, 진공인 반송 모듈(TM)로부터 대기압인 로더 모듈(LM)에 반송한다.
로더 모듈(LM)은, 기판(W)을 반송하는 반송 장치를 갖고, 로드 로크 모듈(LLM)과 로드 포트(LP)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 로드 포트(LP) 내의 내부에는, 예를 들어 25매의 기판(W)이 수납 가능한 FOUP(Front Opening Unified Pod) 또는 빈 FOUP을 적재할 수 있다. 로더 모듈(LM)은, 로드 포트(LP) 내의 FOUP으로부터 기판(W)을 취출하여, 로드 로크 모듈(LLM)에 반송한다. 또한, 로더 모듈(LM)은, 로드 로크 모듈(LLM)로부터 기판(W)을 취출하여, 로드 포트(LP) 내의 FOUP에 반송한다. 복수의 로드 포트(LP) 중 적어도 하나는, 더미 기판을 수납하는 FOUP을 가져도 된다.
제어부 CT는, 기판 처리 시스템(PS)의 각 구성을 제어하여, 기판(W)에 소정의 처리를 실행한다. 제어부 CT는, 프로세스의 수순, 프로세스의 조건, 반송 조건 등이 설정된 레시피를 저장하고 있으며, 당해 레시피에 따라서, 기판(W)에 소정의 처리를 실행하도록 기판 처리 시스템(PS)의 각 구성을 제어한다. 제어부 CT는, 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치(1)의 제어부(2)의 일부 또는 전부의 기능을 겸해도 된다.
<플라스마 처리 방법>
도 4는, 일 실시 형태에 관한 플라스마 처리 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 4에 나타내는 플라스마 처리 방법은, 기판(W)을 플라스마 처리 챔버(10) 내에 반송하는 공정(ST1), 기판(W)을 소정의 위치로 이동하는 공정(ST2), 플라스마 처리 챔버(10) 내에 플라스마를 생성하는 공정(ST3), 기판(W)을 기판 지지부(11)에 적재하는 공정(ST4), 기판(W)을 기판 지지부(11)에 정전 흡착시키는 공정(ST5) 및 기판(W)을 에칭하는 공정(ST6)을 갖는다. 도 4의 각 공정에 나타내는 처리는, 주로 제어부(2) 및/또는 제어부 CT의 제어에 따라서 플라스마 처리 장치(1) 및/또는 기판 처리 시스템(PS)이 동작함으로써 실현된다.
도 5 내지 도 9는, 도 4에 나타내는 각 공정에서의, 플라스마 처리 챔버(10) 내부의 일부를 모식적으로 도시한 도면이다. 도 5 내지 도 9를 참조하여, 도 4에 나타내는 플라스마 처리 방법에 대해서 설명한다.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 공정 ST1에서, 기판(W)이 플라스마 처리 챔버(10) 내에 반송된다. 도 3에 나타내는 반송 모듈(TM)에 포함되는 반송 장치가, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 기판(W)을 반입한다. 당해 반송 장치는, 도 3에 나타내는 반송 모듈(TM)로부터, 도 2에 나타내는 게이트 밸브(85)를 통해서, 플라스마 처리 공간(10s)에, 도 2에 나타내는 X 방향으로 기판(W)을 수평 이동시켜, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 기판(W)을 반입한다. 또한, 도 5에서 반송 장치는 도시를 생략하지만, 일례로서, 반송 장치는, 기판(W)의 이면에서 기판(W)을 지지하고, 도 5에 나타내는 X 방향으로 기판(W)을 이동하여, X 방향의 소정의 위치에서 기판(W)을 보유 지지할 수 있도록 구성된 핸들러이면 된다.
본 실시 형태에 있어서, 반송 장치는, 기판(W)의 한쪽 면이 샤워 헤드(13)에 대향하고, 다른 쪽 면이 기판 지지부(11)에 대향하는 위치에서, 기판(W)을 보유 지지한다(이하, 당해 한쪽 면을 「표면」, 당해 다른 쪽 면을 「이면」이라고도 한다. 또한, 표면은 제1면의 일례이며, 이면은 제2면의 일례이다.). 당해 위치는, 기판(W)을 Z 방향에서 본 경우에, 샤워 헤드(13) 및 기판 지지부(11)와 겹치는 위치이면 된다. 또한, 반송 장치는, 기판(W)이 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)과 평행해지도록, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 기판(W)을 반입한다. 또한, 반송 장치는, 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)과 기판(W)의 이면의 거리가 H1로 되는 높이에서, 기판(W)을 보유 지지한다(이하, 당해 높이를 「높이 H1」이라고도 함).
이어서, 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 공정 ST2에서, 리프터(60)에 의해 기판(W)을 소정의 위치로 이동한다. 먼저, 도 6에 도시하는 바와 같이, 액추에이터(70)(도 2 참조)가 리프터(60)를 상승시키면, 리프터(60)는, 반송 장치에 의해 도 5에 나타내는 높이 H1에 보유 지지된 기판(W)을, 리프터(60)의 선단에서 보유 지지한다. 이때, 리프터(60)는, 높이 H1보다 기판 지지부(11)로부터 이격된 위치인 높이 H2에서 기판(W)을 보유 지지해도 된다. 일례로서, 반송 장치에 의해 높이 H1에 보유 지지된 기판(W)을, 리프터(60)가 높이 H2로 들어 올린 후, 반송 장치는 X 방향으로 이동하여, 플라스마 처리 챔버(10)로부터 반송 모듈(TM)로 이동해도 된다. 또한, 높이 H1 및 높이 H2는, 제2 거리의 일례이다. 또한, 기판(W)이 높이 H1 또는 높이 H2에서 기판 지지부(11)와 대향하는 위치는, 제2 위치의 일례이다.
리프터(60)는, 높이 H2에서 기판(W)을 보유 지지한 후, 기판(W)을 높이 H3으로 이동한다. 높이 H3은, 제1 거리의 일례이다. 또한, 기판(W)이 높이 H3에서 기판 지지부(11)와 대향하는 위치는, 제1 위치의 일례이다. 본 실시 형태에 있어서, 높이 H3은, 기판 지지부(11)의 중앙 영역(111a)으로부터 1.3mm 이상 3mm 이하의 거리이다. 또한, 높이 H3은, 높이 H1 또는 높이 H2의 6.8％ 이상 16％ 이하의 높이이면 된다. 또한 높이 H3은, Z 방향에서의 샤워 헤드(13)와 기판 지지부(11)의 사이의 거리의 3.3％ 이상 7.5％ 이하이어도 된다. 샤워 헤드(13)와 기판 지지부(11)의 사이의 거리는, 제3 거리의 일례이다.
높이 H3은, 후술하는 공정 ST3에서 플라스마 P가 생성된 상태에서, 기판(W)과 링 어셈블리(112)가 동일 전위로 되는 높이이면 된다. 또한, 높이 H3은, 후술하는 공정 ST3에서 플라스마 P가 생성된 상태에서, 기판(W) 내에서 생기는 전위차, 예를 들어 기판(W)의 표면과 이면의 사이에서 생기는 전위차가 동일 전위로 되는 높이이어도 된다. 당해 동일 전위는, 기판(W)에 형성된 소자가 정전 파괴를 일으키지 않을 정도의 전위차를 포함한다. 기판(W)에 형성된 소자가 정전 파괴를 일으키는 것은, 일례로서, 기판(W)에 형성된 MOS 트랜지스터의 게이트 절연막이 정전 파괴되는 것을 포함한다.
이어서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 공정 ST3에서, 플라스마 P가 생성된다. 본 실시 형태에서는, 기판(W)이 기판 지지부(11)로부터 높이 H3에 있는 상태에서, 기판(W)의 표면과 샤워 헤드(13)의 사이에 플라스마 P가 생성된다. 플라스마 P는, 일례로서, 이하에 의해 생성되어도 된다. 즉, 먼저, 가스 공급부(20)가 플라스마 처리 챔버(10) 내에 플라스마 P를 생성하기 위한 가스를 공급한다. 당해 가스는, 일례로서, 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스이면 되며, 또한, 기판(W)을 에칭하기 위한 반응 가스이면 된다. 그리고 배기 시스템(40)이, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 압력을 제어한다. 당해 압력은, 일례로서 250mTorr 이하이다. 또한, 당해 압력은, 200mTorr 이하이어도 되고, 150mTorr 이하이어도 되고, 또한, 100mTorr 이하이어도 된다. 또한, 당해 압력은, 후술하는 공정 ST6(에칭 처리)에서의 플라스마 처리 챔버(10) 내의 압력과 동등하거나, 당해 압력에 가까운 압력이면 된다. 그리고 제1 RF 생성부(31a)가, 기판 지지부(11) 또는 샤워 헤드(13)에 RF 전력을 공급하여, 플라스마 처리 챔버(10) 내에서 플라스마 P를 생성한다. 당해 RF 전력은, 일례로서, 50W 이상 1,000W 이하이다. 또한, 공정 ST3에서, 가스 공급부(20)는, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급하는 가스의 유량을, 일정 유량으로 해도 된다. 또한, 가스 공급부(20)는, 공정 ST2 및 공정 ST3의 양쪽에서, 플라스마 P를 생성하기 위한 가스를 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급해도 된다. 가스 공급부(20)는, 공정 ST2 및 공정 ST3에서, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급하는 가스의 유량을 일정 유량으로 해도 되고, 또한, 다른 유량으로 해도 된다.
또한, 다른 실시 형태에서는, 리프터(60)가 기판(W)을 이동 중에, 플라스마 P가 생성되어도 된다. 즉, 리프터(60)가 기판(W)을 높이 H1 또는 H2로부터 기판 지지부(11)를 향해서 이동하고 있는 동안에, 플라스마 P가 생성되어도 된다. 이 경우, 기판(W)이 기판 지지부(11)를 향해서 이동 중에, 기판(W)의 높이가 1.3mm 이상 3mm 이하로 되었을 때, 플라스마 P가 생성되어도 된다. 또한, 공정 ST2 및/또는 공정 ST3에서, 가스 공급부(20)는, 기판(W)의 높이에 따라, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급하는 가스의 유량을 제어해도 된다. 일례로서, 가스 공급부(20)는, 기판(W)이 높이 H3에 있을 때보다, 기판(W)이 높이 H3보다 기판 지지부(11)에 가까운 높이에 있을 때, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급하는 가스의 유량을 증가시켜도 된다. 가스 공급부(20)는, 플라스마 처리 챔버(10) 내에 공급하는 가스의 유량을, 기판(W)의 높이에 따라, 연속적 또는 단계적으로 증감시켜도 된다.
이어서, 도 9에 도시하는 바와 같이, 공정 ST4에서, 기판(W)을 기판 지지부(11)에 적재한다. 본 실시 형태에서는, 기판(W)과 샤워 헤드(13)의 사이에서 플라스마 P가 생성된 상태에서, 리프터(60)에 의해, 기판(W)이 링 어셈블리(112)의 내측에서 기판 지지부(11)에 적재된다. 그리고 공정 ST5에서, 정전 척(1111)에 포함되는 정전 전극(1111b)(도 2 참조)에 전압이 인가되어, 기판(W)이 기판 지지부(11)에 정전 흡착된다. 이에 의해, 흡착 전위에 의해, 리프터(60)에 보유 지지된 기판(W)에 가해지는 부하를 저감할 수 있다.
이어서, 기판(W)이 기판 지지부(11)에 적재된 후에, 공정 ST6에서, 기판(W)에 대해서 에칭 처리가 실행된다.
도 10은, 기판(W)과 기판 지지부(11)의 거리와, 공정 ST3의 플라스마 생성 후에 기판(W) 상에 부착된 파티클의 수의 관계를 나타낸 그래프이다. 당해 거리는, 도 8에서의 높이 H3이다. 본 예에서는, 공정 ST3에서, 플라스마 처리 챔버(10)에 Ar 가스를 600sccm으로 공급하고, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 압력을 100mTorr로 설정하고, 기판 지지부(11)에 100W의 RF 전력을 공급하였다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 높이 H3이 0.0mm, 즉, 기판(W)이 기판 지지부(11)에 적재된 상태에서 플라스마를 생성하면, 기판(W) 상에는 대량의 파티클이 확인되는 한편, 높이 H3이 높아짐에 수반해서 파티클의 수가 저감되는 것이 확인되었다. 또한, 높이 H3이 1.3mm 이상으로 되면, 높이 H3이 0.0mm인 경우에 비하여 파티클의 수가 95％ 이상 감소하는 것이 확인되었다.
본 실시 형태에 따르면, 기판(W)과 기판 지지부(11)를 소정의 거리 이상으로 한 상태에서 플라스마를 생성함으로써, 기판(W)이 기판 지지부(11) 및 기판 지지부(11)의 주위에 마련된 구성으로부터 이격된 상태에서, 플라스마 처리 챔버(10) 내에서 플라스마가 생성된다. 이에 의해, 기판(W)과 기판 지지부(11)의 주위에 마련된 구성의 사이의 전위차가 저감되므로, 기판(W)을 기판 지지부(11)에 적재했을 때, 전위차에 기초하여, 기판 지지부(11)의 주위에 마련된 구성으로부터 기판(W)에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 기판 지지부(11)의 주위에 마련된 구성은, 일례로는 링 어셈블리(112)이다. 또한, 본 실시 형태에 따르면, 기판(W)과 플라스마 P의 사이에 형성된 시스 중의 전계에 의한 정전적인 반발력에 의해 파티클이 기판(W)으로부터 반발력을 받는다. 이에 의해, 기판(W) 상에의 파티클의 퇴적이 억제된다.
도 11은, 기판(W)과 기판 지지부(11)의 거리와, 공정 ST3의 플라스마 생성 후에 기판(W)에 형성된 소자에서 발생한 불량률의 관계를 나타낸 그래프이다. 당해 거리는, 도 8에서의 높이 H3이다. 본 예에서는, 공정 ST3에서, 플라스마 처리 챔버(10)에 Ar 가스를 600sccm으로 공급하고, 플라스마 처리 챔버(10) 내의 압력을 100mTorr로 설정하고, 기판 지지부(11)에 100W의 RF 전력을 공급하였다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 높이 H3이 0.0mm 이상 3.0mm 이하이면 불량률이 0％인 한편, 높이 H3이 3.5mm 이상이면 불량률이 증가하는 것으로 확인되었다.
본 실시 형태에 따르면, 기판(W)과 기판 지지부(11)를 소정의 거리 이하로 한 상태에서 플라스마를 생성함으로써, 플라스마에 의해 기판(W) 내에서 생기는 전위차, 예를 들어 기판(W)의 표면과 이면의 사이에서 생기는 전위차가 저감된다. 이에 의해, 플라스마의 생성에 의해 기판(W)에 형성된 소자에 발생하는 차지 업 대미지를 저감시킬 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1: 플라스마 처리 장치 2: 제어부
10: 플라스마 처리 챔버 11: 기판 지지부
12: 플라스마 생성부 13: 샤워 헤드
20: 가스 공급부 30: 전원
31: RF 전원 32: DC 전원
40: 배기 시스템 60: 리프터
70: 액추에이터 112: 링 어셈블리
PM: 기판 처리 모듈 PS: 기판 처리 시스템

Claims (12)

  1. 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며,
    챔버와,
    상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와,
    상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와
    제어부
    를 구비하고, 상기 제어부는,
    상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키고,
    상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고,
    상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는,
    제어를 실행하는, 플라스마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판을 상기 챔버 내에 반입하는 반입 장치를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 반입 장치에 의해, 상기 챔버 내에서의, 상기 기판 지지부로부터 제2 거리에 있는 제2 위치에 상기 기판을 반입하는 제어를 또한 실행하고,
    상기 제1 위치는, 상기 제2 위치와 동등하거나, 상기 제2 위치보다 상기 기판 지지부에 가까운, 플라스마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 거리는, 1.3mm 이상 3mm 이하인, 플라스마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판을 상기 챔버 내에 반입하는 반입 장치를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 반입 장치에 의해, 상기 챔버 내에서의, 상기 기판 지지부로부터 제2 거리에 상기 기판을 반입하는 제어를 또한 실행하고,
    상기 제1 거리는, 상기 제2 거리의 6.8％ 이상 16％ 이하인, 플라스마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 챔버 내에서, 상기 기판 지지부로부터 제3 거리에 마련된 전극을 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 기판 지지부 또는 상기 전극에 RF 전력을 공급하여 상기 플라스마를 생성하는 제어를 실행하고,
    상기 제1 거리는, 상기 제3 거리의 3.3％ 이상 7.5％ 이하인, 플라스마 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 기판을 정전 흡착하는 정전 흡착부를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 기판 지지부에 적재된 기판을, 상기 정전 흡착부에 의해 상기 기판 지지부에 정전 흡착시키는 제어를 또한 실행하는, 플라스마 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 챔버 내의 압력을 250mTorr 이하로 하는 제어를 실행하는, 플라스마 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라스마 생성부는, RF 전력에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고,
    상기 제어부는, 상기 RF 전력을 50W 이상 1,000W 이하로 하는 제어를 또한 실행하는, 플라스마 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라스마를 생성하기 위한 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 가스 공급부를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리에 기초하여, 상기 가스 공급부가 상기 챔버 내에 공급하는 가스의 유량을 제어하는, 플라스마 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판이 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 가스의 유량이 제1 유량으로 되도록 상기 가스 공급부를 제어하고, 상기 기판이 상기 제1 위치보다 상기 기판 지지부에 가까운 위치에 있을 때, 상기 가스의 유량이 상기 제1 유량 이상의 유량으로 되도록 상기 가스 공급부를 제어하는, 플라스마 처리 장치.
  11. 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치이며,
    챔버와,
    상기 챔버 내에 마련되고, 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와,
    상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터와,
    제어부
    를 구비하고, 상기 제어부는,
    상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 이격된 위치로부터 상기 기판 지지부를 향해서 상기 기판을 이동하고,
    상기 기판의 이동 중에, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하고,
    상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해 상기 기판을 상기 기판 지지부에 적재하는,
    제어를 실행하는, 플라스마 처리 장치.
  12. 플라스마 처리 장치에서 기판을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 방법이며,
    상기 플라즈마 장치는,
    챔버와,
    상기 챔버 내에 마련된 기판 지지부이며, 상기 기판 지지부는, 기판을 지지하는 영역 및 상기 영역의 주위에 마련된 에지 링을 갖고 있고, 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부와,
    상기 챔버 내에서 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와,
    상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부와 상기 기판의 거리를 제어하는 리프터
    를 구비하고,
    상기 플라스마 처리 방법은,
    상기 리프터에 의해, 상기 기판 지지부로부터 제1 거리에 있는 제1 위치에 상기 기판을 위치시키는 공정과,
    상기 기판이 상기 제1 위치에 있는 상태에서, 상기 플라스마 생성부에 의해 상기 챔버 내에 플라스마를 생성하는 공정과,
    상기 챔버 내에 상기 플라스마가 생성된 상태에서, 상기 리프터에 의해, 상기 기판을 상기 제1 위치로부터 상기 에지 링의 내측에서 상기 기판 지지부에 적재하는 공정
    을 포함하는, 플라스마 처리 방법.
KR1020247011722A 2021-09-14 2022-09-12 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 KR20240065117A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021149137 2021-09-14
JPJP-P-2021-149137 2021-09-14
PCT/JP2022/034085 WO2023042804A1 (ja) 2021-09-14 2022-09-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240065117A true KR20240065117A (ko) 2024-05-14

Family

ID=85602910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247011722A KR20240065117A (ko) 2021-09-14 2022-09-12 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023042804A1 (ko)
KR (1) KR20240065117A (ko)
CN (1) CN117916863A (ko)
TW (1) TW202331918A (ko)
WO (1) WO2023042804A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000025347A1 (en) 1998-10-23 2000-05-04 Balzers Aktiengesellschaft Plasma treatment apparatus and method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7465680B2 (en) * 2005-09-07 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Post deposition plasma treatment to increase tensile stress of HDP-CVD SIO2
JP4865352B2 (ja) * 2006-02-17 2012-02-01 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5565892B2 (ja) * 2008-06-13 2014-08-06 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法
KR20150131895A (ko) * 2014-05-16 2015-11-25 박영소 웨이퍼 범프 리플로우 방법 및 장비

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000025347A1 (en) 1998-10-23 2000-05-04 Balzers Aktiengesellschaft Plasma treatment apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023042804A1 (ja) 2023-03-23
CN117916863A (zh) 2024-04-19
TW202331918A (zh) 2023-08-01
JPWO2023042804A1 (ko) 2023-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5063520B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN108987233B (zh) 等离子体处理装置和静电吸附方法
US8440050B2 (en) Plasma processing apparatus and method, and storage medium
US9021984B2 (en) Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
CN109509694B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN112602176A (zh) 载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法
US11756769B2 (en) Plasma processing apparatus
CN112103164A (zh) 载置台和等离子体处理装置
TW202249540A (zh) 脈衝dc電漿腔室中的電漿均勻性控制
US20230090650A1 (en) Plasma processing apparatus
US20230087660A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20240065117A (ko) 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US20180358209A1 (en) Plasma processing apparatus
TWI767655B (zh) 蝕刻裝置及蝕刻方法
JP7390219B2 (ja) エッジリングの保持方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム
TW202139252A (zh) 載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法
JP7419611B1 (ja) 伝熱ガスのリーク量低減方法
US20230072102A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20230138006A1 (en) Cleaning method, substrate processing method and plasma processing apparatus
US20240177973A1 (en) Plasma processing apparatus
US20230173557A1 (en) Cleaning method and method of manufacturing semiconductor device
KR20220091388A (ko) 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
JP2023070364A (ja) 基板処理システム
CN115705987A (zh) 等离子体处理装置和蚀刻方法
TW202331780A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法